專利名稱：一種磁場力做功模型的制作方法
技術(shù)領域：
用于動力領域。
背景技術(shù)：
根據(jù)磁場邊界條件，磁場具有被鐵磁質(zhì)屏蔽的性質(zhì)(如圖1)。磁場被鐵磁質(zhì)屏 蔽后的區(qū)域磁場強度相對減弱，所以未屏蔽的區(qū)域磁場強度比屏蔽區(qū)的磁場相對較強。 根據(jù)這一特點可以得出，被屏蔽的磁場區(qū)域和未屏蔽的場區(qū)總體形成的區(qū)域是一個非保 守場。既然是保守場，那就可以指定一個經(jīng)過屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)回路，用一個磁體或鐵 磁質(zhì)沿著這一回路運動，在運動一個完整的回路后，磁場對磁體或鐵磁質(zhì)做功可以大于 零，從而對外界做功。
發(fā)明創(chuàng)造的內(nèi)容
根據(jù)磁屏蔽原理，用磁體或鐵磁質(zhì)在磁場被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運動，使磁場力 在被屏蔽區(qū)對磁體或鐵磁質(zhì)做負功，在未屏蔽區(qū)對磁體或鐵磁質(zhì)做正功，因為屏蔽區(qū)磁 場強度相對較弱，所以磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。
本發(fā)明技術(shù)方案是應用磁屏蔽原理，屏蔽區(qū)磁場較弱，未屏蔽區(qū)較強，指定 一個同時經(jīng)過屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)的回路，使磁場在運動一個完整的回路后，對磁體或鐵 磁質(zhì)做的負功較少，正功較多，從而使總功大于零。根據(jù)這一原理，有兩種具體方案 第一種是產(chǎn)生磁場的磁體與起屏蔽作用的物體相對靜止，僅屏蔽磁場的部分區(qū)域，一部 分未屏蔽，使磁體或鐵磁質(zhì)在屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運動，可以使磁場力對磁體或鐵磁質(zhì)做 的總功大于零，從而對外界做功。第二種是磁場交替的處于被屏蔽和未屏蔽兩種狀 態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場在未被屏蔽時對磁體或鐵磁質(zhì)做正功，而在被屏蔽時磁場 做負功，未屏蔽時磁場較強，做正功多，被屏蔽時磁場較弱，做負功少，在一個完整的 循環(huán)中，總功大于零，從而對外界做功。
應用前景
用于動力領域。


下面結(jié)合附圖和實施例對發(fā)明進一步說明。
圖1是一對基本磁元被部分屏蔽后磁場分布區(qū)域模型圖。
圖2是一個實際的磁體被部分屏蔽后磁場分布區(qū)域圖。
圖3是磁場被部分屏蔽后形成非保守場而對磁體做功模型圖。
圖4是采用磁場通過被屏蔽和未屏蔽狀態(tài)交替時對磁體做功模型圖。
圖中1. 一對基本磁元，2.起屏蔽作用的鐵磁質(zhì)，3.磁場未屏蔽區(qū)，4.磁場被屏 蔽區(qū)，5.屏蔽狀態(tài)分界面，6.產(chǎn)生磁場的磁體，7.磁場未屏蔽區(qū)，8.磁體的一部分被屏蔽 區(qū)，9.磁場被屏蔽區(qū)，10.受磁場力做功的磁體，11.磁體運動的方向，12.磁體運動的回 路。
具體實施方式
方式1 :如圖3所示，磁體6被屏蔽物2部分屏蔽，磁體10沿著回路12運動， 先從未屏蔽區(qū)靠近磁場，由于受到引力做正功；然后進入屏蔽區(qū)，在屏蔽區(qū)遠離磁場受 到斥力做負功。由于未屏蔽區(qū)磁場較屏蔽區(qū)相對強，所以做的正功大于負功，從而對外 界做功。
方式2 如圖4所示，這里兩個磁體互為磁場，互為做功。先認為磁體6產(chǎn)生 磁場，磁體10受場力做功，兩個磁體同時在被屏蔽時互相靠近，由于都受斥力，場力做 負功；然后同時運動到未屏蔽區(qū)，互相遠離，都受斥力，場力做正功。由于做正功時磁 場較強，總功大于零，從而對外界做功。
權(quán)利要求
1.一種磁場力做功模型，根據(jù)磁屏蔽原理，由于磁場在被鐵磁質(zhì)屏蔽時，被屏蔽后 的磁場強度比未屏蔽時的磁場強度減弱，根據(jù)這一特點，讓磁體或鐵磁質(zhì)在磁場被屏蔽 區(qū)和未屏蔽區(qū)運動，使磁場力在未屏蔽或被較少屏蔽時，對運動的磁體或鐵磁質(zhì)做正功 較多，在被屏蔽或被較多屏蔽區(qū)時，對運動的磁體或鐵磁質(zhì)做負功較少，磁場做的正功 大于負功，從而對外界做功。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是起屏蔽作用的物體僅屏蔽磁 場的部分區(qū)域，一部分未屏蔽，使磁體或鐵磁質(zhì)在磁場被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運動，可以 使磁場力對磁體或鐵磁質(zhì)做的總功大于零，從而對外界做功。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場與屏蔽物可以相對運 動，磁場具有被屏蔽和未被屏蔽兩種狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場未被屏蔽時對磁體 或鐵磁質(zhì)做正功，而在被屏蔽時磁場做負功，由于磁場做的正功大于負功，從而對外界 做功。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場與屏蔽物體可以相對運 動，磁場具有被較多屏蔽和被較少屏蔽兩種狀態(tài)，在這兩種狀態(tài)中，使磁場在被較少屏 蔽時對磁體或鐵磁質(zhì)做正功，而在被較多屏蔽時磁場做負功，由于磁場做的正功大于負 功，從而對外界做功。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是形成磁場的磁體可以是永磁 體或者電磁體構(gòu)成的裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是在磁場中受磁場力做功的物 體可以是永磁體、電磁體或鐵磁質(zhì)構(gòu)成的裝置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場中運動的磁體可以是僅 一極在靠近磁場處運動并受場力做功，另一極離磁場較遠，受場力做功很小，同樣可以 使磁場做的總功大于零。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場中運動的磁體可以是僅 一極沿著指定的回路運動并受場力做功，另一極沿著較小的回路運動或者僅繞一個點轉(zhuǎn) 動，受場力做功很小，同樣可以使磁場做的總功大于零。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場中運動的磁體或鐵磁質(zhì) 可以是受磁場引力，在磁場未屏蔽時接近磁場受場力做正功；在磁場被屏蔽時遠離磁場 受磁場力做負功，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁場力做功模型，其特征是磁場中運動的磁體或鐵磁質(zhì) 可以是受磁場斥力，在磁場被屏蔽時接近磁場受磁場力做負功；在磁場不被屏蔽時遠離 磁場受場力做正功，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。
全文摘要
一種磁場力做功模型，根據(jù)磁屏蔽原理，即磁場在被屏蔽后的區(qū)域，磁場強度比未屏蔽時的區(qū)域強度相對減弱的特點，用磁體或鐵磁質(zhì)在磁場被屏蔽區(qū)和未屏蔽區(qū)運動，使磁場力在未屏蔽區(qū)對磁體或鐵磁質(zhì)做正功較多，在被屏蔽區(qū)對磁體或鐵磁質(zhì)做負功較少，磁場做的正功大于負功，從而對外界做功。
文檔編號H02N11/00GK102025293SQ20091017323
公開日2011年4月20日 申請日期2009年9月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月11日
發(fā)明者鄭永罡 申請人:鄭永罡