專利名稱：金氧半導(dǎo)體電流限制電路及線性穩(wěn)壓器、電壓轉(zhuǎn)換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種金氧半導(dǎo)體電流限制電路及線性穩(wěn)壓器、電壓轉(zhuǎn)換電路，尤其涉 及一種隨溫度、源/漏極壓差調(diào)整電流限制的金氧半導(dǎo)體電流限制電路及線性穩(wěn)壓器、電 壓轉(zhuǎn)換電路。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體元件均有其安全工作區(qū)域(Safe Operating Area ；簡稱為S0A)，若半導(dǎo)體 元件在應(yīng)用時或因電路設(shè)計不當(dāng)，使半導(dǎo)體元件工作在安全工作區(qū)域以外，就有可能使半 導(dǎo)體元件的可靠度下降，甚至造成損壞。安全工作區(qū)域一般由半導(dǎo)體元件所能承受的最大 電流、最大功率及最大電壓來決定。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中N型金氧半導(dǎo)體的理想(即，在特定 條件下量測得到)與實際安全工作區(qū)域的示意圖。如圖1所示，圖1中虛線部分為理想的 安全工作區(qū)域，其中，縱坐標(biāo)反映了 Id(漏極電流)的大小，橫坐標(biāo)反映了 Vds(漏極與源極 的電壓差)的大小。然而實際上會因為使用環(huán)境的不同，使半導(dǎo)體元件在電學(xué)以及熱學(xué)上 的效應(yīng)縮小成實線部分的安全工作區(qū)域。圖2為N型金氧半導(dǎo)體的剖面示意圖。如圖2所示，在源極S、漏極D為η型摻雜， 而柵極G下方相鄰二氧化硅(圖2中斜線區(qū)域)層下方及基底B為ρ型摻雜。因此，形成 一寄生雙極晶體管BJT (Bipolar JimctionTransistor)。一般而言，為了避免寄生雙極晶體 管BJT的作用而影響N型金氧半導(dǎo)體的特性，N型金氧半導(dǎo)體的基底B與源極S會連接而 共電位，使雙極晶體管BJT的基極與發(fā)射極在共電位的情況下無法作用。當(dāng)N型金氧半導(dǎo)體的柵極G電壓上升超過閾值電壓(Threshold Voltage)后，N 型金氧半導(dǎo)體導(dǎo)通，柵極G下方的ρ型摻雜區(qū)會形成通道，使電子由源極S經(jīng)通道到漏極 D而形成電流IDS。當(dāng)漏極D的電壓上升致使接近漏極D部分的通道消失而出現(xiàn)通道夾止 (pinch-off)，電子由通道末端注入通道夾止區(qū)域后會因電場而再被吸入到漏極D。此時N 型金氧半導(dǎo)體進入飽和狀態(tài)，電流IDS不再隨漏極D電壓的上升增加而是維持在一較穩(wěn)定 的電流值。因此，在正常操作下，當(dāng)N型金氧半導(dǎo)體導(dǎo)通時，漏極電流ID經(jīng)漏極D進入，經(jīng) 柵極G下方的通道(電流IDS)后由源極S流出形成源極電流IS。若這些電子的能量太高而成為熱電子，會在注入通道的夾止區(qū)時因碰撞硅原子而 產(chǎn)生電子空穴對，碰撞產(chǎn)生的電子因電場作用而流至漏極D而成為寄生雙極晶體管BJT的 集電極電流IC，碰撞產(chǎn)生的空穴也因電場作用而分別流至基底B形成雙極晶體管BJT的基 極電流IB及N型金氧半導(dǎo)體的一漏電流Isub及流至源極S形成一源極電流IS的一部份。 漏電流Isub流經(jīng)寄生雙極晶體管BJT的基極Bb至N型金氧半導(dǎo)體的基底B時，因基底電 阻Rsub而形成壓降。當(dāng)漏極D電壓再往上升時，因熱電子碰撞硅原子所產(chǎn)生的電子空穴對同時上升， 使漏電流Isub也隨之上升。最后，當(dāng)漏電流Isub流經(jīng)基底電阻Rsub時形成的壓降達(dá)到導(dǎo) 通電壓時，寄生雙極晶體管BJT開始作用。部分電子由源極S進入寄生雙極晶體管BJT而 形成發(fā)射極電流IE，并經(jīng)寄生雙極晶體管BJT而流至漏極D，使流經(jīng)漏極D及源極S間的電流增大。進入寄生雙極晶體管BJT的電子再因碰撞而產(chǎn)生更多的電子空穴對而進一步增大 漏極D及源極S間的電流，形成一種正反饋機制，最后造成N型金氧半導(dǎo)體的雪崩現(xiàn)象。接著，當(dāng)雪崩現(xiàn)象發(fā)生后，大量電子流經(jīng)寄生雙極晶體管BJT而產(chǎn)生熱，進一步使 寄生雙極晶體管BJT的導(dǎo)通電壓下降而導(dǎo)通更多電流。由于電子流經(jīng)寄生雙極晶體管BJT 時并不均勻，使溫度分布不平均。溫度較高的區(qū)域有較低的阻值使電子集中流經(jīng)此處，電子 流的集中使此區(qū)域溫度上升的速度更快，最后使半導(dǎo)體元件燒毀。根據(jù)上述，當(dāng)電子產(chǎn)品尤其是功率元件因使用環(huán)境的不同造成的內(nèi)部半導(dǎo)體元件 的安全工作區(qū)域的縮減，容易造成產(chǎn)品超過工作安全區(qū)域而損壞，使產(chǎn)品可靠度下降，進而 影響產(chǎn)品的安全。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種金氧半導(dǎo)體電流限制電路及線性穩(wěn)壓器、電壓轉(zhuǎn)換電 路，通過偵測流經(jīng)半導(dǎo)體元件的電壓及溫度，調(diào)整半導(dǎo)體元件的電流限制值，確保半導(dǎo)體元 件工作在安全工作區(qū)域，解決現(xiàn)有技術(shù)中的因半導(dǎo)體元件的安全工作區(qū)域的縮減所造成的 產(chǎn)品可靠度下降及產(chǎn)品安全上的疑慮問題。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種金氧半導(dǎo)體電流限制電路，包括一金氧半導(dǎo) 體驅(qū)動單元以及一電流限制單元。金氧半導(dǎo)體驅(qū)動單元連接一金氧半導(dǎo)體以控制金氧半導(dǎo) 體的狀態(tài)。電流限制單元用以將流經(jīng)金氧半導(dǎo)體的一電流限制于一電流限制值之內(nèi)，其中 電流限制值根據(jù)該金氧半導(dǎo)體的漏/源極的一電壓差而調(diào)整。本發(fā)明提供了一種具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，包括一金氧半導(dǎo)體單元、一電壓 反饋單元、一驅(qū)動單元、一電壓偵測單元以及一電流限制單元。金氧半導(dǎo)體單元連接一輸入 電壓以根據(jù)一控制信號產(chǎn)生一輸出電壓。電壓反饋單元用以偵測輸出電壓以產(chǎn)生一電壓反 饋信號。驅(qū)動單元根據(jù)電壓反饋信號產(chǎn)生控制信號使輸出電壓穩(wěn)定于一預(yù)定輸出電壓值。 電壓偵測單元根據(jù)輸入電壓產(chǎn)生一電壓偵測信號。電流限制單元控制驅(qū)動單元，使流經(jīng)金 氧半導(dǎo)體單元的一電流限制于一電流限制值之內(nèi)，其中電流限制值根據(jù)電壓偵測信號而調(diào)整。本發(fā)明同時也提供了一種具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路，包括一轉(zhuǎn)換電路、一電 壓反饋單元、一金氧半導(dǎo)體單元以及一控制單元。轉(zhuǎn)換電路用以將一輸入電壓轉(zhuǎn)換成一輸 出電壓。電壓反饋單元用以偵測輸出電壓以產(chǎn)生一電壓反饋信號。金氧半導(dǎo)體單元連接轉(zhuǎn) 換電路?？刂茊卧鶕?jù)電壓反饋信號控制金氧半導(dǎo)體單元的切換，以決定由輸入電壓輸入 至轉(zhuǎn)換電路的電力大小并限制流經(jīng)金氧半導(dǎo)體單元的電流于一電流限定值之內(nèi)，其中電流 限制值根據(jù)控制單元或該金氧半導(dǎo)體單元的溫度而調(diào)整。本發(fā)明提供的金氧半導(dǎo)體電流限制電路及線性穩(wěn)壓器、電壓轉(zhuǎn)換電路，通過偵測 流經(jīng)半導(dǎo)體元件的電壓及溫度，調(diào)整半導(dǎo)體元件的電流限制值，確保了半導(dǎo)體元件工作在 安全工作區(qū)域，避免了金氧半導(dǎo)體可能的損壞并提高了產(chǎn)品的可靠度。以上的概述與接下來的詳細(xì)說明均為示范性質(zhì)，是為了進一步說明本發(fā)明的申請 專利范圍。而有關(guān)本發(fā)明的其他目的與優(yōu)點，將在后續(xù)的說明與圖示加以闡述。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中N型金氧半導(dǎo)體的理想與實際安全工作區(qū)域的示意圖；圖2為N型金氧半導(dǎo)體的剖面示意圖；圖3為本發(fā)明一第一較佳實施例的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明一第二佳實施例的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明的電流限制值隨溫度、漏/源極電壓差變化的關(guān)系示意圖。主要元件符號說明S:源極；G 柵極；BJT:寄生雙極晶體管；IC:集電極電流；Rsub:基底電阻；IB 基極電流；ID 漏極電流100,200 控制單元；120,220 電流限制單元；140、240 溫度偵測單元；160:隔離單元；210 驅(qū)動單元；232 第一電壓偵測元件；236 啟動延遲元件；D 整流二極管；IDE 電流反饋單元；M1、M2 金氧半導(dǎo)體單元；Si、S2:控制信號；SLI:電流限制信號；Ta 溫度偵測信號；Vb:輸出電壓偵測信號；VFB 電壓反饋信號；VLI 電流限制參考信號；Vr 參考信號；IS 源極電流；TSS:啟動解除信號。
具體實施例方式圖3為本發(fā)明一第一較佳實施例的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖3所示，在本實施例中，電壓轉(zhuǎn)換電路為一反激式(flyback)電壓轉(zhuǎn)換電路，其包括一 金氧半導(dǎo)體單元Ml、一電壓反饋單元VDE、一電流反饋單元IDE、一控制單元100、一隔離單 元160以及一轉(zhuǎn)換電路170。轉(zhuǎn)換電路170包括一變壓器T、一整流二極管D、一輸出電容C，
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D 漏極； B 基底； IDS 電流； Bb 基極； Isub 漏電流； IE:發(fā)射極電流； IS 源極電流 110 反饋單元； 125 比較器； 150 驅(qū)動單元； 170 轉(zhuǎn)換電路； 230 電壓偵測單元； 234:第二電壓偵測元件； C:輸出電容； I 電流源； IFB:電流反饋信號； RAD 電流限制電阻； SFB 反饋控制信號； T 變壓器； Va:電壓偵測測信號； VDE 電壓反饋單元； VIN:輸入電壓； VOUT 輸出電壓； EN:啟動信號； IDE’ 電流偵測信號；用以將輸入電壓的電力轉(zhuǎn)換成一輸出電壓V0UT。變壓器T的初級側(cè)連接一輸入電壓VIN，在 次級側(cè)經(jīng)整流二極管D整流后產(chǎn)生一輸出電壓V0UT。輸出電容C連接變壓器T的次級側(cè)以 穩(wěn)定輸出電壓VOUT的電壓值。電壓反饋單元VDE連接變壓器T的次級側(cè)，以偵測輸出電壓 VOUT并經(jīng)隔離單元160的隔離作用產(chǎn)生一電壓反饋信號VFB。隔離單元160主要作用是隔 離變壓器T的初級側(cè)及次級側(cè)，使電壓轉(zhuǎn)換電路符合安全要求，在一些應(yīng)用環(huán)境下可省略。 金氧半導(dǎo)體單元Ml連接變壓器T的初級側(cè)，根據(jù)一控制信號Sl進行切換來控制經(jīng)變壓器 T的初級側(cè)傳送至次級側(cè)的電力，在本實施例中，金氧半導(dǎo)體單元Ml為一 N型金氧半導(dǎo)體。 電流反饋單元IDE連接金氧半導(dǎo)體單元M1，以偵測流經(jīng)金氧半導(dǎo)體單元Ml的電流而產(chǎn)生一 電流反饋信號IFB?？刂茊卧?00包括一反饋單元110、一電流限制單元120、一溫度偵測單元140以 及一驅(qū)動單元150，以根據(jù)電流反饋信號IFB、電壓反饋信號VFB來產(chǎn)生控制信號Sl來控 制金氧半導(dǎo)體單元Ml的操作。反饋單元110連接電壓反饋單元VDE，以根據(jù)電壓反饋信號 VFB產(chǎn)生一反饋控制信號SFB至驅(qū)動單元150。溫度偵測單元140偵測金氧半導(dǎo)體單元Ml 的溫度以產(chǎn)生一溫度偵測信號Ta。電流限制單元120接收溫度偵測信號Ta并據(jù)此控制一 電流源I的電流大小，使電流源I的電流大小隨溫度的上升而變小。電流源I的電流流經(jīng) 一電流限制電阻RAD后產(chǎn)生一電流限制參考信號VLI至電流限制單元120中的比較器125 的反向輸入端，而比較器125的非反向輸入端則接收電流反饋信號IFB，并在輸出端產(chǎn)生一 電流限制信號SLI至驅(qū)動單元150。驅(qū)動單元150根據(jù)反饋控制信號SFB及電流限制信號 SLI，使輸出電壓VOUT穩(wěn)定于一預(yù)定輸出電壓值附近，且限制流經(jīng)金氧半導(dǎo)體單元Ml的最 大電流值不超過一電流限制值。當(dāng)金氧半導(dǎo)體單元Ml的溫度上升時，電流源I的電流大小下降而使電流限制參考 信號VLI的基準(zhǔn)下降，從而往下調(diào)整金氧半導(dǎo)體單元Ml的電流限制值，以確保在溫度升高 的情況下，金氧半導(dǎo)體單元Ml也能工作在安全工作區(qū)域而避免燒毀。在實際應(yīng)用上，溫度偵測單元140可以偵測控制單元100的溫度來代替直接偵測 金氧半導(dǎo)體單元Ml的溫度以產(chǎn)生溫度偵測信號Ta。若金氧半導(dǎo)體單元Ml為外部元件，但 一般的電路設(shè)計，控制單元100和金氧半導(dǎo)體單元Ml會在同一系統(tǒng)內(nèi)，故系統(tǒng)內(nèi)的各元件 (包含控制單元100和金氧半導(dǎo)體單元Ml)間的溫度會有一溫度差，而原則上溫度差變化不 會太大。也就是說，控制單元100和金氧半導(dǎo)體單元Ml的溫度間有一偏移量，只要對偵測 控制單元100的溫度進行偏移修正即可間接得到金氧半導(dǎo)體單元Ml的溫度。而若金氧半 導(dǎo)體單元Ml與控制單元100為同一晶片或同一封裝下，金氧半導(dǎo)體單元Ml的溫度與控制 單元100的溫度間的溫度差會更小也更為穩(wěn)定，故也可以以偏移修正方式得到金氧半導(dǎo)體 單元Ml的溫度。另外，電流限制電阻RAD可以外接，以配合不同金氧半導(dǎo)體單元Ml來調(diào)整電流限 制值。圖4為本發(fā)明一第二較佳實施例的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路的結(jié)構(gòu)示意圖。 如圖4所示，在本實施例中，電壓轉(zhuǎn)換電路為一線性穩(wěn)壓器(LinearDropout Regulator ；簡 稱為LD0)，包含一金氧半導(dǎo)體單元M2、一輸出電容C、一電壓反饋單元VDE以及一控制單元 200。電壓反饋單元VDE連接輸出電壓VOUT以產(chǎn)生一電壓反饋信號VFB。在本實施例，金氧 半導(dǎo)體單元M2為一 N型金氧半導(dǎo)體，一端連接一輸入電壓VIN，而控制單元200根據(jù)電壓反饋信號Vra輸出控制信號S2來調(diào)整金氧半導(dǎo)體單元M2的等效電阻值，使金氧半導(dǎo)體單 元M2另一端輸出一輸出電壓VOUT并穩(wěn)定于一預(yù)定輸出電壓值。輸出電容C連接輸出電壓 VOUT,以濾除輸出電壓VOUT上高頻雜波?？刂茊卧?00包含一驅(qū)動單元210、一電流限制單元220、一電壓偵測單元230以 及一溫度偵測單元240。驅(qū)動單元210包含一誤差放大器，其反向端接收電壓反饋信號VFB， 非反向端接收一參考信號Vr，并據(jù)此調(diào)整輸出的控制信號S2的基準(zhǔn)，以調(diào)整金氧半導(dǎo)體單 元M2的等效電阻。電壓偵測單元230根據(jù)輸入電壓VIN、輸出電壓VOUT及一啟動信號EN 產(chǎn)生一電壓偵測信號Va。溫度偵測單元240偵測金氧半導(dǎo)體單元M2 (或者控制單元200) 的溫度以產(chǎn)生一溫度偵測信號Ta。電流限制單元220接收代表金氧半導(dǎo)體單元M2的電流 大小的一電流偵測信號IDE’，并根據(jù)電壓偵測信號Va及溫度偵測信號Ta產(chǎn)生電流限制信 號SLI至驅(qū)動單元210。電壓偵測單元230包括一第一電壓偵測元件232、一第二電壓偵測元件234以及 一啟動延遲元件236。第一電壓偵測元件根據(jù)輸出電壓VOUT產(chǎn)生一輸出電壓偵測信號Vb。 第二電壓偵測元件根據(jù)輸出電壓偵測信號Vb及輸入電壓VIN產(chǎn)生電壓偵測信號Va至電流 限制單元220。當(dāng)輸入電壓VIN上升、輸入電壓VIN及輸出電壓VOUT的電壓差(即金氧半 導(dǎo)體單元M2的漏/源極間的電壓差)上升時，降低預(yù)定電流限制值，以確保金氧半導(dǎo)體單 元M2工作于安全工作區(qū)域。另外，啟動過程或者重啟動過程，輸出電壓VOUT由零開始上升，此時輸入電壓VIN 與輸出電壓VOUT的電壓差最大，造成預(yù)定電流限制值在漏/源極間電壓差的基礎(chǔ)上有最大 的減幅，隨著輸出電壓VOUT逐漸上升至穩(wěn)定的過程，輸入電壓VIN與輸出電壓VOUT的電壓 差逐漸縮小，使預(yù)定電流限制值逐漸上升。此過程同時提供了類似軟啟動的作用。但是，對 于某些電路應(yīng)用上的要求，在啟動或重新啟動時需盡快將輸出電壓VOUT提升至預(yù)定的輸 出電壓值上，此時降低電流限制值反而不符合電路需求。因此，在本實施例中，電流限制單 元220在啟動后的預(yù)定時間長度內(nèi)不根據(jù)輸出電壓來調(diào)整預(yù)定電流限制值。這樣，在電路 啟動或重新啟動后的預(yù)定時間長度內(nèi)不隨輸出電壓VOUT的變動而調(diào)整預(yù)定電流限制值， 可縮短輸出電壓VOUT穩(wěn)定所需的時間。因此，當(dāng)流經(jīng)金氧半導(dǎo)體單元M2的電流到達(dá)一預(yù)定電流限制值時，電流限制單元 220產(chǎn)生一電流限制信號SLI至驅(qū)動單元210以控制金氧半導(dǎo)體單元M2的電流在預(yù)定電流 限制值之內(nèi)。而電流限制單元220會根據(jù)電壓偵測信號Va及溫度偵測信號Ta來調(diào)整上述 的預(yù)定電流限制值，使溫度、輸入電壓VIN或/和金氧半導(dǎo)體單元M2的漏/源極間的電壓 差上升時預(yù)定電流限制值會隨之下降。圖5為本發(fā)明的電流限制值隨溫度、漏/源極電壓差變化的關(guān)系示意圖，如圖5所 示，其中縱軸為金氧半導(dǎo)體的電流，橫軸為溫度或電壓差。虛線a為一種可能的電流限制值 調(diào)整方法，電流限制值會隨溫度或電壓差上升而成階梯狀向下調(diào)整，實線b為另一種可能 的電流限制值調(diào)整方法，電流限制值會隨溫度或電壓差上升而成線性向下調(diào)整。因此，本發(fā)明會隨著溫度或金氧半導(dǎo)體的漏/源極電壓差上升而調(diào)低電流限制 值，可確保金氧半導(dǎo)體在任何環(huán)境下均可以工作在安全工作區(qū)域，避免金氧半導(dǎo)體可能的 損壞并提高產(chǎn)品的可靠度。最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對其進行限制，盡管參照較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依 然可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進行修改或者等同替換，而這些修改或者等同替換亦不能使修 改后的技術(shù)方案脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種金氧半導(dǎo)體電流限制電路，其特征在于，其包括一金氧半導(dǎo)體驅(qū)動單元，連接一金氧半導(dǎo)體以控制所述金氧半導(dǎo)體的狀態(tài)；以及一電流限制單元，用以將流經(jīng)所述金氧半導(dǎo)體的一電流限制于一電流限制值之內(nèi)，其中所述電流限制值根據(jù)所述金氧半導(dǎo)體的漏/源極的一電壓差進行調(diào)整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體電流限制電路，其特征在于，還包括一溫度偵測 單元，用以偵測所述金氧半導(dǎo)體驅(qū)動單元或所述金氧半導(dǎo)體的一溫度而產(chǎn)生一溫度偵測信 號，所述電流限制值還可以根據(jù)所述溫度偵測信號進行調(diào)整。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金氧半導(dǎo)體電流限制電路，其特征在于，所述電流限制值隨 所述溫度的上升而以線性或階梯狀下降。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金氧半導(dǎo)體電流限制電路，其特征在于，所述電流限制值隨 所述電壓差上升而以線性或階梯狀下降。
5.一種具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，其特征在于，其包括一金氧半導(dǎo)體單元，連接一輸入電壓以根據(jù)一控制信號產(chǎn)生一輸出電壓； 一電壓反饋單元，用以偵測所述輸出電壓以產(chǎn)生一電壓反饋信號； 一驅(qū)動單元，用以根據(jù)所述電壓反饋信號產(chǎn)生所述控制信號使所述輸出電壓穩(wěn)定于一 預(yù)定輸出電壓值；一電壓偵測單元，根據(jù)所述輸入電壓產(chǎn)生一電壓偵測信號；以及 一電流限制單元，用以控制所述驅(qū)動單元使所述金氧半導(dǎo)體單元的一電流限制于一電 流限制值之內(nèi)，其中所述電流限制值根據(jù)所述電壓偵測信號進行調(diào)整。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，其特征在于，還包括一溫度偵 測單元，用以偵測所述金氧半導(dǎo)體單元的一溫度而產(chǎn)生一溫度偵測信號，所述電流限制值 還可以根據(jù)所述溫度偵測信號進行調(diào)整。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述電壓偵測單 元還可以根據(jù)所述輸出電壓以產(chǎn)生所述電壓偵測信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，其特征在于，所述電流限制值 在啟動或重新啟動的一預(yù)定時間長度內(nèi)不隨所述輸出電壓調(diào)整。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8任一權(quán)利要求所述的具有電流限制的線性穩(wěn)壓器，其特征在于， 所述電流限制值以線性或階梯狀下降。
10.一種具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，其包括 一轉(zhuǎn)換電路，用以將一輸入電壓轉(zhuǎn)換成一輸出電壓；一電壓反饋單元，用以偵測所述輸出電壓以產(chǎn)生一電壓反饋信號； 一金氧半導(dǎo)體單元，連接所述轉(zhuǎn)換電路；以及一控制單元，根據(jù)所述電壓反饋信號控制所述金氧半導(dǎo)體單元的切換，以決定由所述 輸入電壓輸入至所述轉(zhuǎn)換電路的電力大小并限制流經(jīng)所述金氧半導(dǎo)體單元的電流于一電 流限制值之內(nèi)，其中所述電流限制值根據(jù)所述控制單元或所述金氧半導(dǎo)體單元的溫度進行調(diào)整。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述控制單 元包括一驅(qū)動單元，用以根據(jù)所述電壓反饋信號產(chǎn)生一控制信號使所述輸出電壓穩(wěn)定于一預(yù)定輸出電壓值；一溫度偵測單元，用以偵測所述控制單元或所述金氧半導(dǎo)體單元的一溫度而產(chǎn)生一溫 度偵測信號；以及一電流限制單元，連接所述驅(qū)動單元，并根據(jù)所接收的代表流經(jīng)所述金氧半導(dǎo)體單元 的電流的一電流偵測信號控制所述驅(qū)動單元，使流經(jīng)所述金氧半導(dǎo)體單元的一電流限制于 一電流限制值之內(nèi)，其中所述電流限制值根據(jù)所述溫度偵測信號進行調(diào)整。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的具有電流限制的電壓轉(zhuǎn)換電路，其特征在于，所述電流限 制值以線性或階梯狀下降。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種會隨著溫度或金氧半導(dǎo)體的漏/源極電壓差而調(diào)整金氧半導(dǎo)體的電流限制值的金氧半導(dǎo)體電流限制電路、線性穩(wěn)壓器及電壓轉(zhuǎn)換電路，可確保金氧半導(dǎo)體在任何環(huán)境下均可以工作在安全工作區(qū)域，避免金氧半導(dǎo)體可能的毀損并提高其可靠度。
文檔編號H02H9/02GK101964517SQ20091014039
公開日2011年2月2日 申請日期2009年7月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月21日
發(fā)明者余仲哲, 劉中唯, 徐獻松, 李立民 申請人:登豐微電子股份有限公司