專(zhuān)利名稱(chēng)：具有頻率抖動(dòng)的振蕩電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有頻率抖動(dòng)的振蕩電路。更特別地但非排他地，本發(fā)明涉及一種可應(yīng)用于開(kāi)關(guān)式電源或其他裝置的振蕩電路。
背景技術(shù)：
圖I圖示出調(diào)節(jié)器用于穩(wěn)定電子振蕩器的頻率的常規(guī)用途。在這種常規(guī)設(shè)計(jì)中，電壓調(diào)節(jié)器提供穩(wěn)定的電壓，因此電子電路的頻率被保持為相對(duì)穩(wěn)定。在此圖中，Vin是干線(xiàn)供電電壓。電壓調(diào)節(jié)器保持輸出電壓Vreg相對(duì)恒定。Vreg是用于電子振蕩器的供電電壓。由于Vreg是相對(duì)恒定的，因此輸出頻率OSCout相對(duì)于Vin的變化相對(duì)固定。然而，需要減少由振蕩電路輻射的電磁干擾(EMI)的產(chǎn)生。將頻率抖動(dòng)添加到電子振蕩電路中已經(jīng)被用于使能量遍布在不同的譜頻率上，而不是將能量集中到固定的振蕩 頻率。已知控制電子振蕩電路的頻率抖動(dòng)的各種技術(shù)。這些技術(shù)包括使用控制電壓來(lái)改變用作振蕩器的頻率控制元件的變?nèi)荻O管的電容。還已知開(kāi)關(guān)確定電子振蕩器的頻率的電流源的數(shù)字技術(shù)。專(zhuān)利號(hào)為6，249，876的美國(guó)專(zhuān)利中示出了此種技術(shù)的示例，其中，在振蕩器內(nèi)使用電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)抖動(dòng)的同時(shí)，振蕩器具有固定的供電電壓。圖2為圖I的擴(kuò)展形式，示出已知的電壓調(diào)節(jié)器的實(shí)施方式。在圖2中，用于電子振蕩器的已調(diào)節(jié)的供電電壓V+的值是恒定的并且由VrefX (Rl+R2)/R2給出。除了那些使用諧振器作為頻率確定部件的電子振蕩器以外，已知簡(jiǎn)單的電子振蕩器相對(duì)于電源電壓具有相當(dāng)大的頻率變化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于降低具有頻率抖動(dòng)的振蕩電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度。這里公開(kāi)了一種振蕩電路，所述振蕩電路包括電子振蕩器(簡(jiǎn)單的電子振蕩器，其輸出頻率相對(duì)于它的供電電壓變化)；以及電源，其包括用于將輸入供電電壓轉(zhuǎn)換為在所述振蕩器處的可變電壓以由此引發(fā)頻率抖動(dòng)并且降低EMI輻射的器件，所述可變電壓在一控制范圍內(nèi)變化。優(yōu)選地，所述振蕩器接收以地為基準(zhǔn)的輸入電壓Vin，并且所述電路包括放大器(比較器)和串聯(lián)電阻R1、R2和R3，所述放大器與一對(duì)FET器件協(xié)作，并且所述放大器接收基準(zhǔn)電壓VREF。優(yōu)選地，所述FET器件布置在所述輸入電壓Vin的兩端，并且所述放大器的輸出端連接在兩個(gè)FET器件之間。優(yōu)選地，電阻Rl和R2串聯(lián)地連接在所述兩個(gè)FET器件之間，并且電阻R3連接在FET器件中的一個(gè)和地之間。優(yōu)選地,所述電路進(jìn)一步包括電容器Cl,所述電容器Cl接(extending)在另一個(gè)FET器件和地之間。
本發(fā)明利用電壓在一控制范圍內(nèi)變化的電源而不是盡力保持頻率穩(wěn)定，以使得簡(jiǎn)單的電子振蕩電路能具有頻率抖動(dòng)。在本發(fā)明中，簡(jiǎn)單振蕩器的輸出頻率的特性通常相對(duì)于其輸入電壓變化。因此，通過(guò)對(duì)振蕩器控制電源電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)頻率抖動(dòng)。



圖I圖示出調(diào)節(jié)器用于穩(wěn)定電子振蕩器的頻率的常規(guī)用途。圖2為圖I的擴(kuò)展形式，示出已知的電壓調(diào)節(jié)器的實(shí)施方式。圖3為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電路原理圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照附圖3通過(guò)示例來(lái)描述本發(fā)明的優(yōu)選形式，圖3為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式的電路原理圖。在圖3中，N-FETl和N-FET2表示具有如圖中所示的連接的各N-FET器件。Al表示在其輸入端處具有基準(zhǔn)電壓VREF的放大器。電子振蕩器兩端的供電電壓(V+)在Vl和V2之間變化，其中Vl和V2由下面的等式給出Vl = VrefX (R1+R2+R3) / (R2+R3);和V2 = VrefX (Rl+R2)/R2因此，在相對(duì)于地的最小值Vl和最大值V2之間，提供給振蕩器的電壓的頻率變化。而且，電子振蕩電路設(shè)有頻率抖動(dòng)以降低EMI輻射。N-FETl是用于串聯(lián)調(diào)節(jié)電路的串聯(lián)晶體管。當(dāng)輸出電壓V+在期望調(diào)節(jié)值以下時(shí)，在比較器Al (用作誤差放大器)的引腳2處的電壓小于VREF，因此Al的輸出使N-FETl和N-FET2 二者導(dǎo)通。在這種狀況下，在Al的引腳2處的電壓等于(V+XR2)/(R1+R2)。V+將增加直到它達(dá)到目標(biāo)值，使得在Al的引腳2處的電壓等于(或稍大于)VREF。然后，Al的輸出使N-FETl和N-FET2 二者關(guān)斷。因此，在Al的引腳2處的電壓將增加到V+X (R2+R3)/(R1+R2+R3)。電阻Rl至R3以及電子振蕩器隨后將消耗存儲(chǔ)在電容器Cl中的能量以維持正常的運(yùn)行。因而，V+將逐漸下降直到在Al的引腳2處的電壓等于(或稍小于)VREF。Al的輸出將使N-FETl和N-FET2 二者導(dǎo)通，并且重復(fù)上述循環(huán)。
權(quán)利要求
1.一種振蕩電路,包括 電子振蕩器；以及 電源，其包括用于將輸入供電電壓轉(zhuǎn)換為在所述振蕩器處的可變供電電壓以由此引發(fā)頻率抖動(dòng)并且降低EMI輻射的器件，所述可變供電電壓在一控制范圍內(nèi)變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的振蕩電路，其中，所述振蕩器接收以地為基準(zhǔn)的輸入電壓Vin，并且所述電路包括放大器(比較器)和串聯(lián)電阻Rl、R2和R3，所述放大器與一對(duì)FET器件協(xié)作，并且所述放大器接收基準(zhǔn)電壓VREF。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的振蕩電路，其中，所述FET器件布置在所述輸入電壓Vin的兩端，并且所述放大器的輸出端連接在兩個(gè)FET器件之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩電路，其中，電阻Rl和R2串聯(lián)地連接在所述兩個(gè)FET器 件之間，并且電阻R3連接在FET器件中的一個(gè)和地之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的振蕩電路，包括電容器，所述電容器接在另一個(gè)FET器件和地之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種振蕩電路，尤其涉及一種具有頻率抖動(dòng)的振蕩電路，所述振蕩電路具有電子振蕩器和電源，所述電源將輸入電壓轉(zhuǎn)換為在振蕩器處的供電電壓以由此引發(fā)頻率抖動(dòng)并且降低EMI輻射，所述供電電壓在一控制范圍內(nèi)變化。
文檔編號(hào)H02M1/44GK102739034SQ20111008590
公開(kāi)日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年4月2日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月2日
發(fā)明者李植蔭, 謝潮聲, 鄧志強(qiáng), 陳安邦, 黃藝華 申請(qǐng)人:科域半導(dǎo)體有限公司