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      原邊控制恒流實現(xiàn)電路的制作方法

      文檔序號:7331763閱讀:273來源:國知局
      專利名稱:原邊控制恒流實現(xiàn)電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明專利涉及驅(qū)動LED的反激式變換器的原邊控制恒流實現(xiàn)電路。屬于電力電 子技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      目前,多數(shù)反激式變換器的反饋電路或者由光藕和電壓基準(zhǔn)元組成,或者由與發(fā) 光二極管串聯(lián)的電阻取樣電壓和電壓基準(zhǔn)元組成。使用光藕的方案用分壓電阻取樣輸出 端的電壓,與電壓基準(zhǔn)比較,改變流過光藕二極管的電流,進(jìn)而改變光藕三級管的電流,最 終將誤差電壓反饋給驅(qū)動芯片。這種方式穩(wěn)壓效果好,但是光藕的電流傳輸比會隨著時間 和高溫衰減,使電路不穩(wěn)定,而且光藕及其外圍器件增加了總的外圍元件數(shù),因此增加了成 本,而且對于LED驅(qū)動這種要求體積小的應(yīng)用場合帶來了不便。采用與LED串聯(lián)電阻的方 案,因為流過LED的電流較大(典型情況下為350mA),電阻消耗了功率,影響工作效率。對 于工作于不連續(xù)模式的芯片來說,原邊控制技術(shù)直接在變壓器的輔助繞組采樣輸出電壓, 用電路采樣輸出端續(xù)流二極管放電的時間和芯片的工作周期,通過設(shè)定這兩個時間的比值 為常數(shù)以實現(xiàn)恒流。

      圖1為原邊控制的原理圖,從上到下的波形分別為柵驅(qū)動端的波形,初 級電感電流的波形,續(xù)流二級管中電流的波形和變壓器輔助繞組端的電壓波形。對于LED 驅(qū)動芯片來說,當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時,初級電感中的電流幾乎線性上升,上升的斜率為
      權(quán)利要求
      1.一種適用于LED驅(qū)動的原邊控制恒流實現(xiàn)電路,包括采集續(xù)流二級管的導(dǎo)通時間和 采集芯片的工作時間的模塊,其特征在于,這兩個時間的采集準(zhǔn)確度取決于電容的比值而 不是絕對數(shù)值,故易于集成在芯片內(nèi)部。
      2.如權(quán)利要求1所述的采集電路,其特征在于,還包括電流鏡電路,所述電流鏡電路包括電流基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊,用于產(chǎn)生一個基準(zhǔn)電流; 電流鏡模塊兩個,鏡像基準(zhǔn)電流以產(chǎn)生對電容的充電電流。
      3.如權(quán)利要求2所述的電流鏡電路,其特征在于,這兩個充電電流之比為2 1,因 為其中一個電流對兩個相同的電容充放電,并且兩個電容的電壓相差二級管正向壓降的2倍。
      4.如權(quán)利要求1所述的采集電路,其特征在于,當(dāng)柵驅(qū)動電壓由低變高時,兩個電容都 快速瀉放電荷使電容兩端的壓降為零。
      5.如權(quán)利要求1所述的采集電路,其特征在于,當(dāng)柵驅(qū)動信號為低時,續(xù)流二級管導(dǎo) 通,此時一鏡像電流對電容的充電正常進(jìn)行,此電容用于采集輸出端續(xù)流二級管的放電時 間。
      6.如權(quán)利要求1所述的采集電路,其特征在于,在整個周期中,一鏡像電流對電容的充 電都在進(jìn)行,此電路用于采集芯片工作周期。
      7.如權(quán)利要求1所述的采集電路,三個二級管的正向?qū)▔航禃绊懢?,要求他?的差異比較小。
      全文摘要
      本發(fā)明提供了一種適用于發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動的原邊控制恒流實現(xiàn)電路,以消除傳統(tǒng)恒流實現(xiàn)電路中的光藕和分離運(yùn)算放大器。對于工作于不連續(xù)模式的芯片來說,原邊控制技術(shù)直接在變壓器的輔助繞組采樣輸出電壓,用電路采樣輸出端續(xù)流二極管放電的時間和芯片的工作周期,通過設(shè)定這兩個時間的比值為常數(shù)以實現(xiàn)恒流。其中所述原邊控制電路包括電流基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊,電流鏡模塊,采集輸出二極管放電時間的模塊,采集芯片工作周期的模塊和比較器模塊。電流基準(zhǔn)產(chǎn)生模塊產(chǎn)生電流基準(zhǔn),電流鏡模塊鏡像不同的電流對兩個電容充電,這兩個電容分別采集續(xù)流二級管放電時間和工作周期,當(dāng)兩個電容的電壓相等的時候打開功率開關(guān)管以實現(xiàn)恒流。
      文檔編號H02M3/335GK102130601SQ20111007935
      公開日2011年7月20日 申請日期2011年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月30日
      發(fā)明者嚴(yán)凱, 劉志東, 程玉華, 葛濤, 金希根 申請人:上海北京大學(xué)微電子研究院
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