專利名稱：極細同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在切斷屏蔽導體時減輕對內(nèi)部絕緣體的損傷的極細同軸線末端處理 方法及末端處理構(gòu)造。
背景技術(shù)：
連接筆記本型計算機的主體和液晶顯示器的配線或連接醫(yī)療用超聲波診斷裝置 的主體和探頭的配線等作為傳輸高頻信號 高速信號而且具有大的撓性的電纜有極細同軸 線。極細同軸線是從中心向外側(cè)依次將中心導體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導體以及套管疊 層而成的電纜。極細同軸線與機器直接連接，或者在安裝于連接器上時，則要實施使末端部 分的中心導體和屏蔽導體露出的末端處理。
利用圖5說明按照現(xiàn)有的末端處理方法對多條極細同軸線進行末端處理的順序。如圖5(a)所示，以所要求的排列間距排列多條極細同軸線1，再用粘結(jié)帶6固定該 排列狀態(tài)。如圖5(b)所示，在從末端起所要求的距離的處理部位，對粘結(jié)帶6和極細同軸線 1的套管5通過照射激光而切斷粘結(jié)帶6和極細同軸線1的套管5，從該處理部位同時拔出 位于末端側(cè)的粘結(jié)帶6和套管5。由此，從該處理部位到末端使屏蔽導體4露出。并且，所 謂切斷是指進行切入。如圖5(c)所示，在比上述圖5(b)的處理部位更靠近末端的處理部位，通過對屏蔽 導體4照射激光而切斷屏蔽導體4，將從該處理部位起位于末端側(cè)的屏蔽導體4向末端方向 拔出。由此，使從該處理部位到末端的內(nèi)部絕緣體3露出。如圖5(d)所示，在比上述圖5(c)的處理部位更靠近末端的處理部位，通過對內(nèi)部 絕緣體3照射激光而切斷內(nèi)部絕緣體3，將從該處理部位起位于末端側(cè)的內(nèi)部絕緣體3向末 端方向拔出。由此，從該處理部位到末端使中心導體2露出。通過依次進行以上的工序，屏蔽導體4、內(nèi)部絕緣體3及中心導體2分別處于露出 了所要求的長度的狀態(tài)。然而，在現(xiàn)有的末端處理方法中，在對屏蔽導體4照射激光而切斷屏蔽導體4時， 激光在切斷了屏蔽導體4之后達到內(nèi)部絕緣體3，內(nèi)部絕緣體3吸收激光的能量，產(chǎn)生內(nèi)部 絕緣體3受到損傷之類的問題。在專利文獻1(日本特開2007-290013號公報)中，采取的措施是改變光軸角度而 照射多束激光，對卷繞在內(nèi)部絕緣體上的全部屏蔽導體均勻地給以激光能量。但是，這種場 合，將多條同軸線排列成陣列狀時，在切斷其中的一條外部導體時，與其相鄰的兩條同軸線 產(chǎn)生遮擋激光光軸的情況，存在電纜陣列間距不能設(shè)定得狹窄之類的問題。在專利文獻2(日本特開2007-20342號公報)中，通過使激光的焦點位置相對照 射對象向垂直方向偏移來降低對內(nèi)部絕緣體的熱影響。即使使激光的焦點位置向垂直方向 偏移，相對于極細同軸線的直徑，一般的加工用激光的焦點深度都相當大，在實際效果上，通過小于極細同軸線的直徑的程度的焦點位置的偏移來降低熱影響的效果很小，仍無法避 免熱影響。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于解決上述問題，提供一種在切斷屏蔽導體時減輕對內(nèi)部 絕緣體的損傷的極細同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。為了達到上述目的，本發(fā)明的極細同軸線的末端處理方法，在從中心向外側(cè)依次 具有中心導體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導體及套管，上述屏蔽導體由導線構(gòu)成并通過螺旋卷繞或 編織卷繞的任何一種而形成的極細同軸線的末端處理方法中，包含以下各步驟切斷上述 套管而使上述屏蔽導體露出的步驟；在上述極細同軸線的長度方向的多個部位切斷上述已 露出的屏蔽導體的圓周方向的一部分的步驟；以及從距末端最遠的末端處理部位拔出末端 側(cè)的套管及屏蔽導體而使內(nèi)部絕緣體露出的步驟。另外，優(yōu)選的方法為，相對于上述屏蔽導體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/ (2Xη) (η為整數(shù)且11 > 2)的間距從上述極細同軸線的兩面進行上述屏蔽導體的切斷。再有，優(yōu)選的方法為，相對于上述屏蔽導體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/m(m 為整數(shù)且111 > 2)的間距從上述極細同軸線的單面進行上述屏蔽導體的切斷。本發(fā)明的末端處理構(gòu)造采用上述任何一種方法加工而成。本發(fā)明具有如下效果。根據(jù)本發(fā)明，在極細同軸線的末端加工中，尤其是在對陣列化的多條極細同軸線 的末端一起進行加工時，能夠降低起因于加工工序?qū)?nèi)部絕緣體的損傷，并提高生產(chǎn)率和
可靠性。


圖1 (a) 圖1 (h)是表示利用本發(fā)明的極細同軸線的末端處理方法對多條極細同 軸線的進行末端處理的順序的俯視圖。圖2(a) 圖2(c)是表示圖1(b) 圖1(c)的屏蔽導體的切斷原理的圖。圖3是剝離極細同軸線的套管而使屏蔽導體露出的局部剖視圖。圖4(a)是圖1 (d)的屏蔽導體的剩余部分的放大圖，圖4(b)是屏蔽導體的剩余部 分的斷面示意圖。圖5(a) 圖5(d)是表示利用現(xiàn)有的極細同軸線的末端處理方法對多條極細同軸 線進行的末端處理的順序的俯視圖。圖中1-極細同軸線，2-中心導體，3-內(nèi)部絕緣體，4-屏蔽導體，5-套管，6-粘結(jié)帶， 7_位于鄰接的極細同軸線彼此的間隙中的屏蔽導體露出部，8-激光照射面，9-屏蔽導體的 第一部分，10-屏蔽導體的第二部分，11-屏蔽導體的第三部分。
具體實施例方式以下，基于附圖對本發(fā)明的一個實施方式進行詳細敘述。如圖1(a) 圖1(g)所示，本發(fā)明的極細同軸線1的末端處理方法是，在從中心向外側(cè)依次具有中心導體、內(nèi)部絕緣體3、屏蔽導體4及套管5，屏蔽導體4由導線構(gòu)成并通 過螺旋卷繞或編織卷繞的任何一種而形成的極細同軸線1的末端處理方法中，包含以下各 步驟對于以如末端處理部位P1、P2、P3所示的由多個部位構(gòu)成的末端處理部位，通過從表 里兩面對套管5進行激光掃描，從而切斷套管5而使屏蔽導體4露出的步驟Sl ；通過從表 里兩面對在上述步驟Sl露出了的屏蔽導體4進行激光掃描，從而如Pl P3斷面圖所示， 在屏蔽導體4中不切斷位于鄰接的極細同軸線彼此的間隙中的屏蔽導體7，而切斷位于激 光照射面8的屏蔽導體4的步驟S2 ；對從距末端T最遠的末端處理部位Pl到末端T側(cè)的 套管5及屏蔽導體4進行拔出而使內(nèi)部絕緣體3露出的步驟S3 ；以及使屏蔽導體4和中心 導體2露出的步驟S4。在圖1中，末端處理部位P1、P2、P3相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距 為1/6的間距。如圖2 (a) 圖2 (c)所示，圖1 (b)的末端處理部位PI、P2、P3各自的斷面構(gòu)造相 對于末端處理部位P1、P2、P3各自的屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/6的間距， 由于屏蔽導體4是連續(xù)地卷繞的，因而在各自的斷面上，各自的極細同軸線1的屏蔽導體4 成為以1/6周期旋轉(zhuǎn)的構(gòu)造。S卩，在末端處理部位P1，屏蔽導體的第一部分9露出于激光照射面8(參照圖 1 (C))；在末端處理部位P2，屏蔽導體的第二部分10露出于激光照射面8 ；在末端處理部位 P3，屏蔽導體的第三部分11露出于激光照射面8 ；在末端處理部位Pl的屏蔽導體的第一部 分9，在末端處理部位P2的屏蔽導體的第二部分10，在末端處理部位P3的屏蔽導體的第三 部分11成為切斷的屏蔽導體；通過切斷屏蔽導體的各部分，從而屏蔽導體4的全部可以在 末端處理部位PI、P2、P3的任何部位切斷。另外，在只從單面照射激光的場合，由于激光照射面8僅為單面，因而若將末端處 理部位P1、P2、P3設(shè)為1/3的間距，則可以全部切斷屏蔽導體4。以上，說明了相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/6的間距設(shè)置末端 處理部位Pl、P2、ra的三個部位，利用激光從極細同軸線陣列的兩面切斷屏蔽導體4的原理。也可以相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/(2Xn)間距間隔設(shè)置
η個部位的末端處理部位PI、Ρ2、Ρ3.....Ρη，利用激光從極細同軸線陣列的兩面切斷屏蔽
導體4。但是，η是整數(shù)且η彡2。另外，也可以相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/m的間距設(shè)置m
個部位的末端處理部位P1、P2、P3.....Pm，利用激光從極細同軸線陣列的單面切斷屏蔽導
體4。但是，m是整數(shù)且m彡2。另外，在本實施方式中，雖然獨立地形成了末端處理部位PI、P2、P3.....Pn,但也
可以將各自的末端處理部位PI、P2、P3.....Pn相結(jié)合。這種場合，從末端處理部位Pl到
末端處理部位Pn的距離，即結(jié)合了的屏蔽導體露出寬度在對極細同軸線陣列的兩面的屏 蔽導體4進行切斷的場合，相對于螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/2間距的量，在對單面的屏 蔽導體4進行切斷的場合則為1個間距量。并且，在本實施方式中，雖然將激光用于套管5和屏蔽導體4的切斷，但本方法不 限于激光，也可以使用例如切削刃之類的加工方法。下面，按照末端處理的順序詳細說明實施例。
如圖1(a)所示，首先，以所要求的排列間距排列多條極細同軸線1并做成扁平電 纜狀。在該扁平電纜狀的多條極細同軸線1上用粘結(jié)帶6進行疊層。由此，多條極細同軸 線1以排列狀態(tài)的原狀進行固定。極細同軸線1是例如外徑為0. 2mm的AWG#46電纜，屏蔽 導體4通過將20條直徑為0. 02mm的導體螺旋卷繞而成。其次，如圖1 (b)所示，在末端處理部位Pl、P2、P3，使用波長為10. 6 μ m的CO2激 光器對由聚合物材料構(gòu)成的套管5照射激光。當照射激光時，粘結(jié)帶6和套管5吸收激光 能量而達到高溫的同時燃燒、蒸發(fā)，在粘結(jié)帶6和套管5中產(chǎn)生孔。通過調(diào)整從激光受到的 能量來調(diào)整孔的大小。CO2激光器的激光由于在構(gòu)成屏蔽導體4的金屬絲的表面進行反射， 因而不會對屏蔽導體4及內(nèi)部絕緣體3造成損傷。CO2激光器通過從極細同軸線1的上下面的各個面進行照射來切斷極細同軸線的 全周部分的套管5。這樣一來，通過對套管5照射激光而切斷套管5并使屏蔽導體4露出，形成屏蔽導 體露出部7。該圖1(b)的工序是步驟Si。另外，也可以通過劃片機(夕'〃〉〃一)加 工等其它加工方法切斷套管5而使屏蔽導體4露出。通過調(diào)整CO2激光器的強度、掃描速度、掃描次數(shù)等將末端處理部位PI、P2、P3的 屏蔽導體露出部7的寬度(極細同軸線1的長度方向)做成0. 3mm?？紤]到CO2激光器的 光斑直徑以及下一工序用YAG激光器進行的屏蔽導體4的切斷，末端處理部位P1、P2、P3的 屏蔽導體露出部7的寬度最好在0. Imm以上。其次，如圖1 (c)所示，對末端處理部位Pl、P2、P3，通過使用波長為532nm的YAG 激光器(二次諧波)從極細同軸線1的上下兩面分別對屏蔽導體4照射激光，從而在屏蔽 導體4中不切斷位于鄰接的極細同軸線彼此的間隙中的屏蔽導體7(在激光強度弱的條件 下進行掃描)，而切斷位于激光照射面8的屏蔽導體4。該圖1(c)的工序是步驟S2。在此，如圖3所示，剝離極細同軸線的套管而露出屏蔽導體的部分從中心向外側(cè) 依次具有中心導體2、內(nèi)部絕緣體3及屏蔽導體4。在現(xiàn)有的同軸電纜的成段剝離的處理 方法中，采用的是通過用激光兩次掃描來切斷位于上半部分的全部屏蔽導體和位于下半部 分的全部屏蔽導體。因此，與中央附近比較在同軸電纜的側(cè)面部分，應(yīng)由激光切斷的屏蔽導 體增多，因而需要提高激光的強度，由于在該激光強度強的條件下進行掃描并切斷屏蔽導 體，因而在中央附近激光就達到內(nèi)部絕緣體而損傷了內(nèi)部絕緣體。對此，在本發(fā)明中，由于將激光的強度定為能夠切斷位于中央附近的屏蔽導體4 的程度(為了切斷位于側(cè)面部分的屏蔽導體4所需要的激光強度的約50% 70% )，因而 激光不會到達內(nèi)部絕緣體3，可以防止損傷內(nèi)部絕緣體3。此外，在側(cè)面部分，由于激光的強 度弱而不能切斷屏蔽導體4。其次，如圖1(d)所示，從距末端T最遠的末端處理部位Pl拔出末端T側(cè)的套管5 及屏蔽導體4而使內(nèi)部絕緣體3露出。這時，構(gòu)成屏蔽導體4的多條導體在步驟S2中，在 末端處理部位P1、P2、P3的任何一處被切斷。圖1(d)的工序是步驟S3。這里，若將圖1 (d)的一部分示于圖4(a)中，則在屏蔽導體剩余部分12中，混合存 在有三種長度的屏蔽導體4。S卩，如圖4(b)所示，若將圓周六等分并定義所劃分的各區(qū)域， 則在屏蔽導體剩余部分12中分別存在有在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位Pl的 長度的屏蔽導體4的2個區(qū)域，在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位P2的長度的屏蔽導體4的2個區(qū)域，以及在圓周的60度的范圍存在到末端處理部位P3的長度的屏蔽導 體4的2個區(qū)域。接著，如圖1(e)所示，在末端處理部位P4中，通過使用波長為10. 6 μ m的CO2激 光器對套管5照射激光，從而切斷套管5并拔出到末端T側(cè)，如圖1(f)所示，使末端處理部 位P4 P2間的屏蔽導體4露出，形成屏蔽導體露出部。接著，如圖1(g)所示，在末端處理部位P5中，通過使用波長為10.6μπι的0)2激 光器對內(nèi)部絕緣體3照射激光，從而切斷內(nèi)部絕緣體3并拔出到末端T側(cè)，如圖1(h)所示， 形成中心導體露出部。通過以上的處理而結(jié)束末端處理，得到本發(fā)明的末端處理構(gòu)造。圖1(e) 圖1(h) 表示的是步驟S4。與上述實施例相同，在步驟Sl中，相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距
以1/(2Χη)的間距設(shè)置η個部位的末端處理部位P1、P2、P3.....Pn ；在步驟S2中，對η個
部位的末端處理部位Ρ1、Ρ2、Ρ3.....Ρη，從極細同軸線陣列的兩面利用激光進行屏蔽導體
4的切斷；在步驟S3中，從距末端T最遠的末端處理部位Pl拔出末端T側(cè)的套管5及屏蔽 導體4而使內(nèi)部絕緣體3露出；在步驟S4中，可以形成屏蔽導體露出部、中心導體露出部。 上述實施例相當于η = 3的情況。在η = 2或4以上的情況下也能得當本發(fā)明的效果。這時，在末端處理部位Pl Pn中，由于各個末端處理部位Pl Pn的要切斷的屏 蔽導體4的導體條數(shù)隨著η的增加而減少，因而，可以通過增加η來減小用于切斷屏蔽導體 4的YAG激光器的強度。由此，可以降低到達內(nèi)部絕緣體3的YAG激光器的強度，可以進一 步降低對內(nèi)部絕緣體3的損傷。另外，也可以相對于屏蔽導體4的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/m(m彡2)的間距
設(shè)置m個部位的末端處理部位PI、P2、P3.....Pm,利用激光從極細同軸線陣列的單面進行
屏蔽導體4的切斷。就在同軸線陣列的2個部位的位置從單面照射激光的方法(m = 2的場合)而言， 與現(xiàn)有技術(shù)同樣，由于在同軸線的側(cè)面要用激光切斷屏蔽導體4增多，因而需要提高激光 的強度。然而，本發(fā)明中，相對于在長度方向不同的部位(2個部位)內(nèi)部絕緣體3受到損 傷，現(xiàn)有技術(shù)則是在1個部位內(nèi)部絕緣體3受到損傷。因此，分散了損傷部位的本發(fā)明與現(xiàn) 有技術(shù)也能降低屏蔽性能的劣化。在3個部位以上的位置(m為3以上)從同軸線陣列的單面照射激光的方法中，如 在圖2中說明的那樣，由于可以使激光的強度為能切斷位于中央附近的屏蔽導體4的程度 的強度，因而能夠防止內(nèi)部絕緣體3受到損傷。另外，在上述實施例中，雖然分別獨立地形成末端處理部位PI、P2、P3.....Pn的
屏蔽導體露出部位，但也可以將各個屏蔽導體露出部位相結(jié)合。該場合，從末端處理部位Pl 到末端處理部位Pn的距離，即結(jié)合了的屏蔽導體露出部位的長度在對極細同軸線陣列的 兩面進行屏蔽導體4的切斷的場合，相對于螺旋卷繞或編織卷繞間距為1/2間距量，在進行 單面的屏蔽導體4的切斷的場合為1個間距量。這時，將激光的照射位置(屏蔽導體切斷 部)設(shè)定為1/(2 X η)間距或1/m間距。另外，在上述實施例中，雖然將激光用于屏蔽導體4的切斷，但該方法也不限于激 光，例如，也可以使用如切削刃那樣的加工方法。
權(quán)利要求
一種極細同軸線的末端處理方法，其是在從中心向外側(cè)依次具有中心導體、內(nèi)部絕緣體、屏蔽導體、套管，上述屏蔽導體由螺旋卷繞的導線或者編織卷繞的導體構(gòu)成的極細同軸線的末端處理方法中，其特征在于，包含以下各步驟切斷上述套管而使上述屏蔽導體露出的步驟；在上述極細同軸線的長度方向的多個部位切斷上述已露出的屏蔽導體的圓周方向的一部分的步驟；以及從距末端最遠的末端處理部位拔出末端側(cè)的套管及屏蔽導體而使內(nèi)部絕緣體露出的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極細同軸線的末端處理方法，其特征在于，相對于上述屏蔽導體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以l/(2Xn)的間距從上述極細同軸 線的兩面進行上述屏蔽導體的切斷，其中n為整數(shù)且n > 2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的極細同軸線末端處理方法，其特征在于，相對于上述屏蔽導體的螺旋卷繞或編織卷繞間距以1/m的間距從上述極細同軸線的 單面進行上述屏蔽導體的切斷，其中m為整數(shù)且m > 2。
4.一種末端處理構(gòu)造，其特征在于，使用權(quán)利要求1 3中任何一項所述的方法加工而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及極細同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。本發(fā)明提供一種在切斷屏蔽導體時減輕對內(nèi)部絕緣體的損傷的極細同軸線的末端處理方法及末端處理構(gòu)造。本發(fā)明的極細同軸線的末端處理方法包含以下各步驟切斷套管(5)而使屏蔽導體(4)露出的步驟(S1)；在極細同軸線的長度方向的多個部位切斷已露出的屏蔽導體(4)的圓周方向的一部分的步驟(S2)；以及從距末端最遠的末端處理部位拔出末端側(cè)的套管(5)及屏蔽導體(4)而使內(nèi)部絕緣體(3)露出的步驟(S3)。
文檔編號H02G1/12GK101882747SQ20091022184
公開日2010年11月10日 申請日期2009年11月18日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月7日
發(fā)明者田中康太郎 申請人:日立電線株式會社