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      開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路的制作方法

      文檔序號(hào):7405469閱讀:266來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及開關(guān)變換器,尤其是涉及一種開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng) 電路。
      背景技術(shù)
      同步整流技術(shù)是低壓大電流開關(guān)變換器的關(guān)鍵技術(shù),在開關(guān)變換器的副邊
      (次級(jí)),采用同步整流MOS晶體管(MOSFET)來(lái)代替肖特基(Schottky) 二極管進(jìn)行整流,能夠有效減小通態(tài)損耗,提高開關(guān)變換器的效率。然而,對(duì) 于同步整流技術(shù)而言,關(guān)鍵在于其驅(qū)動(dòng)電路的性能。目前常用的同步整流驅(qū)動(dòng) 方式有自驅(qū)、他驅(qū)或兩者相結(jié)合,由于自驅(qū)具有成本低廉的優(yōu)勢(shì),因而得到最 為廣泛的應(yīng)用。
      如圖1所示,在現(xiàn)有自驅(qū)動(dòng)方式中使用最多的是耦合磁路繞組自驅(qū)動(dòng)。但 在低壓大電流開關(guān)變換器中,耦合磁路中的漏感會(huì)引起電壓幅值過(guò)高且波形振 蕩的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰,.不但影響效率,而且在輸出電壓短路等極限情況下,,甚至 會(huì)損壞器件,不利于其它參數(shù)的最優(yōu)設(shè)計(jì)。自驅(qū)動(dòng)方式中耦合磁路繞組自驅(qū)動(dòng) 的一個(gè)具體驅(qū)動(dòng)波形如圖2所示。
      通常解決這種驅(qū)動(dòng)電壓尖峰幅值過(guò)高且波形震蕩的方法是把同步整流驅(qū) 動(dòng)電路中的電阻設(shè)定為一個(gè)阻值較大且不變的電阻,如圖1中的電阻R1和R8, 即提高驅(qū)動(dòng)電路中的阻尼系數(shù)。但這樣會(huì)使同步整流管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓波形上 升沿變緩,同步整流管的體內(nèi)二極管導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng),增加了開關(guān)變換器的損耗; 而且,由于電阻R1和R8的阻值較大,在整個(gè)驅(qū)動(dòng)期間,其損耗也很大,從 而進(jìn)一步降低了幵關(guān)變換器的效率;此外,由于該電阻的功耗會(huì)顯著增加,要 選用較大封裝的電阻才能滿足電阻的降額要求,因此就很難應(yīng)用于一些對(duì)空間 要求很嚴(yán)的磚式模塊電源中。在同類型電路中,還可采用如美國(guó)專利"一種應(yīng)用于有源鉗位變換器的同
      步整流自驅(qū)動(dòng)電路"(專利號(hào)- 5590032;
      公開日期1996.12.31;權(quán)利人Lucent Technologies Inc.)所述的方式。為了解決驅(qū)動(dòng)電壓幅值過(guò)高以及尖峰等問(wèn)題, 該專利采用MOSFET組成限幅電路,柵極接參考電壓,源極作用于同步整流 管和同步續(xù)流管的柵極。這種方式由于沒(méi)有從根本上解決問(wèn)題,因此存在明顯 的缺點(diǎn)由于耦合磁路漏感弓I起的電壓幅值過(guò)高且波形振蕩的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰會(huì) 降在MOSFET的漏源極之間,故驅(qū)動(dòng)損耗比較大,需選用功率和外型封裝比 較大的器件,因而不但限制了該電路于空間要求比較小的場(chǎng)合的應(yīng)用,而且由 于該同步整流驅(qū)動(dòng)電路效率比較低,影響了整個(gè)電源的效率的提高。,
      因此由耦合磁路漏感引起的電壓幅值過(guò)高且波形振蕩的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰嚴(yán) 重影響該現(xiàn)有自驅(qū)動(dòng)方式的同步整流驅(qū)動(dòng)電路的通用性和廣泛應(yīng)用性。

      實(shí)用新型內(nèi)容
      本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題在于,針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的上述不足,提供 一種可有效抑制驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)電壓尖峰、限制驅(qū)動(dòng)電壓幅值并減小驅(qū)動(dòng)損耗 的開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,效率高,通用性強(qiáng),便于廣泛 應(yīng)用。
      本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:提供一種開關(guān)變換器的 同步整流驅(qū)動(dòng)電路,包括主變壓器以及設(shè)于該主變壓器副邊的驅(qū)動(dòng)繞組和同^ 整流電路,該同步整流驅(qū)動(dòng)電路還于所述驅(qū)動(dòng)繞組與所述同步整流電路之間連 接有反向并聯(lián)的兩組二極管。
      所述兩組二極管各包括一個(gè)二極管。
      所述兩組二極管中一組二極管包括一個(gè)二極管,另一組二極管包括多個(gè)串 聯(lián)的二極管。
      所述兩組二極管各包括多個(gè)串聯(lián)的二極管。 所述驅(qū)動(dòng)繞組為所述主變壓器的副邊主繞組。 所述驅(qū)動(dòng)繞組為設(shè)于所述主變壓器副邊的輔助繞組。 所述同步整流電路包括同步整流管、同步續(xù)流管以及第一MOS晶體管和第二 MOS晶體管,其中所述同步整流管和同步續(xù)流管為MOS晶體管;所述
      兩組二極管的一端連接至所述驅(qū)動(dòng)繞組的同名端,另一端連接至所述同步整流
      管的柵極和所述第二MOS晶體管的柵極;該同步整流管的柵極連接至所述第
      一 MOS晶體管的漏極,源極連接至所述第一 MOS晶體管的源極;所述同步 續(xù)流管的柵極連接至所述第二 MOS晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端, 源極連接至所述所述第二 MOS晶體管的源極并與所述同步整流管的源極相 連;所述第一MOS晶體管的柵極連接至所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端。
      所述驅(qū)動(dòng)繞組為設(shè)于所述主變壓器副邊的輔助繞組;所述同步整流管的漏 極連接至所述主變壓^副邊主繞組的異名端,所述同步續(xù)流管的漏極連接至所 述主變壓器副邊主繞組的同名端。
      所述兩組二極管與所述第二 MOS晶體管的柵極之間以及所述第一 MOS 晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端之間分別設(shè)有電阻。
      本實(shí)用新型通過(guò)在主變壓器副邊的驅(qū)動(dòng)繞組與同步整流電路之間設(shè)置反 向并聯(lián)的兩組二極管,使得同步整流管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓有一個(gè)很快上升的過(guò) 程,避免由于同步整流管的體內(nèi)二極管導(dǎo)通時(shí)間過(guò)長(zhǎng)造成額外的損耗;而且, 在同步整流管驅(qū)動(dòng)電壓上升的過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電路中的電流從最大值逐漸衰減到 最小值,而導(dǎo)通的二極管的等效直流電阻阻值從最小值逐漸增大到最大值,因 此在該等效直流電阻上的損耗相對(duì)較小,從而提高了開關(guān)變換器的效率;此外, 當(dāng)二極管的等效直流電阻阻值從最小值逐漸增大到最大值的過(guò)程中,即在同步 整流管驅(qū)動(dòng)電壓上升階段,驅(qū)動(dòng)電路中的阻尼系數(shù)也由最小值逐漸增加到最大 值,故有效抑制了驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)電壓尖峰,限制了驅(qū)動(dòng)電壓幅值,相應(yīng)減小 了驅(qū)動(dòng)損耗。因此,整個(gè)同步整流驅(qū)動(dòng)電路的損耗相對(duì)較小,驅(qū)動(dòng)電路中器件 的封裝可選用小型號(hào)的封裝。由此可見,本實(shí)用新型可有效抑制驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū) 動(dòng)電壓尖峰、限制驅(qū)動(dòng)電壓幅值并減小驅(qū)動(dòng)損耗,而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低,效 率高,通用性強(qiáng),便于廣泛應(yīng)用。
      下面將結(jié)合附圖及實(shí)施M"廚本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。

      圖1是現(xiàn)有的耦合磁路繞組自驅(qū)動(dòng)式同步整流驅(qū)動(dòng)電路的電路原理圖。 圖2是圖1中的同步整流管的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。
      圖3是本實(shí)用新型的同步整流驅(qū)動(dòng)電路主變壓器副邊的等效原理圖。 圖4是二極管正向偏置時(shí)的伏安特性曲線示意圖。
      圖5是本實(shí)用新型的同步整流驅(qū)動(dòng)電路的同步整流管驅(qū)動(dòng)電路等效模型 原理圖。
      圖6是本實(shí)用新型的同步整流驅(qū)動(dòng)電路一具體實(shí)施例的電路原理圖。 圖7是圖6中的同步整流管的驅(qū)動(dòng)電壓波形圖。
      具體實(shí)施方式
      本實(shí)用新型開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路包括主變壓器以及設(shè)于該主 變壓器副邊的驅(qū)動(dòng)繞組和同步整流電路,該驅(qū)動(dòng)繞組與同步整流電路之間連接 有反向并聯(lián)的兩組二極管,每組二極管可包括一個(gè)二極管或多個(gè)串聯(lián)的二極 管。
      如圖3所示,為本實(shí)用新型開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路主變壓器副邊 的等效原理圖。同步整流驅(qū)動(dòng)電路于其主變壓器副邊設(shè)有與主變壓器耦合的驅(qū) 動(dòng)繞組Nsd、同步整流電路以及連接于驅(qū)動(dòng)繞組Nsd與同步整流電路之間的第 一二極管D1和第二二極管D2。其中,第一二極管D1和第二二極管D2反向 并聯(lián)并連接于驅(qū)動(dòng)敘纟且Nsd的同名端與同步整流電路之間,用于調(diào)節(jié)驅(qū)動(dòng)電 路的阻尼系數(shù)。即,第一二極管D1的陽(yáng)極與第二二極管D2的陰極以及驅(qū)動(dòng) 繞組Nsd的同名端連接,陰極與第二二極管D2的陽(yáng)極以及同步整流電路連接。 該同步整流電路包括同步整流管、同步續(xù)流管以及第一 MOS晶體管Q3和第 二 MOS晶體管Q4。圖3中,電容C2為同步整流管的門極等效電容,電容 C3為同步續(xù)流管的門極等效電容,等效電阻R2與電容C2并聯(lián),等效電阻 R3與電容C3并聯(lián);網(wǎng)絡(luò)名FW一G代表同步整流管的柵極,網(wǎng)絡(luò)名FR一G代 表同步續(xù)流管的柵極;同步整流管和同步續(xù)流管的源極連在一起,其網(wǎng)絡(luò)名均 為SYN—GND。第一二極管D1的陰極連接至同步整流管的柵極FW—G,該同 步整流管的柵極FW_G連接至第一 MOS晶體管Q3的漏極和第二 MOS晶體管Q4的柵極,源極SYN_GND連接至第一 MOS晶體管Q3的源極;同步續(xù) 流管的柵極FR一G連接至第二 MOS晶體管Q4的漏極和第一 MOS晶體管Q3 的柵極,源極SYN一GND連接至第二 MOS晶體管Q4的源極;第一 MOS晶 體管Q3的柵極連接至所述驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的異名端。
      第一、第二 MOS晶體管Q3和Q4 —般選用柵極開啟電壓較小的MOS晶 體管,主要用于調(diào)節(jié)同步整流管與同步續(xù)流管之間的死區(qū)時(shí)間(DeadTime), 防止同步整流管和同步續(xù)流管的共通。
      由于第一、第二二極管D1、 D2為非線性元件,正向偏置時(shí),其兩端的等 效直流電阻與流經(jīng)的電流為非線性關(guān)系(注二極管的直流電阻也稱靜態(tài)電阻, 等于靜態(tài)工作點(diǎn)處對(duì)應(yīng)的電壓U與電流I的比值),因此可動(dòng)態(tài)地調(diào)整驅(qū)動(dòng)電 路的阻尼系數(shù)。如圖4所示,為二極管被正向偏置時(shí)的伏安特性示意圖。當(dāng)二 極管被正向偏置時(shí),其兩端的等效直流電阻如圖4中OA段所示當(dāng)流過(guò)二極 管的電流較大時(shí),其等效直流電阻較小,驅(qū)動(dòng)電路的阻尼系也較小,如圖4 中A點(diǎn)所示;當(dāng)流過(guò)二極管的電流較小時(shí),其等效直流電阻較大,驅(qū)動(dòng)電路 的阻尼系數(shù)也較大,如圖4中B點(diǎn)所示。這樣,不僅能夠滿足令驅(qū)動(dòng)電壓波 形快速上升的要求,還能夠有效抑制耦合磁路漏感引起的電壓幅值過(guò)高且波形 振蕩的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰;同時(shí),二極管等效直流電阻的損耗相對(duì)較小,從而提高 了開關(guān)變換器的效率。
      進(jìn)一步進(jìn)行說(shuō),明,耦合主變壓器的驅(qū)動(dòng)繞組Nsd可等效為一個(gè)階躍信號(hào) 源S和一個(gè)電感Lr串聯(lián),如圖5所示,該電感Lr主要是驅(qū)動(dòng)繞組Nsd耦合主 變壓器的漏感。當(dāng)主變壓器的同名端為正時(shí),可將驅(qū)動(dòng)繞組Nsd、第一二極管 Dl與同步整流管的門極等效電容C2 —起等效為L(zhǎng)CR串聯(lián)電路,如圖5所示。 其中,電阻Rdl為第一二極管D1正向偏置時(shí)的等效直流電阻(此時(shí)第二二極 管D2為反向偏置,在電路中視其為開路),該電阻Rdl為非線性電阻,其阻 值隨流過(guò)第一二極管Dl的電流非線性變化;電感Lr主要代表驅(qū)動(dòng)繞組Nsd 耦合主變壓器的漏感,等效電阻R2—般取值很大,可近似為開路(以下類同)。
      本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明白,階躍信號(hào)作用于LCR串聯(lián)的二階電路時(shí), 如果二階電路為欠阻尼時(shí),其輸出電壓(同步整流管門極等效電容C2上的電壓及同步整流管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓)的瞬態(tài)分量是一個(gè)幅值按指數(shù)規(guī)律衰減的阻 尼正弦振蕩,穩(wěn)態(tài)時(shí)其電壓幅值等于階躍輸入信號(hào)的幅值。由此可知,普通的 同步整流驅(qū)動(dòng)電路采用的耦合磁路繞組自驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生幅值過(guò)高的電壓尖峰 的根本原因是驅(qū)動(dòng)電路中的阻尼狀態(tài)為欠阻尼。
      結(jié)合圖5對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行理論分析,假定在TO時(shí)刻階躍信號(hào)開始作用, 則在等效電容C2上的電壓即同步整流管驅(qū)動(dòng)電壓上升到穩(wěn)態(tài)值之前,驅(qū)動(dòng)電 路中的電流將經(jīng)歷由最大值逐步衰減到最小值的過(guò)程,對(duì)應(yīng)的第一二極管Dl 正向偏置時(shí)的等效直流電阻Rdl的阻值經(jīng)歷由最小值逐漸增大到最大值的過(guò) 程,即在等效電容C2電壓的上升階段,驅(qū)動(dòng)電路中的阻尼系數(shù)也由最小值逐 漸增加到最大值。其優(yōu)點(diǎn)為1)使得同步整流管的柵極驅(qū)動(dòng)電壓有一個(gè)很快 上升的過(guò)程,避免由于同步整流管的體內(nèi)二極管導(dǎo)通時(shí)間過(guò)長(zhǎng)造成額外的損 耗;2)在等效電容C2上的電壓上升的過(guò)程中,驅(qū)動(dòng)電路中的電流是從最大 值逐漸衰減到最小值,而第一二極管D1的等效直流電阻Rdl阻值是從最小值 逐漸增大到最大值,因此在該等效直流電阻Rdl上的損耗相對(duì)較?。?)有效 抑制了驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)電壓尖峰,限制了驅(qū)動(dòng)電壓幅值,相應(yīng)減小了驅(qū)動(dòng)損耗。 故整個(gè)同步整流驅(qū)動(dòng)電路的損耗相對(duì)較小,驅(qū)動(dòng)電路中器件的封裝可選用小型 號(hào)的封裝。
      同理,當(dāng)主變壓器的異名端為正時(shí),上述過(guò)程同樣成立。
      本實(shí)用新型也可根據(jù)具體應(yīng)用在電路中設(shè)置多個(gè)第一二極管Dl.和/或多 個(gè)第二二極管D2,例如,將多個(gè)第一二極管D1串聯(lián)后再與一第二二極管D2 反向并聯(lián);或者,將多個(gè)第二二極管D2串聯(lián)后再與一第一二極管D1反向并 聯(lián);亦或者,將多個(gè)第一二極管D1串聯(lián)構(gòu)成第一組二極管,將多個(gè)第二二極 管D2串聯(lián)構(gòu)成第二組二極管,再將第一組二極管與第二組二極管反向并聯(lián), 等等,以使該同步整流驅(qū)動(dòng)電路獲得滿意的性能。
      以下將本實(shí)用新型的同步整流驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用于單端有源鉗位自驅(qū)動(dòng)同步 整流變換器,進(jìn)行具體說(shuō)明。其中,同步整流驅(qū)動(dòng)電路以采用一個(gè)第一二極管 Dl和一個(gè)第二二極管D2為例。
      如圖6所示,該同步整流驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)繞組采用設(shè)于主變壓器Tl副邊的輔助繞組Nsd實(shí)現(xiàn),當(dāng)然,如果信號(hào)幅值允許,也可以直接由主變壓器T1 副邊主繞組Ns來(lái)實(shí)現(xiàn),并非必須采用獨(dú)立的輔助繞組來(lái)實(shí)現(xiàn)。
      主變壓器Tl原邊繞組Np —端接輸入電源Vin,另一端接N溝道的主開 關(guān)管Q5的漏極和鉗位電容Cc的一端,鉗位電容Cc的另一端接P溝道的鉗位 開關(guān)管Q6的漏極。開關(guān)管Q5和Q6的源極接輸入地,柵極分別接入一對(duì)互 補(bǔ)導(dǎo)通和關(guān)斷的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。當(dāng)開關(guān)管Q5導(dǎo)通Q6關(guān)斷時(shí),主變壓器Tl正向勵(lì) 磁并同時(shí)向副邊傳遞能量;當(dāng)開關(guān)管Q6導(dǎo)通Q5關(guān)斷時(shí),鉗位電容Cc上保持 的電壓使主變壓器T1復(fù)位;然后又是開關(guān)管Q5導(dǎo)通Q6關(guān)斷,依次循環(huán)。
      主變壓器T1副邊一側(cè),同步整流驅(qū)動(dòng)電路于驅(qū)動(dòng)繞組Nsd與同步整流電 路之間設(shè)有反向并聯(lián)的第一二極管Dl和第二二極管D2。其中,同步整流電 路包括同步整流管Q1、同步續(xù)流管Q2、第一、第二MOS晶體管Q3、 Q4以 及電阻R4、 R5、 R6、 R7。在本實(shí)施例中,同步整流管Ql和同步續(xù)流管Q2 均為MOS晶體管。具體而言,第一二極管D1的陽(yáng)極與驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的同名 端以及第二二極管D2的陰極連接,陰極與第二二極管D2的陽(yáng)極以及第一 MOS晶體管Q3的漏極連接。驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的異名端連接至同步續(xù)流管Q2的 柵極,并經(jīng)電阻R7連接至第一 MOS晶體管Q3的柵極。第一 MOS晶體管 Q3的漏極和源極分別連接同步整流管Ql的柵極和源極。第二 MOS晶體管 Q4的柵極經(jīng)電阻R6連接至第一二極管Dl的陰極,漏極和源極分別連接同步 續(xù)流管Q2的柵極和源極。同步整流管Ql的漏極連接至主變壓器Tl副邊主繞 組Ns的異名端,柵極經(jīng)電阻R5連接至同步續(xù)流管Q2的源極,源極經(jīng)電阻 R4連接至同步續(xù)流管Q2的柵極。同步續(xù)流管Q2的漏極連接至主繞組Ns的 同名端,源極連接至同步整流管Q1的源極。(由于電阻R4和R5—般取值都 很大,為便于下面的分析,視其為開路。)
      當(dāng)開關(guān)管Q5導(dǎo)通Q6關(guān)斷時(shí),主變壓器Tl正向勵(lì)磁同時(shí)通過(guò)副邊繞組 輸出能量,主變壓器T1的各個(gè)繞組的同名端為正,驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的輸出電流 有兩個(gè)路徑先通過(guò)第一二極管D1后, 一是流經(jīng)電阻R6給第二MOS晶體管 Q4的柵源極充電,然后通過(guò)第一MOS晶體管Q3的源柵極、電阻R7和同步 續(xù)流管Q2的源柵極并聯(lián)通路后回到驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的異名端,使第二 MOS晶體管Q4導(dǎo)通,同步續(xù)流管Q2、第一 MOS晶體管Q3關(guān)斷;二是對(duì)同步整流 管Ql的柵源極充電,然后通過(guò)第一MOS晶體管Q3的源柵極、R7和同步續(xù) 流管Q2的源柵極并聯(lián)通路后回到驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的異名端,使第二 MOS晶體 管Q4、同步整流管Ql導(dǎo)通,同步續(xù)流管Q2、第一 MOS晶體管Q3關(guān)斷。
      當(dāng)開關(guān)管Q6導(dǎo)通Q5關(guān)斷時(shí),主變壓器Tl反向復(fù)位,驅(qū)動(dòng)繞組Nsd感 應(yīng)出反向電壓,電流從驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的異名端流出,同理也有兩條電流通路 一是流經(jīng)電阻R7給第一 MOS晶體管Q3的柵源極充電,然后通過(guò)第二 MOS 晶體管Q4的源柵極、電阻R6和同步整流管Ql的源柵極并聯(lián)通路后再通過(guò) 第二二極管D2回到驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的同名端,使第一 MOS晶體管Q3導(dǎo)通, 第二MOS晶體管Q4、同步整流管Q1關(guān)斷;二是給同步續(xù)流管Q2的柵源極 充電,然后通過(guò)第二MOS晶體管Q4的源柵極、電阻R6和同步整流管Q1的 源柵極并聯(lián)通路后再通過(guò)第二二極管D2回到驅(qū)動(dòng)繞組Nsd的同名端,使同步 續(xù)流管Q2、第一 MOS晶體管Q3導(dǎo)通,第二 MOS晶體管Q4、同步整流管 Ql關(guān)斷。
      適當(dāng)?shù)剡x擇電阻R6、 R7的阻值,可將同步整流管Ql、同步續(xù)流管Q2 之間的死區(qū)時(shí)間(DeadTime)調(diào)節(jié)為一個(gè)合理的值。
      圖6中所示上述同步整流驅(qū)動(dòng)電路的同步整流管的驅(qū)動(dòng)電壓波形如圖7 所示,由該圖可見,該驅(qū)動(dòng)電壓尖峰己得到有效抑制,驅(qū)動(dòng)電壓幅值亦被有效 限制。
      本實(shí)用新型可廣泛應(yīng)用于需抑制幅值過(guò)高的驅(qū)動(dòng)電壓尖峰的同步整流驅(qū) 動(dòng)電路中。
      以上通過(guò)實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說(shuō)明,所提供的實(shí)施例僅作為示例, 并非因此限制本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員明白,..本實(shí) 用新型同樣可應(yīng)用于其它開關(guān)變換器中采用MOSFET整流的驅(qū)動(dòng)電路中。凡 在不違背本實(shí)用新型的精神和內(nèi)容所作的改進(jìn)或替換,應(yīng)被視為屬于本實(shí)用新 型的保護(hù)范圍。
      權(quán)利要求1、一種開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,包括主變壓器以及設(shè)于該主變壓器副邊的驅(qū)動(dòng)繞組和同步整流電路,其特征在于,還于所述驅(qū)動(dòng)繞組與所述同步整流電路之間連接有反向并聯(lián)的兩組二極管。
      2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述兩組二 極管各包括一個(gè)二極管。
      3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述兩組二 極管中一組二極管包括一個(gè)二極管,另一組二極管包括多個(gè)串聯(lián)的二極管。
      4、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述兩組二 極管各包括多個(gè)串聯(lián)的二極管。
      5、 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)繞組為所述主變壓器的副邊主繞組。
      6、 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,.其特征在于, 所述驅(qū)動(dòng)繞組為設(shè)于所述主變壓器副邊的輔助繞組。
      7、 根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于, 所述同步整流電路包括同步整流管、同步續(xù)流管以及第一MOS晶體管和第二 MOS晶體管,其中所述同步整流管和同步續(xù)流管為MOS晶體管;:所述兩組二 極管的一端連接至所述驅(qū)動(dòng)繞組的同名端,另一端連接至所述同步整流管的柵 極和所述第二 MOS晶體管的柵極;該同步整流管的柵極連接至所述第一 MOS 晶體管的漏極,源極連接至所述第一MOS晶體管的源極;所述同步續(xù)流管的 柵極連接至所述第二MOS晶體管的漏極和所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端,源極連接 至所述所述第二MOS晶體管的源極并與所述同步整流管的源極相連;所述第 一MOS晶體管的柵極連接至所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端。
      8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)繞 組為設(shè)于所述主變壓器副邊的輔助繞組;所述同步整流管的漏極連接至所述主 變壓器副邊主繞組的異名端,所述同步續(xù)流管的漏極連接至所述主變壓器副邊 主繞組的同名端。
      9、根據(jù)權(quán)利要求7所述的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,其特征在于,所述兩組二極管與所述第二 MOS晶體管的柵極之間以及所述第一 MOS晶體管的柵極與所述驅(qū)動(dòng)繞組的異名端之間分別設(shè)有電阻。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及一種開關(guān)變換器的同步整流驅(qū)動(dòng)電路,包括主變壓器以及設(shè)于該主變壓器副邊的驅(qū)動(dòng)繞組和同步整流電路。該同步整流驅(qū)動(dòng)電路還于所述驅(qū)動(dòng)繞組與所述同步整流電路之間連接有反向并聯(lián)的兩組二極管。本實(shí)用新型可有效抑制驅(qū)動(dòng)電路中驅(qū)動(dòng)電壓尖峰、限制驅(qū)動(dòng)電壓幅值并減小驅(qū)動(dòng)損耗,且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,效率高,通用性強(qiáng),便于廣泛應(yīng)用。
      文檔編號(hào)H02M7/217GK201222702SQ20082011593
      公開日2009年4月15日 申請(qǐng)日期2008年6月4日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月4日
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