專利名稱：開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路和利用該開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的調(diào)節(jié)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，具體地，涉及一種用于產(chǎn)生 電功率的調(diào)節(jié)器或類似裝置中的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)常常用于液晶顯示器的背光。液晶顯示器的 背光有多個亮度設(shè)定，背光可調(diào)節(jié)至每個亮度設(shè)定。例如通過改變流 過LED的電流量進行亮度的切換。通過恒壓電源產(chǎn)生用于饋送電流通過 LED的電壓。通常，開關(guān)調(diào)節(jié)器是公知的配置為產(chǎn)生恒壓的電路。開關(guān)調(diào)節(jié)器 利用開關(guān)元件，間斷地饋送電流通過連接到負載的線圈，開關(guān)元件例 如MOS晶體管，其導(dǎo)通性由開關(guān)脈沖控制。這種開關(guān)調(diào)節(jié)器能夠通過 線圈的自感電動勢產(chǎn)生輸出電壓，并通過二極管和電容器整流。但是，在這種開關(guān)調(diào)節(jié)器中，功率效率隨負載的波動而波動。曰 本未審査專利申請公開No. 2003-319643公開了一種方法，通過控制用于控制流過線圈的電流的晶體管的開關(guān)頻率來防止這種開關(guān)調(diào)節(jié)器中 功率效率的劣化。此外，日本未審査專利申請公開No. 6-303766(Milton) 和No. 2005-218166公開了通過單觸發(fā)脈沖發(fā)生器產(chǎn)生開關(guān)脈沖來改善 功率效率的技術(shù)。圖6示出Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié)器。在Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié) 器中，當(dāng)比較VFB與基準(zhǔn)電壓的比較器674的輸出為"低"電平并且恒 定截止周期單觸發(fā)電路625的輸出為"低"電平時，N溝道晶體管617 導(dǎo)通。NMOS晶體管617通過恒定截止周期單觸發(fā)電路625以單觸發(fā)脈沖驅(qū)動。在這種情形下，利用單觸發(fā)脈沖作為開關(guān)脈沖來控制輸出電壓， 輸出電壓V。ut與對應(yīng)于單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度的時間T。n之間的關(guān)系由 以下方程式表示。<formula>formula see original document page 6</formula>(1)<formula>formula see original document page 6</formula>(2)根據(jù)方程式(2)解出T。n， T。n由方程式(3)表示,<formula>formula see original document page 6</formula>將方程式(3)代入方程式(1),推出方程式(4)和(5)<formula>formula see original document page 6</formula>(4)<formula>formula see original document page 6</formula>(5)其中，T。n為導(dǎo)通時間，T。ff為截止時間，1。ut為負載電流，ILpeak為 流過電感器元件的峰值電流，L為電感器元件的電抗。由方程式(5)可以看出，截止時間越短，輸出電壓值變得越小，而截止時間越長，輸出電壓值變得越大。圖7A和圖7B示出用作開關(guān)脈沖的單觸發(fā)脈沖與開關(guān)調(diào)節(jié)器的輸出電壓以及流過負載的負載電流之 間的關(guān)系。當(dāng)流過負載的電流量小的時候，因為連接到輸出端的電容 器的放電慢，所以輸出電壓V。ut的下降變慢(參見圖7B)。另一方面，當(dāng)流過負載的電流量大的時候，輸出電壓V。ut的下降變快(參見圖7A)。因此，假定單觸發(fā)脈沖具有恒定的脈沖寬度，則當(dāng)負載電流大的時候， 截止時間變短，輸出電壓變小。另一方面，當(dāng)負載電流小的時候，截 止時間變長，輸出電壓變大。在這種方式下，如果以恒定的脈沖寬度進行開關(guān)，則當(dāng)負載電流 小的時候，輸出電壓的紋波變大。輸出電壓的較大紋波會產(chǎn)生問題， 因為它增加了流過負載的平均電流且平均負載電流值超過了所期望的 負載電流值。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個實施例， 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路包括負載電 流設(shè)定部，基于負載電流設(shè)定信號來確定流過負載的電流量，所述負 載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負載電流設(shè)定部，所述負載電流設(shè) 定信號指定流過所述負載的電流量；以及脈沖產(chǎn)生部，輸出電壓供應(yīng)脈沖，所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述負載供應(yīng)電壓，所述電壓供應(yīng)脈 沖的脈沖寬度基于所述負載電流設(shè)定信號來確定。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例， 一種調(diào)節(jié)器包括負載電流設(shè)定部，基于負載電流設(shè)定信號來確定流過負載的電流量，所述負載電流設(shè)定部連接到輸出端；電壓輸出部，基于脈沖產(chǎn)生電路的輸出來產(chǎn)生電壓； 以及脈沖產(chǎn)生電路，向所述電壓輸出部輸出脈沖信號，所述脈沖信號 的脈沖寬度基于所述負載電流設(shè)定信號來確定。通過改變脈沖寬度，能夠減小輸出電壓的紋波，從而防止比期望 值更大的電流流過負載。即使當(dāng)負載電流小的時候，也允許近似等于或接近期望電流值的 電流流過負載。


通過下面結(jié)合附圖對一些優(yōu)選實施例所進行的描述，本發(fā)明的上述和其它目的、優(yōu)點以及特征將更加明顯，附圖中圖l為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)調(diào)節(jié)器的視圖； 圖2A和圖2B為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負載的電流的視圖；圖3為示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖； 圖4為示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖； 圖5為示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的視圖；圖6為示出Milton中所述的開關(guān)調(diào)節(jié)器的視圖；以及 圖7A和圖7B為示出當(dāng)通過單觸發(fā)脈沖來驅(qū)動開關(guān)調(diào)節(jié)器時，開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負載的電流的視圖。
具體實施方式
下面將參照示例性實施例來描述本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識 到，利用本發(fā)明的教導(dǎo)能夠?qū)崿F(xiàn)很多可選實施例，并且本發(fā)明不限于 這些為了解釋的目的而示出的實施例。下面參照

根據(jù)本發(fā)明的實施例。圖1示出根據(jù)本發(fā)明第 一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10和利用開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10的開關(guān) 調(diào)節(jié)器100。開關(guān)調(diào)節(jié)器100包括開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10、線圈101、輸出開關(guān) 元件(NMOS晶體管)102、 二極管103和電容器104。負載105連接 到開關(guān)調(diào)節(jié)器100的輸出端V。ut。向輸入端Vin提供預(yù)定的輸入電壓。線圈101和NMOS晶體管102 串聯(lián)連接在輸入端Vin與地電位GND之間，NMOS晶體管102是開關(guān) 元件。線圈101與NMOS晶體管102之間的節(jié)點通過二極管103連接 到輸出端V。w。平滑電容器104連接到輸出端V。ut，負載105與平滑電 容器104并聯(lián)地連接到輸出端V。ut。該負載105可由發(fā)光二極管(LED) 構(gòu)成，在本實施例中例如用于液晶顯示器的背光。根據(jù)本實施例的開關(guān)調(diào)節(jié)器100利用自感電動勢產(chǎn)生電壓，以饋 送電流通過線圈101，自感電動勢通過將脈沖電壓施加到NMOS晶體 管102的柵極而感應(yīng)得到。輸出電壓經(jīng)二極管103和電容器104平滑 后供應(yīng)給負載105。產(chǎn)生施加到負載的電壓的這一部分對應(yīng)于電壓輸出 部。開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路(電壓供應(yīng)脈沖產(chǎn)生電路)IO是向NMOS晶體 管102的柵極供應(yīng)脈沖電壓的電路，并建立流過負載105的電流。根 據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO包括負載電流設(shè)定端1、 負載電流設(shè)定部2、比較器3、單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4、輸出驅(qū)動器5、 開關(guān)脈沖輸出端6以及負載連接端7。本實施例中，開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路 10由半導(dǎo)體集成電路構(gòu)成，且形成在單個半導(dǎo)體芯片上。指定流過負載的電流量的外部信號被供應(yīng)給負載電流設(shè)定端1。 例如，通過用戶觀察液晶面板屏幕并控制連接到負載電流設(shè)定端1的 開關(guān)以增加或減少液晶面板屏幕的背光的亮度，來供應(yīng)該負載電流設(shè) 定信號?；蛘撸ㄟ^微型計算機的輸出來改變供應(yīng)給負載電流設(shè)定端1 的輸入信號，所述微型計算機檢測用戶開關(guān)的轉(zhuǎn)換。負載電流設(shè)定部2 通過負載連接端7連接到負載105，并建立流過負載105的電流量。本 實施例中，從開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO的外部供應(yīng)指定LED亮度的信號。 與流過負載105的電流成比例的反饋電壓Vb被輸入到比較器3的反相輸入端，基準(zhǔn)電壓Vref被輸入到非反相輸入端。當(dāng)反饋電壓Vb等于或小于基準(zhǔn)電壓V^時，比較器3輸出"高"電平。單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于比較器3輸出的"高"電平而產(chǎn)生單觸發(fā)脈沖。根據(jù)本實施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于負載電流設(shè)定端1所供應(yīng)的負載電流設(shè)定信號來改變所產(chǎn)生的單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度。下面將說明單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4的細節(jié)。輸出驅(qū)動器5從開關(guān)脈沖輸出端6輸出單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4所產(chǎn) 生的單觸發(fā)脈沖，作為驅(qū)動NMOS晶體管102所必需的電壓。根據(jù)本實施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4基于外部負載電流設(shè)定信號 來產(chǎn)生具有不同脈沖寬度的單觸發(fā)脈沖來驅(qū)動NMOS晶體管102。圖 2A和圖2B示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路所輸出的 開關(guān)脈沖、輸出電壓以及流過負載的電流。當(dāng)信號表明例如LED的亮 度降低(即負載電流減少)時，根據(jù)本發(fā)明第一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn) 生電路IO輸出具有第一脈沖寬度的脈沖作為單觸發(fā)脈沖(圖2B);而 當(dāng)信號表明LED的亮度增加(即負載電流增加)時，開關(guān)脈沖產(chǎn)生電 路10輸出脈沖寬度比第一脈沖寬度更寬的脈沖作為單觸發(fā)脈沖(圖 2A)。根據(jù)本實施例，當(dāng)負載電流小的時候，開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10縮短 了NMOS晶體管102處于導(dǎo)通狀態(tài)的周期。因此，它降低了輸出電壓， 并縮短了反饋電壓Vb下降到基準(zhǔn)電壓V^或下降到低于基準(zhǔn)電壓Vref 所需要的時間。因此，它還縮短了到下一個導(dǎo)通NMOS晶體管102的 單觸發(fā)脈沖的間隔，從而能夠減小紋波，并將平均負載電流降低到期 望的電流值。圖3是示出根據(jù)本實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10的更詳細的電路 圖。圖3中，與圖1中相同的部件采用相同的標(biāo)記，并省略這些部件 的說明。根據(jù)本實施例的單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4包括RS觸發(fā)器41、電 流源42-44、 PMOS晶體管45和46、 NMOS晶體管47、電容器48以及驅(qū)動器49。當(dāng)RS觸發(fā)器41的置位端連接到比較器3的輸出時，基于積累在 電容器48上的電荷來將驅(qū)動器49所產(chǎn)生的邏輯值提供給復(fù)位端。該 觸發(fā)器的正輸出Q被輸出到輸出驅(qū)動器5，以驅(qū)動NMOS晶體管102。 電流源42-44連接在電源電壓VDD與電容器48的一個電極之間。PMOS 晶體管45連接在電流源42與電容器48的該電極之間，PMOS晶體管 46連接在電流源43與電容器48的該電極之間?；谕獠康碾娏髦翟O(shè) 定信號的邏輯值被輸入到PMOS晶體管45和46的柵極。PMOS晶體 管45和46用作開關(guān)以控制各電容器的一個電極與電流源之間的連接。NMOS晶體管47連接在電容器的一個電極與地電位之間，RS觸 發(fā)器的負輸出/Q被提供給柵極。同時，負載電流設(shè)定部2由可變電阻器構(gòu)成。在圖3所示的電路 中，它包括電阻器21-23和NMOS晶體管24、 25。電阻器21-23的一 端通過負載連接端7連接到負載105，另一端連接到地電位。NMOS 晶體管24連接在電阻器21與地電位之間，NMOS晶體管25連接在電 阻器22與地電位之間?；陔娏髦翟O(shè)定信號的邏輯值被輸入到NMOS 晶體管24、 25的柵極。下面詳細說明圖3所示開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路的操作。在根據(jù)本實施 例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10中，提供2位邏輯信號作為負載電流設(shè)定信 號。首先，將提供"00"作為負載電流設(shè)定信號的情形作為示例進行 說明。當(dāng)提供"00"作為負載電流設(shè)定信號時，負載電流設(shè)定部2中 的NMOS晶體管24、 25變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。由于沒有電流流過電阻器21 和22，所以流過負載105的電流對應(yīng)于最小電流。當(dāng)輸出端的電壓下降，反饋電壓Vb變?yōu)榈扔诨蛐∮诨鶞?zhǔn)電壓Vref 時，"高"電平信號被輸入到RS觸發(fā)器41的置位端，輸出Q和/Q分別變?yōu)?高"電平和"低"電平。由于單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4中的NM0S 晶體管47轉(zhuǎn)換為截止?fàn)顟B(tài)，而PMOS晶體管45、 46處于導(dǎo)通狀態(tài)， 所以電容器48被三個電流源42、 43、 44充電。當(dāng)電容器48的充電推 進并且電壓升高到一定電壓時，驅(qū)動器49向RS觸發(fā)器41的復(fù)位端輸 出"高"電平信號。當(dāng)"高"電平信號被輸入到復(fù)位端時，RS觸發(fā)器 41的輸出Q轉(zhuǎn)換為"低"電平。從當(dāng)"高"電平信號通過反饋電壓Vb 被輸入到置位端時到當(dāng)"高"電平信號通過電容器的充電被輸入到復(fù) 位端時的時間量對應(yīng)于圖2A和圖2B所示的信號脈沖寬度。
如上所述，當(dāng)負載電流被設(shè)定為小的值時，通過三個電流源進行 充電，因此充電變得更快且脈沖寬度變得更窄。
另一方面，當(dāng)提供"11"作為負載電流設(shè)定信號時，負載電流設(shè) 定部2中的NMOS晶體管24、 25變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，而單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部 4中的PMOS晶體管45、 46變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)。在這種情形下，負載電流 對應(yīng)于最大電流值。類似于前面的情形，當(dāng)反饋電壓Vb下降時，"高" 電平被輸入到置位端，電容器48充電。但是，當(dāng)提供"ll"作為負載 電流設(shè)定信號時，PMOS晶體管45、 46為截止?fàn)顟B(tài)，電容器僅通過電 流源44充電。因此，假定每個電流源42-44能夠饋送相同的電流量， 則供應(yīng)給電容器的電流是前面輸入"00"情形下的電流的三分之一。 因此，"高"電平被輸入到復(fù)位端之前的時間量變得更大，從而單觸 發(fā)脈沖的脈沖寬度變得更寬。
在這種方式下，本實施例中產(chǎn)生開關(guān)脈沖的方式是使得開關(guān)調(diào)節(jié) 器的開關(guān)元件處于導(dǎo)通狀態(tài)的周期基于外部負載電流設(shè)定信號而被縮 短。例如，在液晶顯示器中使用LED背光的情形下，用戶在液晶顯示 器的使用過程中可有意地改變它們的亮度。在連接像LED這樣的元件 作為負載的情形下，當(dāng)基于表明負載電流量的信號而改變負載電流時， 能夠防止由于輸出電壓的增加而造成紋波的增大，并通過改變開關(guān)脈 沖的脈沖寬度，將流過例如LED這樣的負載的電流控制到期望的電流值。
第二實施例
圖4示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10。圖4中， 與圖3中相同的部件采用相同的標(biāo)記，并省略對這些部件的說明。
圖4所示的電路與圖3所示的電路區(qū)別在于，在電路中設(shè)置了多 個電容器48和連接到電容器的NMOS晶體管45N、 46N。當(dāng)負載電流 大的時候，NMOS晶體管45N、 46N變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，使得三個電容器 得以連接。因此，充電時間變得更長，脈沖寬度變得更寬。同時，當(dāng) 負載電流小的時候，NMOS晶體管45N、 46N變?yōu)榻刂範(fàn)顟B(tài)，因此能 夠?qū)⒚}沖寬度設(shè)定為更窄的寬度。
其它實施例
圖5示出根據(jù)本發(fā)明另一實施例的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路10。圖5中， 與圖3中相同的部件采用相同的標(biāo)記，并省略對這些部件的說明。圖4 所示的電路與前述電路的區(qū)別在于，它用比較器49C作為單觸發(fā)脈沖 產(chǎn)生部4中驅(qū)動器49的替代，電容器48的一端的電壓被施加到比較 器49C的非反相輸入端，可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部V^連接到反相輸入端。 圖5中的可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部Vva是能夠基于負載電流設(shè)定信號而改變 基準(zhǔn)電壓的電壓產(chǎn)生部。利用這種結(jié)構(gòu)，通過在負載電流小的時候?qū)?可變基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部Vva的輸出電壓設(shè)定為較小的值、而在負載電流大 的時候?qū)⒖勺兓鶞?zhǔn)電壓產(chǎn)生部V^的輸出電壓設(shè)定為較大的值，能夠以 與其它實施例類似的方式改變單觸發(fā)脈沖的脈沖寬度。
雖然利用一定的實施例說明了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離 本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對這些實施例做出各種修改。例如， 負載電流設(shè)定部2可使用可變電流源來代替可變電阻器，可變電流源 配置為輸出具有不同電流值的電流。此外，能夠基于負載電流設(shè)定信 號來改變脈沖寬度的其它電路可用作單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生部4的替代。此外，雖然本實施例中向線圈饋送電流的NMOS晶體管102形成為與開 關(guān)脈沖產(chǎn)生電路分離的分立器件，但是該晶體管也可以形成為半導(dǎo)體 集成電路的一部分且與開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路IO集成在單個芯片上。
顯然，本發(fā)明不限于上述實施例，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神 的情況下，可以對其進行修改和變化。
權(quán)利要求
1. 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，包括負載電流設(shè)定部，基于負載電流設(shè)定信號來確定流過負載的電流 量，所述負載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負載電流設(shè)定部，所述 負載電流設(shè)定信號指定流過所述負載的電流量；以及脈沖產(chǎn)生部，輸出電壓供應(yīng)脈沖，所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述 負載供應(yīng)電壓，所述電壓供應(yīng)脈沖的脈沖寬度基于所述負載電流設(shè)定 信號來確定。
2. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器，并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負載電流設(shè)定信 號來改變所述電容器中充電的電流值。
3. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器，并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負載電流設(shè)定信 號來改變所述電容器的電容值。
4. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生 部包括電容器和比較器，所述比較器用于比較所述電容器的一端的電 壓與基準(zhǔn)電壓，并且所述開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路基于所述負載電流設(shè)定信 號來改變所述基準(zhǔn)電壓。
5. 如權(quán)利要求l所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中.-所述負載電流設(shè)定部為可變電阻器，所述可變電阻器的電阻基于所述負載電流設(shè)定信號來改變。
6. 如權(quán)利要求2所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中 所述負載電流設(shè)定部為可變電阻器，所述可變電阻器的電阻基于所述負載電流設(shè)定信號來改變。
7. 如權(quán)利要求3所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中 所述負載電流設(shè)定部為可變電阻器，所述可變電阻器的電阻基于所述負載電流設(shè)定信號來改變。
8. 如權(quán)利要求4所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中所述負載電流設(shè)定部為可變電阻器，所述可變電阻器的電阻基于 所述負載電流設(shè)定信號來改變。
9. 如權(quán)利要求2所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生 部包括多個電流源；以及開關(guān)，基于所述負載電流設(shè)定信號來控制所述多個電流源的至少 一個與所述電容器的一個電極之間的連接。
10. —種調(diào)節(jié)器，包括負載電流設(shè)定部，基于負載電流設(shè)定信號來確定流過負載的電流量，所述負載電流設(shè)定部連接到輸出端；電壓輸出部，基于脈沖產(chǎn)生電路的輸出來產(chǎn)生電壓；以及 脈沖產(chǎn)生電路，向所述電壓輸出部輸出脈沖信號，所述脈沖信號的脈沖寬度基于所述負載電流設(shè)定信號來確定。
11. 一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，用于控制開關(guān)調(diào)節(jié)器的調(diào)節(jié)電壓， 所述開關(guān)調(diào)節(jié)器具有輸出開關(guān)元件和連接到負載的輸出端，所述開關(guān) 脈沖產(chǎn)生電路包括負載電流設(shè)定部，響應(yīng)于負載電流設(shè)定信號來設(shè)定流過所述負載的電流量；脈沖產(chǎn)生部，為所述輸出開關(guān)元件提供開關(guān)脈沖以控制所述調(diào)節(jié) 電壓，所述開關(guān)脈沖的脈沖寬度響應(yīng)于所述負載電流設(shè)定信號。
12. 如權(quán)利要求ll所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，流過所述負 載的電流量變得越大，導(dǎo)通所述輸出開關(guān)元件的所述開關(guān)脈沖的脈沖 寬度變得越長。
13. 如權(quán)利要求ll所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述脈沖產(chǎn)生部包括控制信號和單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路以及比較器，所述單觸發(fā)脈 沖產(chǎn)生電路產(chǎn)生單觸發(fā)脈沖信號作為所述開關(guān)脈沖，所述比較器比較 反饋電壓與基準(zhǔn)電壓以觸發(fā)所述單觸發(fā)脈沖產(chǎn)生電路，并且所述單觸 發(fā)脈沖信號的脈沖寬度響應(yīng)于所述負載電流設(shè)定信號來變化。
14. 如權(quán)利要求13所述的開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，其中，所述單觸發(fā) 脈沖產(chǎn)生電路包括電容器和給所述電容器充電的多個電流源，響應(yīng)于 所述負載電流設(shè)定信號來選擇所述電流源的至少一個以確定所述單觸 發(fā)脈沖信號的脈沖寬度。
全文摘要
一種開關(guān)脈沖產(chǎn)生電路，包括負載電流設(shè)定部，基于負載電流設(shè)定信號而確定流過負載的電流量，所述負載電流設(shè)定信號從外部供應(yīng)給所述負載電流設(shè)定部，所述負載電流設(shè)定信號指定流過所述負載的電流量；以及脈沖產(chǎn)生部，輸出電壓供應(yīng)脈沖，所輸出的電壓供應(yīng)脈沖向所述負載供應(yīng)電壓，所述電壓供應(yīng)脈沖的脈沖寬度基于所述負載電流設(shè)定信號而確定。
文檔編號H02M3/156GK101312326SQ20081010882
公開日2008年11月26日 申請日期2008年5月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年5月25日
發(fā)明者西形泰榮 申請人:恩益禧電子股份有限公司