專利名稱：一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路及其啟動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種開(kāi)關(guān)電源芯片的低耗電啟動(dòng)電路及 其啟動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
開(kāi)關(guān)電源具有體積小，效率高以及電流大的優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電器、 筆記本電腦適配器及LED驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合。參見(jiàn)圖1，該圖為現(xiàn)有技術(shù)中的開(kāi)關(guān)電源的電路圖。電壓源103通過(guò)電阻114對(duì)芯 片110的Vcc端充電，當(dāng)Vcc端達(dá)到芯片110的啟動(dòng)電壓，芯片110內(nèi)部電路開(kāi)始工作，使 得輸出out端輸出高電平，開(kāi)關(guān)管101導(dǎo)通，變壓器102原邊電感儲(chǔ)能，當(dāng)電阻104上的電 壓達(dá)到芯片內(nèi)部參考電平時(shí)，開(kāi)關(guān)管101關(guān)閉，變壓器102原邊電感能量傳遞到副邊，經(jīng)過(guò) 幾個(gè)周期的能量傳遞，輸出Vout建立。參見(jiàn)圖2，該圖為一種典型開(kāi)關(guān)電源芯片的內(nèi)部框架圖。圖2中標(biāo)號(hào)202為供電模 塊，202所示為常用的啟動(dòng)電路的做法，作用是產(chǎn)生芯片其他模塊所需的電壓信號(hào)、電流信 號(hào)以及使其他模塊工作的使能信號(hào)。啟動(dòng)和uvlo (under voltage lock out欠壓鎖定)模 塊203利用zener (齊納擊穿)的擊穿電位，決定啟動(dòng)和uvlo電壓，由于受到zener嵌位電 壓的限制，不能精確的設(shè)計(jì)Vcc uvlo電壓。同時(shí)需要耗費(fèi)比較大的啟動(dòng)電流。另外該結(jié)構(gòu) 還需要使用高壓厚柵mos器件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，具有很低的啟動(dòng) 電流，降低啟動(dòng)功耗，可以靈活準(zhǔn)確地設(shè)置使開(kāi)關(guān)電源芯片停止工作的Vcc電壓下限。本發(fā)明提出一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，所述啟動(dòng)電路包括供電電壓Vcc上電模塊，用于在外部供電電壓Vcc電壓高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓 時(shí)，產(chǎn)生模擬信號(hào)E8;芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊，用于接收所述模 擬信號(hào)E8，建立芯片所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)，建立芯片所需的低壓工作電壓 Vdd，輸出P0W_R信號(hào)為H時(shí)，芯片啟動(dòng)完成；芯片的UVLO模塊，當(dāng)供電電壓Vcc電壓低于Vcc UVLO電壓值時(shí)，使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電 源芯片停止工作。優(yōu)選地，所述供電電壓Vcc上電模塊包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第
一二極管、第二二極管，第三二極管反向串聯(lián)在所述第二二極管和第一 Pmos管之間；與所 述第一 Pmos管相并聯(lián)的第一 Nmos管； 所述供電電壓Vcc上電模塊還包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第一電阻 和第二電阻以及第二 Nmos管； 所述供電電壓Vcc上電模塊還包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第三Nmos管、第二 Pmos管以及模擬信號(hào)E8發(fā)生器。優(yōu)選地，所述芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊包括 與所述模擬信號(hào)E8發(fā)生器相連的第四Nmos管，與第四Nmos管相連的Vref產(chǎn)生模塊，與所 述Vref產(chǎn)生模塊相連的電流產(chǎn)生模塊和工作電壓產(chǎn)生模塊。優(yōu)選地，所述芯片的UVLO模塊包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第三電阻和 第五Nmos管，以及與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第四、五、六電阻；第一比較器的輸入端與第四、五電阻分別相連，第一比較器的參考電壓端接收第 一參考電壓；第一比較器的輸出與第一 RS觸發(fā)器相連，第一 RS觸發(fā)器與所述第一 Nmos管 相連；第二比較器的輸入端與第五、六電阻分別相連，第二比較器的參考電壓端接收第 二參考電壓；第二比較器的輸出與第二 RS觸發(fā)器相連，第二 RS觸發(fā)器與所述第五Nmos管 相連。優(yōu)選地，所述預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓為第一二極管，第二二極管正向電壓與第三二 極管的反向嵌位電壓之和。優(yōu)選地，所述預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓為18V。優(yōu)選地，所述第一參考電壓為9V，第二參考電壓為8V。本發(fā)明還提供一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路的啟動(dòng)方法，包括以下步驟開(kāi)關(guān)電源芯片的供電電壓Vcc的上電過(guò)程301、判斷外部供電電壓Vcc是否高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓，當(dāng)Vcc高于預(yù)先設(shè)計(jì) 的啟動(dòng)電壓，則執(zhí)行302步驟；302、產(chǎn)生模擬信號(hào)E8，模擬信號(hào)E8信號(hào)建立后，執(zhí)行步驟303和步驟304 ；303、允許芯片的電壓偏置模塊工作；304，允許芯片的電流偏置模塊工作，同時(shí)建立除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊 所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)；305、建立芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的工作電壓Vdd ；306、工作電壓Vdd建立好后，產(chǎn)生芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的使能 信號(hào)，整個(gè)芯片開(kāi)始進(jìn)入正常工作；開(kāi)關(guān)電源芯片的供電電壓Vcc的下電過(guò)程307、判斷到Vcc電壓是否低于第一參考電壓VI，若是執(zhí)行步驟308 ；308、在使得芯片的除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊正常工作的前提下，關(guān)閉芯 片的輸出模塊，同時(shí)提供一條使Vcc繼續(xù)放電的通路，保證Vcc的內(nèi)部耗電大于外部給電， 使得Vcc進(jìn)一步減小，執(zhí)行步驟309 ；309、判斷到Vcc是否低于第二參考電壓V2，若是執(zhí)行步驟310 ；310、Vdd 開(kāi)始減??；311、當(dāng)Vdd減小到不能使得除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊正常的電壓V3時(shí)， P0W_S信號(hào)輸出為H時(shí)，芯片的其它模塊的停止工作；312、關(guān)閉芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的電流信號(hào)。優(yōu)選地，所述第一參考電壓為9V，第二參考電壓為8V。本發(fā)明相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)具有以下的技術(shù)效果
由于本發(fā)明實(shí)施例所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，由于供電電壓Vcc上電模塊在 外部供電電壓Vcc電壓高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓時(shí)，產(chǎn)生模擬信號(hào)E8，因此，本發(fā)明實(shí)施例 所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路具有很低的啟動(dòng)電流，降低啟動(dòng)功耗。芯片電壓偏置/電流 偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊接收所述模擬信號(hào)E8，建立芯片所需的電壓偏置信 號(hào)和電流偏置信號(hào)，建立芯片所需低壓工作電壓Vdd，控制輸出P0W_R信號(hào)為H時(shí)，芯片啟 動(dòng)完成。當(dāng)供電電壓Vcc電壓低于Vcc UVLO電壓值時(shí)，芯片的UVLO模塊使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電 源芯片停止工作，因此可以精確設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源芯片停止工作的Vcc電壓下限即Vcc UVLO電 壓。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可 以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中的開(kāi)關(guān)電源的電路圖；圖2是一種典型開(kāi)關(guān)電源芯片的內(nèi)部框架圖；圖3是本發(fā)明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路的時(shí)序圖；圖4是本發(fā)明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖；圖5是本發(fā)明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路各信號(hào)的波形圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，具有很低的啟動(dòng) 電流，降低啟動(dòng)功耗，可以靈活準(zhǔn)確地設(shè)置使開(kāi)關(guān)電源芯片停止工作的Vcc電壓下限即Vcc UVLO電壓。為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案的原理，下面結(jié)合圖1 進(jìn)行具體說(shuō)明。參見(jiàn)圖3，圖3是本發(fā)明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路的時(shí)序圖。供電電壓Vcc的上電過(guò)程如下301、判斷外部供電電壓Vcc是否高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓，一旦Vcc高于預(yù)先設(shè) 計(jì)的啟動(dòng)電壓，則執(zhí)行302步驟。Vcc電壓是通過(guò)外部電阻充電實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的供電的。302、產(chǎn)生模擬信號(hào)E8，模擬信號(hào)E8信號(hào)建立后，執(zhí)行步驟303和步驟304。303、允許芯片的電壓偏置模塊工作。304，允許芯片的電流偏置模塊工作，同時(shí)還可以建立其他模塊(除供電模塊以外 的芯片內(nèi)所有模塊)所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)。305、建立芯片其他低壓模塊(除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有低壓模塊)的工作電 壓 Vdd。306、工作電壓Vdd建立好后，產(chǎn)生芯片其他模塊(除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有 模塊)的使能信號(hào)，整個(gè)芯片開(kāi)始進(jìn)入正常工作。
供電電壓Vcc的下電過(guò)程如下307、判斷到Vcc電壓是否低于第一參考電壓Vl (參見(jiàn)圖5，V1可以設(shè)定為9V)，若 是執(zhí)行步驟308。308、在使得芯片的其他模塊(除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊)正常工作的前 提下，關(guān)閉芯片的輸出模塊，保證芯片不會(huì)出現(xiàn)異常輸出狀態(tài)，同時(shí)提供一條使Vcc繼續(xù)放 電的通路，保證Vcc的內(nèi)部耗電大于外部給電，使得Vcc進(jìn)一步減小，執(zhí)行步驟309。309、判斷到Vcc是否低于第二參考電壓V2(參見(jiàn)圖5，V2可以設(shè)定為8V)，若是執(zhí) 行步驟310。310、Vdd 開(kāi)始減小。311、當(dāng)Vdd減小到不能使得其它模塊(除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊)正常 的電壓V3時(shí)(參見(jiàn)圖5，V2可以設(shè)定為3V)，P0ff_S信號(hào)輸出為H時(shí)，芯片的其它模塊的停
止工作。312、關(guān)閉芯片其它模塊(除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊)的電流信號(hào)。參見(jiàn)圖4和圖5，圖4是本發(fā)明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路結(jié)構(gòu)圖，圖5是本發(fā) 明所述開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路各信號(hào)的波形圖。供電電壓Vcc上電模塊401，用于在外部供電電壓Vcc電壓高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電 壓時(shí)，產(chǎn)生模擬信號(hào)E8。供電電壓Vcc上電模塊401具體可以包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的 第一二極管404、第二二極管405，第三二極管406反向串聯(lián)在所述第二二極管405和第一 Pmos管407之間；與所述第一 Pmos管407 (耗盡型Pmos管)相并聯(lián)的第一 Nmos管408。此時(shí)，所述預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓可以為第一二極管404，第二二極管405正向電壓 與第三二極管406的反向嵌位電壓之和。供電電壓Vcc上電模塊401還可以包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第一 電阻409和第二電阻4010以及第二 Nmos管413。所述供電電壓Vcc上電模塊401還可以還包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián) 的第三Nmos管414、第二 Pmos管415以及模擬信號(hào)E8發(fā)生器416。芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊402，用于接收所述 模擬信號(hào)E8，建立芯片所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)，建立芯片所需的低壓工作電 壓Vdd，輸出P0W_R信號(hào)為H時(shí)，芯片啟動(dòng)完成。芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊402具體可以包括 與所述模擬信號(hào)E8發(fā)生器416相連的第四Nmos管417，與第四Nmos管417相連的Vref產(chǎn) 生模塊418，與所述Vref產(chǎn)生模塊418相連的電流產(chǎn)生模塊420和工作電壓產(chǎn)生模塊419。芯片的UVLO模塊403，當(dāng)供電電壓Vcc電壓低于Vcc UVLO電壓值時(shí)，使得整個(gè)開(kāi) 關(guān)電源芯片停止工作。芯片的UVLO模塊具體可以包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第三電阻421 和第五Nmos管422，以及與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第四、五、六電阻423、424、425。第一比較器426的輸入端與第四、五電阻423、似4分別相連，第一比較器似6的參 考電壓端接收第一參考電壓；第一比較器似6的輸出與第一 RS觸發(fā)器4 相連，第一 RS觸 發(fā)器4 與所述第一 Nmos管408相連。
第二比較器427的輸入端與第五、六電阻424、425分別相連，第二比較器427的參 考電壓端接收第二參考電壓；第二比較器427的輸出與第二 RS觸發(fā)器4 相連，第二 RS觸 發(fā)器429與所述第五Nmos管422相連。所述預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓可以設(shè)定為18V，所述第一參考電壓可以設(shè)定為9V，第 二參考電壓可以設(shè)定為8V。參見(jiàn)圖5所示的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路各信號(hào)的波形圖。下面結(jié)合圖4詳細(xì)說(shuō)明Vcc啟動(dòng)電路的實(shí)現(xiàn)方式。供電電壓Vcc上電模塊401在Vcc電壓大于第一二極管404、第二二極管405正向 電壓與第三二極管406的反向嵌位電壓之和時(shí)，第一 Pmos管407導(dǎo)通，供電電壓Vcc上電 模塊401開(kāi)始工作，在此之前，芯片不消耗任何電流。第一 Pmos管407導(dǎo)通后，由第一二極管404，第二二極管405，第三二極管406，第 一 Pmos管407組成的支路，電流受到第一 Pmos管407的限制，只有nA級(jí)電流。第一 Pmos 管407門(gate)電位的提高導(dǎo)致第二 Nmos管413導(dǎo)通，并產(chǎn)生電流，電阻409上的電位使 得第二 Pmos管415導(dǎo)通。此時(shí)，模擬信號(hào)E8達(dá)到一定電位。模擬信號(hào)E8用于隔離Vcc與 Vref/Vdd產(chǎn)生電路，這樣就可以避免使用高壓厚柵mos器件。模擬信號(hào)E8建立好后，芯片 電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊402開(kāi)始工作。模擬信號(hào)E8信號(hào)使得第四Nmos管417導(dǎo)通，進(jìn)而建立參考電壓Vref。參考電壓 Vref輸入到電流產(chǎn)生模塊420產(chǎn)生芯片其他模塊所需的電流偏置，并輸出I^biaS_R信號(hào)。 當(dāng)Pbias_R = H時(shí)，表明電流偏置建立完成。參考電壓Vref以及電流偏置Ibias_Vdd輸入 到工作電壓產(chǎn)生模塊419 (Vdd產(chǎn)生模塊)產(chǎn)生工作電壓Vdd。同時(shí)，芯片其他模塊所需的電 壓偏置也建立完成，工作電壓產(chǎn)生模塊419最終輸出P0W_R信號(hào)，當(dāng)信號(hào)P0W_R = H時(shí)，表 明芯片啟動(dòng)完成。當(dāng)Vcc電壓低于第一電壓Vl (參見(jiàn)圖5，V1可以設(shè)定為9V)時(shí)，第二比較器427輸 出反轉(zhuǎn)，此時(shí)，關(guān)閉芯片的輸出模塊，但沒(méi)有關(guān)閉Vdd、Vref、IbiaS，此時(shí)第五Nmos管422導(dǎo) 通，Vcc通過(guò)第三電阻421加速放電。當(dāng)Vcc下降到低于第二電壓V2(參見(jiàn)圖5，V2可以設(shè) 定為8V)時(shí)，第一比較器似6輸出反轉(zhuǎn)，通過(guò)第一 RS觸發(fā)器4 產(chǎn)生信號(hào)UVL02，信號(hào)UVL02 使得第一 Nmos管408導(dǎo)通，關(guān)閉第二 Nmos管413，模擬信號(hào)E8被拉到很低的電位，Vdd、 Vref, Ibias均消失，工作電壓產(chǎn)生模塊419輸出信號(hào)P0W_R = L，芯片其他模塊停止工作。參見(jiàn)圖5所示，第一電壓Vl = 9V，第二電壓V2 = 8V。以上對(duì)本發(fā)明所提供的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用 了具體個(gè)例對(duì)本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說(shuō)明只是用于幫助理解 本發(fā)明的方法及其核心思想；同時(shí)，對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具 體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處，綜上所述，本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明 的限制。
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權(quán)利要求
1.一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述啟動(dòng)電路包括供電電壓Vcc上電模塊，用于在外部供電電壓Vcc電壓高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓時(shí)，產(chǎn) 生模擬信號(hào)E8 ；芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊，用于接收所述模擬信號(hào) E8，建立芯片所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)，建立芯片所需的低壓工作電壓Vdd，輸 出P0W_R信號(hào)為H時(shí)，芯片啟動(dòng)完成；芯片的UVLO模塊，當(dāng)供電電壓Vcc電壓低于Vcc UVLO電壓值時(shí)，使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電源芯 片停止工作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述供電電壓Vcc上 電模塊包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第一二極管、第二二極管，第三二極管反向 串聯(lián)在所述第二二極管和第一 Pmos管之間；與所述第一 Pmos管相并聯(lián)的第一 Nmos管；所述供電電壓Vcc上電模塊還包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第一電阻和第 二電阻以及第二 Nmos管；所述供電電壓Vcc上電模塊還包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第三Nmos管、 第二 Pmos管以及模擬信號(hào)E8發(fā)生器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述芯片電壓偏置 /電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊包括與所述模擬信號(hào)E8發(fā)生器相連的第四 Nmos管，與第四Nmos管相連的Vref產(chǎn)生模塊，與所述Vref產(chǎn)生模塊相連的電流產(chǎn)生模塊 和工作電壓產(chǎn)生模塊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述芯片的UVLO模 塊包括與所述外部供電電壓Vcc相串聯(lián)的第三電阻和第五Nmos管，以及與所述外部供電電 壓Vcc相串聯(lián)的第四、五、六電阻；第一比較器的輸入端與第四、五電阻分別相連，第一比較器的參考電壓端接收第一參 考電壓；第一比較器的輸出與第一 RS觸發(fā)器相連，第一 RS觸發(fā)器與所述第一 Nmos管相連；第二比較器的輸入端與第五、六電阻分別相連，第二比較器的參考電壓端接收第二參 考電壓；第二比較器的輸出與第二 RS觸發(fā)器相連，第二 RS觸發(fā)器與所述第五Nmos管相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述預(yù)先設(shè) 計(jì)的啟動(dòng)電壓為第一二極管，第二二極管正向電壓與第三二極管的反向嵌位電壓之和。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述預(yù)先設(shè)計(jì)的啟 動(dòng)電壓為18V。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，其特征在于，所述第一參考電壓 為9V，第二參考電壓為8V。
8.一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路的啟動(dòng)方法，其特征在于，包括以下步驟開(kāi)關(guān)電源芯片的供電電壓Vcc的上電過(guò)程.301、判斷外部供電電壓Vcc是否高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓，當(dāng)Vcc高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟 動(dòng)電壓，則執(zhí)行302步驟；.302、產(chǎn)生模擬信號(hào)E8，模擬信號(hào)E8信號(hào)建立后，執(zhí)行步驟303和步驟304；.303、允許芯片的電壓偏置模塊工作；.304，允許芯片的電流偏置模塊工作，同時(shí)建立除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)；·305、建立芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的工作電壓Vdd;·306、工作電壓Vdd建立好后，產(chǎn)生芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的使能信 號(hào)，整個(gè)芯片開(kāi)始進(jìn)入正常工作；開(kāi)關(guān)電源芯片的供電電壓Vcc的下電過(guò)程·307、判斷到Vcc電壓是否低于第一參考電壓VI，若是執(zhí)行步驟308；·308、在使得芯片的除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊正常工作的前提下，關(guān)閉芯片的 輸出模塊，同時(shí)提供一條使Vcc繼續(xù)放電的通路，保證Vcc的內(nèi)部耗電大于外部給電，使得 Vcc進(jìn)一步減小，執(zhí)行步驟309 ；·309、判斷到Vcc是否低于第二參考電壓V2，若是執(zhí)行步驟310；·310、Vdd開(kāi)始減小；·311、當(dāng)Vdd減小到不能使得除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊正常的電壓V3時(shí)，P0W_ S信號(hào)輸出為H時(shí)，芯片的其它模塊的停止工作；·312、關(guān)閉芯片除供電模塊以外的芯片內(nèi)所有模塊的電流信號(hào)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路的啟動(dòng)方法，其特征在于，所述第 一參考電壓為9V，第二參考電壓為8V。
全文摘要
一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路，包括供電電壓Vcc上電模塊，用于在外部供電電壓Vcc電壓高于預(yù)先設(shè)計(jì)的啟動(dòng)電壓時(shí)，產(chǎn)生模擬信號(hào)E8；芯片電壓偏置/電流偏置產(chǎn)生及芯片低壓部分電源產(chǎn)生模塊，用于接收所述模擬信號(hào)E8，建立芯片所需的電壓偏置信號(hào)和電流偏置信號(hào)，建立芯片所需的低壓工作電壓Vdd，最終輸出POW_R信號(hào)為H時(shí)，芯片啟動(dòng)完成；芯片的UVLO模塊，當(dāng)供電電壓Vcc電壓低于Vcc UVLO電壓值時(shí)，使得整個(gè)開(kāi)關(guān)電源芯片停止工作。本發(fā)明提供一種開(kāi)關(guān)電源芯片的啟動(dòng)電路及其啟動(dòng)方法，具有很低的啟動(dòng)電流，降低啟動(dòng)功耗，可以靈活準(zhǔn)確地設(shè)置使開(kāi)關(guān)電源芯片停止工作的Vcc電壓下限。
文檔編號(hào)H02M1/36GK102097927SQ20111002026
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2011年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月18日
發(fā)明者劉娜, 徐思遠(yuǎn), 朱慧珍, 段建華, 陳澤強(qiáng) 申請(qǐng)人:Bcd半導(dǎo)體制造有限公司