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      電感整流式ac/dc轉(zhuǎn)換的apfc電路的制作方法

      文檔序號(hào):7418786閱讀:427來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:電感整流式ac/dc轉(zhuǎn)換的apfc電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種AC/DC轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu),尤其涉及電感整流式AC/DC 轉(zhuǎn)換的有源功率因數(shù)校正(APFC)電路。
      背景技術(shù)
      在已有的帶有功率因數(shù)校準(zhǔn)電路(即PFC電路)的AC/DC轉(zhuǎn)換電路中,工頻 交流電經(jīng)整流橋整流后,經(jīng)過(guò)一個(gè)儲(chǔ)能電感和隔離二極管輸出直流電,儲(chǔ)能電感與 隔離二極管的連接點(diǎn)通過(guò)一個(gè)MOS開關(guān)管與接地端連接,MOS開關(guān)管由一個(gè)功 率因數(shù)校準(zhǔn)控制器控制,不斷地開通和關(guān)斷,調(diào)節(jié)通過(guò)儲(chǔ)能電感的電流,從而消除 由于整流濾波電路產(chǎn)生的諧波電流,補(bǔ)償,提高功率因數(shù)。這種電路中,整流橋的 等效內(nèi)阻上存在1.2V 2.4V的正向電壓降,整流橋在電源設(shè)備中的功率損耗占到約 1%,在輸出功率較大時(shí),整流橋的功率損耗不可忽視。
      發(fā)明內(nèi)容
      本實(shí)用新型的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷,提供一種減少了功 率損耗的電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路。
      本實(shí)用新型的目的可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的 APFC電路,其特征在于,包括第一MOS開關(guān)管Ql,其具有源極、漏極、柵極; 第二MOS開關(guān)管Q2,其具有源極、漏極、柵極;第一整流二極管D1,其具有陽(yáng) 極、陰極;第二整流二極管D2,其具有陽(yáng)極、陰極;儲(chǔ)能電感L1;輸出電容C; 功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U;
      所述的第一 MOS開關(guān)管Ql的源極與第一交流電源端L連接,所述的第一 MOS開關(guān)管Ql的漏極通過(guò)儲(chǔ)能電感LI與第一整流二極管Dl的陽(yáng)極連接,所述 的第一整流二極管D1的陰極與電路的正輸出端VOUT連接;
      所述的第二整流二極管D2的陽(yáng)極與第一 MOS開關(guān)管Ql的源極連接,所述的第二整流二極管D2的陰極與電路的正輸出端VOUT連接;
      所述的第二 MOS開關(guān)管Q2的源極與第二交流電源端N連接,所述的第二 MOS開關(guān)管Q2的漏極與第二整流二極管D2的陽(yáng)極連接;
      所述的輸出電容C接在電路的正輸出端VOUT、負(fù)輸出端RTN之間;
      所述的第一 MOS開關(guān)管Ql的柵極與第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極分別與功率 因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U的控制信號(hào)輸出端連接,所述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊 U與電源VCC連接;所述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U與第二交流電源端N連接。
      還包括電阻(Rl、 R2),所述的電阻(Rl、 R2)串聯(lián)后,并聯(lián)在輸出電容(C) 兩端,所述的電阻(Rl、 R2)串聯(lián)連接處與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)連接。
      還包括脈沖變壓器T,該脈沖變壓器T包括一個(gè)初級(jí)線圈、兩個(gè)次級(jí)線圈,所 述的初級(jí)線圈設(shè)在第二交流電源端N與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U的控制信號(hào)輸 出端連接,所述的一個(gè)次級(jí)線圈接在第一 MOS開關(guān)管Ql的源極與第一 MOS開 關(guān)管Ql的柵極之間,所述的另一個(gè)次級(jí)線圈接在第二 MOS開關(guān)管Q2的源極與 第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極之間。
      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型省去了整流橋,減少了功率損耗,而且可以克服 有整流橋時(shí)整流橋未開通部分的電壓存在功率因數(shù)調(diào)節(jié)死區(qū)的缺陷,從而提高功率 因數(shù),減小總諧波失真。


      圖1是本實(shí)用新型電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路的結(jié)構(gòu)圖2是本實(shí)用新型電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路的另一種形式的結(jié)構(gòu)圖。
      具體實(shí)施方式
      如圖1所示,本實(shí)用新型電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路,包括第一 MOS開關(guān)管Ql,其具有源極、漏極、柵極;第二MOS開關(guān)管Q2,其具有源極、 漏極、柵極;第一整流二極管D1,其具有陽(yáng)極、陰極;第二整流二極管D2,其具 有陽(yáng)極、陰極;儲(chǔ)能電感L1;輸出電容C;功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U;所述的 第一 MOS開關(guān)管Ql的源極與第一交流電源端L連接,所述的第一 MOS開關(guān)管 Ql的漏極通過(guò)儲(chǔ)能電感L1與第一整流二極管D1的陽(yáng)極連接,所述的第一整流二極管D1的陰極與電路的正輸出端VOUT連接;所述的第二整流二極管D2的陽(yáng)極 與第一 MOS開關(guān)管Ql的源極連接,所述的第二整流二極管D2的陰極與電路的 正輸出端VOUT連接;所述的第二 MOS開關(guān)管Q2的源極與第二交流電源端N連 接,所述的第二MOS開關(guān)管Q2的漏極與第二整流二極管D2的陽(yáng)極連接;所述 的輸出電容C接在電路的正輸出端VOUT、負(fù)輸出端RTN之間;所述的第一MOS 開關(guān)管Ql的柵極與第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極分別與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U 的控制信號(hào)輸出端連接,所述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U與電源VCC連接;所 述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U與第二交流電源端N連接。還包括電阻R1、 R2, 所述的電阻R1、 R2串聯(lián)后,并聯(lián)在輸出電容C兩端,所述的電阻R1、 R2串聯(lián)連 接處與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U連接。
      本實(shí)用新型電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路的工作流程如下兩個(gè)交流 電源端L和N接220V交流電源。功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U不斷發(fā)出高頻脈沖 信號(hào)到第一MOS開關(guān)管Ql、第二MOS開關(guān)管Q2的柵極。
      當(dāng)?shù)谝唤涣麟娫炊薒為正,第二交流電源端N為負(fù)時(shí),第二MOS開關(guān)管Q2 在高頻脈沖信號(hào)的正半周時(shí)導(dǎo)通,儲(chǔ)能電感Ll通過(guò)第一 MOS開關(guān)管Ql的體內(nèi)二 極管及第二 MOS開關(guān)管Q2充電;第二 MOS開關(guān)管Q2在高頻脈沖信號(hào)的負(fù)半周 時(shí)截止,儲(chǔ)能電感L1儲(chǔ)存的電能通過(guò)第二整流二極管D2對(duì)輸出電容C充電,一 直持續(xù)到工頻交流電的正半周期結(jié)束;
      當(dāng)?shù)谝唤涣麟娫炊薒為負(fù),第二交流電源端N為正時(shí),第一MOS開關(guān)管Ql 在高頻脈沖信號(hào)的正半周時(shí)導(dǎo)通,儲(chǔ)能電感Ll通過(guò)第二 MOS開關(guān)管Q2的體內(nèi)二 極管及第一 MOS開關(guān)管Ql充電;第一 MOS開關(guān)管Ql在高頻脈沖信號(hào)的負(fù)半周 時(shí)截止,儲(chǔ)能電感L1儲(chǔ)存的電能通過(guò)第一整流二極管D1對(duì)輸出電容C充電,一 直持續(xù)到工頻交流電的負(fù)半周期結(jié)束。
      為該電路中第一 MOS開關(guān)管Ql、第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極提供高頻脈沖 信號(hào)的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U可以采用型號(hào)為UCC28060等的集成塊。
      如圖2所示,在圖1電路的基礎(chǔ)上,還可以增加脈沖變壓器T,該脈沖變壓器 T包括一個(gè)初級(jí)線圈、兩個(gè)次級(jí)線圈,所述的初級(jí)線圈設(shè)在第二交流電源端N與 功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U的控制信號(hào)輸出端連接,所述的一個(gè)次級(jí)線圈接在第 一MOS開關(guān)管Q1的源極與第一MOS開關(guān)管Q1的柵極之間,所述的另一個(gè)次級(jí) 線圈接在第二 MOS開關(guān)管Q2的源極與第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極之間。為該電路中第一 MOS開關(guān)管Ql、第二 MOS開關(guān)管Q2的柵極提供高頻脈沖 信號(hào)的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊u可以采用只有一個(gè)輸出信號(hào)端的型號(hào)為 IR1150、 IR115Q5、 UC3854、 UC3854A、 UC3854B等的集成塊。
      權(quán)利要求1.電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路,其特征在于,包括第一MOS開關(guān)管(Q1),其具有源極、漏極、柵極;第二MOS開關(guān)管(Q2),其具有源極、漏極、柵極;第一整流二極管(D1),其具有陽(yáng)極、陰極;第二整流二極管(D2),其具有陽(yáng)極、陰極;儲(chǔ)能電感(L1);輸出電容(C);功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U);所述的第一MOS開關(guān)管(Q1)的源極與第一交流電源端(L)連接,所述的第一MOS開關(guān)管(Q1)的漏極通過(guò)儲(chǔ)能電感(L1)與第一整流二極管(D1)的陽(yáng)極連接,所述的第一整流二極管(D1)的陰極與電路的正輸出端(VOUT)連接;所述的第二整流二極管(D2)的陽(yáng)極與第一MOS開關(guān)管(Q1)的源極連接,所述的第二整流二極管(D2)的陰極與電路的正輸出端(VOUT)連接;所述的第二MOS開關(guān)管(Q2)的源極與第二交流電源端(N)連接,所述的第二MOS開關(guān)管(Q2)的漏極與第二整流二極管(D2)的陽(yáng)極連接;所述的輸出電容(C)接在電路的正輸出端(VOUT)、負(fù)輸出端(RTN)之間;所述的第一MOS開關(guān)管(Q1)的柵極與第二MOS開關(guān)管(Q2)的柵極分別與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)的控制信號(hào)輸出端連接,所述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)與電源(VCC)連接;所述的功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)與第二交流電源端(N)連接。
      2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路,其特征在于, 還包括電阻(Rl、 R2),所述的電阻(Rl、 R2)串聯(lián)后,并聯(lián)在輸出電容(C) 兩端,所述的電阻(Rl、 R2)串聯(lián)連接處與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)連接。
      3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路,其特征在于, 還包括脈沖變壓器(T),該脈沖變壓器(T)包括一個(gè)初級(jí)線圈、兩個(gè)次級(jí)線圈, 所述的初級(jí)線圈設(shè)在第二交流電源端(N)與功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊(U)的控 制信號(hào)輸出端連接,所述的一個(gè)次級(jí)線圈接在第一MOS開關(guān)管(Ql)的源極與第 一MOS開關(guān)管(Ql)的柵極之間,所述的另一個(gè)次級(jí)線圈接在第二MOS開關(guān)管(Q2)的源極與第二MOS開關(guān)管(Q2)的柵極之間。
      專利摘要本實(shí)用新型涉及電感整流式AC/DC轉(zhuǎn)換的APFC電路,包括第一MOS開關(guān)管Q1,其具有源極、漏極、柵極;第二MOS開關(guān)管Q2,其具有源極、漏極、柵極;第一整流二極管D1,其具有陽(yáng)極、陰極;第二整流二極管D2,其具有陽(yáng)極、陰極;儲(chǔ)能電感L1;輸出電容C;功率因數(shù)校準(zhǔn)控制集成塊U。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型省去了整流橋,減少了功率損耗,而且可以克服有整流橋時(shí)整流橋未開通部分的電壓存在功率因數(shù)調(diào)節(jié)死區(qū)的缺陷,從而提高功率因數(shù),減小總諧波失真。
      文檔編號(hào)H02M1/42GK201312259SQ20082015561
      公開日2009年9月16日 申請(qǐng)日期2008年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月19日
      發(fā)明者亮 李, 楊元佳, 錚 葛 申請(qǐng)人:上海優(yōu)昌電源科技有限公司
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