專利名稱：供電電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種供電電路，特別涉及一種為北橋芯片供電的供電電路。
背景技術(shù)：
一般而言，北橋芯片供電電路的輸出電流隨著北橋芯片的負(fù)載增大而增加。若北 橋芯片的負(fù)載過(guò)大，則可能會(huì)導(dǎo)致供電電路中的驅(qū)動(dòng)電路被燒毀。故，需要保證流經(jīng)驅(qū)動(dòng)電 路的電流在其額定工作范圍內(nèi)。而現(xiàn)有的北橋芯片供電電路大多難以保證流經(jīng)驅(qū)動(dòng)電路的 電流在其額定工作范圍內(nèi)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種供電電路，能穩(wěn)定地為北橋芯片供電。一種供電電路，用于為一電子裝置供電，其包括一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元，用 于輸出一脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)；一電流調(diào)整單元，用于輸出至少一直流電流信號(hào)；一驅(qū) 動(dòng)單元，用于接收所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)單元輸出至少一控制信號(hào)至所述 電流調(diào)整單元以控制所述電流調(diào)整單元處于工作狀態(tài)，及輸出一直流電壓信號(hào)及一第一直 流電流信號(hào)，所述電流調(diào)整單元輸出的直流電流信號(hào)及所述第一直流電流信號(hào)為所述電子 裝置提供工作電流；以及一反饋單元，用于根據(jù)所述直流電壓信號(hào)產(chǎn)生一反饋電壓信號(hào)，并 將所述反饋電壓信號(hào)輸出至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元以調(diào)整所述脈沖寬度調(diào)制電 壓信號(hào)。相較現(xiàn)有技術(shù)，所述供電電路通過(guò)所述電流調(diào)整單元提供所述第一直流電流信號(hào) 以保證流經(jīng)電源管理芯片的電流在其額定工作范圍內(nèi)時(shí)滿足所述電子裝置的工作需求。


圖1是本發(fā)明供電電路的較佳實(shí)施方式的方框圖。圖2是圖1的電路圖。圖3是圖2中場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與源極之間的電壓波形圖。圖4是圖2中場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與源極之間的另一電壓波形圖。圖5是圖2中場(chǎng)效應(yīng)管Ql的漏極與源極之間的電壓波形圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖及較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明供電電路用于為一電子設(shè)備提供工作電流及工作電壓，其較佳 實(shí)施方式包括一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110、一電流調(diào)整單元112、一驅(qū)動(dòng)單元114、一 輸出濾波單元116、一反饋單元118及一補(bǔ)償單元120。所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110用于輸出一脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM 至所述驅(qū)動(dòng)單元114。所述電流調(diào)整單元112用于輸出至少一直流電流信號(hào)。所述驅(qū)動(dòng)單元114用于輸出至少一控制信號(hào)以控制所述電流調(diào)整單元112處于工作狀態(tài)。所述驅(qū)動(dòng)單元114還用于輸出一直流電壓信號(hào)Vl及一直流電流信號(hào)。所述電流調(diào)整單元112及驅(qū)動(dòng) 單元114輸出的直流電流信號(hào)為所述電子設(shè)備提供工作電流。所述輸出濾波電路116用于 將所述直流電壓信號(hào)Vl濾波產(chǎn)生一直流電壓V2，并將所述直流電壓V2輸出至所述電子設(shè)備。所述反饋單元118用于根據(jù)所述直流電壓信號(hào)Vl產(chǎn)生一反饋電壓信號(hào)VTT_FB，并 將所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB輸出至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110。所述脈沖寬度 調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110通過(guò)比較所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB與一第一預(yù)設(shè)電壓值來(lái)調(diào)整所 述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM。當(dāng)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB小于所述第一預(yù)設(shè)電壓 值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110增大所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM的值。 反之，當(dāng)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB大于所述第一預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn) 生單元110減小所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM的值。所述補(bǔ)償單元120用于根據(jù)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB產(chǎn)生一補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_ COMP,并將所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP輸出至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110。所述 脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110通過(guò)比較所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP與一第二預(yù)設(shè)電壓 值來(lái)調(diào)整所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM。當(dāng)所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP小于所述 第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110增大所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào) VTT_PWM的值。反之，當(dāng)所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP大于所述第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖 寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110減小所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM的值。所述反饋單元118輸出的所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB為調(diào)節(jié)所述脈沖寬度調(diào)制電 壓信號(hào)VTT_PWM的主要因素，所述補(bǔ)償單元120僅為一種微調(diào)手段，故，其他實(shí)施方式中所 述補(bǔ)償電路單元120可以省略以節(jié)省成本。所述輸出濾波電路116的作用為濾除所述直流 電壓信號(hào)Vl中的噪音，故，其他實(shí)施方式中亦可省略。請(qǐng)參考圖2，所述電流調(diào)整單元112包括一第一開(kāi)關(guān)電路111及一第二開(kāi)關(guān)電路 113。所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110為一電源管理芯片，其包括一輸出引腳1及 兩個(gè)輸入引腳2、3。所述輸出引腳1用于輸出所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM。所述 輸入引腳2、3分別用于接收所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB及補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP。所述驅(qū)動(dòng)單元114為一脈沖寬度調(diào)制驅(qū)動(dòng)電路，其包括一 ISL6612型芯片、一電阻 Rl及一電容Cl。所述ISL6612型芯片包括九個(gè)引腳，分別是UGATE引腳、BOOT引腳、PWM引 腳、PHASE引腳、GNDl引腳、GND2引腳、PVCC引腳、VCC引腳及LGATE引腳。所述UGATE引 腳連接所述第一開(kāi)關(guān)電路111 ；所述BOOT引腳通過(guò)所述電阻Rl連接所述電容Cl的正極， 所述電容Cl的負(fù)極連接所述PHASE引腳；所述PWM引腳連接所述電源管理芯片的引腳1以 接收所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM ；所述GNDl引腳及GND2引腳接地；所述PVCC引 腳及VCC引腳連接至一 12V系統(tǒng)電源；以及所述LGATE引腳連接所述第二開(kāi)關(guān)電路113。所述第一開(kāi)關(guān)電路111包括兩電阻R2、R3及一場(chǎng)效應(yīng)管Q1。所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的 柵極分別通過(guò)所述電阻R2及R3連接所述UGATE引腳及PHASE引腳。所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的 漏極連接所述12V系統(tǒng)電源。所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極連接所述PHASE引腳。所述第二開(kāi) 關(guān)電路113包括一電阻R4及一場(chǎng)效應(yīng)管Q2，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極通過(guò)所述電阻R4連接所述LGATE引腳。所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的源極接地。所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極連接所述PHASE 引腳。所述場(chǎng)效應(yīng)管 Ql 及 Q2 為 A0D452 型及 A0D472 型 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconduc tor Field-Effect-Transistor)，其中 A0D452 型及 A0D472 型 MOSFET 的最大額定電壓及最 小額定電壓值分別為25V及-8V。所述輸出濾波電路116包括一電容C2、三個(gè)電解電容E1、E2及E3。所述電容C2、 電解電容El、E2及E3的正極均連接所述PHASE弓丨腳以接收所述直流電壓信號(hào)Vl。所述電 容C2、電解電容E1、E2及E3的負(fù)極均接地。所述反饋電路118包括一電容C3、三個(gè)電阻R5、R6及R7。所述電容C3的負(fù)極連 接所述PHASE引腳以接收所述直流電壓信號(hào)VI。所述電容C3的正極與所述電阻R5的一端 相連。所述電阻R5的另一端輸出所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB并通過(guò)所述電阻R7接地。所 述電阻R6連接在所述電容C5的負(fù)極與所述電阻R5的另一端之間。所述補(bǔ)償電路120包括一電阻R8、兩電容C4及C5。所述電容C4及C5的負(fù)極均 連接所述電阻R5的另一端以接收所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB。所述電容C4的正極連接所述 電阻R8的一端，所述電阻R8的另一端連接所述電容C5的正極并輸出所述補(bǔ)償信號(hào)電壓信 號(hào) VTT_C0MP。所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110的引腳1輸出所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào) VTT_PWM至所述114ISL6612型芯片的PWM引腳。當(dāng)所述114ISL6612型芯片接收到所述脈 沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM后，所述PHASE引腳輸出所述直流電壓信號(hào)Vl及一直流電流 信號(hào)II，所述UGATE引腳及LGATE引腳交替輸出一第一控制信號(hào)及一第二控制信號(hào)。當(dāng)所 述UGATE引腳輸出所述第一控制信號(hào)至所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的柵極時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql導(dǎo)通， 所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的源極輸出一直流電流信號(hào)12 ；當(dāng)所述LGATE引腳輸出所述第二控制信 號(hào)至所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的柵極時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2導(dǎo)通，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極輸出一直 流電流信號(hào)13。所述直流電流信號(hào)II、12及13為所述電子設(shè)備提供工作電流。所述電容C2及電解電容E1、E2及E3組成的輸出濾波電路116將所述直流電壓信 號(hào)Vl濾波后產(chǎn)生一直流電壓V2，并將所述直流電壓V2輸出至所述電子設(shè)備。所述電容C3 及電阻R5、R6、R7組成的反饋單元118根據(jù)所述直流電壓信號(hào)Vl產(chǎn)生所述反饋電壓信號(hào) VTT_FB,并將所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB傳送至所述電源管理芯片的引腳2。所述電阻R8、 電容C4及C5組成的所述補(bǔ)償單元120根據(jù)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB轉(zhuǎn)化為所述補(bǔ)償電 壓信號(hào)VTT_C0MP，并將所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP傳送至所述電源管理芯片的引腳3。當(dāng)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB小于所述第一預(yù)設(shè)電壓值或所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_ COMP小于所述第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元110增大所述脈沖寬度 調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM的值。反之，當(dāng)所述反饋電壓信號(hào)VTT_FB大于所述第一預(yù)設(shè)電壓值 或所述補(bǔ)償電壓信號(hào)VTT_C0MP大于所述第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生 單元110減小所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)VTT_PWM的值。當(dāng)上述電子元件的取值如下時(shí)，S卩，所述電阻Rl、R2、R3、R4、R5、R6、R7及R8的 阻值范圍分別為[10. 45kQ,11.55kQ]> [4. 47k Ω，4. 93k Ω ]、[9. 9k Ω, 10. lkQ]、
、[31. 35 Ω , 34. 65 Ω ]、[2. 178k Ω，2. 222k Ω ]、[3· 831k Ω，3. 939k Ω ]及[10. 45k Ω， 11.55kQ]，所述電容Cl、電解電容El、E2及E3的容值范圍分別為W.08uF，0. 18uF]、 [800uF, 1200uF]、[800uF, 1200uF]、[800uF, 1200uF]，所述電容 C2、C3、C4、C5 的容值分別為4. 7uF、47nF、10nF及68nF時(shí)，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與源極間正向最大電壓及負(fù)向最 小電壓所在時(shí)間段內(nèi)，如，10秒，的電壓波形圖分別如圖3及圖4所示，所述場(chǎng)效應(yīng)管Ql的 漏極與源極間正向最大電壓所在時(shí)間段，如，10秒，的電壓波形圖如圖5所示。從圖3-5中 可以看出，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2及Ql的漏極與源極間電壓最大值分別為20V及23. 27V，分別 在AOD452型及AOD472型MOSFET的最大額定電壓范圍內(nèi)；所述場(chǎng)效應(yīng)管Q2的漏極與源極 間電壓最小值為-5. 3V，在A0D452型MOSFET最小額定電壓值額定范圍內(nèi)。故，所述第一開(kāi) 關(guān)電路111及第二開(kāi)關(guān)電路113能正常工作，分別提供所述直流電流信號(hào)12及13以保證 流經(jīng)所述ISL6612型芯片的電流12在其額定工作范圍內(nèi)時(shí)滿足所述電子裝置的工作需求。 所述電子裝置可以為北橋芯片等電子設(shè)備。其中，上述電子元件的取值是為了使得場(chǎng)效應(yīng)管Ql及Q2的漏極與源極間的電壓 最大值及最小值均在其對(duì)應(yīng)的最大額定電壓及最小額定電壓值額定范圍內(nèi)，從而使得所述 第一開(kāi)關(guān)電路111及第二開(kāi)關(guān)電路113能正常工作。其他實(shí)施方式中，設(shè)計(jì)者亦可改變所 述電子元件的取值。需說(shuō)明的是，以上實(shí)施方式僅用于說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的 技術(shù)方案進(jìn)行修改或等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
一種供電電路，用于為一電子裝置供電，其包括一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元，用于輸出一脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)；一電流調(diào)整單元，用于輸出至少一直流電流信號(hào)；一驅(qū)動(dòng)單元，用于接收所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)，所述驅(qū)動(dòng)單元輸出至少一控制信號(hào)至所述電流調(diào)整單元以控制所述電流調(diào)整單元的工作狀態(tài)，及輸出一直流電壓信號(hào)及一第一直流電流信號(hào)，所述電流調(diào)整單元輸出的直流電流信號(hào)及所述第一直流電流信號(hào)為所述電子裝置提供工作電流；以及一反饋單元，用于根據(jù)所述直流電壓信號(hào)產(chǎn)生一反饋電壓信號(hào)，并將所述反饋電壓信號(hào)輸出至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元以調(diào)整所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其特征在于當(dāng)所述反饋電壓信號(hào)小于一第一預(yù)設(shè) 電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元增大所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)的值；當(dāng)所述 反饋電壓信號(hào)大于所述第一預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元減小所述脈沖 寬度調(diào)制電壓信號(hào)的值。
3.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其特征在于所述供電電路還包括一輸出濾波電路， 所述直流電壓信號(hào)經(jīng)由所述輸出濾波電路后輸出至所述電子設(shè)備。
4.如權(quán)利要求1所述的供電電路，其特征在于所述供電電路還包括一補(bǔ)償電路，所 述補(bǔ)償電路根據(jù)所述反饋電壓信號(hào)產(chǎn)生一補(bǔ)償電壓信號(hào)，并將所述補(bǔ)償電壓信號(hào)輸出至所 述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元，當(dāng)所述補(bǔ)償電壓信號(hào)小于一第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖 寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元增大所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)的值；當(dāng)所述補(bǔ)償電壓信號(hào)大于所 述第二預(yù)設(shè)電壓值時(shí)，所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元減小所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)的 值。
5.如權(quán)利要求4所述的供電電路，其特征在于所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元為一 電源管理芯片，所述電源管理芯片包括一第一引腳、一第二引腳及一第三引腳，所述第一引 腳用于輸出所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)，所述第二引腳及第三引腳分別用于接收所述反饋 電壓信號(hào)及補(bǔ)償電壓信號(hào)。
6.如權(quán)利要求5所述的供電電路，其特征在于所述電流調(diào)整單元包括一第一開(kāi)關(guān)電 路及一第二開(kāi)關(guān)電路，所述驅(qū)動(dòng)單元交替輸出一第一控制信號(hào)及一第二控制信號(hào)以分別控 制所述第一開(kāi)關(guān)電路及第二開(kāi)關(guān)電路交替處于工作狀態(tài)，所述第一開(kāi)關(guān)電路及第二開(kāi)關(guān)電 路分別輸出一第二直流電流及一第三直流電流。
7.如權(quán)利要求6所述的供電電路，其特征在于所述驅(qū)動(dòng)單元包括一ISL6612型芯片、 一第一電阻及一第一電容，所述ISL6612型芯片包括一 UGATE引腳、一 BOOT引腳、一 PWM引 腳、一 PHASE引腳、一 GND1引腳、一 GND2引腳、一 PVCC引腳、一 VCC引腳及一 LGATE引腳， 各引腳的連接關(guān)系分別為所述UGATE引腳連接所述第一開(kāi)關(guān)電路，用于輸出所述第一控制信號(hào)至所述第一開(kāi)關(guān) 電路；所述BOOT引腳通過(guò)所述第一電阻連接至所述第一電容的正極，所述第一電容的負(fù)極 連接所述PHASE引腳；所述PWM引腳連接所述電源管理芯片的第一引腳以接收所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)；所述GND1引腳及GND2引腳接地；所述PHASE引腳連接所述電流調(diào)整單元，用于輸出所述直流電壓信號(hào)及第一直流電流 信號(hào)；所述PVCC引腳及VCC引腳連接至一直流電源；以及所述LGATE引腳連接所述第二開(kāi)關(guān)電路，用于輸出所述第二控制信號(hào)至所述第二開(kāi)關(guān) 電路。
8.如權(quán)利要求7所述的供電電路，其特征在于所述第一開(kāi)關(guān)電路包括一第二電阻、一 第三電阻及一第一場(chǎng)效應(yīng)管，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極通過(guò)所述第二電阻連接所述UGATE 弓I腳以接收所述第一控制信號(hào)，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的柵極還通過(guò)第三電阻連接所述PHASE 引腳，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接所述直流電源，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的源極連接所述 PHASE引腳以輸出所述第二直流電流信號(hào)；所述第二開(kāi)關(guān)電路包括一第四電阻及一第二場(chǎng) 效應(yīng)管，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極通過(guò)所述第四電阻連接所述LGATE引腳以接收所述第二 控制信號(hào)，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極接地，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接所述PHASE引腳 以輸出所述第三直流電流信號(hào)。
9.如權(quán)利要求8所述的供電電路，其特征在于所述輸出濾波電路包括一第二電容、一 第一電解電容、一第二電解電容及一第三電解電容，所述第二電容、第一電解電容、第二電 解電容及第三電解電容的正極均連接所述驅(qū)動(dòng)電路以接收所述直流電壓信號(hào)，所述第二電 容、第一電解電容、第二電解電容及第三電解電容的負(fù)極均接地。
10.如權(quán)利要求9所述的供電電路，其特征在于所述反饋電路包括一第三電容、一第 五電阻、一第六電阻及一第七電阻，所述第三電容的負(fù)極連接所述驅(qū)動(dòng)電路以接收所述直 流電壓信號(hào)，所述第三電容的正極連接所述第五電阻的一端，所述第六電阻連接在所述第 三電容的負(fù)極及所述第五電阻的另一端之間，所述第五電阻的另一端通過(guò)所述第七電阻接 地并輸出所述反饋電壓信號(hào)。
11.如權(quán)利要求10所述的供電電路，其特征在于所述補(bǔ)償電路包括一第八電阻、一第 四電容及一第五電容，所述第四及第五電容的負(fù)極均連接所述第五電阻的另一端以接收所 述反饋電壓信號(hào)，所述第四電容的正極連接所述第八電阻的一端，所述第八電阻的另一端 連接所述第五電容的正極并輸出所述補(bǔ)償信號(hào)電壓信號(hào)。
12.如權(quán)利要求11所述的供電電路，其特征在于所述第一電容的電容值為0.08uF 至0. 18uF，所述第二、第三、第四及第五電容的容值分別為4. 7uF、47nF、10nF及68nF，所述 第一、第二及第三電解電容的容值均為800uF至1200uF，所述第一電阻的阻值為10. 45k Q 至11. 55kQ，所述第二電阻的阻值為4.47kQ至4.93kQ，所述第三電阻為9.9kQ至 10. Ik Q，所述第四電阻為0Q至0. 05 Q，所述第五電阻的阻值為31.35 Q至34. 65Q，所述 第六電阻的阻值為2. 178k Q至2. 222k Q，所述第七電阻的阻值為3. 831k Q至3. 939k Q, 所述第八電阻的阻值為10.45kQ至11. 55kQ，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管及第二場(chǎng)效應(yīng)管分別為 A0D452型及A0D472型場(chǎng)效應(yīng)管。
全文摘要
一種供電電路，用于為一電子裝置供電，其包括一脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元、一電流調(diào)整單元、一驅(qū)動(dòng)單元及一反饋單元。所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元輸出一脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)至所述驅(qū)動(dòng)單元。所述電流調(diào)整單元輸出至少一直流電流信號(hào)。所述驅(qū)動(dòng)單元輸出至少一控制信號(hào)至所述電流調(diào)整單元以控制所述電流調(diào)整單元的工作狀態(tài)，及輸出一直流電壓信號(hào)及一第一直流電流信號(hào)。所述電流調(diào)整單元輸出的直流電流信號(hào)及所述第一直流電流信號(hào)為所述電子裝置提供工作電流。所述電流反饋單元根據(jù)所述直流電壓信號(hào)產(chǎn)生一反饋電壓信號(hào)，并將所述反饋電壓信號(hào)輸出至所述脈沖寬度調(diào)制信號(hào)產(chǎn)生單元以調(diào)整所述脈沖寬度調(diào)制電壓信號(hào)。
文檔編號(hào)H02M3/155GK101872227SQ20091030170
公開(kāi)日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2009年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月21日
發(fā)明者胡可友 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司