專利名稱：晶體管模塊及晶體管驅(qū)動模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶體管驅(qū)動模塊及晶體管模塊，尤其涉及一種具有過流保護的晶體管驅(qū)動模塊及晶體管模塊。
背景技術：
請參考圖1，為現(xiàn)有的直流轉(zhuǎn)直流降壓轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖。直流轉(zhuǎn)直流降壓轉(zhuǎn)換電路包含了一控制器10、內(nèi)建驅(qū)動電路的一晶體管開關20、一電感L、一輸出電容C、一電壓反饋電路VD，用以將一輸入電壓Vin轉(zhuǎn)換成一輸出電壓Vout以驅(qū)動一負載Load?？刂破?0接收由電壓反饋電路VD所產(chǎn)生的一電壓反饋信號VFB，并據(jù)此產(chǎn)生一脈寬調(diào)制信號 pwm0晶體管開關20包含一脈寬控制電路25、一上驅(qū)動電路30、一下驅(qū)動電路35、一上晶體管Ml以及一下晶體管M2。脈寬控制電路25接收脈寬調(diào)制信號pwm，以據(jù)此控制上晶體管Ml及下晶體管M2的導通與截止。如此，輸入電壓Vin通過晶體管開關20傳遞的電力大小受到控制，并經(jīng)電感L及輸出電容C的轉(zhuǎn)換使輸出電壓Vout可穩(wěn)定于一預定的電壓值。而為了能使上晶體管Ml能順利的導通與截止，一般會另外增加一自舉升壓電路 (BootstrapCircuit)，包含一二極管D及一升壓電容Cboot耦接于輸入電壓Vin及上晶體管Ml與下晶體管M2的連接點之間。因此，自舉升壓電路可提供高于上晶體管Ml與下晶體管M2的連接點約等于輸入電壓Vin的電位給上驅(qū)動電路30，使上驅(qū)動電路30得以控制上晶體管Ml的導通與截止。這種內(nèi)建驅(qū)動電路的晶體管開關的設計，可使控制器10不需耦接輸入電壓Vin而降低控制器10的耐壓要求。因此，控制器10的成本得以下降而減少了轉(zhuǎn)換電路的整體成本。然而，控制器10與晶體管開關20為兩個獨立的封裝，造成控制上會有時間延遲，而且由于控制器10與晶體管開關20之間僅通過脈寬調(diào)制信號pwm溝通，控制器10也無法精準得知上晶體管Ml及下晶體管M2的情況而導致實際應用時，上晶體管Ml及下晶體管M2經(jīng)常有過流燒毀的狀況。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于背景技術中的內(nèi)建驅(qū)動電路的晶體管開關容易過流燒毀的問題，本發(fā)明通過限流、過流保護的方式，避免晶體管因電流過大而燒毀而達到保護晶體管的優(yōu)點。為達上述目的，本發(fā)明提供了一種晶體管驅(qū)動模塊，耦接一轉(zhuǎn)換控制器，用以驅(qū)動串聯(lián)的一上晶體管及一下晶體管，上晶體管耦接一輸入電壓，下晶體管耦接地。晶體管驅(qū)動模塊包含一上驅(qū)動單元、一下驅(qū)動單元、一限流單元以及一穿越防止單元。上驅(qū)動單元根據(jù)一工作周期信號產(chǎn)生一上驅(qū)動信號以導通上晶體管，下驅(qū)動單元根據(jù)上驅(qū)動信號產(chǎn)生一下驅(qū)動信號以導通下晶體管。限流單元耦接上晶體管及上驅(qū)動單元，當流經(jīng)上晶體管的一電流高于一限流值時，發(fā)出一限流信號，以停止上驅(qū)動單元產(chǎn)生上驅(qū)動信號。穿越防止單元耦接該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元以控制該上驅(qū)動信號及該下驅(qū)動信號產(chǎn)生，使上驅(qū)動信號的時序與下驅(qū)動信號的時序不重疊。本發(fā)明也提供了一種晶體管模塊，耦接一輸入電壓，用以根據(jù)一轉(zhuǎn)換控制器的一工作周期信號傳送一電力至一輸出端。晶體管模塊包含一上晶體管、一下晶體管、一上驅(qū)動單元、一下驅(qū)動單元、一限流單元以及一穿越防止單元。上晶體管包含一第一端、一第二端及一第一控制端，第一端耦接一輸入電壓。下晶體管包含一第三端、一第四端及一第二控制端，一第三端耦接上晶體管的第二端，而第四端耦接地。上驅(qū)動單元耦接上晶體管的第一控制端，根據(jù)工作周期信號產(chǎn)生一上驅(qū)動信號以導通上晶體管，下驅(qū)動單元耦接下晶體管的第二控制端，根據(jù)上驅(qū)動信號產(chǎn)生一下驅(qū)動信號以導通下晶體管。限流單元耦接上晶體管的第一端及第二端，當?shù)谝欢思暗诙碎g的跨壓高于一限流電壓值時發(fā)出一限流信號，以停止上驅(qū)動單元產(chǎn)生上驅(qū)動信號。穿越防止單元耦接該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元以控制該上驅(qū)動信號及該下驅(qū)動信號產(chǎn)生，使上驅(qū)動信號的時序與下驅(qū)動信號的時序不重疊。以上的概述與接下來的詳細說明皆為示范性質(zhì)，是為了進一步說明本發(fā)明的申請專利范圍。而有關本發(fā)明的其他目的與優(yōu)點，將在后續(xù)的說明與圖示加以闡述。


圖1為現(xiàn)有的直流轉(zhuǎn)直流降壓轉(zhuǎn)換電路的電路示意圖。 圖2為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的轉(zhuǎn)換電路的局部電路示意圖< 圖3為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的晶體管模塊的電路示意圖< 附圖標記
控制器
25-脈寬控制電路； 35-下驅(qū)動電路； C-輸出電容； Vin-輸入電壓； Load-負載； pwm-脈寬調(diào)制信號； M2-下晶體管； Cboot-升壓電容； 102、202_ 第一與門； 106、206_第一反向器； 110,210-穿越防止單元； 114,214-過流保護單元； 135、235_下驅(qū)動單元； 209-驅(qū)動切換單元 218-操作暫停單元 MO-錯誤通知單元 Sug-下導通起始信號； VIli-限流電壓值； Csl、Cs2、Cs3、Cs4-電壓信號；Vocp-過流電壓值；
10 ；20-晶體管開關； 30-上驅(qū)動電路； L-電感；
VD-電壓反饋電路； Vout-輸出電壓； VFB-電壓反饋信號； Ml-上晶體管； D- 二極管；
100-晶體管驅(qū)動模塊； 104、204_ 第二與門； 108、208_第二反向器； 112,212-限流單元； 130、230_上驅(qū)動單元； 200-晶體管模塊； 216-計數(shù)單元； 220-逆流防止單元； PM-工作周期信號； Slg-上導通起始信號 SIli-限流信號；
Socp-過流信號；LG-下驅(qū)動信號；
UG-上驅(qū)動信號； VCC-電源引腳； GND-接地引腳；Phase-連接點引腳；Boot-升壓引腳；
PWM-控制信號引腳； Stu-保護信號； Scr-逆流防止信號； Smode-模式選擇信號；Md-操作暫停信號；Vcr- 一逆流判斷值；MODE-模式選擇引腳；VO-輸出端。
具體實施例方式請參考圖2，為根據(jù)本發(fā)明的一實施例的轉(zhuǎn)換電路的局部電路示意圖。轉(zhuǎn)換電路包含一轉(zhuǎn)換控制器(未示出)、晶體管驅(qū)動模塊100、一電感L、一輸出電容C、一上晶體管 Ml及一下晶體管M2，用以將一輸入電壓Vin的電力轉(zhuǎn)換而于一輸出端VO輸出。上晶體管 Ml及下晶體管M2串聯(lián)于輸入電壓Vin及接地電位之間，其中上晶體管Ml包含一第一端、一第二端、一第一控制端，下晶體管M2包含一第三端、一第四端、一第二控制端。上晶體管Ml 的第一端耦接輸入電壓Vin，上晶體管Ml的第二端耦接下晶體管M2的第三端，下晶體管M2 的第四端耦接地。晶體管驅(qū)動模塊100耦接轉(zhuǎn)換控制器以接收轉(zhuǎn)換控制器的工作周期信號 PM,以產(chǎn)生一上驅(qū)動信號UG及一下驅(qū)動信號LG，以分別控制上晶體管Ml及下晶體管M2的導通與截止，其中轉(zhuǎn)換控制器系根據(jù)輸出端VO的電力(例如輸出電壓或輸出電流)大小而產(chǎn)生工作周期信號PM，而工作周期信號PM可以是脈寬調(diào)制(Pulse WidthModulated)信號、脈頻調(diào)變(Pulse Frequency Modulated)信號或其組合。晶體管驅(qū)動模塊100封裝于單一封裝結(jié)構(gòu)，其包含一第一與門102、一第二與門 104、一第一反向器106、一穿越防止單元110、一限流單元112、一上驅(qū)動單元130以及一下驅(qū)動單元135。第一與門102接收工作周期信號PM以產(chǎn)生一高準位信號至上驅(qū)動單元130， 使上驅(qū)動單元130產(chǎn)生上驅(qū)動信號UG導通外接的上晶體管Ml。穿越防止單元110接收上驅(qū)動信號UG，在上驅(qū)動單元130產(chǎn)生上驅(qū)動信號UG的終止時點(即上晶體管Ml由導通轉(zhuǎn)為截止的時間點)后一預定時間后產(chǎn)生高準位的一下導通起始信號Sug。第二與門104接收到下導通起始信號Sug后產(chǎn)生一高準位信號至下驅(qū)動單元135，使下驅(qū)動單元135產(chǎn)生下驅(qū)動信號LG導通外接的下晶體管M2。穿越防止單元110也同時接收下驅(qū)動信號LG，在下驅(qū)動單元135產(chǎn)生下驅(qū)動信號LG的終止時點(即下晶體管M2由導通轉(zhuǎn)為截止的時間點) 后一預定時間后產(chǎn)生高準位的一上導通起始信號Slg。第一與門102同時接收上導通起始信號Slg，在上導通起始信號Slg及工作周期信號PM同時為高準位時輸出高準位信號，使上驅(qū)動單元130產(chǎn)生上驅(qū)動信號W。通過穿越防止單元110，可使上驅(qū)動信號UG的時序與下驅(qū)動信號LG的時序不重疊，也就是上晶體管Ml的導通周期與下晶體管M2的導通周期之間留有死區(qū)時間(dead time)，以避免穿通(short through)發(fā)生。另外，為了使上晶體管 Ml能順利地被導通與截止，可增加一二極管D及一升壓電容Cboot耦接于輸入電壓Vin及上晶體管Ml與下晶體管M2的連接點之間，使升壓電容Cboot可提供一高于上晶體管Ml與下晶體管M2的連接點的電位給上驅(qū)動單元130。限流單元112耦接上晶體管Ml的第一端及第二端，以偵測流經(jīng)上晶體管Ml的電流大小。上晶體管Ml導通時具有一導通阻抗，電流流過時會產(chǎn)生一跨壓于上晶體管Ml的第一端及第二端之間。當跨壓高于一限流電壓值VIli時，代表流經(jīng)上晶體管Ml的電流高于一限流值，此時限流單元112發(fā)出高準位的一限流信號Slli，經(jīng)第一反向器106反向成低準位后輸入第一與門102，以停止上驅(qū)動單元130產(chǎn)生上驅(qū)動信號UG0如此，即可避免上晶體管Ml因電流過大而燒毀的可能。由于電路反應上有時間的延遲，以及一些電路上的寄生元件、噪聲或電路異常都可能使上晶體管Ml的電流在頂?shù)较蘖髦岛笕猿掷m(xù)上升一段時間，而使電流接近或超過上晶體管Ml或下晶體管M2的耐流極限。為避免上述的問題，晶體管驅(qū)動模塊100可以額外加入一過流保護單元114。過流保護單元114耦接上晶體管Ml的第一端及第二端，以偵測流經(jīng)上晶體管Ml的電流大小。當?shù)谝欢思暗诙说碾妷盒盘朇sl、Cs2的差(即兩端的跨壓)高于一過流電壓值Vocp時，代表流經(jīng)上晶體管Ml的電流高于一過流值，此時過流保護單元114立即發(fā)出高準位的一過流信號Socp。其中，過流電壓值Vocp大于限流電壓值VIli 為佳。過流信號Socp經(jīng)一第二反向器108反向成低準位后輸入第一與門102及第二與門 104，以分別停止上驅(qū)動單元130及下驅(qū)動單元135產(chǎn)生上驅(qū)動信號UG及下驅(qū)動信號LG直至晶體管驅(qū)動模塊100被重新啟動為止。如此，即可避免上晶體管Ml因過流過大而燒毀的可能。請參考圖3，為根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的晶體管模塊的電路示意圖。相較于第二圖所示的晶體管驅(qū)動模塊100，本實施例的晶體管模塊200將上晶體管Ml及下晶體管M2 與晶體管驅(qū)動模塊封裝于同一封裝結(jié)構(gòu)。晶體管模塊200包含一第一與門202、一第二與門 204、一第一反向器206、一驅(qū)動切換單元209、一穿越防止單元210、一限流單元212、一上驅(qū)動單元230、一下驅(qū)動單元235、一上晶體管Ml以及一下晶體管M2。上晶體管Ml的第一端通過輸入電源引腳VCC耦接輸入電壓Vin，上晶體管Ml的第二端耦接下晶體管M2的第三端并連接至一連接點引腳Wiase，下晶體管M2的第四端通過接地引腳GND耦接地。上驅(qū)動單元230通過一升壓引腳Boot耦接自舉升壓電路(未示出)。第一與門202通過控制信號引腳PWM接收轉(zhuǎn)換控制器(未示出)的工作周期信號PM。驅(qū)動切換單元209可以是一反向器，將工作周期信號PM反向后輸入第二與門204，使第一與門202與第二與門204產(chǎn)生高準位輸出信號的時序彼此反相。另外，在本實施例中的穿越防止單元210可以是由兩個反向器組成，分別用以將上驅(qū)動信號UG反向后輸入第二與門204及將下驅(qū)動信號LG反向后輸入第一與門202，使上晶體管Ml及下晶體管M2的導通時序彼此錯開而達到防止穿越的保護作用。其余電路的操作與第二圖所示的晶體管驅(qū)動模塊100相同，在此不累述。以下就兩實施例的電路差異點進行說明。在本實施例，過流保護單元214耦接下晶體管M2的第三端及第四端，以偵測流經(jīng)下晶體管M2的電流大小。當?shù)谌思暗谒亩说碾妷盒盘朇s3、Cs4的差(即兩端的跨壓) 高于過流電壓值Vocp時，代表流經(jīng)下晶體管M2的電流高于過流值，此時過流保護單元214 立即持續(xù)發(fā)出高準位的一過流信號Socp。由于下晶體管M2的第四端耦接地，偵測下晶體管M2以作為過流的判斷可以降低電路噪聲的干擾而有更精確的過流判斷。為了避免上晶體管Ml由導通轉(zhuǎn)截止到下晶體管M2導通的死區(qū)時間內(nèi)，因上晶體管Ml與下晶體管M2的連接點引腳Wiase的尖峰(Spike)而影響過流判斷，可以另外增加一操作暫停單元218來避免。操作暫停單元218耦接該過流保護單元及上驅(qū)動單元230，在偵測到上驅(qū)動信號UG的終止時點時(即上晶體管Ml由導通轉(zhuǎn)為截止的時間點)開始的一預定暫停時間長度內(nèi)， 發(fā)出一操作暫停信號Std至過流保護單元214。過流保護單元214在接收到操作暫停信號 Md的時間內(nèi)停止操作。另外，在本實施例中額外設置了一計數(shù)單元216，用以計數(shù)過流保護單元214產(chǎn)生過流信號Socp的次數(shù)。當產(chǎn)生過流信號Socp的次數(shù)到達一預定次數(shù)值時產(chǎn)生高準位的一保護信號Mu。保護信號Stu經(jīng)一第二反向器208反向成低準位后輸入第一與門202及第二與門204，以分別停止上驅(qū)動單元230及下驅(qū)動單元235產(chǎn)生上驅(qū)動信號UG及下驅(qū)動信號LG直至晶體管模塊200被重新啟動為止。通過計數(shù)單元216可以濾除因噪聲等所造成的過流誤判。當然，也可以增加計數(shù)單元(未示出)在限流單元212之后以接收限流信號SIli 并計數(shù)。在計數(shù)的次數(shù)達預定次數(shù)值時才將保護信號傳送至第一與門202以停止上驅(qū)動單元 230。另外，本發(fā)明可在發(fā)生限流和/或過流的情況通知前級的轉(zhuǎn)換控制器，使轉(zhuǎn)換控制器進行對應的保護。如圖3所示，可額外增加一錯誤通知單元M0，接收限流信號SIli和 /或保護信號Mu，并據(jù)此產(chǎn)生一錯誤信號Fault以通知外部電路。晶體管模塊200中也可以設置一逆流防止單元220，以防止流經(jīng)下晶體管M2的電流發(fā)生逆流，即電流由連接點引腳Wiase流入，經(jīng)下晶體管M2而由接地引腳GND流出。逆流的發(fā)生不僅會降低電路的不必要功率而降低效率外，也可能使輸出較不穩(wěn)定。逆流防止單元220耦接下晶體管M2的第三端及第四端，以根據(jù)電壓信號Cs3、Cs4進行判斷，在流經(jīng)下晶體管M2的電流低于一逆流判斷值Vcr時，產(chǎn)生低準位的一逆流防止信號Scr至第二與門204，以停止下驅(qū)動單元235產(chǎn)生下驅(qū)動信號LG，使下晶體管M2截止。再者，本實施例的晶體管模塊200也可以通過一模式選擇引腳MODE接收一模式選擇信號Smode。當模式選擇信號Smode為高準位時，下驅(qū)動單元235維持正常操作。當模式選擇信號Smode為低準位時，下驅(qū)動單元235停止操作。例如當輕載時，模式選擇信號 Smode可以為低準位，使下晶體管M2停止切換，以減少電路的切換損耗。本發(fā)明通過上述的限流的方式，可使流經(jīng)晶體管的電流被限制在限流值之內(nèi)；或電路異?；蚱渌蛟斐呻娏鳠o法被有效限制在限流值之內(nèi)時，通過過流保護的方式停止晶體管的切換，因此可以有效避免晶體管因電流過大而燒毀而達到保護晶體管的優(yōu)點。如上所述，本發(fā)明完全符合專利三要件新穎性、創(chuàng)造性和產(chǎn)業(yè)上的實用性。本發(fā)明在上文中已以較佳實施例揭示，然本領域技術人員應理解的是，該實施例僅用于描述本發(fā)明，而不應解讀為限制本發(fā)明的范圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效的變化與置換， 均應設為涵蓋在本發(fā)明的范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍當以權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，耦接一轉(zhuǎn)換控制器，用以驅(qū)動串聯(lián)的一上晶體管及一下晶體管，該上晶體管耦接一輸入電壓，該下晶體管耦接地，該晶體管驅(qū)動模塊包含一上驅(qū)動單元，根據(jù)該轉(zhuǎn)換控制器的一工作周期信號產(chǎn)生一上驅(qū)動信號以導通該上晶體管；一下驅(qū)動單元，根據(jù)該上驅(qū)動信號產(chǎn)生一下驅(qū)動信號以導通該下晶體管； 一限流單元，耦接該上晶體管及該上驅(qū)動單元，當流經(jīng)該上晶體管的一電流高于一限流值時，發(fā)出一限流信號，以停止該上驅(qū)動單元產(chǎn)生該上驅(qū)動信號；以及一穿越防止單元，耦接該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元以控制該上驅(qū)動信號及該下驅(qū)動信號產(chǎn)生，使該上驅(qū)動信號的時序與該下驅(qū)動信號的時序不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一過流保護單元，當流經(jīng)該上晶體管的該電流高于一過流值時，產(chǎn)生一過流信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一過流保護單元，當流經(jīng)該下晶體管的一電流高于一過流值時，產(chǎn)生一過流信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一操作暫停單元，耦接該過流保護單元，在每次該上驅(qū)動單元產(chǎn)生該上驅(qū)動信號的終止時點的一預定暫停時間長度內(nèi)，停止該過流保護單元的操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一計數(shù)單元耦接該過流保護單元，當該過流信號的產(chǎn)生次數(shù)高于一預定次數(shù)值時產(chǎn)生一保護信號，以停止該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元操作。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一逆流防止單元，當流經(jīng)該下晶體管的一電流低于一逆流判斷值時，產(chǎn)生一逆流防止信號，以停止該下驅(qū)動單元產(chǎn)生該下驅(qū)動信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，其中該晶體管驅(qū)動模塊接收一模式選擇信號時，停止該下驅(qū)動單元操作。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶體管驅(qū)動模塊，其特征在于，更包含一錯誤通知單元， 根據(jù)該限流信號或該過流信號產(chǎn)生一錯誤信號以通知一外部電路。
9.一種晶體管模塊，其特征在于，耦接一輸入電壓，用以根據(jù)一轉(zhuǎn)換控制器的一工作周期信號傳送一電力至一輸出端，該晶體管模塊包含一上晶體管，包含一第一端、一第二端及一第一控制端，該第一端耦接該輸入電壓； 一下晶體管，包含一第三端、一第四端及一第二控制端，該第三端耦接該上晶體管的該第二端，而該第四端耦接地；一上驅(qū)動單元，耦接該上晶體管的該第一控制端，根據(jù)該工作周期信號產(chǎn)生一上驅(qū)動信號以導通該上晶體管；一下驅(qū)動單元，耦接該下晶體管的該第二控制端，根據(jù)該上驅(qū)動信號產(chǎn)生一下驅(qū)動信號以導通該下晶體管；一限流單元，耦接該上晶體管的該第一端及該第二端，當該第一端及該第二端間的跨壓高于一限流電壓值時，發(fā)出一限流信號，以停止該上驅(qū)動單元產(chǎn)生該上驅(qū)動信號；以及一穿越防止單元，耦接該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元以控制該上驅(qū)動信號及該下驅(qū)動信號產(chǎn)生，使該上驅(qū)動信號的時序與該下驅(qū)動信號的時序不重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一過流保護單元，當該第一端及該第二端間的該跨壓高于一過流電壓值時，產(chǎn)生一過流信號。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一過流保護單元，當該下晶體管的該第三端與該第四端間的跨壓高于一過流電壓值時，產(chǎn)生一過流信號。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一操作暫停單元，耦接該過流保護單元，在每次該上驅(qū)動單元產(chǎn)生該上驅(qū)動信號的終止時點的一預定暫停時間長度內(nèi)，停止該過流保護單元的操作。
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12任一所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一計數(shù)單元耦接該過流保護單元，當該過流信號的產(chǎn)生次數(shù)高于一預定次數(shù)值時產(chǎn)生一保護信號，以停止該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元操作。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至12任一所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一逆流防止單元，當該下晶體管的該第三端與該第四端間的跨壓低于一逆流判斷電壓值時，產(chǎn)生一逆流防止信號，以停止該下驅(qū)動單元產(chǎn)生該下驅(qū)動信號。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至12任一所述的晶體管模塊，其特征在于，其中該晶體管模塊接收一模式選擇信號時，停止該下驅(qū)動單元操作。
16.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的晶體管模塊，其特征在于，更包含一錯誤通知單元，根據(jù)該限流信號或該過流信號產(chǎn)生一錯誤信號以通知一外部電路。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種晶體管模塊及晶體管驅(qū)動模塊，耦接一轉(zhuǎn)換控制器，用以驅(qū)動串聯(lián)的一上晶體管及一下晶體管，上晶體管耦接一輸入電壓，下晶體管耦接地。晶體管驅(qū)動模塊包含一上驅(qū)動單元、一下驅(qū)動單元、一限流單元以及一穿越防止單元。上驅(qū)動單元根據(jù)一工作周期信號產(chǎn)生一上驅(qū)動信號以導通上晶體管，下驅(qū)動單元根據(jù)上驅(qū)動信號產(chǎn)生一下驅(qū)動信號以導通下晶體管。限流單元耦接上晶體管及上驅(qū)動單元，當流經(jīng)上晶體管的一電流高于一限流值時，發(fā)出一限流信號，以停止上驅(qū)動單元產(chǎn)生上驅(qū)動信號。穿越防止單元耦接該上驅(qū)動單元及該下驅(qū)動單元以控制該上驅(qū)動信號及該下驅(qū)動信號產(chǎn)生，使上驅(qū)動信號的時序與下驅(qū)動信號的時序不重疊。
文檔編號H02H7/20GK102377335SQ20101025749
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月16日
發(fā)明者余仲哲, 吳斯敏, 徐獻松, 李立民 申請人:登豐微電子股份有限公司