專利名稱：功率因素校正電路與其電源供應(yīng)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種功率因素校正電路與其電源供應(yīng)裝置，且特別是有關(guān)于
一種可以降低電磁干擾(electromagnetic interference, EMI)的功率因素校正電 路與其電源供應(yīng)裝置。
背景技術(shù)：
在各種電子裝置的評估標準中，電磁相容性(Electromagnetic Compatibility, EMC)是一關(guān)鍵的品質(zhì)指標。電磁相容性的評估包括電磁干擾 (Electromagnetic Interference, EMI)以及抗電磁干擾(Electromagnetic Susc印tibility, EMS)。因為，現(xiàn)行電子裝置的信號傳輸速度愈來愈快，所以配備 于電子裝置內(nèi)部的電子元件所造成的電磁干擾會愈來愈嚴重，進而影響電子裝置中 其他電子元件的正常運作。
一般來說，電磁干擾主要透過電源供應(yīng)器傳入電路中。因此，在伺服器中， 為了要通過相應(yīng)的標準，則電源供應(yīng)器的電磁干擾測試也是一個很關(guān)鍵的測試專 案。另外，現(xiàn)在的電源供應(yīng)器通常會配置至少一個開關(guān)元件，并通過控制此開關(guān)元 件的導(dǎo)通與截止來產(chǎn)生所欲輸出的電壓。
然而，隨著開關(guān)反復(fù)的切換，電源供應(yīng)器可能會造成的電磁干擾也隨之增加。 雖然，現(xiàn)有的電源供應(yīng)器利用不斷變化其內(nèi)部脈寬調(diào)制(Power Width Modulation, P觀)信號的頻率來降低電磁干擾。但是，如何讓脈寬調(diào)制信號的頻率產(chǎn)生變化，并 且同時保持電源輸出的穩(wěn)定則是一個重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種功率因素校正電路，可以對脈寬調(diào)制信號的頻率進行調(diào)整， 以達到降低電磁干擾的現(xiàn)象。
本發(fā)明提供一種電源供應(yīng)裝置，通過調(diào)整其內(nèi)部的脈寬調(diào)制信號的頻率，以
7降低電磁干擾的現(xiàn)象。本發(fā)明提出一種功率因素校正電路，其包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電 阻與升壓控制單元。升壓轉(zhuǎn)換器具有輸入端、輸出端以及接地端，用以依據(jù)脈寬調(diào) 制信號而將輸入端所傳送的整流電壓轉(zhuǎn)換成輸出端所傳送的校正電壓。第一電容的 第一端耦接至輸入端。第一電阻的第一端耦接至第一電容的第二端，其第二端耦接 至接地端。升壓控制單元耦接至第一電阻的第一端與第二端、輸入端以及輸出端， 此升壓控制單元以一斜波信號為基準來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號，并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的 電流、整流電壓以及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號的工作周期與頻率。另外，升壓控制單元包括信號產(chǎn)生器與頻率控制器。信號產(chǎn)生器用以產(chǎn)生斜 波信號，并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號的斜率。頻率控制器耦接至信號產(chǎn)生器 與輸入端，用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。在本發(fā)明一實施例中，上述升壓轉(zhuǎn)換器包括電感、第一晶體管、二極管與第 二電容。電感的第一端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端。第一晶體管的柵極端接收脈寬 調(diào)制信號，其漏極端耦接至電感的第二端，其源極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的接地端。 二極管的陽極端耦接至第一晶體管的漏極端，其陰極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的輸出 端。第二電容C2的第一端耦接至二極管的陰極端，其第二端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器的接地端。另外，上述第一晶體管為NMOS晶體管。在本發(fā)明一實施例中，上述信號產(chǎn)生器包括第二電阻、第二晶體管、第三晶 體管、第三電容、第四晶體管與比較器。第二電阻的第一端接收充電電流，其第二 端耦接至地端。第二晶體管的發(fā)射極端接收第一電壓，其基極端與集電極端耦接至 第二電阻的第一端。第三晶體管的發(fā)射極端耦接至第二晶體管的發(fā)射極端，其基極 端耦接至第四晶體管的基極端。第三電容的第一端耦接至第三晶體管的集電極端， 其第二端耦接至地端。第四晶體管的漏極端耦接至第三晶體管的集電極端，其源極 端耦接至地端。比較器的第一輸入端耦接至第四晶體管的漏極端，其第二輸入端接 收第二電壓，其輸出端耦接至第四晶體管的柵極端。在本發(fā)明一實施例中，上述第二晶體管與第三晶體管為PNP雙極性晶體管。 另外，上述第四晶體管為醒OS晶體管。在本發(fā)明一實施例中，上述頻率控制器包括第三電阻、第五晶體管、第四電 阻、第五電阻、第六電阻、第七電阻、第八電阻、第四電容、第六晶體管、第九電阻、第十電阻、第十一電阻、第五電容C5與第十二電阻。第三電阻的第一端耦接 至信號產(chǎn)生器，其第二端耦接至地端。第五晶體管的集電極端耦接至第三電阻的第 一端。第四電阻的第一端耦接至第五晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至地端。第 五電阻的第一端接收整流電壓。第六電阻的第一端耦接至第五電阻的第二端。承上述，第七電阻的第一端耦接至第六電阻的第二端，其第二端耦接至第五 晶體管的基極端。第八電阻的第一端耦接至第七電阻的第二端，其第二端耦接至地 端。第四電容的第一端耦接至第八電阻的第一端，其第二端耦接至地端。第六晶體 管的集電極端耦接至第四電容的第一端。第九電阻的第一端耦接至第六晶體管的發(fā) 射極端，其第二端耦接至地端。第十電阻的第一端接收正比于整流電壓的一直流電 壓，其第二端耦接至第六晶體管的基極端。第十一電阻的第一端耦接至第十電阻的 第二端，其第二端耦接至地端。第五電容的第一端耦接至第十電阻的第一端，其第 二端耦接至地端。第十二電阻的第一端耦接第五電容的第一端，其二端耦接至地端。在本發(fā)明一實施例中，上述第五晶體管與第六晶體管為NPN雙極性晶體管。另外，上述第九電阻的電阻值小于第八電阻的電阻值。本發(fā)明提出一種電源供應(yīng)裝置，其包括濾波器、整流器、功率因素校正電路 與直流變化器。濾波器用以接收一交流電壓，并濾除交流電壓的高頻成分。整流器 耦接濾波器，用以對濾波后的交流電壓進行整流，以產(chǎn)生一整流電壓。功率因素校 正電路耦接濾波器，用以依據(jù)一脈寬調(diào)制信號而將整流電壓轉(zhuǎn)換成校正電壓，其中 功率因素校正電路包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電阻、升壓控制單元。升壓轉(zhuǎn)換器具有輸入端、輸出端以及接地端，用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號而將輸 入端所傳送的整流電壓轉(zhuǎn)換成輸出端所傳送的校正電壓。第一電容的第一端耦接至 輸入端。第一電阻的第一端耦接至第一電容的第二端，其第二端耦接至接地端。升 壓控制單元耦接至第一電阻的第一端與第二端、輸入端以及輸出端，升壓控制單元 以斜波信號為基準來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號，并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的電流、整流電壓以 及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號的工作周期與頻率。另外，此升壓控制單元包括信號產(chǎn)生器與頻率控制器。信號產(chǎn)生器用以產(chǎn)生 斜波信號，并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號的斜率。頻率控制器耦接至信號產(chǎn)生 器與輸入端，用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。直流變化器耦接功率因素校正電 路，用以將校正電壓轉(zhuǎn)換成輸出電壓。9本發(fā)明通過頻率控制器控制充電電流的大小，使得信號產(chǎn)生電路對應(yīng)的調(diào)整 斜波信號的斜率。由于斜波信號的斜率改變，進而調(diào)整脈寬調(diào)制信號的頻率，以便 于降低電源供應(yīng)裝置所產(chǎn)生的電磁干擾的現(xiàn)象。另外，本發(fā)明的電源供應(yīng)裝置可以 在調(diào)整脈寬調(diào)制信號的過程中，仍可提供穩(wěn)定的電壓源。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合 附圖，作詳細說明如下。


圖1繪示為本發(fā)明一實施例的電源供應(yīng)裝置的方塊圖。 圖2繪示為圖1的功率因素校正電路的電路方塊圖。圖3繪示為圖2的功率因素校正電路的詳細電路圖。
具體實施方式
在以下說明中，為呈現(xiàn)對本發(fā)明說明的一貫性，故在不同的圖式中，若有功能 與結(jié)構(gòu)相同或相似的元件會用相同的元件符號與名稱。圖1繪示為本發(fā)明一實施例的電源供應(yīng)裝置的方塊圖。請參照圖1，電源供應(yīng) 裝置100包括濾波器110、整流器120、功率因素校正電路130與直流變化器(DC to DC Converter) 140。濾波器110用以接收交流電壓VAC，并濾除交流電壓VAC的高頻成分。整流器120耦接濾波器110，并用以對濾波后的交流電壓Vac迸行整流，以產(chǎn)生整流電壓 Vrec。在本實施例中，整流器120可用一橋式整流器實施之。功率因素校正電路130耦接整流器120。 一般來說，功率因素校正電路130會調(diào)整輸入電流的波形，以致使輸入電流與整流電壓VREC的相位差趨近于0。如此一來，電源供應(yīng)裝置100將可利用功率因素校正電路130來降低功率消耗的問題。 直流變化器140耦接功率因素校正電路130,用以對校正電壓Vc進行轉(zhuǎn)換，以便于產(chǎn)生電源供應(yīng)裝置100所欲提供的輸出電壓V0。值得一提的是，在本實施例中，功率因素校正電路130更可降低電磁干擾的現(xiàn)象。為了使熟悉此技術(shù)者能輕易了解本實施例的技術(shù)內(nèi)容，以下將針對功率因素校正電路130做進一步的說明。圖2繪示為圖1的功率因素校正電路130的電路方塊圖。請參照圖2，功率因 素校正電路130包括升壓轉(zhuǎn)換器210、電容C1、電阻R1以及升壓控制單元230。 其中，升壓轉(zhuǎn)換器210具有輸入端211、輸出端212以及接地端213。并且，此升 壓轉(zhuǎn)換器210用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號VPWM而將輸入端211所傳送的整流電壓Vrec 轉(zhuǎn)換成輸出端212所傳送的校正電壓Vc。電容C1的第一端耦接至輸入端211。電 阻R1的第一端耦接至電容C1的第二端，其第二端耦接至接地端213。升壓控制單元230耦接至電阻R1的第一端與第二端、輸入端2U以及輸出端 212。升壓控制單元230會以一斜波信號VR為基準來產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號VPWM，并 依據(jù)流經(jīng)電阻R1的電流I,、整流電壓VREc以及校正電壓Vc來調(diào)整脈寬調(diào)制信號 VPWM的工作周期(Duty Cycle)與頻率。在本實施例中，升壓控制單元230包括信號產(chǎn)生器231與頻率控制器232。信 號產(chǎn)生器231用以產(chǎn)生斜波信號VR，并依據(jù)充電電流Ic來調(diào)整斜波信號Vk的斜 率。頻率控制器232耦接至信號產(chǎn)生器231與輸入端211 ，用以依據(jù)整流電壓Vrec 來調(diào)整充電電流Ic:。值得一提的是，功率因素校正電路130通過頻率控制器232先行調(diào)整充電電流 Io之后，信號產(chǎn)生器231便利用充電電流Ic;的電流值的改變，調(diào)整斜波信號VK 的頻率，使得升壓控制單元230對應(yīng)地調(diào)整脈寬調(diào)制信號VpwM的頻率，以達到降 低電磁干擾的現(xiàn)象。以下將提供功率因素校正電路130的電路圖，以進一步的說明功率因素校正電 路130是如何調(diào)整充電電流Ic以及斜波信號VR的斜率。圖3繪示為圖2的功率因素校正電路130的詳細電路圖。請參照圖3，升壓轉(zhuǎn) 換器210包括電感L、晶體管M1、 二極管D與電容C2。電感L的第一端耦接至 升壓轉(zhuǎn)換器210的輸入端211。晶體管M1的柵極端接收脈寬調(diào)制信號VPWM，晶 體管M1的漏極端耦接至電感L的第二端，晶體管M1的源極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器 210的接地端213。 二極管D的陽極端耦接至晶體管Ml的漏極端，二極管D的陰 極端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器210的輸出端212。電容C2的第一端耦接至二極管D的陰 極端，電容C2的第二端耦接至升壓轉(zhuǎn)換器210的接地端213。在本實施例中，晶 體管Ml例如為NMOS晶體管。信號產(chǎn)生器23包括電阻R2、晶體管Trl與Tr2、晶體管M2、電容C3與比 較器310。電阻R2的第一端接收充電電流Ic，且其第二端耦接至地端。晶體管Trl 的發(fā)射極端接收第一電壓VI，晶體管Trl的基極端與集電極端耦接至電阻R2的 第一端。晶體管Tr2的發(fā)射極端耦接至晶體管Trl的發(fā)射極端，晶體管Tr2的基極 端耦接至晶體管Trl的基極端。再者，電容C3的第一端耦接至晶體管Tr2的集電極端，其第二端耦接至地端。 晶體管M2的漏極端耦接至晶體管Tr2的集電極端，晶體管M2的源極端耦接至地 端。比較器310的第一輸入端耦接至晶體管M2的漏極端，比較器310的第二輸入 端接收第二電壓V2，比較器310的輸出端耦接至晶體管M2的柵極端。在本實施 例中，晶體管Trl與Tr2例如為PNP雙極性晶體管，而晶體管M2例如為NMOS 晶體管。請繼續(xù)參照圖3，頻率控制器232包括電阻R3 R12、晶體管Tr3與Tr4、以及 電容C4與C5。電阻R3的第一端耦接至信號產(chǎn)生器231，且其第二端耦接至地端。 晶體管Tr3的集電極端耦接至電阻R3的第一端。電阻R4的第一端耦接至晶體管 Tr3的發(fā)射極端，其第二端耦接至地端。電阻R5的第一端接收整流電壓VREc。電 阻R6的第一端耦接至電阻R5的第二端。電阻R7的第一端耦接至電阻R6的第二 端，其第二端耦接至晶體管Tr3的基極端。此外，電阻R8的第一端耦接至電阻R7的第二端，其第二端耦接至地端。電 容C4的第一端耦接至電阻R8的第一端，其第二端耦接至地端。晶體管Tr4的集 電極端耦接至電容C4的第一端。電阻R9的第一端耦接至晶體管Tr4的發(fā)射極端， 其第二端耦接至地端。電阻R10的第一端接收正比于整流電壓Vrec的一直流電壓 VFF，其第二端耦接至晶體管Tr4的基極端。再者，電阻Rll的第一端耦接至電阻RIO的第二端，其第二端耦接至地端。 電容C5的第一端耦接至電阻R10的第一端，其第二端耦接至地端。電阻R12的第 一端耦接電容C5的第一端，其二端耦接至地端。在本實施例中，晶體管Tr3與Tr4 例如為NPN雙極性晶體管。在整體作動上，首先，當頻率控制器232中的晶體管Tr3尚未導(dǎo)通時，充電電 流Ic為流經(jīng)電阻R2與R3上的電流的總合。由于晶體管Trl與Tr2形成一電流鏡 (Current Mirror)，因此晶體管Tr2的集電極端所輸出的電流也為充電電流Ic。之后，比較器310會控制晶體管M2的導(dǎo)通狀態(tài)，來致使電容C3進行充電或放電。隨著 電容C3的充電與放電的反復(fù)進行，信號產(chǎn)生器231將據(jù)以產(chǎn)生斜波信號VR。當晶體管Tr3導(dǎo)通時，充電電流Ic為流經(jīng)電阻R2、電阻R3與電阻R4上的電 流的總和。因此，充電電流Ic:的電流值將會改變。由于充電電流Ic的改變，則信 號控制器231會對斜波信號VR的斜率進行調(diào)整。藉此，升壓控制單元230也會對 應(yīng)的調(diào)整脈寬信號VpwM的頻率，進而降低電源供應(yīng)裝置100的電磁干擾的現(xiàn)象。在本實施例中，頻率控制器232可以通過整流電壓Vrec來決定晶體管Tr3的 導(dǎo)通狀態(tài)。舉例來說，由于晶體管Tr3導(dǎo)通與否是取決于其基極端所接收到的電壓， 也就是壓降在電阻R8兩端的電壓差。而電阻R8上的電壓，則是將頻率控制器232 所接收的整流電壓V旺c，經(jīng)由電阻R5 R8進行分壓來獲得。因此，頻率控制器232 可以依據(jù)整流電壓VREc來決定晶體管Tr3的導(dǎo)通狀態(tài)。而電容C4則是用以濾除高 頻雜訊。另外，晶體管Tr4的導(dǎo)通與否，也可以決定晶體管Tr3的導(dǎo)通狀態(tài)。舉例來說， 當晶體管Tr4不導(dǎo)通時，則晶體管Tr3的基極端所接收到的電壓，即為壓降在電阻 R8兩端的電壓差。而當晶體管Tr4導(dǎo)通時，則晶體管Tr3的基極端所接收到的電 壓，即為電阻R8與R9并聯(lián)后的電壓差。相對地，晶體管Tr3會隨著其基極端所 接收到的電壓的大小，而更動其導(dǎo)通狀態(tài)。此外，頻率控制器232可以依據(jù)直流電壓V汗的大小，而決定晶體管Tr4的導(dǎo) 通狀態(tài)。舉例來說，首先，直流電壓V^會先經(jīng)由電阻R12與電容C5所組成的濾 波器進行濾波。之后，濾波后的直流電壓VfT會經(jīng)由電阻R10與Rll進行分壓， 以便于產(chǎn)生晶體管Tr4的基極端電壓，亦即壓降于電阻R11兩端的電壓差。因此， 直流電壓Vw可以控制任何因整流電壓V貼c所引起的電流變化，進而保證脈寬調(diào) 制信號VPWM的頻率可以作為整流電壓VREC的函數(shù)變化。在本實施例中，升壓控制單元230所提供的脈寬調(diào)制信號VPWM的頻率會20% 的改變，另外，為了保持電感最小和損耗最小，在功率因素校正電路130的頻率變 化，不能超過基頻的20% 30%。此外，功率因素校正電路130中工作周期將例如 從80%變化到100%。綜上所述，本發(fā)明通過頻率控制器控制充電電流的大小，使得信號產(chǎn)生電路對 應(yīng)的調(diào)整斜波信號的斜率。由于斜波信號的斜率改變，進而調(diào)整脈寬調(diào)制信號的頻13率，以降低電源供應(yīng)裝置所產(chǎn)生的電磁干擾的現(xiàn)象。另外，電源供應(yīng)裝置在調(diào)整脈 寬調(diào)制信號的過程中，其將持續(xù)輸出穩(wěn)定的電壓源。雖然本發(fā)明己以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技 術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求所界定的為準。
權(quán)利要求
1.一種功率因素校正電路，包括一升壓轉(zhuǎn)換器，具有一輸入端、一輸出端以及一接地端，用以依據(jù)一脈寬調(diào)制信號而將該輸入端所傳送的一整流電壓轉(zhuǎn)換成該輸出端所傳送的一校正電壓；一第一電容，其第一端耦接至該輸入端；一第一電阻，其第一端耦接至該第一電容的第二端，其第二端耦接至該接地端；以及一升壓控制單元，耦接至該第一電阻的第一端與第二端、該輸入端以及該輸出端，該升壓控制單元以一斜波信號為基準來產(chǎn)生該脈寬調(diào)制信號，并依據(jù)流經(jīng)該第一電阻的電流、該整流電壓以及該校正電壓來調(diào)整該脈寬調(diào)制信號的工作周期與頻率，其中該升壓控制單元包括一信號產(chǎn)生器，用以產(chǎn)生該斜波信號，并依據(jù)一充電電流來調(diào)整該斜波信號的斜率；以及一頻率控制器，耦接至該信號產(chǎn)生器與該輸入端，用以依據(jù)該整流電壓來調(diào)整該充電電流。
2. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該升壓轉(zhuǎn)換器包括 一電感，其第一端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該輸入端；一第一晶體管，其柵極端接收該脈寬調(diào)制信號，其漏極端耦接至該電感的第二 端，其源極端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端；一二極管，其陽極端耦接至該第一晶體管的漏極端，其陰極端耦接至該升壓轉(zhuǎn) 換器的該輸出端；以及一第二電容，其第一端耦接至該二極管的陰極端，其第二端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端。
3. 如權(quán)利要求2所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第一晶體管為NMOS晶體管。
4. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該信號產(chǎn)生器包括 一第二電阻，其第一端接收該充電電流，其第二端耦接至一地端；一第二晶體管，其發(fā)射極端接收一第一電壓，其基極端與集電極端耦接至該第 二電阻的第一端；一第三晶體管，其發(fā)射極端耦接至該第二晶體管的發(fā)射極端，其基極端耦接至 該第二晶體管的基極端；一第三電容，其第一端耦接至該第三晶體管的集電極端，其第二端耦接至該地端；一第四晶體管，其漏極端耦接至該第三晶體管的集電極端，其源極端耦接至該 地端；以及一比較器，其第一輸入端耦接至該第四晶體管的漏極端，其第二輸入端接收一 第二電壓，其輸出端耦接至該第四晶體管的柵極端。
5. 如權(quán)利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第二晶體管與該第 三晶體管為PNP雙極性晶體管。
6. 如權(quán)利要求4所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第四晶體管為NMOS 晶體管。
7. 如權(quán)利要求1所述的功率因素校正電路，其特征在于，該頻率控制器包括 一第三電阻，其第一端耦接至該信號產(chǎn)生器，其第二端耦接至一地端； 一第五晶體管，其集電極端耦接至該第三電阻的第一端；一第四電阻，其第一端耦接至該第五晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地A山頓；一第五電阻，其第一端接收該整流電壓； 一第六電阻，其第一端耦接至該第五電阻的第二端；一第七電阻，其第一端耦接至該第六電阻的第二端，其第二端耦接至該第五晶 體管的基極端；一第八電阻，其第一端耦接至該第七電阻的第二端，其第二端耦接至該地端； 一第四電容，其第一端耦接至該第八電阻的第一端，其第二端耦接至該地端； 一第六晶體管，其集電極端耦接至該第四電容的第一端；一第九電阻，其第一端耦接至該第六晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地端；一第十電阻，其第一端接收正比于該整流電壓的一直流電壓，其第二端耦接至 該第六晶體管的基極端；一第十一電阻，其第一端耦接至該第十電阻的第二端，其第二端耦接至地端； 一第五電容，其第一端耦接至該第十電阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及一第十二電阻，其第一端耦接該第五電容的第一端，其二端耦接至地端。
8. 如權(quán)利要求7所述的功率因素校正電路，其特征在于，該第五晶體管與該第 六晶體管為NPN雙極性晶體管。
9. 一種電源供應(yīng)裝置，包括一濾波器，用以接收一交流電壓，并濾除該交流電壓的高頻成分； 一整流器，耦接該濾波器，用以對濾波后的該交流電壓進行整流，以產(chǎn)生一整 流電壓；一功率因素校正電路，耦接該濾波器，并包括一升壓轉(zhuǎn)換器，具有一輸入端、 一輸出端以及一接地端，用以依據(jù)該脈寬 調(diào)制信號而將該輸入端所傳送的該整流電壓轉(zhuǎn)換成該輸出端所傳送的該校正電壓； 一第一電容，其第一端耦接至該輸入端；一第一電阻，其第一端耦接至該第一電容的第二端，其第二端耦接至該接 地端；以及一升壓控制單元，耦接至該第一電阻的第一端與第二端、該輸入端以及該 輸出端，該升壓控制單元以一斜波信號為基準來產(chǎn)生該脈寬調(diào)制信號，并依據(jù)流經(jīng) 該第一電阻的電流、該整流電壓以及該校正電壓來調(diào)整該脈寬調(diào)制信號的工作周期 與頻率，其中該升壓控制單元包括一信號產(chǎn)生器，用以產(chǎn)生該斜波信號，并依據(jù)一充電電流來調(diào)整該斜 波信號的斜率；以及一頻率控制器，耦接至該信號產(chǎn)生器與該輸入端，用以依據(jù)該整流電 壓來調(diào)整該充電電流；一直流變化器，耦接該功率因素校正電路，用以將該校正電壓轉(zhuǎn)換成一輸出電壓。
10. 如權(quán)利要求9所述的電源供應(yīng)裝置，其特征在于，該升壓轉(zhuǎn)換器包括一電感，其第一端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該輸入端；一第一晶體管，其柵極端接收該脈寬調(diào)制信號，其漏極端稱接至該電感的第二 端，其源極端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端；一二極管，其陽極端耦接至該第一晶體管的漏極端，其陰極端耦接至該升壓轉(zhuǎn) 換器的該輸出端；以及一第二電容，其第一端耦接至該二極管的陰極端，其第二端耦接至該升壓轉(zhuǎn)換器的該接地端。
11. 如權(quán)利要求10所述的電源供應(yīng)裝置，其特征在于，該第一晶體管為NMOS晶體管。
12. 如權(quán)利要求9所述的功率因素校正電路，其特征在于，該信號產(chǎn)生器包括-一第二電阻，其第一端接收該充電電流，其第二端耦接至一地端； 一第二晶體管，其發(fā)射極端接收一第一電壓，其基極端與集電極端耦接至該第二電阻的第一端；一第三晶體管，其發(fā)射極端耦接至該第二晶體管的發(fā)射極端，其基極端耦接至 該第二晶體管的基極端；一第三電容，其第一端耦接至該第三晶體管的集電極端，其第二端耦接至該地A山順；一第四晶體管，其漏極端耦接至該第三晶體管的集電極端，其源極端耦接至該 地端；以及一比較器，其第一輸入端耦接至該第四晶體管的漏極端，其第二輸入端接收一 第二電壓，其輸出端耦接至該第四晶體管的柵極端。
13. 如權(quán)利要求12所述的電源供應(yīng)裝置，其特征在于，該第二晶體管與該第三 晶體管為PNP雙極性晶體管。
14. 如權(quán)利要求12所述的電源供應(yīng)器，其特征在于，該第四晶體管為NMOS 晶體管。
15. 如權(quán)利要求9所述的電源供應(yīng)裝置，其特征在于，該頻率控制器包括 一第三電阻，其第一端耦接至該信號產(chǎn)生器，其第二端耦接至一地端； 一第五晶體管，其集電極端耦接至該第三電阻的第一端；一第四電阻，其第一端耦接至該第五晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地端；一第五電阻，其第一端接收該整流電壓； 一第六電阻，其第一端耦接至該第五電阻的第二端；一第七電阻，其第一端耦接至該第六電阻的第二端，其第二端耦接至該第五晶 體管的基極端；一第八電阻，其第一端耦接至該第七電阻的第二端，其第二端耦接至該地端； 一第四電容，其第一端耦接至該第八電阻的第一端，其第二端耦接至該地端； 一第六晶體管，其集電極端耦接至該第四電容的第一端；一第九電阻，其第一端耦接至該第六晶體管的發(fā)射極端，其第二端耦接至該地端；一第十電阻，其第一端接收正比于該整流電壓的一直流電壓，其第二端耦接至 該第六晶體管的基極端；一第十一電阻，其第一端耦接至該第十電阻的第二端，其第二端耦接至地端； 一第五電容，其第一端耦接至該第十電阻的第一端，其第二端耦接至地端；以及一第十二電阻，其第一端耦接該第五電容的第一端，其二端耦接至地端。
16.如權(quán)利要求15所述的電源供應(yīng)裝置，其特征在于，該第五晶體管與該第六 晶體管為NPN雙極性晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種功率因素校正電路，包括升壓轉(zhuǎn)換器、第一電容、第一電阻與升壓控制單元。升壓控制單元包括信號產(chǎn)生器與頻率控制器。升壓轉(zhuǎn)換器用以依據(jù)脈寬調(diào)制信號而將一整流電壓轉(zhuǎn)換成一校正電壓。第一電容與第一電阻相互串接在升壓轉(zhuǎn)換器的輸入端與接地端之間。升壓控制單元用以產(chǎn)生脈寬調(diào)制信號，并依據(jù)流經(jīng)第一電阻的電流、整流電壓以及校正電壓來調(diào)整脈寬調(diào)制信號的工作周期與頻率。其中，信號產(chǎn)生器用以產(chǎn)生斜波信號，并依據(jù)一充電電流來調(diào)整斜波信號的斜率。頻率控制器用以依據(jù)整流電壓來調(diào)整充電電流。
文檔編號H02M1/00GK101540546SQ20081008790
公開日2009年9月23日 申請日期2008年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2008年3月18日
發(fā)明者劉士豪, 夏春華 申請人:英業(yè)達股份有限公司