專利名稱：具有次級電壓監(jiān)測的電源裝置的制作方法
具有次級電壓監(jiān)測的電源裝置電氣系統(tǒng)中的努力越來越關(guān)注通過提供附加冗余來提高安全性。特別是在有爆 炸風(fēng)險的地方更是如此。在這里，應(yīng)當(dāng)盡可能地避免危險操作狀況。在有爆炸風(fēng)險的地方，如果可產(chǎn)生可燃火花的電流和/或電壓在通往危險區(qū)域 的導(dǎo)線上出現(xiàn)，則危險狀況可能發(fā)生。另一方面，在相應(yīng)功率的情況下，還存在組件可 能達(dá)到如下表面溫度的風(fēng)險所述表面溫度又能夠引燃可燃混合物。由于汲取越來越多 電流的耗電器、諸如現(xiàn)代母線系統(tǒng)，這兩種風(fēng)險上升。這就是為什么要關(guān)注電源設(shè)備和裝置，以便保證在標(biāo)準(zhǔn)控制回路中發(fā)生故障 時，除了正常提供的控制之外，機(jī)構(gòu)能夠有效地排除危險狀況。在現(xiàn)有技術(shù)中公知根據(jù)阻塞變換器原理或正向變換器(Durchflusswandler)原理 工作的電源設(shè)備。這些電路使用具有電隔離繞組的變壓器，并且用于相對于輸入電壓來 提高或降低輸出電壓。這些變換器電路包括回授機(jī)構(gòu)(Riickkopplungsmechanism)，以調(diào) 節(jié)次級側(cè)的電流和/或電壓。該變換器電路在初級側(cè)包括至少一個與變壓器初級繞組串聯(lián)的受控半導(dǎo)體開 關(guān)，以產(chǎn)生相應(yīng)的交流電流。由此出發(fā)，本發(fā)明的任務(wù)是提供具有電隔離的電源裝置，其中該裝置具有提高 的安全性。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，這個問題用具有權(quán)利要求1的特征的電源裝置來解決。本新型電源裝置包括電源輸入端，通過該電源輸入端向電源裝置供應(yīng)電能。在 該電源裝置中設(shè)置變壓器，該變壓器具有初級繞組和與該初級繞組電隔離的次級繞組。 受控的半導(dǎo)體開關(guān)與該初級繞組串聯(lián)，其中該串聯(lián)電路與電源輸入端并聯(lián)。為了在變壓器中產(chǎn)生需要的交流信號，設(shè)置用于半導(dǎo)體開關(guān)的控制電路。該控 制電路輸送周期性控制信號，該周期性控制信號在其一側(cè)被調(diào)節(jié)為使得次級線圈上的輸 出電壓保持恒定或被保持在預(yù)給定的可變額定值上。除了該調(diào)節(jié)裝置或調(diào)節(jié)電路之外，還設(shè)置電壓限制電路。該電壓限制電路在 輸入側(cè)與初級繞組并聯(lián)并且產(chǎn)生輸出信號，該輸出信號對半導(dǎo)體開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)產(chǎn)生影 響，使得該半導(dǎo)體開關(guān)轉(zhuǎn)換到如下狀態(tài)當(dāng)初級繞組上的電壓超過預(yù)定的限制電壓時， 不為初級繞組產(chǎn)生交流電流。
這里，利用如下事實對于變換器電路，初級側(cè)上的電壓是次級側(cè)上的電壓的 映射，這對應(yīng)于變壓器的轉(zhuǎn)化率(Obersetzungsverhaltnis)。因此，存在如下可能性通
過干預(yù)初級側(cè)來保持次級側(cè)上的電壓恒定。借助于該裝置并基于所述認(rèn)識，從次級側(cè)到初級側(cè)的附加電隔離反饋變?yōu)槎嘤?的。同樣地，當(dāng)必須在次級側(cè)對多個耗電器進(jìn)行饋送時，成本降低，因為由于次級 側(cè)上的電壓對于所有耗電器都保持中央地和有效地穩(wěn)定，所以不需要復(fù)雜的交互去耦。該電路尤其適用于如下應(yīng)用其中次級電壓出于4V范圍內(nèi)并且出現(xiàn)相應(yīng)高的電流。在這個范圍內(nèi)，電壓調(diào)節(jié)器難以實現(xiàn)。因為在初級側(cè)電壓較高，所以在該區(qū)域中更容易實現(xiàn)調(diào)節(jié)器。半導(dǎo)體開關(guān)可以是MOSFET，例如具有兩個輸入端的MOSFET，從而用于產(chǎn)生
交流電流信號的正?？刂票煌ㄟ^電壓限制電路的控制以高阻抗的方式隔離。可控控制電路可具有非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器，其中用于調(diào)節(jié)傳輸能量和/或電壓的 占空比(Tastverhaltnis)是可調(diào)整的，因為可對占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)，所通過的方式是時鐘頻 率是恒定的以及對占空比進(jìn)行調(diào)節(jié)，或者所通過的方式是接通時間是恒定的以及對頻率 進(jìn)行改變。適宜地，電壓限制電路包括存儲環(huán)節(jié)，由此信號狀態(tài)在預(yù)定的時間跨度上保持 不變。存儲環(huán)節(jié)可由電容形成。該電容可借助于二極管從初級繞組去耦，使得該初級 繞組在電容的反向極性時不會放電。電壓限制元件包括基準(zhǔn)環(huán)節(jié)，該基準(zhǔn)環(huán)節(jié)例如由分流調(diào)節(jié)器或齊納二極管或類 似元件形成。電壓限制電路可包括電勢反向裝置，該電勢反向裝置具有兩個導(dǎo)通類型相反的 雙極晶體管。還可以設(shè)想電勢反向裝置的每個其它實現(xiàn)方式，只要該電勢反向裝置能夠 將未與電路地連接的電壓限制電路的信號狀態(tài)傳輸?shù)組OSFET即可，其中該MOSFET至 少以一個電極持續(xù)地與電路地連接。 在次級側(cè)可以連接半波整流電路，該半波整流電路優(yōu)選地包括濾波電容。除了電壓限制電路之外，還可實施電流限制電路。有利的是，該電路裝置根據(jù)阻塞變換器的原理來工作。電壓監(jiān)測電路可包括晶體管、以及自閉鎖的半導(dǎo)體開關(guān)環(huán)節(jié)，如通過晶體管控 制的晶閘管。該晶閘管的工作部分與控制通道半導(dǎo)體開關(guān)(Steuerbahnhalbleiterschalter)的
控制部分并聯(lián)。此外，本發(fā)明的改進(jìn)方案是從屬權(quán)利要求的主題。下面的


解釋用于理解本發(fā)明的部分。專業(yè)人員可以通過普通的方式得 出在電路圖中未進(jìn)一步描述的細(xì)節(jié)，該電路圖在此是對

的補充。清楚的是，可 以對該電路進(jìn)行一系列的改進(jìn)。根據(jù)給出的功能解釋，專業(yè)人員可以很容易地實現(xiàn)各個組件的正確定標(biāo)。此外，電路圖進(jìn)行了簡化，并僅示出那些對理解本發(fā)明所需要的元件。圖示的唯一一個圖呈現(xiàn)出根據(jù)本發(fā)明的電路裝置的電路圖。該圖示出被提供用于在有爆炸風(fēng)險的地方對耗電器供電的電路裝置的原理電路 圖。這種應(yīng)用的示例是母線系統(tǒng)。這里，相對高的電流在相對低電壓的情況下流動。出 于安全原因，必須要保證電流不會在通往有爆炸風(fēng)險的地方的電源線上呈現(xiàn)不允許的高 值，即使在耗電器故障并且汲取過高電流時也是如此。另一方面，設(shè)備也不允許由于如 下事件被置于危險中在次級側(cè)由于耗電器脫落而產(chǎn)生過高的饋電電壓。通常地，邊界條件的遵守通過內(nèi)部調(diào)節(jié)來實現(xiàn)。在根據(jù)圖1的本發(fā)明的電路裝 置的情況下，如果正?？刂剖В瑒t也提供進(jìn)行干預(yù)的附加冗余。該電路裝置具有共同形成電源輸入端3的兩個輸入接線柱1和2。電能在共同表示電源輸出端6的輸出接線柱4和5上輸出。電源輸入端3通過變壓器7與電源輸出端 6電隔離，該變壓器7包括初級繞組8和次級繞組9。通過初級繞組8的所需交流電壓或 所需交流電流借助于MOSFET 11產(chǎn)生。沒有空轉(zhuǎn)二極管與初級繞組8并聯(lián)。冗余的電壓限制電路12以及電流限制電路13與初級繞組8連接。上面描述的 冗余利用這兩個電路裝置來實現(xiàn)。此外，還提供振蕩器14。初級繞組8和MOSFET 11形成串聯(lián)電路，該串聯(lián)電路與輸入端1和2并聯(lián)。這 里，源極施加在輸入接線柱2上，并且漏極與初級繞組連接。MOSFET 11提供柵極15。通過保護(hù)電阻16，柵極15施加到以具有可變占空比 的非穩(wěn)態(tài)調(diào)節(jié)的多諧振蕩器形式的振蕩器14上。繞組方向以與初級繞組8相對用圓點標(biāo)明的次級繞組9與半波整流電路連接。該 半波整流電路包括將次級繞組9的一端連接到濾波電容18的整流二極管17，該濾波電容 18的另一端返回到次級繞組9。因此，濾波電容18與連接負(fù)載的兩個輸出端子4和5并聯(lián)。不難看出的是，該整流裝置涉及半波整流裝置。MOSFET 11運行為使得作為整 體產(chǎn)生阻塞變換器電路，即變壓器7內(nèi)的能量傳輸發(fā)生在MOSFET 11的關(guān)斷階段期間。該電路裝置以可調(diào)節(jié)的方式工作，所通過的方式是控制該MOSFET 11的占空比 被相應(yīng)地重新調(diào)整。電壓監(jiān)測電路12的目的是，與正常情況下的有效調(diào)節(jié)無關(guān)地負(fù)責(zé)強(qiáng)制性地限制 次級繞組9的輸出電壓。電壓限制電路12包括存儲電容19，該存儲電容19通過去耦二 極管21與初級繞組8并聯(lián)連接。該裝置被形成為使得二極管21的陽極與MOSFET 11的 漏極連接，而電容19以其背離二極管21的那端連接到端子1。由兩個歐姆電阻22和23組成的串聯(lián)電路與電容19并聯(lián)。另夕卜，雙極PNP晶 體管24以及雙極NPN晶體管25屬于電壓限制電路12。晶體管24的發(fā)射極連接二極管 21的陰極，同時集電極通過電阻26與電路地2連接并且齊納二極管27與晶體管25的基 極連接。分流調(diào)節(jié)器28的主部分端子(Hauptstreckenanschluss)位于晶體管24的基極與 初級繞組8的高電位端或輸入端子1之間。分流調(diào)節(jié)器28的控制端子連接到位于兩個歐 姆電阻22與23之間的連接點上。通過這種方式，兩個電阻22和23限定開關(guān)閾值，當(dāng) 超過該開關(guān)閾值時，該分流調(diào)節(jié)器28導(dǎo)通。晶體管25的集電極最后連接到柵極15，同時發(fā)射極施加到MOSFET 11的源極 或輸入端子2上。電流限制設(shè)備13包括與MOSFET 11的功率部分并聯(lián)的電容28，即電容29 —端 施加到源極，另一端施加到漏極。此外，由電阻30和電容31組成的RC環(huán)節(jié)與電容28并聯(lián)。雙極PNP晶體管32的控制部分與電阻30并聯(lián)，該PNP晶體管32的發(fā)射極與 MOSFET 11的漏極連接。通過晶體管32的集電極控制晶閘管33，該晶閘管33的控制端子與晶體管32的 集電極連接。晶閘管33的陽極施加在柵極15上，并且陰極與MOSFET 11的源極連接。 因此，晶閘管33與MOSFET 11的功率部分并聯(lián)。到目前為止所描述的電路如下工作
在正常運行中，用于MOSFET 11的控制電路負(fù)責(zé)利用矩形脈沖來對該MOSFET 11供電，由此MOSFET 11通過柵極14被周期性地接通和關(guān)斷。在導(dǎo)通狀態(tài)下， MOSFET 11產(chǎn)生通過初級繞組8的電流。在關(guān)斷狀態(tài)下，在MOSFET11導(dǎo)通期間存儲 在初級繞組8中的磁能被傳輸?shù)酱渭壚@組9，從而所連接的負(fù)載被供給電流。通過改變通往柵極15的脈沖的占空比，可以保證濾波電容18兩端的電壓對于輸 出端子6上的給定或可變負(fù)載保持恒定。在空轉(zhuǎn)階段期間，即當(dāng)MOSFET 11關(guān)斷時，流過初級繞組8的電流和那里產(chǎn)生 的電壓反映次級繞組9上的電流和電壓狀況。在正常運行中，在空轉(zhuǎn)階段期間在初級繞組8上產(chǎn)生電壓，該電壓導(dǎo)致充當(dāng)積 分器的濾波電容19通過二極管21被充電。在電容19上產(chǎn)生的電壓通過分壓電阻22、23 被降低到相應(yīng)值，如從下面的功能描述中得出的那樣。在正常運行中，該電壓足夠高， 由此分流調(diào)節(jié)器28導(dǎo)通，并且因此產(chǎn)生用于晶體管24的基極電流。通過這種方式接通 的晶體管24在電阻26上產(chǎn)生電壓降，該電壓降是變壓器7次級側(cè)上的電壓的映射。在 正常運行中，齊納二極管27保持阻塞。僅當(dāng)由于次級側(cè)上的干擾以及振蕩器14的干擾 而使該電壓過高并且齊納二極管27的開關(guān)閾值被超過時，才附加地產(chǎn)生用于晶體管25的 基極電流。晶體管25被接通，并且MOSFET 11的柵極15與地短路。MOSFET 11因此 被阻塞。這種阻塞狀態(tài)一直保持，直到電容19上的電壓與輸入端子1、2上的電壓共同 達(dá)到小于齊納二極管27的閾值電壓的值為止。從附圖中可以不難地看出，晶體管24的接通與接線柱1、2上的輸入電壓無關(guān)。 晶體管24的導(dǎo)通狀態(tài)僅受與分流調(diào)節(jié)器28連接的積分電容19上的電壓的控制。然而， 輸入電壓結(jié)合到用于控制晶體管25的控制電壓中。如果沒有從晶體管24輸送的電流中導(dǎo)出用于振蕩器14的控制電壓，則齊納二 極管27可以被省略，并且分壓電阻22、23可被設(shè)計為使得分流調(diào)節(jié)器28僅在初級繞組 9上的允許電壓的閾值被向上超過時才接通，這對應(yīng)于空轉(zhuǎn)狀態(tài)下在次級繞組8上的相應(yīng) 過電壓。在最終從時間常數(shù)中得出的預(yù)給定時間之后——其中該時間常數(shù)由電容19結(jié)合 兩個電阻22、23以及晶體管24的集電極電流得出，電壓降到齊納二極管27的閾值電壓 之下并且晶體管25過渡到阻塞狀態(tài)，使得時鐘脈沖又可被輸入到MOSFET 11中。阻塞 振蕩器又恢復(fù)其功能。如果過電壓再次出現(xiàn)，之前描述的交互過程將會重復(fù)。在晶體管24控制側(cè)的相應(yīng)較小的時間常數(shù)情況下，這種干預(yù)也可在脈沖中消 失，其中利用該脈沖MOSFET 11可以轉(zhuǎn)換到導(dǎo)通狀態(tài)。在這種情況下，非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器14可具有恒定的頻率和恒定的占空比，其中 利用該多諧振蕩器14為MOSFET 11產(chǎn)生輸入信號。脈沖長度最終由電壓限制電路12來 確定，所通過的方式是通過電壓限制電路12周期性地抑制正在等候的脈沖。如上面已經(jīng)表明的那樣，在阻塞階段期間，初級繞組處的電壓變化表示次級側(cè) 上流動的電流的度量。在流過初級繞組8的電流的接通階段期間，磁能饋入變壓器7中。該饋入能量 與初級繞組的電感和MOSFET 11的接通持續(xù)時間成比例。在關(guān)斷階段期間，能量被傳輸?shù)酱渭壘€圈中，其中次級線圈輸出到耗電器的電流在與串聯(lián)電容觀相關(guān)聯(lián)的空轉(zhuǎn)時間期間呈現(xiàn)特征性的時間變化。
在MOSFET 11又過渡到導(dǎo)通狀態(tài)之前，該電流越大，電容觀上的充電終止電 壓就越大。如果出現(xiàn)過渡的電流汲取，則電容觀上的電壓將變得如此大，使得該電壓大 于晶體管32的基極發(fā)射極電壓加上晶閘管33控制部分上的電壓之和。因此，晶體管32 將導(dǎo)通，并且晶閘管33也將因此導(dǎo)通。因為晶閘管33與場效應(yīng)晶體管11的控制部分并 聯(lián)，柵極15在這里與源極短路并且關(guān)斷晶體管11。由此，給MOSFET11通過初級繞組 8再次接通電流的可能性。
此外，電阻四與電容31相聯(lián)結(jié)作為低通濾波器工作，以形成在電容28上出現(xiàn) 的電壓變化的平均值，因為該電容28在MOSFET 11接通時立即突然地放電。
振蕩器14作為電壓控制的非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器工作。作為有源組件，振蕩器14 包括具有反相輸入端和非反相輸入端的差動放大器35。該非反相輸入端通過回授電阻36 與差動放大器35的輸出端連接，以便產(chǎn)生施密特觸發(fā)器行為。負(fù)反饋電阻37將輸出端 與反相輸入端連接，該反向輸入端此外進(jìn)一步地通過濾波電容38與對應(yīng)于端子2的電路 地連接。差動放大器35的輸出端連接到MOSFET11的柵極15。振蕩器14接收到控制 電壓，所通過的方式是差動放大器35的非反相輸入端通過電阻39與晶體管M的集電極 連接。
因此，電阻39上的電壓對應(yīng)于施加到輸入端3上的電壓加上電容19上的電壓之 和，其中該電阻39連接到晶體管M的集電極。
這樣的非穩(wěn)態(tài)多諧振蕩器14的工作原理是公知的，因此僅需要在總體上進(jìn)行解 釋
在振蕩狀態(tài)下，當(dāng)差動放大器35導(dǎo)通時，電容38通過電阻37充電。一旦超過 控制電壓的該電壓被施加到非反相輸入端，差動放大器35就被關(guān)斷，該差動放大器35借 助于電阻36產(chǎn)生施密特觸發(fā)器特性。當(dāng)差動放大器35關(guān)斷時，電容38通過電阻37從 差動放大器35的輸出端放電。一旦電容38上的電壓跌落得足夠多時，輸入一輸出電壓 再次進(jìn)行切換。
該過程周期地重復(fù)。
因為由電阻37和電容38組成的積分環(huán)節(jié)是恒定的，占空比根據(jù)施加到非反相輸 入端上的輸入電壓而變化。
顯然，控制功率半導(dǎo)體以周期性地接通和關(guān)斷流入變壓器7中的初級電流的振 蕩器14借助于同樣從初級繞組8獲得其控制電壓的振蕩器14來控制。因此，變壓器7 上的第三繞組可以被省略，以通過這樣的現(xiàn)有技術(shù)中所熟知的回授繞組來控制阻塞振蕩 器。在根據(jù)本發(fā)明的阻塞振蕩器的情況下，該控制電壓直接從該電壓中導(dǎo)出。
根據(jù)本發(fā)明所述的電路總體上包括以電壓監(jiān)測設(shè)備12、電流監(jiān)測設(shè)備13和非穩(wěn) 態(tài)多諧振動器14形式的三個組件。只要該電路可只利用振蕩器14而不利用電流監(jiān)測設(shè) 備13和電壓監(jiān)測設(shè)備12來實施，則這些單元組件是彼此獨立的。
另一方面，振蕩器14可由與變壓器7上的回授繞組一起工作的振蕩器所代替。 在這樣的振蕩器電路上，電壓監(jiān)測電路12和/或電流監(jiān)測電路13可以彼此之間獨立地被 使用。使用這些電路中的哪個可根據(jù)希望的安全度來調(diào)整。
阻塞變換器電路與變壓器一起工作，其中該變壓器僅具有初級繞組和次級繞組。該變壓器不包括用于阻塞振蕩器的回授繞組。
用于振蕩器的控制電壓從變壓器的初級電壓中、更確切地說在空轉(zhuǎn)階段期間導(dǎo)出ο
此外提供與振蕩器無關(guān)地工作的電壓監(jiān)測電路，從而當(dāng)阻塞變換器輸出端上的 電壓過大時抑制該振蕩器的輸出電壓。
電流監(jiān)測電路與振蕩器和電壓監(jiān)測電路無關(guān)地工作，并且當(dāng)輸出側(cè)的電流超過 預(yù)給定的量時抑制用于功率晶體管的脈沖。
實際上，這些監(jiān)測電路無功地工作，使得不需要特殊的冷卻措施。
權(quán)利要求
1.一種尤其在防爆保護(hù)實施方式中的具有電隔離的電源裝置，具有電源輸入端(3)，具有變壓器(7)，所述變壓器(7)具有初級繞組(8)和與初級繞組(8)電隔離的次級 繞組(9)，具有受控半導(dǎo)體開關(guān)(11)，所述半導(dǎo)體開關(guān)(11)具有至少一個控制輸入端(15)，并 且所述半導(dǎo)體開關(guān)(11)與初級繞組⑶形成與電源輸入端⑶并聯(lián)的串聯(lián)電路，具有用于半導(dǎo)體開關(guān)(11)的可控控制電路(14)，所述控制電路(14)為半導(dǎo)體開關(guān) (11)輸送周期性的控制信號，所述控制信號被控制為使得次級繞組(9)上的輸出電壓與 負(fù)載無關(guān)地保持在預(yù)給定的額定值，具有電壓限制電路(12)，所述電壓限制電路(12)在輸入側(cè)與初級繞組(8)并聯(lián)并且 所述電壓限制電路(12)的輸出信號對半導(dǎo)體開關(guān)(11)的開關(guān)狀態(tài)產(chǎn)生影響，使得半導(dǎo)體 開關(guān)(11)轉(zhuǎn)換到固定狀態(tài)，在該狀態(tài)下，當(dāng)初級繞組(8)上的電壓超過預(yù)給定的限制值 時半導(dǎo)體開關(guān)(11)不在該初級繞組(8)上產(chǎn)生交流電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，初級繞組(8)具有比次級繞組(9)更多 的或更少的繞組。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，受控半導(dǎo)體開關(guān)(11)是MOSFET。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，可控控制電路(14)具有非穩(wěn)態(tài)多諧振 蕩器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的電源裝置，其特征在于，多諧振蕩器(14)具有恒定的時鐘頻 率，并且能夠在占空比方面進(jìn)行調(diào)節(jié)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的電源裝置，其特征在于，多諧振蕩器(14)具有變化的頻率，并 且占空比能夠被調(diào)節(jié)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，電壓限制電路(12)具有存儲環(huán)節(jié) (19)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的電源裝置，其特征在于，存儲環(huán)節(jié)(19)由電容形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，電壓限制電路(12)通過二極管(21)與 初級繞組(8)連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，電壓限制電路(12)包括基準(zhǔn)環(huán)節(jié) (28)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的電源裝置，其特征在于，基準(zhǔn)環(huán)節(jié)(28)由分流調(diào)節(jié)器形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，電壓限制電路(12)包括電勢反向裝置 (24、25)，所述電勢反向裝置(24、25)具有兩個導(dǎo)通類型相反的雙極晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，優(yōu)選包括至少一個濾波電容(18)的半 波整流電路(17)連接到次級側(cè)(9)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，還提供針對電流的限制電路(13)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的電源裝置，其特征在于，所述電源裝置根據(jù)阻塞變換器的原理 來工作。
全文摘要
一種與變壓器一起工作的阻塞變換器，其中該變壓器僅具有一個初級繞組和一個次級繞組。該變壓器不包括用于阻塞振蕩器的回授繞組。用于振蕩器的控制電壓從該變壓器的初級電壓中、也就是在空轉(zhuǎn)階段期間導(dǎo)出。此外提供獨立于振蕩器工作的電壓監(jiān)測電路，當(dāng)阻塞變換器輸出端上的電壓過高時，其抑制該振蕩器的輸出電壓。電流監(jiān)測電路獨立于該振蕩器和該電壓監(jiān)測電路工作，并且當(dāng)輸出側(cè)的電流超過預(yù)給定值時抑制用于功率晶體管的脈沖。
文檔編號H02M3/335GK102027665SQ200880118991
公開日2011年4月20日 申請日期2008年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月4日
發(fā)明者F·弗雷 申請人:R.施塔爾開關(guān)設(shè)備有限責(zé)任公司