專利名稱：斷路裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種斷路裝置。
背景技術：
中國專利文獻CN2276678Y公開了一種單相漏電保護器，機械脫扣開關電磁鐵線 圈、單向可控硅元件和二極管順序電連接結構的漏電保護器中增加一或門電路，使或門電 路中串聯(lián)的二個二極管按導通方向一致與單向可控硅元件、機械脫扣開關的電磁鐵線圈順 序電連接，另一個二極管的陰極與二個串聯(lián)二極管之間的導線電連接，陽極與地線接線端 子電連接。 上述現有技術的不足之處在于上述斷路裝置的為AC型斷路裝置，功能單一，抗 干擾性能較弱，易發(fā)生誤動作且耐用性較差。
實用新型內容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種抗干擾性能較強、不易發(fā)生誤動作且 耐壓性較好的斷路裝置。 為解決上述技術問題，本實用新型提供了一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機 械脫扣開關、單向可控硅電路、以及由并聯(lián)諧振回路；機械脫扣開關的電磁鐵線圈設于所述 橋式整流電路的交流端的回路中；其特征在于單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向 可控硅和第二單向可控硅；第一單向可控硅的K極接所述橋式整流電路的負極端，第二單 向可控硅的A極接所述橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅的G極串接第四電阻、第三 電容后接所述橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅的K極和G極之間設有第七電阻，第 一單向可控硅的K極和A極之間設有第六電阻，第二單向可控硅的K極和A極之間設有第 五電阻，第一單向可控硅的G極與所述并聯(lián)諧振回路相連，所述第五電阻和第六電阻的阻 值相同；所述第一單向可控硅的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。 本實用新型具有積極的效果(l)本實用新型的斷路裝置中，并聯(lián)諧振回路的諧 振頻率與市交流電源的頻率相同。當交流電源發(fā)生漏電時，電流互感器獲取的漏電信號也 為市交流電源的頻率(在我國為50Hz)。根據并聯(lián)諧振回路的特性，在我國當并聯(lián)諧振回 路處于諧振時，可使50Hz的漏電信號的觸發(fā)可控硅的效能處于最佳，以最有效地觸發(fā)可控 硅，同時使50Hz以外的干擾信號的觸發(fā)可控硅的效能較低，從而可有效抑制50Hz以外的干 擾信號，從而實現國家標準對斷路裝置的技術指標。因此，本實用新型的斷路裝置抗干擾性 能較強且不易發(fā)生誤動作。(2)在本實用新型中，采用兩個可控硅串聯(lián)，使該斷路裝置的耐 壓性能達千伏以上，故而耐壓性較好，克服了傳統(tǒng)的采用壓敏電阻和R-C吸收回路帶來的 不穩(wěn)定因素。(3)本實用新型中，并聯(lián)諧振回路并聯(lián)有雪崩穩(wěn)壓管，且雪崩穩(wěn)壓管的陽極與 單向可控硅的G極相連。雪崩穩(wěn)壓管的正向導通電壓不高于0.55V，且單向可控硅的觸發(fā) 電壓不低于0.56V。當外界干擾信號入侵時，雪崩穩(wěn)壓管首先導通，迅速排除了干擾信號， 以防止其觸發(fā)可控硅，而發(fā)生誤動作。(4)本實用新型中，第一單向可控硅的G極相連有低通濾波電路，用于濾掉高頻干擾信號，進一步保證斷路裝置的可靠性。(5)現有技術中，當 斷路裝置所在的220V市交流電的檢測回路中存在一個強脈沖干擾信號(例如，250A，前沿 為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)往往使電流互感器發(fā)生磁飽和，從而破壞了并聯(lián)諧振 回路的諧振頻率，因電流互感器磁飽和非線性產生的次諧波能觸發(fā)可控硅，從而使現有技 術的斷路裝置誤動作。而在本實用新型中，并聯(lián)諧振回路中采用的電流互感器的電感量不 小于20H ;以保證強脈沖干擾信號(250A，前沿為8微秒，后沿為20微秒的尖脈沖)不會使 電流互感器發(fā)生磁飽和，防止了次諧波觸發(fā)可控硅的情況。
圖1為本實用新型的斷路裝置的電原理圖； 圖2為本實用新型的另一種斷路裝置的電原理圖。
具體實施方式見圖l，本實施例的斷路裝置包括用于與市交流電源相連的橋式整流電路(包括 二極管D1、 D2、D3和D4)、用于設置在交流電源線路(即圖1中的標號l和2)中的機械脫 扣開關K1、單向可控硅電路、雪崩穩(wěn)壓管DW、以及由第一諧振電容C1、第二諧振電容C2和用 于檢測交流電源的漏電信號的電流互感器H1構成的并聯(lián)諧振回路。 單向可控硅電路包括第四電阻R4、第五電阻R5、第六電阻R6、第七電阻R7、相串 聯(lián)的第一單向可控硅BG1和第二單向可控硅BG2 ;第一單向可控硅BG1的K極接橋式整流 電路的負極端，第二單向可控硅BG2的A極接橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅BG2 的G極串接第四電阻R4、第三電容C3后接橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅BG2的 K極和G極之間設有第七電阻R7，第一單向可控硅BG1的K極和A極之間設有第六電阻R6， 第二單向可控硅BG2的K極和A極之間設有第五電阻R5，第一單向可控硅BG1的G極與并 聯(lián)諧振回路相連。第五電阻R5和第六電阻R6的阻值相同，從而可將橋式整流電路輸出的 電壓均分給兩個單向可控硅，當各單向可控硅的耐壓為500V時，整個斷路裝置的耐壓性能 即達到IOOOV。 機械脫扣開關K1的電磁鐵線圈KM設于橋式整流電路的交流端的回路中；低通濾 波電路與第一單向可控硅BG1的G極相連；低通濾波電路，用于濾掉高頻干擾信號，進一步 保證斷路裝置的可靠性。 電流互感器Hl的電感量為30H，諧振電容Cl和第二諧振電容C2的電容量之和為 0. 25uF，因此并聯(lián)諧振回路的諧振頻率為50Hz。根據并聯(lián)諧振回路的特性，當并聯(lián)諧振回 路發(fā)生諧振時，可使50Hz的干擾信號的觸發(fā)可控硅的效能處于最佳，以最有效地觸發(fā)可控 硅，同時使50Hz以外的干擾信號的觸發(fā)可控硅的效能較低，從而可有效抑制50Hz以外的干 擾信號。因此，本實用新型的斷路裝置抗干擾性能較強且不易發(fā)生誤動作。 雪崩穩(wěn)壓管DW與并聯(lián)諧振回路相并聯(lián)，且雪崩穩(wěn)壓管DW的陽極串接第二電阻R2 后與第一單向可控硅BG1的G極相連。雪崩穩(wěn)壓管DW的正向導通電壓不高于0.55V，且第 一單向可控硅BG1的觸發(fā)電壓不低于0.56V。還包括與雪崩穩(wěn)壓管DW相并聯(lián)的第一電阻 R1，與電流互感器H1相串聯(lián)的第二電阻R2 ;AN1為實驗按鈕，使用時起模擬漏電的作用。實 驗按鈕AN1串聯(lián)降壓電阻R8后與交流電源相連。[0014] 電流互感器H1置于金屬屏蔽罩內，防止外磁場使斷路裝置誤動作。 工作時，當來自并聯(lián)諧振回路的漏電信號有效觸發(fā)第一單向可控硅BG1時，第一 單向可控硅BG1導通，第一單向可控硅BG1的K極和A極之間的壓差迅速降至2V以下，第 三電容C3上的電壓通過第四電阻R4、第七電阻R7和第一單向可控硅BG1放電，此時第七電 阻R7上的電壓使第二單向可控硅BG2導通，電磁鐵線圈KM得電并使機械脫扣開關K1執(zhí)行 脫扣動作，即斷路裝置處于斷開狀態(tài)。 見圖2，作為另一種實施方式，雪崩穩(wěn)壓管DW的陰極串接第二電阻R2后接第一單 向可控硅BG1的G極，起到過壓保護的作用。
權利要求一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機械脫扣開關(K1)、單向可控硅電路、以及由并聯(lián)諧振回路；機械脫扣開關(K1)的電磁鐵線圈(KM)設于所述橋式整流電路的交流端的回路中；其特征在于單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向可控硅(BG1)和第二單向可控硅(BG2)；第一單向可控硅(BG1)的K極接所述橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅(BG2)的A極接所述橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅(BG2)的G極串接第四電阻(R4)、第三電容(C3)后接所述橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅(BG2)的K極和G極之間設有第七電阻(R7)，第一單向可控硅(BG1)的K極和A極之間設有第六電阻(R6)，第二單向可控硅(BG2)的K極和A極之間設有第五電阻(R5)，第一單向可控硅(BG1)的G極與所述并聯(lián)諧振回路相連，所述第五電阻(R5)和第六電阻(R6)的阻值相同；所述第一單向可控硅(BG1)的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。
專利摘要本實用新型涉及一種斷路裝置，包括橋式整流電路、機械脫扣開關、單向可控硅電路和并聯(lián)諧振回路；并聯(lián)諧振回路的諧振頻率與市交流電源的頻率相同；單向可控硅電路包括相串聯(lián)的第一單向可控硅和第二單向可控硅；第一單向可控硅的K極接橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅的A極接橋式整流電路的正極端，第二單向可控硅的G極串接第四電阻、第三電容后接橋式整流電路的負極端，第二單向可控硅的K極和G極之間設有第七電阻，第一單向可控硅的K極和A極之間設有第六電阻，第二單向可控硅的K極和A極之間設有第五電阻，第一單向可控硅的G極與并聯(lián)諧振回路相連。第一單向可控硅的G極與K極之間串聯(lián)有低通濾波電路。
文檔編號H02H3/32GK201478793SQ20092017755
公開日2010年5月19日 申請日期2009年9月1日 優(yōu)先權日2009年9月1日
發(fā)明者王笑麗 申請人:王笑麗