專利名稱：一種單電感開關(guān)直流電壓變換器及三模式控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種開關(guān)直流電壓變換器，具體地說是一種單電感開關(guān)直 流電壓變換器。
背景技術(shù)：
直流電壓變換器是便攜式設(shè)備通用的電源管理芯片。在應(yīng)用中的要求 是在各種負(fù)載電流的條件下輸出電壓需要穩(wěn)定，紋波電壓低，噪聲低，而 且輸入電源與輸出電源的變換效率高。
目前，市場(chǎng)上的直流電壓變換器主要有脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式 和脈沖頻率調(diào)制(PFM)。 PWM和PFM的控制方式和具體電路各不相同， 在其對(duì)應(yīng)負(fù)載范圍內(nèi)，都能保證有較高的電源轉(zhuǎn)換效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種單電感開關(guān)直流電壓變換器的三模式控制 方法及一種實(shí)現(xiàn)模式控制的單電感開關(guān)直流電壓變換器，實(shí)現(xiàn)了單電感開 關(guān)直流電壓變換器的PWM模式控制、PFM模式控制、休眠模式控制的自 動(dòng)切換。
本發(fā)明的三模式控制方法，包括對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行 PWM模式控制、PFM模式控制或休眠模式控制；在單電感開關(guān)直流電壓 變換器內(nèi)設(shè)置過零檢測(cè)模塊對(duì)開關(guān)直流電壓變換器的電感電流進(jìn)行檢測(cè)， 并設(shè)置反饋電路取得單電感開關(guān)直流電壓變換器的輸出反饋電壓；
各種模式切換如下
開關(guān)直流電壓變換器起動(dòng)后，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行 PWM模式控制；在PWM模式控制下，若檢測(cè)到的電感電流不連續(xù)，對(duì)單電感開關(guān)直 流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制；
在PFM模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓小于第一基準(zhǔn)電壓或 是檢測(cè)到的電感電流連續(xù)，則對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PWM模 式控制；
在PFM模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓大于第二基準(zhǔn)電壓， 則停止PFM模式控制，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行休眠模式控制；
在休眠模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓小于第三基準(zhǔn)電壓，則 對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制；
所述的第一基準(zhǔn)電壓小于第三基準(zhǔn)電壓，第三基準(zhǔn)電壓小于第二基準(zhǔn) 電壓。
在單電感開關(guān)直流電壓變換器內(nèi)設(shè)置跳變點(diǎn)電流檢測(cè)模塊，在PWM 模式控制下，當(dāng)單電感開關(guān)直流電壓變換器內(nèi)的開關(guān)晶體管的峰值電流小 于跳變點(diǎn)電流時(shí)，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制。 在休眠模式下關(guān)閉單電感開關(guān)直流電壓變換器的開關(guān)晶體管。 本發(fā)明的單電感開關(guān)直流電壓變換器，包括控制模塊，所述的單電感 開關(guān)直流電壓變換器包括一個(gè)PMOS晶體管和一個(gè)NMOS晶體管， PMOS晶體管的源極連接輸入電源，漏極連接NMOS晶體管的漏極， NMOS晶體管的源極接地，在PMOS晶體管的漏才及和NMOS晶體管的源 極之間設(shè)置有輸出支路，所述單電感開關(guān)直流電壓變換器的電感串聯(lián)在該 輸出支路中；
所述的控制模塊包括PWM模式控制模塊、PFM模式控制模塊、用于 切換PWM模式控制和PFM控制并進(jìn)行休眠模式控制的邏輯轉(zhuǎn)換控制模 塊、用于檢測(cè)所述電感電流的過零電流檢測(cè)模塊、用于取得輸出反饋電壓 的分壓反々責(zé)電路；
過零電流檢測(cè)模塊和分壓反饋電路將得到反饋信號(hào)發(fā)送給邏輯轉(zhuǎn)換 控制模塊；
邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊根據(jù)反饋信號(hào)，向PWM模式控制模塊和PFM模 式控制模塊發(fā)送模式選擇信號(hào)；PWM模式控制模塊和PFM模式控制模塊根據(jù)模式選擇信號(hào)，向邏輯 控制模塊發(fā)送相應(yīng)的控制信號(hào)；
邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊連接PMOS晶體管和NMOS晶體管的柵極，對(duì)單 電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行模式控制。
在控制模塊內(nèi)設(shè)置有用于檢測(cè)開關(guān)晶體管電流的跳變點(diǎn)電流檢測(cè)模塊。
所述的邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊包括接收電感輸出端電壓和第四基準(zhǔn)電壓 的過零負(fù)載比較器、接收電感輸入端電壓和跳變點(diǎn)基準(zhǔn)電壓的跳變點(diǎn)電流 比較器、接收輸出反饋電壓和第一基準(zhǔn)電壓的第一低電壓比較器、接收輸 出反饋電壓和第二基準(zhǔn)電壓的第一高電壓比較器、接收輸出反饋電壓和第 三基準(zhǔn)電壓的第二低電壓比較器，過零負(fù)載比較器、跳變點(diǎn)電流比較器、 第一低電壓比較器、第一高電壓比較器、第二低電壓比較器的輸出端通過 邏輯門電路輸出模式切換信號(hào)和休眠信號(hào)。
所述的PWM模式控制模塊接收輸出反饋電壓、基準(zhǔn)電壓和模式切換 信號(hào)，并通過邏輯轉(zhuǎn)換模塊向PMOS晶體管和NMOS晶體管的柵極發(fā)送 控制信號(hào)。
所述的PFM模式控制模塊基準(zhǔn)電流和電感輸出端電流的峰值電流比 較器、接收第二基準(zhǔn)電壓和輸出反饋電壓的第二高電壓比較器、接收輸出 反饋電壓和第三基準(zhǔn)電壓的第三低電壓比較器、接收電感輸出端近似為0 時(shí)對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓和電感輸出端電流的過零負(fù)載電流比較器，PFM模式控 制模塊根據(jù)模式切換信號(hào)，通過邏輯轉(zhuǎn)換模塊向PMOS晶體管和NMOS 晶體管的柵極發(fā)送控制信號(hào)。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是本發(fā)明通過系統(tǒng)集成的方式，通過邏輯控制方式將 PWM、 PFM模式和休眠模式控制模塊集成到一起，實(shí)現(xiàn)寬負(fù)載電流條件 下的模式自動(dòng)切換，擴(kuò)大了開關(guān)直流電壓變換器的負(fù)載使用范圍，提高了 電能轉(zhuǎn)化效率。


圖l是本發(fā)明的單電感開關(guān)直流電壓變換器的結(jié)構(gòu)示意7圖2是PWM、 PFM和休眠模式的邏輯控制單元電路圖； 圖3是PWM模式控制模塊的電路圖； 圖4是PFM模式控制模塊的電路圖。
具體實(shí)施例方式
如圖l所示，本實(shí)施例的三模式控制的直流電壓轉(zhuǎn)換器芯片電路由控 制模塊和片內(nèi)輸出級(jí)電路組成?？刂颇K包括由邏輯控制模塊、PWM控 制模塊、PFM控制模塊、PWM/PFM跳變點(diǎn)電流檢測(cè)和PFM峰值電流檢 測(cè)模塊、過零電流檢測(cè)模塊組成。各個(gè)模塊的電源電壓，即為從片外向片 內(nèi)輸入的電壓Vin。 EN信號(hào)是片外輸入的使能信號(hào)，當(dāng)EN為"1"時(shí)， 芯片正常工作；為"0"時(shí)，芯片不工作。片內(nèi)輸出級(jí)電路的SW節(jié)點(diǎn)和 地(GND)之間外接片外由電感L和電容C。ut組成的濾波電路，其中的 resr為電容寄生電阻。Rfl和Rf2組成了輸出電壓V。ut的反饋電路，Vfb反 饋信號(hào)輸入到PWM控制模塊、PFM控制模塊、邏輯控制模塊。電阻IU 是負(fù)載電阻。
當(dāng)上電啟動(dòng)開始時(shí)，由于輸出電壓V。ut低，系統(tǒng)工作在PWM模式下， 邏輯控制模塊輸出Mode—select信號(hào)為'T，， PFM控制模塊不工作。這時(shí) PWM/PFM跳變點(diǎn)電流檢測(cè)和PFM峰值電流檢測(cè)模塊檢測(cè)PWM/PFM跳 變點(diǎn)電;充。
當(dāng)上電啟動(dòng)完成后時(shí)，控制電路開始判定輸出電流的大小，有以下兩 種狀態(tài)可以使電路從PWM模式轉(zhuǎn)換到PFM模式(1 )當(dāng)過零電流檢測(cè) 模塊檢測(cè)到PWM模式控制中有電感電流不連續(xù)的情況存在，即電感電流 中有零電流出現(xiàn)，輸出Vsw」。ad信號(hào)給邏輯控制模塊；(2)PWM/FPM跳變 點(diǎn)電流模塊當(dāng)檢測(cè)到芯片片內(nèi)輸出級(jí)電路中的PMOS管SP的開關(guān)電流的
峰值小于一個(gè)設(shè)定值I必p時(shí)，輸出V^p信號(hào)給邏輯控制模塊。
如果不滿足上述條件，系統(tǒng)維持原來的PWM模式的工作狀態(tài)。如果 上述兩個(gè)條件中的任何一個(gè)情況出現(xiàn)，那么系統(tǒng)將轉(zhuǎn)換到PFM模式的工 作狀態(tài)。這時(shí)Vmode—select信號(hào)為"0"， PFM控制模塊工作。PWM/PFM 跳變點(diǎn)電流檢測(cè)/PFM峰值電流檢測(cè)模塊的PFM峰值電流檢測(cè)模塊工作。在PFM模式下，如果PFM峰值電流檢測(cè)模塊檢測(cè)到電感電流的平均 值大于設(shè)置的限制電流點(diǎn)Ipeak時(shí)，片內(nèi)輸出級(jí)電路中的PMOS管SP關(guān)斷， NMOS管SN開通，降低輸出的電壓值，以保證輸出電流不大于設(shè)定的限 流點(diǎn)。
PWM控制才莫塊和PFM控制沖莫塊的輸出信號(hào)分別為pwm—ctr和 pfin一ctr。在PWM或PFM模式下工作時(shí)，上述信號(hào)輸入到邏輯控制模塊， 并通過驅(qū)動(dòng)電路輸出sp_g和sn_g信號(hào)。sp—g和sn—g信號(hào)分別連接到片 內(nèi)輸出級(jí)電路的PMOS管SP和NMOS管SN的柵極。當(dāng)Vin( VoD)通過 SP管對(duì)SW節(jié)點(diǎn)充電時(shí)，sp—g為"0" ,P管開通，同時(shí)sn—g為"0", SN 管斷開；片外電感通過SW節(jié)點(diǎn)放電時(shí)；sp—g為"1" ，SP管斷開，同時(shí) sn—g為"1"， SN管開通。
如圖2所示的邏輯控制模塊電路，由過零負(fù)載電流比較器3、跳變點(diǎn) 電流比較器4、高電壓比較器5、低電壓比較器1、低電壓比較器2、或門、 與門、反相器組成。過零負(fù)載電流比較器3的正端連接電感電流近似為零 時(shí)對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓V,。《c。mpjp，負(fù)端連接對(duì)應(yīng)于輸出級(jí)的電感電流^的電 壓V^j。ad。跳變點(diǎn)電流比較器4的正端連接基準(zhǔn)電壓Vskip—C。mpvip,該電壓 對(duì)應(yīng)的輸出電流為80mA,正端連接反應(yīng)SW節(jié)點(diǎn)電流，即輸出電流對(duì)應(yīng) 的電壓信號(hào)Vsw—skip。低電壓比較器2的正端連接輸出電壓的分壓反饋電壓
Vfb,負(fù)端連接基準(zhǔn)電壓Vu^ref2。高電壓比較器5的正端連接輸出電壓的
分壓反饋電壓Vfb，負(fù)端連接基準(zhǔn)電壓Vhigh—ref。低電壓比較器1的正端連
接輸出電壓的分壓反饋電壓Vfb,負(fù)端連接基準(zhǔn)電壓Vu^一ref。邏輯轉(zhuǎn)換控
制才莫塊的llr出4言號(hào)有Mode—select,以及Sleep—mode—en。
當(dāng)片外的電感電流為零時(shí)，Vswj。ad比V!。(c。mp^p的值小，因此過零負(fù)
載電流比較器的輸出為"O，，,經(jīng)過門電路后，Mode—select信號(hào)為"0", 并輸出，使系統(tǒng)電路轉(zhuǎn)換到PFM模式。同樣，當(dāng)V^^kip信號(hào)值較Vskip_c。mp_vip 信號(hào)值大時(shí)，跳變點(diǎn)電流比較器輸出為"0"，這樣，Mode—select信號(hào)為
"0",并輸出，使系統(tǒng)電路轉(zhuǎn)換到PFM模式。如果Vft較Vlc)W—^的電壓 值，那么，低電壓比較器2輸出"0"，并通過門電路使Vm。de^ct信號(hào)為
"1",并輸出，使系統(tǒng)電路轉(zhuǎn)換到PWM模式。
9另外，當(dāng)Vfb電壓值大于Vhighjef時(shí)，Vsleep_
mode on
信號(hào)為'T',并輸出
給PFM控制模塊，并通過PFM控制模塊的輸出信號(hào)，以及邏輯控制電路 模塊使SP管和SN管都關(guān)閉，這樣系統(tǒng)進(jìn)入休眠^f莫式。同理，如果Vfb 電壓值低于V,。"ef時(shí)，Sleep—mode—on信號(hào)為"0"，電路系統(tǒng)退出休眠模
式?；鶞?zhǔn)電壓值Vhigh一ref最大，V!。wref次之，V旨一ref2最小。
如圖3所示的PWM控制模塊，由跨導(dǎo)放大器Gm、 PWM比較器6、 D觸發(fā)器、或非門和反相器組成?？鐚?dǎo)放大器Gm的輸入負(fù)端接收Vft信 號(hào)，它是輸出電壓的分壓反饋電壓；正端接收基準(zhǔn)電壓Vref。 PWM比較 器6的正端接收Ve。mp信號(hào)，它是與功率管的導(dǎo)通時(shí)間成比例的電壓信號(hào)； PWM比較器6的負(fù)端與^爭(zhēng)導(dǎo)放大器Gm的輸出端以及電容C和NMOS 管M1的漏端相連。D觸發(fā)器的CLK端口與外接的時(shí)鐘信號(hào)CLK相連接。
PWM的控制環(huán)路工作過程如下在每個(gè)時(shí)鐘周期開始時(shí)，CLK產(chǎn)生 一個(gè)時(shí)鐘上升沿，D觸發(fā)器觸發(fā)，qb端輸出為低電平，因此SP管導(dǎo)通，
SN管斷開，流過電感上的電流lL增加，當(dāng)lL大于I。ut時(shí)，V。ut開始上升。
在這個(gè)過程中，Ml管的柵極信號(hào)為"0", Ml管斷開，跨導(dǎo)放大器(GM) 的輸出電流對(duì)Cl電容進(jìn)行充電，該充電電流與Vft和Vref電壓的差值成正 比，這樣使PWM比較器6的負(fù)端電壓上升，當(dāng)該電壓大于Vcom時(shí)，PWM 比較器輸出為"0"， D觸發(fā)器復(fù)位，qb端輸出為高電平"1",使SN管導(dǎo)
通，SP管斷開，電感上的電流下降。當(dāng)lL小于I。ut時(shí)，V鍾開始下降。這
時(shí)，Ml管的^f冊(cè)電壓為"1", Ml管導(dǎo)通，電容C1對(duì)地;改電，當(dāng)Cl上的 電壓低于Vc。mp時(shí)，PWM比較器6輸出翻轉(zhuǎn)為高電平。至此完成一個(gè)時(shí)鐘 周期的PWM控制并等待下一周期的CLK上升沿到來。
如圖4所示的PFM控制模塊，由峰值電流比較器7、高電壓比較器8、 低電壓比較器9、過零負(fù)載電流比較器IO、 D觸發(fā)器、與門和或門組成。
峰值電流比較器7的正端連接基準(zhǔn)電流Ipeak，負(fù)端連接輸出級(jí)的電感電流 IL;高電壓比較器8的正端接收基準(zhǔn)電壓Vhigh_ref，負(fù)端接收輸出電壓的分 壓反饋電壓Vft。低電壓比較器9的正端接收收輸出電壓的分壓反饋電壓 Vfb,負(fù)端接收基準(zhǔn)電壓Vi。w—ref。過零負(fù)載電流比較器IO的正端連接近似 為零的基準(zhǔn)電流信號(hào)Ioa,負(fù)端連接輸出級(jí)的電感電流Il。通過高電壓比
1較器8和低電壓比較器9的輸入基準(zhǔn)電壓Vhigh，f和Vu^ref的設(shè)定，使片 外輸出電路的輸出電壓V。ut，在PFM模式工作時(shí)，其值控制在Vhigh—w和 V—f之間。
權(quán)利要求
1、一種單電感開關(guān)直流電壓變換器的三模式控制方法，其特征在于包括對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PWM模式控制、PFM模式控制或休眠模式控制；在單電感開關(guān)直流電壓變換器內(nèi)設(shè)置過零檢測(cè)模塊對(duì)開關(guān)直流電壓變換器的電感電流進(jìn)行檢測(cè)，并設(shè)置反饋電路取得單電感開關(guān)直流電壓變換器的輸出反饋電壓；各種模式切換如下開關(guān)直流電壓變換器起動(dòng)后，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PWM模式控制；在PWM模式控制下，若檢測(cè)到的電感電流不連續(xù)，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制；在PFM模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓小于第一基準(zhǔn)電壓或是檢測(cè)到的電感電流連續(xù)，則對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PWM模式控制；在PFM模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓大于第二基準(zhǔn)電壓，則停止PFM模式控制，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行休眠模式控制；在休眠模式控制下，若檢測(cè)到的輸出反饋電壓小于第三基準(zhǔn)電壓，則對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制；所述的第一基準(zhǔn)電壓小于第三基準(zhǔn)電壓，第三基準(zhǔn)電壓小于第二基準(zhǔn)電壓。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的三模式控制方法，其特征在于在單電感 開關(guān)直流電壓變換器內(nèi)設(shè)置跳變點(diǎn)電流檢測(cè)模塊，在PWM模式控制下， 當(dāng)單電感開關(guān)直流電壓變換器內(nèi)的開關(guān)晶體管的峰值電流小于跳變點(diǎn)電 流時(shí)，對(duì)單電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行PFM模式控制。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的三模式控制方法，其特征在于在休眠模 式下關(guān)閉單電感開關(guān)直流電壓變換器的開關(guān)晶體管。
4、 一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求1所述三模式控制方法的單電感開關(guān)直流電壓 變換器，包括控制模塊，其特征在于所述的單電感開關(guān)直流電壓變換器包括一個(gè)PMOS晶體管和一個(gè) NMOS晶體管，PMOS晶體管的源極連接輸入電源，漏極連接NMOS晶 體管的漏極，NMOS晶體管的源極接地，在PMOS晶體管的漏極和NMOS 晶體管的源極之間設(shè)置有輸出支路，所述單電感開關(guān)直流電壓變換器的電 感串聯(lián)在該輸出支路中；所述的控制模塊包括PWM模式控制模塊、PFM模式控制模塊、用于 切換PWM模式控制和PFM控制并進(jìn)行休眠模式控制的邏輯控制模塊、 用于檢測(cè)所述電感電流的過零電流檢測(cè)模塊、用于取得輸出反饋電壓的分 壓反饋電路；過零電流檢測(cè)模塊和分壓反饋電路將得到反饋信號(hào)發(fā)送給邏輯轉(zhuǎn)換 控制模塊；邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊根據(jù)反饋信號(hào)，向PWM模式控制模塊和PFM模 式控制模塊發(fā)送模式選擇信號(hào)；PWM模式控制模塊和PFM模式控制模塊根據(jù)模式選擇信號(hào)，向邏輯 控制模塊發(fā)送相應(yīng)的控制信號(hào)；邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊連接PMOS晶體管和NMOS晶體管的柵極，對(duì)單 電感開關(guān)直流電壓變換器進(jìn)行模式控制。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的單電感開關(guān)直流電壓變換器，其特征在于 控制模塊內(nèi)設(shè)置有用于檢測(cè)開關(guān)晶體管電流的跳變點(diǎn)電流檢測(cè)模塊。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的單電感直流電壓開關(guān)變換器，其特征在于 所述的邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊包括接收電感輸出端電壓和第四基準(zhǔn)電壓的過 零負(fù)載比較器、接收電感輸入端電壓和跳變點(diǎn)基準(zhǔn)電壓的跳變點(diǎn)電流比較 器、接收輸出反饋電壓和第一基準(zhǔn)電壓的第一低電壓比較器、接收輸出反 饋電壓和第二基準(zhǔn)電壓的第一高電壓比較器、接收輸出反饋電壓和第三基 準(zhǔn)電壓的第二低電壓比較器，過零負(fù)載比較器、跳變點(diǎn)電流比較器、第一 低電壓比較器、第一高電壓比較器、第二低電壓比較器的輸出端通過邏輯 門電路輸出模式切換信號(hào)和休眠信號(hào)。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的單電感開關(guān)直流電壓變換器，其特征在于 所述的PWM模式控制模塊接收輸出反饋電壓、基準(zhǔn)電壓和模式切換信號(hào)，并通過邏輯控制模塊向PMOS晶體管和NMOS晶體管的柵極發(fā)送控制信 號(hào)。
8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的單電感開關(guān)直流電壓變換器，其特征在于 所述的PFM模式控制模塊包括接收基準(zhǔn)電流和電感輸出端電流的峰值電 流比較器、接收第二基準(zhǔn)電壓和輸出反饋電壓的第二高電壓比較器、接收 輸出反饋電壓和第三基準(zhǔn)電壓的第三低電壓比較器、接收電感輸出端近似 為0時(shí)對(duì)應(yīng)的基準(zhǔn)電壓和電感輸出端電流的過零負(fù)載電流比較器，PFM模 式控制模塊根據(jù)模式切換信號(hào)，通過邏輯轉(zhuǎn)換模塊向PMOS晶體管和 NMOS晶體管的柵極發(fā)送控制信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種單電感開關(guān)直流電壓變換器的三模式控制方法及一種實(shí)現(xiàn)三模式控制的單電感開關(guān)直流電壓變換器，該單電感開關(guān)直流電壓變換器包括PWM控制模塊、PFM控制模塊、邏輯轉(zhuǎn)換控制模塊、過零電流檢測(cè)模塊和PWM/PFM跳變點(diǎn)電流與PFM峰值電流檢測(cè)模塊。本發(fā)明通過系統(tǒng)集成的方式，通過邏輯控制方式將PWM、PFM模式和休眠模式控制模塊集成到一起，實(shí)現(xiàn)寬負(fù)載電流條件下的模式自動(dòng)切換，擴(kuò)大了開關(guān)直流電壓變換器的負(fù)載使用范圍，提高了電能轉(zhuǎn)化效率。
文檔編號(hào)H02M1/00GK101510721SQ20091009685
公開日2009年8月19日 申請(qǐng)日期2009年3月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月18日
發(fā)明者何樂年, 魯 張, 朱麗芳, 柯徐剛, 婷 苑, 津 金, 陳東坡, 陳俊曉 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)