專(zhuān)利名稱(chēng)：一種半橋電路及具有所述半橋電路的電視機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半橋電路，具體地說(shuō)，是涉及一種降低由于寄生參數(shù) 的存在而對(duì)集成芯片造成損害的半橋電路。
背景技術(shù)：
半橋電路適合于輸入電壓較高的場(chǎng)合，近年來(lái)，在開(kāi)關(guān)電源、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)及DC/AC變換器等領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。如圖1所示，常用的半橋電路包括 開(kāi)關(guān)電路l和開(kāi)關(guān)電路2，這兩個(gè)開(kāi)關(guān)電路串聯(lián)連接在一個(gè)高壓電源HV和地之 間，開(kāi)關(guān)電路的交替導(dǎo)通和關(guān)斷通過(guò)一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電路進(jìn)行控制，驅(qū)動(dòng)控制電 路一般選用集成芯片來(lái)實(shí)現(xiàn)。在兩個(gè)開(kāi)關(guān)電路的公共節(jié)點(diǎn)處形成輸出端0UT， 在輸出端上可連接變壓器或其他負(fù)栽。在半橋電路的應(yīng)用過(guò)程中，如果輸出功 率比較大，由于電路中寄生電感等的存在，容易在輸出端產(chǎn)生較大的負(fù)電壓脈 沖，如圖2所示。該負(fù)脈沖會(huì)損害驅(qū)動(dòng)控制集成芯片，導(dǎo)致集成芯片損壞率較 高。當(dāng)集成芯片損壞后，不僅無(wú)法輸出正常的信號(hào)以控制開(kāi)關(guān)電路，通常還會(huì) 導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電路中的元器件損壞，嚴(yán)重影響整個(gè)電路的正常工作。為解決上述問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)中通常采用增加開(kāi)關(guān)電路中開(kāi)關(guān)管的驅(qū)動(dòng)電阻 的方法。這種方法的缺陷在于由于增加了驅(qū)動(dòng)電阻，導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電路中開(kāi)關(guān)管 的開(kāi)關(guān)速度變慢，影響電路的正常工作；不僅如此，增大驅(qū)動(dòng)電阻的方法還會(huì) 導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管發(fā)熱現(xiàn)象更加嚴(yán)重，損壞率增加。基于上述原因，如何更有效地解決半橋電路中寄生參數(shù)產(chǎn)生的負(fù)電壓脈沖 對(duì)驅(qū)動(dòng)控制電路造成損壞、進(jìn)而損壞開(kāi)關(guān)電路的問(wèn)題，則是本實(shí)用新型所研究 的主旨所在。發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為了解決半橋電路中寄生參數(shù)產(chǎn)生的負(fù)電壓脈沖造成的驅(qū)動(dòng)控 制電路及開(kāi)關(guān)電路損壞的技術(shù)問(wèn)題，提供了一種半橋電路，通過(guò)在輸出端與驅(qū) 動(dòng)控制電路之間連接限流電阻，在不影響開(kāi)關(guān)電路開(kāi)關(guān)速度的基礎(chǔ)上，有效解 決了負(fù)電壓脈沖對(duì)電路器件造成損壞的問(wèn)題。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)一種半橋電路，包括第一可控開(kāi)關(guān)電路和第二可控開(kāi)關(guān)電路，所述第一開(kāi) 關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路與所述第二開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路串聯(lián)連接在直流高壓輸入端 與地之間，在所述第一開(kāi)關(guān)電路與第二開(kāi)關(guān)電路的公共節(jié)點(diǎn)處形成輸出端；所 述第一開(kāi)關(guān)電^^的控制端一方面通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與一驅(qū)動(dòng)控制電^^的第 一控制端連接，另一方面連接第一二極管的正極，而第一二極管的負(fù)極連接第 一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第一控制端連接；所 述第二開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的 第二控制端連接，另一方面連接第二二極管的正極，而第二二極管的負(fù)極連接 第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第二控制端連接； 其特征在于，所述輸出端連接有限流電阻，所述限流電阻一方面直接連接所述 驅(qū)動(dòng)控制電路的充電電壓輸出端子，另一方面通過(guò)電容與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的 浮地驅(qū)動(dòng)端子連接。進(jìn)一步地，所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的阻值為0Q。這樣可以選擇阻值較大 的限流電阻，既能充分限制負(fù)電壓脈沖對(duì)驅(qū)動(dòng)控制電^各的損害，而且還不影響 開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)速度。上述開(kāi)關(guān)電路中包含有開(kāi)關(guān)管，所述開(kāi)關(guān)管可以為N溝道M0S管。其中， 所述第 一開(kāi)關(guān)電路中包含第一 N溝道M0S管，所述第一 M0S管的漏極與所述直 流高壓輸入端連接，所述第一M0S管的源極與所述輸出端連接，所述第一M0S 管的柵極一方面通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第一控制端連接，另一方面通過(guò) 第一二極管和第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的串Jf關(guān)電路與第一控制端連接。所述第二開(kāi)關(guān)電路中包含第二 N溝道M0S管，所述第二 M0S管的漏極與所述第-一 M0S管的源 極連接，所述第二M0S管的源極與地連接，所述第二MOS管的柵極一方面通過(guò) 第二驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第二控制端連接，另一方面通過(guò)第二二極管和第二驅(qū) 動(dòng)關(guān)斷電阻的串聯(lián)電路與第二控制端連接。進(jìn)一步地，所述第一 N溝道M0S管和第二 N溝道M0S管的漏4及與源才及之間 分別并聯(lián)有續(xù)流二極管；所述續(xù)流二極管的正極連接所述MOS管的源極，所述 二極管的負(fù)極與所述MOS管的漏極連接。開(kāi)關(guān)電路中的開(kāi)關(guān)管也可以是NPN型晶體管。其中，所述第一開(kāi)關(guān)電路中 包含第一NPN型晶體管，所述第一晶體管的集電極與所述直流高壓輸入端連接， 所述第一晶體管的發(fā)射極與所述輸出端連接，所述第一晶體管的基極一方面通 過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第一控制端連接，另一方面通過(guò)第一二極管和第一 驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的串聯(lián)電路與第一控制端連接。所述第二開(kāi)關(guān)電路中包含第二 NPN型晶體管，所述第二晶體管的集電極與所述第一晶體管的發(fā)射極連接，所 述第二晶體管的發(fā)射極與地連接，所述第二晶體管的基極一方面通過(guò)第二驅(qū)動(dòng) 導(dǎo)通電阻與所述第二控制端連接，另一方面通過(guò)第二二極管和第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電 阻的串聯(lián)電路與第二控制端連接。更進(jìn)一步地，所述第二開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路通過(guò)一過(guò)功率保護(hù)電阻與地連接。本實(shí)用新型還公開(kāi)了 一種電教L機(jī)，包括由第 一可控開(kāi)關(guān)電路和第二可控開(kāi) 關(guān)電路組成的電源電路，所述第一開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路與所述第二開(kāi)關(guān)電路的 開(kāi)關(guān)通路串聯(lián)接在直流高壓輸入端與地之間，在所述第一開(kāi)關(guān)電路與第二開(kāi)關(guān) 電路的公共節(jié)點(diǎn)處形成輸出端；所述第一開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第一驅(qū) 動(dòng)導(dǎo)通電阻與 一驅(qū)動(dòng)控制電路的第 一控制端連接，另 一方面連接第一二極管的 正極，而第一二極管的負(fù)極連接第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān) 斷電阻與所述第一控制端連接；所述第二開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第二驅(qū) 動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的第二控制端連接，另 一方面連接第二二極管的正極，而第二二極管的負(fù)極連接第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第二驅(qū)動(dòng) 關(guān)斷電阻與所述第二控制端連接；其特征在于，所述輸出端連接有限流電阻， 所述限流電阻一方面直接連接所述驅(qū)動(dòng)控制電路的充電電壓輸出端子，另一方 面通過(guò)電容與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的另一個(gè)浮地驅(qū)動(dòng)端子連接。進(jìn)一步地，所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的阻值為0Q。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是通過(guò)在輸出端和驅(qū)動(dòng) 控制電路之間連接一個(gè)限流電阻，可以有效地降低寄生參數(shù)產(chǎn)生的負(fù)電壓脈沖 對(duì)驅(qū)動(dòng)控制電路的影響，減少電路中元器件的損壞，提高電路工作的可靠性。 此外，通過(guò)選擇合適的限流電阻的阻值，保證增加的限流電阻不會(huì)降低開(kāi)關(guān)電 路的開(kāi)關(guān)速度，既不會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管發(fā)熱加重，也不影響電路的工作效率。


圖l是現(xiàn)有技術(shù)中半橋電路的應(yīng)用結(jié)構(gòu)框圖； 圖2是圖1所示框圖中輸出端的電壓波形示意圖； 圖3是本實(shí)用新型半橋電路實(shí)施例一的電路圖； 圖4是本實(shí)用新型半橋電路實(shí)施例二的電路圖； 圖5是本實(shí)用新型半橋電路實(shí)施例三的電路圖。務(wù)體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。參見(jiàn)圖1和圖2所示。圖中，半橋電路包括開(kāi)關(guān)電路1和開(kāi)關(guān)電路2，開(kāi) 關(guān)電路1和開(kāi)關(guān)電路2串聯(lián)連接。開(kāi)關(guān)電路1的上端連接直流高壓輸入端HV， 開(kāi)關(guān)電路2的下端與地相連，在開(kāi)關(guān)電路1和開(kāi)關(guān)電路2連接處為輸出端a， 該輸出端連接有負(fù)載。驅(qū)動(dòng)控制電路的兩個(gè)輸出端分別與開(kāi)關(guān)電路1和開(kāi)關(guān)電 路2的控制端連接，用來(lái)控制開(kāi)關(guān)電路的交替導(dǎo)通和關(guān)斷。在開(kāi)關(guān)電路l導(dǎo)通 形成開(kāi)關(guān)通路時(shí)，直流高壓HV為負(fù)載提供直流電壓，a端的輸出電壓Va為正電壓。開(kāi)關(guān)電路l關(guān)斷的瞬間，由于電路中存在寄生電感，負(fù)載電路中的電流不能突變，將會(huì)在開(kāi)關(guān)電路2及負(fù)載上產(chǎn)生如圖中箭頭方向所示的電流i,則 在a端會(huì)產(chǎn)生一個(gè)較大的負(fù)電壓脈沖，如圖2所示。該負(fù)電壓脈沖會(huì)對(duì)與該端 連接的驅(qū)動(dòng)控制電路造成損壞。驅(qū)動(dòng)控制電路損壞后，不僅影響開(kāi)關(guān)電路的正 常導(dǎo)通和端開(kāi)，嚴(yán)重時(shí)也會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)電路中的元器件損壞。實(shí)施例一圖3所示為本實(shí)用新型半橋電路的一個(gè)實(shí)施例的電路圖。圖中， 半橋電路包括兩個(gè)N溝道M0S管Q1和Q2。其中，Ql的漏極與直流高壓輸入HV 連接，Ql的源極與Q2的漏極連接；Q2的源極通過(guò)一過(guò)功率保護(hù)電阻Rsense 與地連接；Ql的源極與Q2的漏極之間為輸出端a,輸出端連接有負(fù)載LOAD。 本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)控制電路為一集成芯片IC1。 Ql的柵極一方面通過(guò)其驅(qū)動(dòng)導(dǎo) 通電阻RG1直接與IC1的HVG控制端子連接；另一方面，通過(guò)一個(gè)二極管Dll 和驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻RGl-off與HVG端子相連接。而Q2的柵極一方面通過(guò)其驅(qū)動(dòng)導(dǎo) 通電阻RG2直接與IC1的LVG控制端子連接；另一方面，通過(guò)二極管D21和驅(qū) 動(dòng)關(guān)斷電阻RG2-off與LVG端子連接。為降低負(fù)電壓脈沖對(duì)IC1的損害，輸出 端a通過(guò)一限流電阻Rout與IC1的一個(gè)反饋輸入端子OUT連接；另一方面，輸 出端a還通過(guò)Rout及電容Cboot與IC1的另一個(gè)反々貴豐lr入端子Vboot連4妾。合 理選4奪Rout的阻值，4吏得當(dāng)Ql關(guān)斷而在a端產(chǎn)生負(fù)電壓^K沖時(shí)，通過(guò)Rout 減弱該脈沖對(duì)IC1的沖擊，避免IC1因此而造成的損壞，提高電路的可靠性。 而且還要保證Rout阻值與RGl-off阻值之和不要過(guò)大，以免影響Ql的關(guān)斷速 度。此外，為防止M0S管Ql和Q2祐1向擊穿，在Q1和Q2的源極和漏極之間 分別并聯(lián)有續(xù)流二極管Dl和D2。實(shí)施例二圖4所示為本實(shí)用新型半橋電路另一個(gè)實(shí)施例的電路圖，圖4 與圖3的區(qū)別在于，將圖3中RGl_off的阻值設(shè)定為0Q，也就是去掉了該電 阻。而Rout的阻值與圖3中RG1—off的阻值相等，也即相當(dāng)于將Q1的驅(qū)動(dòng)關(guān) 斷電阻由原來(lái)RGl_off的位置移動(dòng)到了 Rout的位置。這樣，由于Rout的阻值變大，能夠增強(qiáng)限流作用，進(jìn)一步降低了 a端負(fù)電壓脈沖對(duì)ICl的影響。同時(shí)， 對(duì)于Ql而言，其關(guān)斷控制電路參數(shù)沒(méi)有發(fā)生變化，因而不會(huì)影響Ql的關(guān)斷速 度，保證了電路的工作效率。實(shí)施例三圖5所示為本實(shí)用新型半橋電路又一個(gè)實(shí)施例的電路圖，本實(shí) 施例與圖4所示實(shí)施例二的區(qū)別在于，圖5用兩個(gè)串聯(lián)連接的NPN型晶體管代 替了圖4中的兩個(gè)N溝道MOS管。圖5中，Q3的集電極與直流高壓輸入HV連 接，其發(fā)射極與Q4的集電極連接，而Q4的發(fā)射極通過(guò)電阻Rsense與地連接， 在Q3的發(fā)射極與Q4的集電極之間為輸出端a。Q3和Q4的基極分別通過(guò)驅(qū)動(dòng)導(dǎo) 通電阻及驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與驅(qū)動(dòng)控制芯片IC2連接。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本實(shí)用新型所述半橋電路中，限流電阻Rout的阻值也不 能過(guò)大，因?yàn)殡娙軨boot需要通過(guò)該電阻進(jìn)行充電。當(dāng)然，上述說(shuō)明并非是對(duì)本實(shí)用新型的限制，本實(shí)用新型也并不僅限于上 述舉例，本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)范圍內(nèi)所做出的變化、 改型、添加或替換，也應(yīng)屬于本實(shí)用新型的4呆護(hù)范圍。
權(quán)利要求1、一種半橋電路，包括第一可控開(kāi)關(guān)電路和第二可控開(kāi)關(guān)電路，所述第一開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路與所述第二開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路串聯(lián)連接在直流高壓輸入端與地之間，在所述第一開(kāi)關(guān)電路與第二開(kāi)關(guān)電路的公共節(jié)點(diǎn)處形成輸出端；所述第一開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與一驅(qū)動(dòng)控制電路的第一控制端連接，另一方面連接第一二極管的正極，而第一二極管的負(fù)極連接第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第一控制端連接；所述第二開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的第二控制端連接，另一方面連接第二二極管的正極，而第二二極管的負(fù)極連接第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第二控制端連接；其特征在于，所述輸出端連接有限流電阻，所述限流電阻一方面直接連接所述驅(qū)動(dòng)控制電路的充電電壓輸出端子，另一方面通過(guò)電容與所述驅(qū)動(dòng)控制電路的浮地驅(qū)動(dòng)端子連接。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半橋電路，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻 的阻〗直為0Q。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半橋電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)電路 中包含第一 N溝道MOS管，所述第一MOS管的漏極與所述直流高壓輸入端連接， 所述第一 MOS管的源極與所述輸出端連接，所述第一 MOS管的柵極一方面通過(guò) 第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第一控制端連4妾，另一方面通過(guò)第一二才及管和第一驅(qū) 動(dòng)關(guān)斷電阻的串聯(lián)電路與第一控制端連接。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半橋電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)電路中包 含第二 N溝道MOS管，所述第二MOS管的漏極與所述第一MOS管的源才及連接， 所述第二MOS管的源極與地連接，所述第二MOS管的柵極一方面通過(guò)第二驅(qū)動(dòng) 導(dǎo)通電阻與所述第二控制端連接，另一方面通過(guò)第二二極管和第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電 阻的串聯(lián)電路與第二控制端連接。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的半橋電路，其特征在于，所述第一 N溝道M0S 管和第二 N溝道M0S管的漏極與源極之間分別并聯(lián)有續(xù)流二極管；所述續(xù)流二 極管的正極連接所述MOS管的源極，所述二極管的負(fù)極與所述MOS管的漏極連 接。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半橋電路，其特征在于，所述第一開(kāi)關(guān)電路 中包含第一 NPN型晶體管，所述第一晶體管的集電極與所述直流高壓輸入端連 接，所述第一晶體管的發(fā)射極與所述輸出端連接，所述第一晶體管的基極一方 面通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第一控制端連4妄，另一方面通過(guò)第一二才及管和 第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的串聯(lián)電路與第一控制端連接。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的半橋電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)電路中包 含第二 NPN型晶體管，所述第二晶體管的集電極與所述第 一晶體管的發(fā)射極連 接，所述第二晶體管的發(fā)射極與地連接，所述第二晶體管的基極一方面通過(guò)第 二驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述第二控制端連接，另一方面通過(guò)第二二極管和第二驅(qū)動(dòng) 關(guān)斷電阻的串聯(lián)電路與第二控制端連接。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半橋電路，其特征在于，所述第二開(kāi)關(guān)電路 的開(kāi)關(guān)通路通過(guò)一保護(hù)電阻與地連接。
9、 一種電視機(jī)，包括由第一可控開(kāi)關(guān)電路和第二可控開(kāi)關(guān)電路組成的電源 電路，所述第一開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路與所述第二開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路串聯(lián)接在 直流高壓輸入端與地之間，在所述第一開(kāi)關(guān)電^^與第二開(kāi)關(guān)電路的公共節(jié)點(diǎn)處 形成輸出端；所述第一開(kāi)關(guān)電i 各的控制端一方面通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與一驅(qū) 動(dòng)控制電路的第一控制端連接，另一方面連接第一二極管的正極，而第一二極 管的負(fù)極連接第 一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第 一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第一 控制端連接；所述第二開(kāi)關(guān)電路的控制端一方面通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通電阻與所述 驅(qū)動(dòng)控制電路的第二控制端連接，另一方面連4妻第二二極管的正極，而第二二 極管的負(fù)極連接第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻，進(jìn)而通過(guò)所述第二驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻與所述第 二控制端連接；其特征在于，所述輸出端連接有限流電阻，所述限流電阻一方面直接連接所述驅(qū)動(dòng)控制電路的充電電壓輸出端子，另 一方面通過(guò)電容與所述 驅(qū)動(dòng)控制電路的浮地驅(qū)動(dòng)端子連接。
10、根據(jù)權(quán)利要求9所述的電視機(jī)，其特征在于，所述第一驅(qū)動(dòng)關(guān)斷電阻的阻值為0Q。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種半橋電路及具有所述半橋電路的電視機(jī)，所述半橋電路包括第一可控開(kāi)關(guān)電路和第二可控開(kāi)關(guān)電路，第一開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路與第二開(kāi)關(guān)電路的開(kāi)關(guān)通路串聯(lián)連接在直流高壓輸入端與地之間，在所述第一開(kāi)關(guān)電路與第二開(kāi)關(guān)電路的公共節(jié)點(diǎn)處形成輸出端；兩個(gè)開(kāi)關(guān)電路均由一個(gè)驅(qū)動(dòng)控制電路進(jìn)行控制，以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電路的交替導(dǎo)通和關(guān)斷；在所述輸出端與所述驅(qū)動(dòng)控制電路之間還連接有一限流電阻。本實(shí)用新型通過(guò)在輸出端與驅(qū)動(dòng)控制電路之間連接限流電阻，在不影響開(kāi)關(guān)電路開(kāi)關(guān)速度的基礎(chǔ)上，有效解決了負(fù)電壓脈沖對(duì)電路器件造成損壞的問(wèn)題。
文檔編號(hào)H02M7/48GK201174665SQ200820020039
公開(kāi)日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年4月1日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月1日
發(fā)明者王云剛, 王清金, 高寬志 申請(qǐng)人:青島海信電器股份有限公司