專(zhuān)利名稱(chēng)：一種雙向可控硅的保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種應(yīng)用于交流電網(wǎng)中的雙向可控硅的保護(hù)電路。
背景技術(shù)：
目前，在交流電網(wǎng)中，對(duì)感性負(fù)載的控制與開(kāi)關(guān)切換是雙向可控硅最常用的功能。 感性負(fù)載，如電動(dòng)機(jī)、電磁鐵、繼電器、電磁線(xiàn)圈等在開(kāi)關(guān)的瞬間會(huì)產(chǎn)生自感反向電動(dòng)勢(shì)與 輸入電壓串聯(lián)疊加，形成約兩倍左右的交流電網(wǎng)峰值電壓，施加于可控硅的陽(yáng)極上。如遇電 網(wǎng)電壓波動(dòng)、雷電、浪涌峰值時(shí)，會(huì)瞬時(shí)超過(guò)可控硅的極限安全值，而導(dǎo)致雙向可控硅的擊 穿損壞。所以雙向可控硅在以上領(lǐng)域應(yīng)用時(shí)，都必須在雙陽(yáng)極之間附加吸收保護(hù)電路。比 較常用的保護(hù)方案是采用阻容串聯(lián)電路，但是，該方案的缺點(diǎn)是吸收能量小，瞬態(tài)響應(yīng)速度 慢，匹配兼容性差，很難保證可控硅的絕對(duì)安全性。

發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本實(shí)用新型的目的在于提供一種利用壓敏電阻的雙 向壓敏特性實(shí)現(xiàn)的雙向可控硅保護(hù)電路。 本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案一種雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，包括雙 向可控硅，以及與該雙向可控硅的兩個(gè)陽(yáng)極端并聯(lián)的壓敏電阻，所述雙向可控硅和壓敏電 阻組成的并聯(lián)電路接入交流電源的火線(xiàn)、零線(xiàn)兩端。 上述壓敏電阻為氧化鋅壓敏電阻。所述壓敏電阻的嵌位電壓為500V。 上述雙向可控硅的兩個(gè)陽(yáng)極端還并聯(lián)有電阻和電容組成的阻容串聯(lián)電路。所述雙
向可控硅的觸發(fā)端通過(guò)光耦合器與控制電路連接。 本實(shí)用新型選用氧化鋅壓敏電阻作為雙向可控硅的峰值吸收保護(hù)元件，將壓敏電 阻并聯(lián)于雙向可控硅的雙陽(yáng)極之上，利用壓敏電阻的雙向壓敏特性，對(duì)保護(hù)對(duì)象(雙向可 控硅)進(jìn)行峰值電壓嵌位，吸收過(guò)電壓能量，任何時(shí)候都能使可控硅上所施加的電壓不超 過(guò)壓敏電阻的標(biāo)稱(chēng)電壓值范圍，從而達(dá)到有效、可靠地保護(hù)可控硅的目的。

圖1是本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體結(jié)構(gòu)作進(jìn)一步的描述。 如圖l所示，本實(shí)用新型所述雙向可控硅的保護(hù)電路(如圖中虛線(xiàn)框所示)，包括 雙向可控硅U2，以及與該雙向可控硅U2的兩個(gè)陽(yáng)極端并聯(lián)的壓敏電阻ZV2，所述雙向可控 硅U2和壓敏電阻ZV2組成的并聯(lián)電路接入負(fù)載的交流電源的火線(xiàn)(AC-L)、零線(xiàn)(AC-N)兩 端。所述雙向可控硅U2的兩端還并聯(lián)有電阻R28和電容C12組成的阻容串聯(lián)電路，雙向可 控硅U2的觸發(fā)端通過(guò)光耦合器IC5與控制電路連接，所述控制電路通過(guò)光耦合器IC5控制
3雙向可控硅U2的通斷，并進(jìn)一步控制負(fù)載的交流電源導(dǎo)通或關(guān)斷。 本實(shí)用新型利用氧化鋅壓敏電阻(5D471)的雙向壓敏特性，將雙向可控硅U2雙陽(yáng) 極上的反向峰值電壓嵌位在500V以?xún)?nèi)，從而可靠地防止器件過(guò)壓擊穿損壞。
權(quán)利要求一種雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，包括雙向可控硅，以及與該雙向可控硅的兩個(gè)陽(yáng)極端并聯(lián)的壓敏電阻，所述雙向可控硅和壓敏電阻組成的并聯(lián)電路接入交流電源的火線(xiàn)、零線(xiàn)兩端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，所述壓敏電阻為氧化鋅 壓敏電阻。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，所述壓敏電阻的嵌位 電壓為500V。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，所述雙向可控硅的兩個(gè) 陽(yáng)極端還并聯(lián)有電阻和電容組成的阻容串聯(lián)電路。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，所述雙向可控硅的觸發(fā) 端通過(guò)光耦合器與控制電路連接。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種雙向可控硅的保護(hù)電路，其特征在于，包括雙向可控硅，以及與該雙向可控硅的兩個(gè)陽(yáng)極端并聯(lián)的壓敏電阻，所述雙向可控硅和壓敏電阻組成的并聯(lián)電路接入交流電源的火線(xiàn)、零線(xiàn)兩端。本實(shí)用新型選用氧化鋅壓敏電阻作為雙向可控硅的峰值吸收保護(hù)元件，將壓敏電阻并聯(lián)于雙向可控硅的雙陽(yáng)極之上，利用壓敏電阻的雙向壓敏特性，對(duì)保護(hù)對(duì)象(雙向可控硅)進(jìn)行峰值電壓嵌位，吸收過(guò)電壓能量，任何時(shí)候都能使可控硅上所施加的電壓不超過(guò)壓敏電阻的標(biāo)稱(chēng)電壓值范圍，從而達(dá)到有效、可靠地保護(hù)可控硅的目的。
文檔編號(hào)H02H7/22GK201541121SQ20092023859
公開(kāi)日2010年8月4日 申請(qǐng)日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者肖培榮 申請(qǐng)人:佛山市南莊廣昌電器塑料有限公司