專(zhuān)利名稱(chēng)：具有磁流變活塞組件的基于磁流變流體的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明整體涉及基于磁流變(magnetorheological)流體的裝置，尤其涉及一種具有MR活塞組件的基于磁流變(MR)流體的裝置。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的基于磁流變流體的裝置包括MR裝置，例如MR阻尼器和MR離合器。一種傳 統(tǒng)的MR阻尼器包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯、電線圈以及外部通 量環(huán)。MR活塞組件適于沿著MR阻尼器的中央縱向軸線移動(dòng)。該MR活塞芯具有外部圓周表 面，該外部圓周表面基本與該中央縱向軸線同軸排列，并具有圓周表面狹槽，該圓周表面狹 槽具有基本為矩形的橫截面，如該MR活塞芯的橫向截面所示。電線圈基本上與該中央縱向 軸線同軸排列，并且布置在圓周表面狹槽中。一些MR活塞組件包括附加的電線圈，附加的 電線圈各自布置在每個(gè)附加的圓周表面狹槽中。通量環(huán)與活塞芯同心且從外與活塞芯隔離 開(kāi)，以形成環(huán)形通道，環(huán)形通道布置在通量環(huán)和MR活塞芯之間，并包含MR流體。MR阻尼器的MR活塞組件還包括活塞桿以及第一和第二 MR活塞端板，該活塞桿連 接到MR活塞芯上，該第一和第二 MR活塞端板縱向圍繞并接觸MR活塞芯。通量環(huán)連接到第 一和第二 MR活塞端板，并且第一和第二 MR活塞端板各自具有貫通開(kāi)口，貫通開(kāi)口與MR通 道流體連通。一種傳統(tǒng)的MR離合器包括MR活塞組件，MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯和電 線圈。MR活塞組件連接到MR離合器的輸入軸或者輸出軸，并適于繞著MR離合器的中央縱 向軸線旋轉(zhuǎn)。電線圈和MR活塞芯的布置與之前描述的傳統(tǒng)的MR阻尼器的相同。所需要的是，一種改進(jìn)的具有MR活塞組件的磁流變(MR)裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第一種形式為一種基于磁流變(MR)流體的裝置，基于磁流變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯以及電線 圈。該MR活塞芯具有中央縱向軸線以及具有與該中央縱向軸線基本上同軸排列的外部圓 周表面。該電線圈布置在該MR活塞芯中，并且基本上與該中央縱向軸線同軸排列。電線圈 的至少一部分在外部圓周表面之下埋于該MR活塞芯中。本發(fā)明的第一實(shí)施方式的第二種形式為一種基于磁流變(MR)流體的裝置，基于 磁流變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯以及電線 圈。MR活塞芯具有中央縱向軸線以及具有基本上與該中央縱向軸線同軸排列的外部圓周 表面。該外部圓周表面具有基本上與該中央縱向軸線同軸排列的圓周表面狹槽。該圓周表 面狹槽具有布置于該外部圓周表面之下的部分。該電線圈基本上與該中央縱向軸線同軸排 列，且設(shè)置在圓周表面狹槽中，其中電線圈的一部分埋于該外部圓周表面之下。本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一種形式為一種基于磁流變(MR)流體的裝置，基于 磁流變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯以及電線圈。該MR活塞芯具有中央縱向軸線以及包括同樣數(shù)量的第一和第二組指形件。該第二組指 形件相反于該第一組指形件而縱向地延伸。該第二組指形件與該第一組指形件相互交叉。 該電線圈基本上與該中央縱向軸線同軸排列，其中電線圈的至少一部分埋于該第一和第二 組指形件之下。多個(gè)益處和優(yōu)點(diǎn)源于本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式的一種或多種形式。在一個(gè)實(shí) 施例中，與傳統(tǒng)的未埋設(shè)的線圈相比，該部分(或者至少部分)埋設(shè)的線圈對(duì)于電線圈的給 定激勵(lì)提供更大的MR力。在另一個(gè)實(shí)施例中，與傳統(tǒng)的未埋設(shè)的線圈相比，該部分(或者 至少部分)埋設(shè)的線圈以較低的施加的線圈安培匝數(shù)獲得相同的MR力。需要注意的是，布 置在具有傳統(tǒng)的矩形剖面形狀的圓周表面狹槽中的電線圈是未埋設(shè)的線圈，因?yàn)殡娋€圈沒(méi) 有埋于該鐵磁的MR活塞芯的外部圓周表面之下(也就是，由其覆蓋)的部分。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式為基于磁流變(MR) 流體的裝置，基于磁流變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR 活塞芯以及電線圈。MR活塞芯具有中央縱向軸線，并具有基本上與中央縱向軸線同軸排列 的外部圓周表面。電線圈布置在MR活塞芯中，并且基本與中央縱向軸線同軸排列。電線圈 的至少一部分在外部圓周表面之下埋于MR活塞芯中。“在外部圓周表面之下埋于MR活塞 芯中”指的是被布置在鐵磁MR活塞芯中，并由鐵磁的MR活塞芯的外部圓周表面所覆蓋。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種結(jié)構(gòu)中，電線圈的大部分在外部圓周表面 之下埋于MR活塞芯中。在一種變型中，電線圈鄰近外部圓周表面布置。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種實(shí)現(xiàn)過(guò)程(enablement)中，MR活塞組件 同樣包括通量環(huán)，該通量環(huán)具有內(nèi)部圓周表面，其基本上與中央縱向軸線同軸排列，其中該 內(nèi)部圓周表面面向外部圓周表面并與其分離開(kāi)，在其間形成MR通道。在一種變型中，MR活 塞組件同樣包括活塞桿以及第一和第二 MR活塞端板和。該活塞桿基本上與中央縱向軸線 同軸排列，并連接到MR活塞芯。該MR活塞芯縱向布置在第一和第二活塞端板和之間并與 它們接觸。通量環(huán)連接到第一和第二 MR活塞端板和。第一和第二 MR活塞端板和每個(gè)具有 貫通開(kāi)口，貫通開(kāi)口與MR通道流體連通。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種應(yīng)用中，例如在一些線性MR阻尼器中，該 MR活塞芯適于沿著該中央縱向軸線移動(dòng)。在不同的應(yīng)用中，例如在MR離合器或者在一些旋 轉(zhuǎn)MR阻尼器中，MR活塞芯適于繞著中央縱向軸線旋轉(zhuǎn)。正如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知曉的，其 他的應(yīng)用包括具有不可移動(dòng)的MR活塞芯的線性MR阻尼器，以及包括不可旋轉(zhuǎn)MR活塞芯的 旋轉(zhuǎn)MR阻尼器。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種實(shí)施過(guò)程中，MR裝置包括缸)，該缸基本 與中央縱向軸線同軸排列，且圍繞該通量環(huán)。在一種變型中，該MR裝置包括布置在缸、MR 通道以及貫通開(kāi)口內(nèi)的MR流體。本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式為基于磁流變(MR)流體的裝置，基于磁流變(MR) 流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯和電線圈。該MR活塞 芯具有中央縱向軸線以及具有基本上與該中央縱向軸線同軸排列的外部圓周表面。該外部 圓周表面具有基本與中央縱向軸線同軸排列的圓周表面狹槽。該圓周表面狹槽具有布置在外部圓周表面之下的部分。電線圈基本與中央縱向軸線對(duì)準(zhǔn)，并布置在圓周表面狹槽中，其 中部分電線圈埋于外部圓周表面之下?！奥裼谕獠繄A周表面之下”表示由鐵磁的MR活塞芯 的外部圓周表面所覆蓋。需要注意的是，圓周表面狹槽具有布置在外部圓周表面處的開(kāi)口頂部和布置在最 遠(yuǎn)離外部圓周表面的封閉底部。該圓周表面狹槽的剖面形狀適于使得電線圈的一部分埋于 外部圓周表面之下。這種剖面形狀例如包括但并不限于大體上的梯形形狀(、大體上的菱形 形狀等等。需要注意的是，圓周表面狹槽的頂部具有縱向長(zhǎng)度，該圓周表面狹槽具有最大縱 向延伸部(extent)，以及該頂端的縱向長(zhǎng)度小于該最大縱向延伸部。在一種實(shí)施例中，該頂 部的縱向長(zhǎng)度小于該最大縱向延伸部的一半(以及在一種變型中，小于其百分之十)。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式的一種配置中，電線圈的大部分埋于外部圓周表 面之下。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式的一種結(jié)構(gòu)中，MR活塞芯包括至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯 部件，其中電線圈的安裝在該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件的組裝期間進(jìn)行，這是為本領(lǐng)域技術(shù) 人員所知曉的。在一種變型中，該圓周表面狹槽包括第一和第二狹槽側(cè)，其從圓周表面狹槽 的頂部延伸到底部。在一種改進(jìn)中，該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件包括單一的主芯部件，其至少 限定該圓周表面狹槽的底部，以及單一的周邊芯部件，其限定該第一狹槽側(cè)而非第二狹槽 側(cè)。在一個(gè)實(shí)施例中，該至少兩個(gè)芯部件包括單一的附加周邊芯部件，其限定該第二 狹槽側(cè)，其中該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件主要包括該主芯部件、周邊芯部件和附加周邊芯部 件。在未示出的不同的實(shí)施例中，該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件主要包括主芯部件和周邊芯部 件，其中該主芯部件同樣限定該第二狹槽側(cè)。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式的一種構(gòu)造中，該電線圈填入到圓周表面狹槽以 鄰近該外部圓周表面。需要注意的是，本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的實(shí)現(xiàn)過(guò)程、應(yīng)用和實(shí) 施過(guò)程同樣應(yīng)用于本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式。在包括第一和第二 MR活塞端板和的變 型中，需要注意的是，該主芯部件和周邊芯部件縱向布置在該第一和第二 MR活塞端板和之 間，且主芯部件接觸該第一和第二 MR活塞端板和，以及周邊芯部件接觸該第一 MR活塞端板 但并不接觸第二 MR活塞端板。在本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式的一種擴(kuò)展形式(extension)中，該MR活塞組件 還包括第二電線圈，其布置在MR活塞芯的第二圓周表面狹槽中，其中，該電線圈和第二電 線圈適于在相反(opposite)的方向產(chǎn)生磁通量(例如通過(guò)相反的纏繞和通過(guò)相反極性的 電驅(qū)動(dòng))。在一種變型中，該第二電線圈基本上與電線圈相同。在一種改進(jìn)中，該MR活塞芯 包括至少四個(gè)芯部件，例如單一的主芯部件、單一的近側(cè)環(huán)形芯部件、單一的中央環(huán)形芯部 件，以及單一的遠(yuǎn)側(cè)環(huán)形芯部件。在一種實(shí)施例中，該主芯部件形成圓周表面狹槽的底部和 第二圓周表面狹槽的底部，近側(cè)環(huán)形芯部件形成圓周表面狹槽的一側(cè)，中央環(huán)形芯部件形 成圓周表面狹槽的另一側(cè)以及第二圓周表面狹槽的一側(cè)，并且，遠(yuǎn)側(cè)環(huán)形芯部件形成第二 圓周表面狹槽的另一側(cè)。無(wú)論表面狹槽具有相同或者不同的剖面形狀，附加電線圈和圓周 表面狹槽的利用由本領(lǐng)域技術(shù)人員所設(shè)想。本發(fā)明的第二實(shí)施方式的第一種形式為基于磁流變(MR)流體的裝置，基于磁流 變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯以及電線圈。MRC
活塞芯具有中央縱向軸線，并包括同樣數(shù)量的第一和第二組指形件(finger)。該第二組指 形件與第一組指形件相反地縱向延伸。該第二組指形件與第一組指形件互相交叉。該電線 圈基本上與中央縱向軸線同軸排列，其中電線圈的至少一部分埋于第一和第二組指形件之 下?！奥裼谥感渭隆北硎居设F磁的MR活塞芯的指形件所覆蓋。本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種配置中，電線圈的大部分埋于第一和第二組 指形件之下。在一種變型中，至少百分之七十五的電線圈埋于第一和第二組指形件之下。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種結(jié)構(gòu)中，MR活塞芯包括至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯 部件，其中，電線圈的安裝在該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件的組裝期間進(jìn)行，這是為本領(lǐng)域技術(shù) 人員所知曉的。在一種變型中，該電線圈具有底部。在一種改進(jìn)中，該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部 件包括接觸電線圈的底部的單一的主芯部件，以及具有第一組指形件而不具有第二組指形 件的單一的周邊芯部件。在一種實(shí)施例中，該至少兩個(gè)芯部件包括單一的附加周邊芯部件，其具有第二組 指形件，其中，該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件主要包括主芯部件、周邊芯部件和該附加周邊芯部 件。在不同的實(shí)施例中，該至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件主要包括主芯部件和周邊芯部件，其中該 主芯部件還具有第二組指形件。在本發(fā)明實(shí)施方式的第一種形式的一種應(yīng)用中，該MR活塞芯適于沿著中央縱向 軸線移動(dòng)。在不同的應(yīng)用中，MR活塞芯適于繞著中央縱向軸線旋轉(zhuǎn)。。本發(fā)明實(shí)施方式的第二種形式是磁流變(MR)裝置，磁流變(MR)裝置包括MR活塞 組件，該MR活塞組件具有鐵磁的MR活塞芯和電線圈。該MR活塞芯具有中央縱向軸線，并 且具有基本上與該中央縱向軸線同軸排列的外部圓周表面。該電線圈布置在MR活塞芯中， 并且基本上與該中央縱向軸線同軸排列。電線圈的至少一部分在外部圓周表面之下埋于MR 活塞芯中。需要注意的是，該外部圓周表面包括該第一和第二組指形件和的組合的外部表需要注意的是，任何一個(gè)或多個(gè)或者全部實(shí)施方式的MR活塞芯可以包括MR旁通 通路(未示出)。流過(guò)該MR旁通通道的MR流體基本上不受到處于最高設(shè)計(jì)電流級(jí)別下的 電線圈的磁影響。相反，流過(guò)MR通道的MR流體顯著地受到最高設(shè)計(jì)電流級(jí)別下的電線圈 的磁影響。多個(gè)益處和優(yōu)點(diǎn)源于本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式的一種或多種形式。在一種實(shí) 施例中，與傳統(tǒng)的未埋設(shè)的線圈相比，該部分(或者至少部分)埋設(shè)的線圈對(duì)于電線圈的給 定激勵(lì)提供更大的MR力。在另一個(gè)實(shí)施例中，與傳統(tǒng)的未埋設(shè)的線圈相比，該部分(或者 至少部分)埋設(shè)的線圈從較低的施加的線圈安培匝數(shù)導(dǎo)致相同的MR力。需要注意的是， 布置在具有傳統(tǒng)的矩形剖面形狀的圓周表面狹槽中的電線圈是未埋設(shè)的線圈，因?yàn)闆](méi)有電 線圈的部分埋于該鐵磁的MR活塞芯的外部圓周表面之下(也就是被其覆蓋)。此外，在一個(gè)具有基本上梯形的剖面形狀的圓周表面狹槽的實(shí)施例中，該MR活塞 芯的有磁區(qū)域的縱向長(zhǎng)度延長(zhǎng)，與此同時(shí)，直接相鄰電線圈的無(wú)磁區(qū)域的縱向長(zhǎng)度減少。在 該實(shí)施例中，實(shí)現(xiàn)了更高的性能，當(dāng)MR裝置磁化時(shí)，MR力最大化，并且在MR裝置去磁時(shí)，MR力減小。在該實(shí)施例中，與具有布置在具有傳統(tǒng)的矩形剖面形狀的圓周表面狹槽中的電線 圈的MR裝置相比，MR裝置的有效的動(dòng)態(tài)范圍或出現(xiàn)比率得到增強(qiáng)。本發(fā)明的實(shí)施方式的多種形式的上述描述用于說(shuō)明的目的。以上描述并不是排它性的或?qū)⒈景l(fā)明限制于上面公開(kāi)的形式，并且很明顯的是可基于上述教導(dǎo)進(jìn)行很多改進(jìn)和 變型。本發(fā)明的保護(hù)范圍由后附的權(quán)利要求書(shū)限定。
權(quán)利要求
一種基于磁流變(MR)流體的裝置，其包括MR活塞組件，所述MR活塞組件包括a)鐵磁的MR活塞芯，其具有中央縱向軸線以及具有基本上與所述中央縱向軸線同軸排列的外部圓周表面；以及b)電線圈，其布置在所述MR活塞芯中，并且基本上與所述中央縱向軸線同軸排列，其中所述電線圈的至少一部分在所述外部圓周表面之下埋于所述MR活塞芯中。
2.如權(quán)利要求1所述的基于MR流體的裝置，其中所述電線圈的大部分在所述外部圓周 表面之下埋于所述MR活塞芯中，并且所述電線圈鄰近所述外部圓周表面布置。
3.如權(quán)利要求2所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞組件還包括c)通量環(huán)，其具有基本上與所述中央縱向軸線同軸排列的內(nèi)部圓周表面，其中所述內(nèi) 部圓周表面面向所述外部圓周表面且與其隔離開(kāi)，所述內(nèi)部圓周表面和所述外部圓周表面 之間形成MR通道。
4.如權(quán)利要求3所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞組件還包括d)活塞桿，所述活塞桿基本上與所述中央縱向軸線同軸排列且連接到所述MR活塞芯；以及e)第一MR活塞端板和第二 MR活塞端板，其中所述MR活塞芯縱向布置在所述第一 MR 活塞端板和第二 MR活塞端板之間，并且與所述第一 MR活塞端板和第二 MR活塞端板接觸， 其中所述通量環(huán)連接到所述第一 MR活塞端板和第二 MR活塞端板，以及所述第一 MR活塞端 板和第二 MR活塞端板各自具有與所述MR通道流體連通的貫通開(kāi)口。
5.如權(quán)利要求2所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠沿著所述中央縱 向軸線移動(dòng)。
6.如權(quán)利要求2所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠繞著所述中央縱 向軸線旋轉(zhuǎn)。
7.一種基于磁流變(MR)流體的裝置，其包括MR活塞組件，所述MR活塞組件包括a)鐵磁的MR活塞芯，其具有中央縱向軸線以及具有基本上與所述中央縱向軸線同軸 排列的外部圓周表面，其中所述外部圓周表面具有基本上與所述中央縱向軸線同軸排列的 圓周表面狹槽，其中所述圓周表面狹槽具有設(shè)置在所述外部圓周表面之下的部分；以及b)電線圈，其基本上與所述中央縱向軸線同軸排列，并布置在所述圓周表面狹槽中，其 中所述電線圈的一部分埋于所述外部圓周表面之下。
8.如權(quán)利要求7所述的基于MR流體的裝置，其中所述電線圈的大部分埋于所述外部圓 周表面之下。
9.如權(quán)利要求8所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯包括至少兩個(gè)隔開(kāi)的 芯部件，其中所述圓周表面狹槽包括頂部、底部以及從所述圓周表面狹槽的頂部到底部延 伸的第一和第二狹槽側(cè)，其中所述至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件包括至少限定所述圓周表面狹槽 的底部的單一的主芯部件以及限定所述第一狹槽側(cè)而非所述第二狹槽側(cè)的單一的周邊芯 部件。
10.如權(quán)利要求9所述的基于MR流體的裝置，其中所述電線圈填充所述圓周表面狹槽 以鄰近所述外部圓周表面。
11.如權(quán)利要求10所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞組件還包括c)通量環(huán)，其具有基本上與所述中央縱向軸線同軸排列的內(nèi)部圓周表面，其中所述內(nèi)部圓周表面面向所述外部圓周表面且與其隔離開(kāi)，所述內(nèi)部圓周表面和所述外部圓周表面 之間形成MR通道。
12.如權(quán)利要求11所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞組件還包括d)活塞桿，所述活塞桿基本上與所述中央縱向軸線同軸排列且連接到所述MR活塞芯；以及e)第一MR活塞端板和第二 MR活塞端板，其中所述主芯部件和周邊芯部件縱向地布置 在所述第一 MR活塞端板和第二 MR活塞端板之間，且所述主芯部件與所述第一 MR活塞端板 和第二 MR活塞端板相接觸，而所述周邊芯部件與所述第一 MR活塞端板接觸，并不與所述第 二 MR活塞端板相接觸，其中所述通量環(huán)連接到所述第一 MR活塞端板和第二 MR活塞端板， 以及所述第一 MR活塞端板和第二 MR活塞端板各自具有與所述MR通道流體連通的貫通開(kāi)
13.如權(quán)利要求10所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠沿著所述中央 縱向軸線移動(dòng)。
14.如權(quán)利要求10所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠繞著所述中央 縱向軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。
15.如權(quán)利要求10所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞組件還包括第二電線 圈，其布置在所述MR活塞芯的第二圓周表面狹槽中，其中所述電線圈和所述第二電線圈能 夠產(chǎn)生相反方向的磁通。
16.一種基于磁流變(MR)流體的裝置，其包括MR活塞組件，所述MR活塞組件包括a)鐵磁的MR活塞芯，其具有中央縱向軸線并且包括同樣數(shù)量的第一和第二組指形件， 其中所述第二組指形件與所述第一組指形件相反地縱向延伸，其中所述第二組指形件與所 述第一組指形件相互交叉；以及b)電線圈，其基本上與所述中央縱向軸線同軸排列，其中所述電線圈的至少一部分埋 于所述第一和第二組指形件之下。
17.如權(quán)利要求16所述的基于MR流體的裝置，其中所述電線圈的大部分埋于所述第一 和第二組指形件之下。
18.如權(quán)利要求17所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯包括至少兩個(gè)隔開(kāi) 的芯部件，其中所述電線圈具有底部，所述至少兩個(gè)隔開(kāi)的芯部件包括單一的主芯部件和 單一的周邊芯部件，所述主芯部件接觸所述電線圈的底部，而所述單一的周邊芯部件具有 所述第一組指形件而非所述第二組指形件。
19.如權(quán)利要求18所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠沿著所述中央 縱向軸線移動(dòng)。
20.如權(quán)利要求18所述的基于MR流體的裝置，其中所述MR活塞芯能夠繞著所述中央 縱向軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有磁流變活塞組件的基于磁流變流體的裝置，基于磁流變(MR)流體的裝置包括MR活塞組件。該MR活塞組件包括鐵磁的MR活塞芯以及電線圈。該MR活塞芯具有中央縱向軸線以及具有基本上與該中央縱向軸線同軸排列的外部圓周表面。該電線圈布置在該MR活塞芯中，并基本上與該中央縱向軸線同軸排列。電線圈的一部分或者至少一部分在外部圓周表面之下埋于該MR活塞芯中。
文檔編號(hào)H02K44/00GK101989803SQ20091020574
公開(kāi)日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月30日
發(fā)明者A·A·阿萊克斯安德里迪斯, R·T·弗伊斯特, T·W·尼爾, W·C·克魯克梅伊爾, 鄧方 申請(qǐng)人:北京京西重工有限公司