專利名稱：切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，尤其涉及一種具有低阻抗的靜電放電保護(hù)電路以及適用于高壓轉(zhuǎn)換的切換式調(diào)整器。
背景技術(shù)：
在設(shè)計(jì)電子裝置時(shí)，靜電放電(Electrostatic Discharge，ESD)是很重要的事， 尤其是集成電路。人類的身體是暴露靜電放電到集成電路的主要來(lái)源，此被稱為人體模式 (Human Body Model, HBM)ESD源。150PF的人體電容量可以誘發(fā)出一約0. 6C電荷，并可引導(dǎo)出4KV或更大的潛在靜電。當(dāng)人體接觸到任何的接地物體，例如集成電路的接腳，將可能導(dǎo)致放電大約IOOns的尖峰電流到集成電路。第二個(gè)ESD的來(lái)源是來(lái)自于金屬物體，并被認(rèn)定如設(shè)備模式(Machine Model, MM)ESD源極。該匪ESD源極是具有一大電容值及低于 HBM ESD源極的內(nèi)部阻抗的特性。該匪ESD模式能導(dǎo)致ESD瞬態(tài)的上升時(shí)間比HBM ESD 源極較高。一第三ESD模式是組件充電裝置模式(charged device model，CDM)，不同于該 HBM ESD源極及MM ESD源極，為該CDM ESD源極可以讓集成電路本身自行充電及放電到接地端的功能。如此，在集成電路內(nèi)的ESD放電電流的流動(dòng)方向會(huì)與HB MESD源極及匪ESD 源極的流動(dòng)方向相反，CDM脈沖的上升時(shí)間也比HBM ESD源極快速。長(zhǎng)期存在的問(wèn)題在于如果高電壓不經(jīng)易的作用在IC封裝的接腳上，該放電將使組件的柵極氧化層崩潰。此崩潰有可能造成組件立即毀壞或使氧化物削弱，諸如此類的問(wèn)題將縮短組件的工作壽命，進(jìn)而造成裝置外在的不良。特別是CMOS (Complementary Metal Oxide kmiconductor 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體),輸出電路或是由一大NMOS (N-Mental-Oxide-Semiconductor金屬-氧化物-半導(dǎo)體) 及大PMOS晶體管組合而成的輸入及輸出電路。這些大的輸出晶體管會(huì)連接到IC的外部端。該輸出晶體管的基極來(lái)自于大二極管的陰極或陽(yáng)極，其中各自的輸出晶體管會(huì)與反向二極管相互連接。N型井PMOS晶體管會(huì)與VDD相互連接，并將正電壓或電源供應(yīng)電位給 IC (integrated circuit集成電路板)。P型井NMOS晶體管會(huì)與IC內(nèi)的接地電位相互連接。大部份商業(yè)上流行的CMOS透過(guò)額外的P型材料，讓所有的N型井逐一形成二極管接點(diǎn)， 所有P型井和潛在地電位的P型材料連接在一起。一些集成電路的ESD網(wǎng)絡(luò)，會(huì)額外的加入二極管，并且該二極管會(huì)與輸出晶體管中二極管并聯(lián)，該輸出晶體管中的二極管成為該輸出晶體管中不可或缺的一部分。此種做法改善IC的外部端與功率總線內(nèi)部之間的二極管連接。如圖1所示，為傳統(tǒng)的切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路。由切換式調(diào)整器的LX 接腳來(lái)傳遞脈波信號(hào)。為了考慮切換式調(diào)整器的功效，LX接腳不能外加一額外的靜電放電保護(hù)電路。因此，切換式調(diào)整器的LX接腳上的靜電放電問(wèn)題，傳統(tǒng)上都是采用靜電放電設(shè)計(jì)規(guī)范來(lái)解決，也就是將功率NMOS 3及功率PMOS 2的基極端與門極端的距離加大，并且額外照上一 ESD保護(hù)組件5。如此的設(shè)計(jì)將增加較高的接通阻抗(Ron)，以承受流過(guò)功率PMOS 2至ESD保護(hù)組件的ESD電流。雖然功率NMOS 3及功率PMOS 2的ESD設(shè)計(jì)規(guī)范能增加功率MOS的接通阻抗，但卻降低了切換式調(diào)整器的效能。也是就是說(shuō)，傳統(tǒng)的靜電放電設(shè)計(jì)會(huì)增加靜電放電保護(hù)能力但是卻降低了電路的效能。Robert的美國(guó)核準(zhǔn)專利第5，012，317案的靜電充電保護(hù)電路及Amitava的美國(guó)核準(zhǔn)專利第5，907，462案的靜電充電保護(hù)電路與門極雙SCR的ESD保護(hù)電路同樣地揭露了需要改變ESD保護(hù)架構(gòu)的IC生產(chǎn)技術(shù)，一般而言演變的過(guò)程是從改變ESD保護(hù)裝置的能力， 到改變ESD保護(hù)裝置的運(yùn)作方式。但是此種演變過(guò)程中會(huì)發(fā)現(xiàn)該保護(hù)架構(gòu)內(nèi)的寄生雙極裝置會(huì)因?yàn)楣杌锇步狱c(diǎn)及淺溝渠隔離層(shallow trench isolation, STI)而降低其功效，阻礙到正確的觸發(fā)及傳導(dǎo)。這些過(guò)程更加趨向往更小裝置的垂直及水平特征尺寸演化， 使ESD裝置更加容易損壞。然而在某些情況下，不斷朝更小裝置尺寸的發(fā)展并沒(méi)有緩和IC終端的電壓需求。 例如，一現(xiàn)今制程制造出具有0. 18 μ信道長(zhǎng)度的晶體管，及具有7奈米或更小厚度的閘電介質(zhì)，必須仍然容忍集成電路的輸入及輸出端的操作電壓大于7伏特。許多集成電路也要求有故障安全的輸入及輸出端，該方法是指任何的終端都不能箝位任何的電源供應(yīng)軌。因此當(dāng)裝置處于關(guān)閉狀態(tài)下，終端電壓不能傳導(dǎo)大電流。在多重電壓系統(tǒng)上，有輸入及輸出的電力順序限制，所以故障安全格外的重要。根據(jù)上述問(wèn)題，本案是利用一電路來(lái)克服先前技術(shù)的缺點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，為提供一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，在靜電放電出現(xiàn)時(shí)，可關(guān)掉功率MOS裝置來(lái)改善電路效能。本發(fā)明的另一目的，為提供一種高壓轉(zhuǎn)換的切換式調(diào)整器靜電放電保護(hù)電路，能有效地增加電路上的功率MOS裝置的接通阻抗及提供高壓轉(zhuǎn)換及高靜電放電容忍值的切換式調(diào)整器。為達(dá)成以上的目的，本發(fā)明提供一切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，包括一非重疊電路、一 P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一二極管、一數(shù)字邏輯AND間、一 N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一 Lx 接腳以及一 ESD保護(hù)組件。該非重疊電路有一第一輸出端及一第二輸出端，該第一輸出端輸出一默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)(說(shuō)明書(shū)中的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)與權(quán)利要求書(shū)中的第一默認(rèn)值信號(hào)是同一概念)，該第二輸出端輸出一默認(rèn)值B信號(hào)(說(shuō)明書(shū)中的默認(rèn)值B信號(hào)與權(quán)利要求書(shū)中的第二默認(rèn)值信號(hào)是同一概念)。該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管有一柵極端、一源極端及一基極端。該柵極端與非重疊電路的第一輸出端電性連接，并且接收由第一輸出端所輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)。該二極管與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的源極端及基極端電性連接，其作用是用來(lái)提供一靜電放電回路。一數(shù)字邏輯AND柵，具有二個(gè)輸入端及一輸出端，其中一輸入端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，并且接受非重疊電路的第二輸出端所輸出的默認(rèn)值B信號(hào)，而另一輸入端則用以接收一 EN訊號(hào)，該數(shù)字邏輯AND柵的輸出端則輸出一信號(hào)。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端、一源極端及一基極端。該柵極端與數(shù)字邏輯AND柵的輸出端電性連接，并且接收該數(shù)字邏輯AND柵所輸出的信號(hào)，該基極端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與一地端電性連接。一 Lx接腳，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端及該N 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，用來(lái)輸出一轉(zhuǎn)換電壓。一 ESD保護(hù)組件，具有二端，一端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，另一端則與地端電性連接，其作用是當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，用來(lái)保護(hù)P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，該非重疊電路的默認(rèn)值B信號(hào)及邏輯 AND柵的EN信號(hào)會(huì)有不一樣的信號(hào)電平。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，可以使用異質(zhì)接面雙極性晶體管(HBT)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、假晶高速電子移動(dòng)晶體管(PHEMT)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)及平面二次擴(kuò)散的金氧半場(chǎng)效晶體管(LDMOS)來(lái)選擇該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。為了達(dá)成以上的目地，本發(fā)明是提供一種高壓轉(zhuǎn)換的切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，包括一非重疊電路、一 P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一寄生二極管、一數(shù)字邏輯AND柵、一對(duì)串聯(lián)的電阻及電容、一 Lx接腳、及一 ESD保護(hù)組件。該非重疊電路有一第一輸出端及一第二輸出端，第一輸出端輸出一默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)，第二輸出端輸出一默認(rèn)值B信號(hào)。該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端、一源極端及一基極端，該柵極端與非重疊電路的第一輸出端電性連接，并且接收由第一輸出端所輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)。該二極管，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的源極端及基極端電性連接，其作用是用來(lái)提供一靜電放電回路。一數(shù)字邏輯AND柵，，具有二個(gè)輸入端及一輸出端，其中一輸入端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，并且接收非重疊電路的第二輸出端所輸出的默認(rèn)值B信號(hào)，而另一輸入端接收一 EN訊號(hào)，該數(shù)字邏輯AND柵的輸出端則輸出一信號(hào)。N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端，一源極端及一基極端， 該基極端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與一地端電性連接。一 RC電路，包含一電阻及一電容，該電阻的其中一端與數(shù)字邏輯AND柵的輸出端電性連接，該電阻用以接收及傳送數(shù)字該數(shù)字邏輯AND柵的輸出信號(hào)到P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極端，該電容的其中一端與電阻另一端及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極端電性連接。并且將電容的另一端與地端電性連接，其作用是當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，提供一延遲時(shí)間。一 ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管， 有一柵極端、一源極端及一基極端。該柵極端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，該基極端與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與地端電性連接，其作用是用來(lái)提供一靜電放電回路。一 Lx接腳，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端、該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，其作用是用來(lái)輸出一轉(zhuǎn)換電壓。一 ESD保護(hù)組件，具有二端，一端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，另一端則與地端電性連接，其作用是當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，用來(lái)保護(hù)該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，該非重疊電路的默認(rèn)值B信號(hào)及邏輯 AND柵的EN信號(hào)會(huì)有不一樣的信號(hào)電平。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，作用在LX接腳的電壓會(huì)少于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管上閘極端的崩潰電壓。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管是依據(jù)靜電放電(ESD)法則布局。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，在ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管被開(kāi)啟之后，則N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)因?yàn)镽C電路而延遲開(kāi)啟。依據(jù)本發(fā)明的一觀點(diǎn)，延遲時(shí)間是介于5奈秒到20奈秒之間。為讓本發(fā)明之上述和其他目的、特征、和優(yōu)點(diǎn) 能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的切換式調(diào)整器的ESD保護(hù)電路示意圖；圖2為本發(fā)明的第一實(shí)施例的切換式調(diào)整器的ESD保護(hù)電路示意圖；以及

圖3為本發(fā)明的第二實(shí)施例的高壓轉(zhuǎn)換的切換式調(diào)整器的ESD保護(hù)電路示意圖。主要組件符號(hào)說(shuō)明1非重疊電路2P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管3N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管4 二極管5ESD保護(hù)電路110非重疊電路111默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)112默認(rèn)值B信號(hào)120P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管121 二極管130N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管140數(shù)字邏輯AND柵141EN訊號(hào)150ESD保護(hù)組件160Lx接腳170靜電放電210 —對(duì)串聯(lián)的電阻和電容 220ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管200切換式調(diào)整器的靜電 100切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路放電保護(hù)電路
具體實(shí)施方式雖然本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式的實(shí)施例，但附圖所示者及于下文中說(shuō)明者，系為用以了解本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并請(qǐng)了解本文所揭示者系考慮為本發(fā)明的一范例，且并非意圖用以將本發(fā)明限制于圖示或所描述的特定實(shí)施例中。在MOS集成電路，輸入端通常都是連接到一個(gè)或多個(gè)MOS晶體管的驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O。 傳統(tǒng)上應(yīng)用MOS的術(shù)語(yǔ)，是指任一絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)，或是包含這種晶體管的集成電路。此外，集成電路的所有接腳都提供電壓保護(hù)電路可防止MOS柵極被破壞。一般而言，這些保護(hù)電路都是被放置在芯片的輸入及輸出接點(diǎn)上，并與晶體管柵極接點(diǎn)相互連接，且被設(shè)計(jì)為進(jìn)行導(dǎo)電或承受崩潰，因此，當(dāng)過(guò)量的電壓產(chǎn)生時(shí)，會(huì)提供一電回路到地端(或到電源供應(yīng)軌)。當(dāng)輸出接腳上的電壓達(dá)到可能損壞柵極氧化的準(zhǔn)位之前，此類的保護(hù)裝置被設(shè)計(jì)為崩潰狀態(tài)(指通過(guò)一大電量及消耗瞬間的能量)。由于該崩潰機(jī)制是被設(shè)計(jì)為非破壞性，所以該保護(hù)電路提供一常開(kāi)放路徑，只有當(dāng)高電壓出現(xiàn)在輸入端或輸出端時(shí)才會(huì)關(guān)閉該路徑，靜電電流電到互相連接的節(jié)點(diǎn)ο為了解本發(fā)明的精髓，請(qǐng)參閱圖2所示，系為本發(fā)明的切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路的第一實(shí)施例的示意圖。其中該電路100包括一非重疊電路110、一P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120、一二極管121、一數(shù)字邏輯AND柵140、一 N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130、一 Lx接腳160 及一 ESD保護(hù)組件150。該切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路100可以利用0. 18ym,0. 13 μ m，0.09 μ m， 0. 045 μ m,0. 023 μ m, 0.011 μ m或先進(jìn)制程來(lái)實(shí)行。該非重疊電路110具有第一輸出端及第
二輸出端，該第一輸出端輸出一默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111，該第二輸出端輸出一默認(rèn)值B信號(hào)112。 該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120，具有一柵極端，一源極端及一基極端。該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的柵極端與非重疊電路110的第一輸出端電性連接，并且接收從非重疊電路110的第一輸出端所輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111。該二極管121，與該P(yáng) 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的源極端及基極端電性連接，其作用是用來(lái)提供一靜電放電170回路。該數(shù)字邏輯AND柵140，具有二個(gè)輸入端及一輸出端。而該數(shù)字邏輯AND柵140的其中一輸入端與非重疊電路110的第二輸出端電性連接，并且接收非重疊電路110的第二輸出端所輸出的默認(rèn)值B信號(hào)112。該數(shù)字邏輯AND柵140的另一輸入端接收一 EN訊號(hào)141，該輸出端提供一數(shù)字邏輯AND柵140的輸出信號(hào)。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130具有一柵極端、一源極端及一基極端。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的柵極端與數(shù)字邏輯AND柵140的輸出端電性連接。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的基極端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的基極端電 性連接，并且接收該數(shù)字邏輯AND柵140所輸出的信號(hào)。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的源極端與一地端電性連接。一 Lx接腳160與該P(yáng) 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的基極端及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的基極端電性連接，其作用是輸出一轉(zhuǎn)換電壓。該ESD保護(hù)組件150，具有二端，一端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的基極端電性連接，另一端則與地端電性連接。ESD保護(hù)組件150其作用是當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)用來(lái)保護(hù)P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130。應(yīng)注意到，如果MOS裝置開(kāi)啟， MOS裝置的接通阻抗(Ron)將會(huì)變的較低，如果MOS裝置關(guān)閉，MOS裝置的斷開(kāi)阻抗(Roff) 將會(huì)變高。換句話說(shuō)，當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)，該靜電放電170的電流將會(huì)引入Lx接腳160。 其中該切換式調(diào)整器的ESD保護(hù)電路100，如下所述在間隔周期內(nèi)，該非重疊電路110的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及默認(rèn)值B信號(hào)112可以是高信號(hào)電平或低信號(hào)電平。在間隔周期內(nèi)， 非重疊電路110的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111與該數(shù)字邏輯AND柵140的EN訊號(hào)141具有相同信號(hào)電平。在間隔周期內(nèi)，P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130具有不同操作狀態(tài)。當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)，該非重疊電路110的默認(rèn)值B信號(hào)112及數(shù)字邏輯AND柵140 的EN訊號(hào)141會(huì)有不同的信號(hào)電平。現(xiàn)在請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2所示，如果VCC為零，該非重疊電路的第一及第二輸出端輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及默認(rèn)值B信號(hào)112兩者都將處于低信號(hào)電平。在此條件下，P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130兩者都是處于關(guān)閉狀態(tài)。將會(huì)使得該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的阻抗及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的阻抗都是處于高阻抗?fàn)顟B(tài)，該靜電放電170的電流會(huì)經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150，最后傳送到接地端。如果VCC不為零，在間隔周期內(nèi)，該非重疊電路的第一及第二輸出端輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及默認(rèn)值B信號(hào)112其中之一是處于低信號(hào)電平而另外一個(gè)是處于高信號(hào)電平。例如，當(dāng)默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111為高信號(hào)電平時(shí)，將使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120變成為開(kāi)啟狀態(tài)。另一方面，默認(rèn)值B信號(hào)112為低信號(hào)電平時(shí)與EN訊號(hào)141為高信號(hào)電平時(shí)，將會(huì)輸出一低信號(hào)電平到數(shù)字邏輯AND柵140，促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130處于關(guān)閉狀態(tài)。在此條件下，靜電放電170的電流將會(huì)經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件 150，最后傳送到接地端。另一例子，將具有高信號(hào)電平的默認(rèn)值B信號(hào)112及低信號(hào)電平的EN訊號(hào)141輸入到數(shù)字邏輯AND柵140，將會(huì)輸出一低信號(hào)電平，促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130是處于關(guān)閉狀態(tài)。另一方面，低信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111將會(huì)使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120處于關(guān)閉狀態(tài)。在此條件下，靜電放電170的電流也將經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150， 最后傳送到接地端.在間隔周期內(nèi)，P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130具有不同操作狀態(tài)。第一實(shí)施例的描述主要是指出靜電放電的電流170將經(jīng)由ニ極管121回路傳送到靜電 放電保護(hù)組件150然后到接地端。第一實(shí)施例的目的是保護(hù)沒(méi)有靜電放電保護(hù)架構(gòu)的該N 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130。在第一實(shí)施例中數(shù)字邏輯AND柵140的作用是當(dāng)靜電放電170出現(xiàn) 吋，關(guān)閉N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130。然而作用在Lx接腳160上的電壓可能升高或高于N溝道 的場(chǎng)效應(yīng)管130的崩潰電壓因而導(dǎo)致N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130崩潰或突返(snap-back)。因 此作用在Lx接腳160的電壓被要求少于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的崩潰電壓及該電路100 的人體模式(HBM)的ESD能力會(huì)高于^v電壓。本發(fā)明的第二實(shí)施例，提供了克服升高電壓作用在Lx接腳上使N溝道的場(chǎng)效應(yīng) 管130的崩潰問(wèn)題。現(xiàn)在請(qǐng)參閱圖3所示，ー種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路200，另 包括一非重疊電路110、一 P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120、一二極管121、一數(shù)字邏輯AND柵140、 一對(duì)串聯(lián)的電阻和電容210、一 N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130、一 ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220、一 Lx 接腳160及一 ESD保護(hù)組件150。同樣地，切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路200可利用 0. 18um,0. 13u m, 0. 09 u m, 0. 045 um,0. 023 u m, 0. Oil u m 或先進(jìn)制程來(lái)實(shí)行。該非重疊電路110具有第一輸出端及第ニ輸出端，該第一輸出端輸出ー默認(rèn)值A(chǔ) 信號(hào)111，該第二輸出端輸出ー默認(rèn)值B信號(hào)112。該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120，具有ー柵極 端、一源極端及一基極端。該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的柵極端與非重疊電路110的第一輸 出端電性連接，并且接收該非重疊電路110的第一輸出端所輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111。該 ニ極管121，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的源極端及基極端電性連接，其作用是用來(lái)提供一 靜電放電回路170。該數(shù)字邏輯AND柵140，具有ニ個(gè)輸入端及ー輸出端。該數(shù)字邏輯AND 柵140的其中一輸入端與非重疊電路110的第二輸出端電性連接，并且接收非重疊電路110 的第二輸出端所輸出的默認(rèn)值B信號(hào)112。該數(shù)字邏輯AND柵140的另ー輸入端接收ー EN 訊號(hào)141，該數(shù)字邏輯AND柵140的輸出端則輸出一信號(hào)。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130具有ー柵極端、一源極端及一基極端。該N溝道的場(chǎng)效 應(yīng)管130的基極端與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的基極端電性連接。該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130 的源極端與接地端電性連接。該RC電路210包含一電阻及一電容。該電阻的其中一端與 數(shù)字邏輯AND柵140的輸出端電性連接，該電阻接收及傳送該數(shù)字邏輯AND柵140的輸出 信號(hào)到P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的柵極端，該電容的其中一端與電阻另一端及N溝道的場(chǎng)效 應(yīng)管130的柵極端電性連接，并且將電容的另一端與接地端電性連接。RC電路210的作用 是當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)，用來(lái)提供一延遲時(shí)間。該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220，有ー柵極 端、一源極端及一基極端。該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220的柵極端與非重疊電路110的第 ニ輸出端電性連接，該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220的基極端與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的基 極端電性連接，該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220的源極端與接地端電性連接。該ESD N溝道 的場(chǎng)效應(yīng)管220的作用是用來(lái)提供ー靜電放電回路。該Lx接腳160與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng) 管120的基極端、該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的基極端及ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220的基極 端電性連接，其作用是輸出ー轉(zhuǎn)換電壓。該ESD保護(hù)組件150具有ニ端，其一端與該P(yáng)溝道 的場(chǎng)效應(yīng)管120的基極端電性連接，另一端則與接地端電性連接，該ESD保護(hù)組件150的作 用是當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，用來(lái)保護(hù)P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130。應(yīng)當(dāng)注意，前述的該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120、該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130及該ESD N信 道MOS裝置220可以選擇利用異質(zhì)接面雙極性晶體管(HBT)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、假晶高速電子移動(dòng)晶體管(PHEMT)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)及平面二次擴(kuò)散的金氧半場(chǎng)效晶體管(LDMOS)進(jìn)行替代。此外，當(dāng)P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120接收到默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)及默認(rèn)值B信號(hào)的信號(hào)電平時(shí)，將會(huì)開(kāi)啟或關(guān)閉該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120的柵極端、N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的柵極端及 ESD N信道MOS裝置220的柵極端。應(yīng)當(dāng)注意，該RC電路210會(huì)產(chǎn)生延遲時(shí)間，該延遲時(shí)間長(zhǎng)短是由電阻的電阻值及電容的電容量來(lái)決定。換句話說(shuō) ，當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)，該靜電放電170的電流將被引入Lx接腳160。 其中該高壓轉(zhuǎn)換的切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路200，如下所述現(xiàn)在請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3所示，如果VCC為零，該非重疊電路的第一及第二輸出端所輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及默認(rèn)值B信號(hào)112兩者都將處于低信號(hào)電平。在此條件下，該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130兩者都將處于關(guān)閉狀態(tài)。將會(huì)使得靜電放電 170的電流經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150，最后傳送到接地端。如果VCC不為零，在間隔周期內(nèi)，該非重疊電路的第一及第二輸出端輸出的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及默認(rèn)值B信號(hào)112其中之一將處于低信號(hào)電平，而另外一個(gè)則處于高信號(hào)電平。并且會(huì)產(chǎn)生四種狀況例一，具有高信號(hào)電平的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111可能使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120變成為開(kāi)啟狀態(tài)，另一方面，將具有低信號(hào)電平的默認(rèn)值B信號(hào)112及高信號(hào)電平的EN訊號(hào)141輸出一低信號(hào)電平到數(shù)字邏輯AND柵140，促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130處于關(guān)閉狀態(tài)。在此條件下，只需要一靜電放電170回路。該靜電放電170的電流也是經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150，最后再傳送到接地端。例二，具有高信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111將使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120變成為開(kāi)啟狀態(tài)，另一方面，將具有低信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值B信號(hào)112及低信號(hào)位準(zhǔn)的EN訊號(hào)141輸出一高信號(hào)電平到數(shù)字邏輯AND柵 140，可能會(huì)促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130處于開(kāi)啟狀態(tài)。因?yàn)閿?shù)字邏輯AND柵140輸出一高信號(hào)位準(zhǔn)通過(guò)RC電路210，將會(huì)產(chǎn)生一延遲時(shí)間。因此在ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220將處于開(kāi)啟狀態(tài)，該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130也可能被延遲開(kāi)啟。換句話說(shuō)，由于該RC電路210 提供一延遲時(shí)間，所以靜電放電170的電流并不會(huì)通過(guò)N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130，而導(dǎo)致N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130在接收從數(shù)字邏輯AND柵140所輸出一高信號(hào)位準(zhǔn)之前，該靜電放電170 的電流將會(huì)傳送到ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220。在此條件下，會(huì)有二個(gè)靜電放電170回路。 其中一回路是靜電放電170電流經(jīng)由二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150，最后傳送到接地端。另一回路是靜電放電170電流透過(guò)ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220回路并直接傳送到接地端。如例三，具有低信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111將使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120變成為關(guān)閉狀態(tài)。另一方面，將具有高信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值B信號(hào)112及低信號(hào)位準(zhǔn)的EN訊號(hào)141 輸出一低信號(hào)電平到數(shù)字邏輯AND柵140，將促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130處于關(guān)閉狀態(tài)。在此條件下，因?yàn)楣β蔒OS裝置具有高阻抗，因此不需任何一靜電放電170回路。如例四，具有低位準(zhǔn)的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111可能使P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120變成為關(guān)閉狀態(tài)。另一方面，將具有高信號(hào)位準(zhǔn)的默認(rèn)值B信號(hào)112及高信號(hào)位準(zhǔn)的EN 141輸入一高信號(hào)位準(zhǔn)到數(shù)字邏輯 AND柵140，將促使N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130處于開(kāi)啟狀態(tài)，再來(lái)，因?yàn)樵摂?shù)字邏輯AND柵140 輸出一高信號(hào)電平通過(guò)RC電路210，所以會(huì)產(chǎn)生一延遲時(shí)間。因此該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220處于開(kāi)啟狀態(tài)后，將延遲該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130的開(kāi)啟。換句話說(shuō)，由于該RC電路210提供一延遲時(shí)間，所以靜電放電170的電流將不會(huì)通過(guò)N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130，因而導(dǎo)致該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130在接收該數(shù)字邏輯AND柵140所輸出一高信號(hào)電平之前，靜電放電170的電流傳送到ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220。在此條件下，只有一個(gè)靜電放電170 回路，該靜電放電170電流會(huì)經(jīng)由ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220回路并直接傳送到接地端。總之，該靜電放電170的電流經(jīng)過(guò)二極管121回路傳送到ESD保護(hù)組件150，最后傳送到接地端。此外也會(huì)經(jīng)由ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220回路直接傳送到接地端。在間隔周期內(nèi)，非重疊電路110的默認(rèn)值A(chǔ)信號(hào)111及該數(shù)字邏輯AND柵140的EN訊號(hào)141具有相同信號(hào)電平。在間隔周期內(nèi)，P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130具有不同操作狀態(tài)。當(dāng)靜電放電170出現(xiàn)時(shí)，該非重 疊電路110的默認(rèn)值B信號(hào)112及數(shù)字邏輯AND 柵140的EN訊號(hào)141會(huì)有不同的信號(hào)電平。應(yīng)注意，作用在Lx接腳160的電壓是少于N 溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130，該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的終端的崩潰電壓是依據(jù)ESD規(guī)范所設(shè)計(jì)。 此外，如果該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟，該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220將維持在開(kāi)啟的狀態(tài)來(lái)降低N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的接通電阻。其中該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220被設(shè)計(jì)放置于Lx 接腳下面。換句話說(shuō)，該ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220不僅是一 ESD保護(hù)電路也是可以降低功率MOS裝置的接通阻抗的實(shí)體電路。在間隔周期內(nèi)，N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130和P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管120具有不同的操作狀態(tài)。該RC電路210所提供的延遲時(shí)間是約5奈秒到20奈秒，其中最佳的延遲時(shí)間是10奈秒。第二實(shí)施例的敘述主要是說(shuō)明該靜電放電170的電流經(jīng)由二極管121回路傳送到 ESD保護(hù)組件150，最后傳送到接地端。或經(jīng)由ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220回路然后直接傳送到接地端。第二實(shí)施例的目的是在保護(hù)沒(méi)有ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管130，除此之外，外加的ESD N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管220增加了靜電放電170的電流在電路內(nèi)傳遞的時(shí)間。以下的表格一顯示現(xiàn)有技術(shù)與本發(fā)明第一實(shí)施例及本發(fā)明第二實(shí)施例的性能比較

權(quán)利要求
1.一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，包括一非重疊電路，具有一第一輸出端及一第二輸出端，第一輸出端輸出第一默認(rèn)值信號(hào)， 第二輸出端輸出第二默認(rèn)值信號(hào)；一 P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端、一源極端及一基極端，該柵極端與非重疊電路的第一輸出端電性連接，并且接收非重疊電路第一輸出端所輸出的第一默認(rèn)值信號(hào)；一二極管，與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的源極端及基極端電性連接，用以提供一靜電放電回路；一數(shù)字邏輯AND柵，具有二個(gè)輸入端及一輸出端，其中一輸入端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，并且接收非重疊電路第二輸出端所輸出的第二默認(rèn)值信號(hào)，而另一輸入端則用以接收一 EN訊號(hào)，該數(shù)字邏輯AND柵的輸出端則輸出一信號(hào)；一 N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端、一源極端及一基極端，該柵極端與數(shù)字邏輯AND 柵的輸出端電性連接，并且接收該數(shù)字邏輯AND柵所輸出的信號(hào)，該基極端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與一地端電性連接；一 Lx接腳，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，用以輸出一轉(zhuǎn)換電壓；以及一靜電放電保護(hù)組件，具有二端，一端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，另一端則與地端電性連接，并且當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，則用來(lái)保護(hù)該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。
2.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第一默認(rèn)值信號(hào)及第二默認(rèn)值信號(hào)在間隔周期內(nèi)為高信號(hào)電平或低信號(hào)電平。
3.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第一默認(rèn)值信號(hào)與該數(shù)字邏輯AND柵的EN訊號(hào)在間隔周期內(nèi)具有相同的信號(hào)電平。
4.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管在間隔周期內(nèi)具有不同的操作狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第二默認(rèn)值信號(hào)與該數(shù)字邏輯AND柵的EN訊號(hào)在靜電放電出現(xiàn)時(shí)會(huì)有不同的信號(hào)電平。
6.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中在Lx腳位所施加的電壓會(huì)少于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的崩潰電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該電路的人體模式的靜電放電能力高達(dá)8kV。
8.一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，包括一非重疊電路，有一第一輸出端及一第二輸出端，第一輸出端輸出第一默認(rèn)值信號(hào)，第二輸出端輸出一第二默認(rèn)值信號(hào)；一 P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端、一源極端及一基極端，該柵極端與非重疊電路的第一輸出端電性連接，并且接收非重疊電路第一輸出端所輸出的第一默認(rèn)值信號(hào)；一二極管，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的源極端及基極端電性連接，用以提供一靜電放電回路；一數(shù)字邏輯AND柵，具有二個(gè)輸入端及一輸出端，其中一輸入端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，并且接收非重疊電路的第二輸出端所輸出的第二默認(rèn)值信號(hào)，而另一輸入端則用以接收一 EN訊號(hào)，該數(shù)字邏輯AND柵的輸出端則輸出一信號(hào)；一 N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，具有一柵極端，一源極端及一基極端，該基極端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與一地端電性連接；一 RC電路，包含一電阻及一電容，該電阻的一端與數(shù)字邏輯AND柵的輸出端電性連接， 該電阻用以接收及傳送該數(shù)字邏輯AND柵的輸出信號(hào)到P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極端，該電容的一端與電阻另一端及N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的柵極端電性連接，并且該電容的另一端與地端電性連接，用以當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，提供一延遲時(shí)間；一靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管，有一柵極端、一源極端及一基極端，該柵極端與非重疊電路的第二輸出端電性連接，該基極端與P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，該源極端與地端電性連接，用以提供一靜電放電回路；一 Lx接腳，與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端、該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端及靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，用以輸出一轉(zhuǎn)換電壓；以及一靜電放電保護(hù)組件，具有二端，一端與該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的基極端電性連接，另一端則與地端電性連接，并且當(dāng)靜電放電出現(xiàn)時(shí)，則用來(lái)保護(hù)該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管。
9.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第一默認(rèn)值信號(hào)及第二默認(rèn)值信號(hào)在間隔周期內(nèi)是高信號(hào)電平或低信號(hào)電平。
10.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第一默認(rèn)值信號(hào)與該數(shù)字邏輯AND柵的EN訊號(hào)在間隔周期內(nèi)具有相同的信號(hào)電平。
11.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管在間隔周期內(nèi)具有不同的操作狀態(tài)。
12.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該非重疊電路的第二默認(rèn)值信號(hào)與數(shù)字邏輯AND柵的EN訊號(hào)在靜電發(fā)電出現(xiàn)時(shí)會(huì)有不同的信號(hào)電平。
13.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中在Lx接腳所施加的電壓會(huì)少于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的崩潰電壓。
14.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該電路的人體模式的靜電放電能力高達(dá)m 。
15.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管是依據(jù)靜電放電規(guī)范設(shè)計(jì)。
16.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管被開(kāi)啟后，該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管會(huì)因?yàn)镽C電路而延遲開(kāi)啟。
17.如權(quán)利要求16所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中延遲時(shí)間是介于5奈秒到20奈秒之間。
18.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)啟后，該靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管將維持在開(kāi)啟的狀態(tài)，以降低N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管的接通阻抗。
19.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管設(shè)置于Lx接腳的下方。
20.如權(quán)利要求8所述的一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其中該P(yáng)溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、該N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管及該靜電放電N信道MOS裝置可以選擇利用異質(zhì)接面雙極性晶體管、高電子遷移率晶體管、假晶高速電子移動(dòng)晶體管、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體及平面二次擴(kuò)散的金氧半場(chǎng)效晶體管進(jìn)行替代。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種切換式調(diào)整器的靜電放電保護(hù)電路，其主要包括一非重疊電路、一P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一寄生二極管、一數(shù)字邏輯AND柵、一對(duì)電阻及電容、一N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一靜電放電N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管、一Lx接腳及一靜電放電保護(hù)組件。本發(fā)明能有效的降低MOS裝置的接通阻抗以改善電路的功效。
文檔編號(hào)H02H9/04GK102420423SQ201110051739
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年3月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者陳鵬森 申請(qǐng)人:創(chuàng)杰科技股份有限公司