專利名稱：一種dc-dc升壓電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用電路，具體的涉及一種DC-DC升壓電路。
背景技術(shù)：
電路中有時(shí)提供的電壓較低，此時(shí)我們需要將電壓提升到需要的電壓值，DC-DC升壓電路是現(xiàn)實(shí)中我們常用的一種升壓電路。現(xiàn)有的升壓電路形形色色種類繁多，但大多結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能復(fù)雜，而在一些只需要功能單一的應(yīng)用場(chǎng)合下，往往是采用復(fù)雜電路結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)完成單一功能的升壓功能，這樣一方面成本會(huì)有所提高，另外一方面，電路結(jié)構(gòu)一旦復(fù)雜化后，其背后的不穩(wěn)定因素也在增加，如此便在無(wú)形之中降低了產(chǎn)品合格率。

發(fā)明內(nèi)容
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為克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、低成本的DC-DC升壓電路。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下技術(shù)方案
一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器，輸入電壓經(jīng)過(guò)電感連接NMOS管的一個(gè)輸入端，所述NMOS管的另一個(gè)輸入端接地，所述NMOS管的輸出端連接所述振蕩器的EXT管腳，所述NMOS管的FB管腳與輸出電壓之間跨接反饋電容和第一電阻，所述輸出電壓與地之間連接第二電解電容。進(jìn)一步的，所述輸入電壓與地之間連接第一電解電容，所述輸入電壓連接所述振蕩器的VDD管腳，第一接線端與所述輸出電壓之間連接肖特基二極管，所述振蕩器的FB管腳與地之間連接第二電阻。本發(fā)明的交流風(fēng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的工作過(guò)程如下
當(dāng)輸入電壓輸入到DC-DC升壓電路，經(jīng)過(guò)第一電解電容濾波以后分兩路，分別輸入所述振蕩器的VDD腳和所述電感上。所述輸入電壓經(jīng)過(guò)所述電感在通過(guò)NMOS管再輸入到所述振蕩器的EXT端口，再由肖特基二極管輸出。本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的DC-DC升壓電路的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式
由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


圖I為本發(fā)明的DC-DC升壓電路的電路原理圖。圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明1、第一接線端。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)施過(guò)程做進(jìn)一步說(shuō)明。參見(jiàn)圖I所不,一種DC-DC升壓電路,包括一振蕩器ICl,輸入電壓Vin經(jīng)過(guò)電感LI連接NMOS管IC2的一個(gè)輸入端，所述NMOS管IC2的另一個(gè)輸入端接地，所述NMOS管IC2的輸出端連接所述振蕩器ICl的EXT管腳，所述振蕩器ICl的FB管腳與輸出電壓Vout之間跨接反饋電容Cl和第一電阻Rl，所述輸出電壓Vout與地之間連接第二電解電容E2。進(jìn)一步的，所述輸入電壓Vin與地之間連接第一電解電容EI，所述輸入電壓Vin連接所述振蕩器ICl的VDD管腳，第一接線端I與所述輸出電壓Vout之間連接肖特基二極管D1，所述振蕩器ICl的FB管腳與地之間連接第二電阻R2。 上述實(shí)施例只是為了說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的是在于讓本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡是根據(jù)本發(fā)明內(nèi)容的實(shí)質(zhì)所作出的等效的變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種DC-DC升壓電路，包括一振蕩器(ICl)，其特征在于輸入電壓(Vin)經(jīng)過(guò)電感(LI)連接NMOS管(IC2)的一個(gè)輸入端，所述NMOS管(IC2)的另一個(gè)輸入端接地，所述NMOS管(IC2)的輸出端連接所述振蕩器(ICl)的EXT管腳，所述振蕩器(ICl)的FB管腳與輸出電壓(Vout)之間跨接反饋電容(Cl)和第一電阻(R1)，所述輸出電壓(Vout)與地之間連接第二電解電容(E2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)I所述的DC-DC升壓電路，其特征在于所述輸入電壓(Vin)與地之間連接第一電解電容(El)，所述輸入電壓(Vin)連接所述振蕩器(ICl)的VDD管腳，第一接線端(I)與所述輸出電壓(Vout)之間連接肖特基二極管(D1)，所述振蕩器(ICl)的FB管腳與地之間連接第二電阻(R2)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種DC-DC升壓電路，包括一振蕩器，輸入電壓經(jīng)過(guò)電感連接NMOS管的一個(gè)輸入端，所述NMOS管的另一個(gè)輸入端接地，所述NMOS管的輸出端連接所述振蕩器的EXT管腳，所述NMOS管的FB管腳與輸出電壓之間跨接反饋電容和第一電阻，所述輸出電壓與地之間連接第二電解電容。本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。本發(fā)明的電路可應(yīng)用于任何升壓電路中。
文檔編號(hào)H02M3/155GK102843034SQ20111017132
公開(kāi)日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者胡國(guó)良, 魏王江 申請(qǐng)人:蘇州合欣美電子科技有限公司