專利名稱：峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電路結(jié)構(gòu)，尤其是一種峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，具體地說是用于電流模DC-DC變換器峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，屬于電流模DC-DC變換器的技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
DC-DC變換器根據(jù)所采用的反饋方式可以分為電壓模和電流模兩種類型。其中， 電壓反饋控制是開關(guān)電源最基本的一種控制技術(shù)，屬于單環(huán)反饋控制方式。電壓反饋控制只通過一個電壓反饋信號實現(xiàn)整個電路的負(fù)反饋，整個控制電路中只有一個反饋環(huán)路，是一種單環(huán)控制系統(tǒng)。電流控制可以分為平均電流和峰值電流反饋控制，由于平均電流反饋控制電流放大器在開關(guān)頻率處的增益有最大限制，而且雙閉環(huán)放大器帶寬、增益等參數(shù)設(shè)計調(diào)試復(fù)雜，因此在實際中很少采用。通常所說的電流反饋控制都是只峰值電流反饋控制。 DC-DC變換器中的峰值電流電路能夠避免整個電路電流過大造成的損壞，但是相應(yīng)峰值電流電路一般會設(shè)計一個固定的峰值電流限制，但一般峰值電流電流限制較整個電路正常工作時的最大負(fù)載電流都要大很多。而開關(guān)管導(dǎo)通電阻以及整個變換器功耗散熱等一般都按照實際工作負(fù)載電流來考慮。但當(dāng)變換器工作在異常狀況，例如短路時，會長時候保持在最大峰值電流工作，則會導(dǎo)致變換器的損壞，影響變換器的正常使用。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，提供一種峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便，確保變換器的使用安全，降低變換器的使用成本，安全可靠。按照本發(fā)明提供的技術(shù)方案，所述峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)， 包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的輸出端與第三MOS管的柵極端相連，第三MOS管的源極端與運(yùn)算放大器的反相端相連后通過第一電阻接地，第三MOS管的漏極端分別與第一 MOS 管的漏極端、第一 MOS管的柵極端及第二 MOS管的柵極端相連；第一 MOS管與第二 MOS管的源極端對應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC對應(yīng)于與第二 MOS管源極端相連的另一端與第二 MOS管的漏極端相連；第二 MOS管的漏極端通過第二電阻接地。所述運(yùn)算放大器的同相端為反饋電壓輸入端ra。所述第一 MOS管、第二 MOS管及第三MOS管均為P型MOS管。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)運(yùn)算放大器與第三MOS管M3對應(yīng)相連后形成電壓跟隨器，運(yùn)算放大器的同相端接受負(fù)載反饋電壓Vfb，第三MOS管M3的漏極端與第一 MOS管Ml的漏極端、 第一 MOS管Ml的柵極端及第二 MOS管M2的柵極端相連，負(fù)載反饋電壓Vfb產(chǎn)生的電流Il 通過第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2鏡像后得到電流12，并與電源IDC對應(yīng)配合后產(chǎn)生電壓Vcalmp ；所述電壓Vcalmp與峰值電流電路中的采樣電流呈線性變化關(guān)系，因此通過峰值電流電路輸出電壓與電壓Vcalmp比較后能夠控制PWM比較器輸出的翻轉(zhuǎn)，能夠控制整個DC-DC變換器的使用狀態(tài)，避免DC-DC變換器驅(qū)動負(fù)載長時間工作于最大峰值電流狀態(tài)，確保DC-DC變換器的使用安全，降低了 DC-DC變換器的使用成本，延長使用壽命，安全可靠。


圖1為本發(fā)明的電路原理圖。附圖標(biāo)記說明1-運(yùn)算放大器。
具體實施例方式下面結(jié)合具體附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。如圖1所示為了能夠?qū)Ψ逯惦娏麟娐份敵鲭妷鹤詣诱{(diào)節(jié)，本發(fā)明包括運(yùn)算放大器1，所述運(yùn)算放大器1的輸出端與第三MOS管M3的柵極端相連，運(yùn)算放大器1的反相端與第三MOS管M3的源極端相連，運(yùn)算放大器1的同相端形成反饋電壓輸入端FB ；運(yùn)算放大器1與第三MOS管M3連接后形成電壓跟隨器。第三MOS管M3的源極端通過第一電阻Rl 接地，第三MOS管M3的漏極端與第一 MOS管Ml的漏極端、第一 MOS管Ml的柵極端及第二 MOS管M2的柵極端相連。第一 MOS管Ml的柵極端與第二 MOS管M2的柵極端相連，從而第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2間形成鏡像源。第一 MOS管Ml與第二 MOS管M2的源極端對應(yīng)相連，并與電源IDC的一端相連，電源IDC對應(yīng)于與第二 MOS管M2源極端相連的另一端與第二 MOS管M2的漏極端相連，第二 MOS管M2的漏極端與電源IDC相交于Y點(diǎn)，并通過第二電阻R2接地。第一 MOS管Ml、第二 MOS管M2及第三MOS管M3均為P型MOS管。電源 IDC可以為電流源或者電壓源。使用時，運(yùn)算放大器1的反饋電壓輸入端FB與反饋電壓Vfb相連，所述反饋電壓Vfb 為DC-DC變換器帶載時通過對負(fù)載電壓的采樣得到，一般可假設(shè)通過取樣電阻來采樣得到反饋電壓VFB。當(dāng)反饋電壓Vfb加載于運(yùn)算放大器1的同相端后，由于運(yùn)算放大器1形成電壓跟隨器，運(yùn)算放大器1使第三MOS管M3導(dǎo)通的同時會產(chǎn)生電流11，所述電流11可以表示為
權(quán)利要求
1.一種峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是包括運(yùn)算放大器(1)， 所述運(yùn)算放大器(1)的輸出端與第三MOS管(M3)的柵極端相連，第三MOS管(M3)的源極端與運(yùn)算放大器(1)的反相端相連后通過第一電阻(Rl)接地，第三MOS管(M3)的漏極端分別與第一 MOS管(Ml)的漏極端、第一 MOS管(Ml)的柵極端及第二 MOS管(M2)的柵極端相連；第一 MOS管(Ml)與第二 MOS管(M2)的源極端對應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC 對應(yīng)于與第二 MOS管(M2)源極端相連的另一端與第二 MOS管(M2)的漏極端相連；第二 MOS 管(M2)的漏極端通過第二電阻(R2)接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是所述運(yùn)算放大器(1)的同相端為反饋電壓輸入端FB。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其特征是所述第一 MOS管(Ml)、第二 MOS管(M2)及第三MOS管(M3)均為P型MOS管。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種峰值電流電路輸出電壓自動調(diào)節(jié)的電路結(jié)構(gòu)，其包括運(yùn)算放大器，所述運(yùn)算放大器的輸出端與第三MOS管的柵極端相連，第三MOS管的源極端與運(yùn)算放大器的反相端相連后通過第一電阻接地，第三MOS管的漏極端分別與第一MOS管的漏極端、第一MOS管的柵極端及第二MOS管的柵極端相連；第一MOS管與第二MOS管的源極端對應(yīng)相連后與電源IDC相連，電源IDC對應(yīng)于與第二MOS管源極端相連的另一端與第二MOS管的漏極端相連；第二MOS管的漏極端通過第二電阻接地。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡單，調(diào)節(jié)方便，確保變換器的使用安全，延長變換器的使用壽命，降低變換器的使用成本，安全可靠。
文檔編號H02M3/157GK102185478SQ20111013780
公開日2011年9月14日 申請日期2011年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月25日
發(fā)明者朱波 申請人:無錫新硅微電子有限公司