專利名稱：同步整流器驅(qū)動電路整流器的制作方法
技術領域：
本申請一般針對功率變換，特別是針對同步整流器以及操作和形成同步整流器的方法。
背景技術：
某些同步或者有源整流器通過用晶體管例如金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)代替ニ極管來部分減小電阻損耗來通過ニ極管橋整流器提供改進的效率。該MOSFET與ニ極管兩端的恒定結電壓降例如大約0. 7-1. 2伏相比，可以具有非常低的導通電阻,例如IOmQ。由于在寬輸入電壓范圍設計中，常規(guī)的自驅(qū)動電路的驅(qū)動損耗非常大，因此已經(jīng)進行了不斷的研究以改進同步整流器驅(qū)動電路的效率。雖然同步整流器的效率明顯大于ニ 極管橋整流器，但是自驅(qū)動箝位MOSFET的功率損耗強加了對常規(guī)的自驅(qū)動設計的效率的更低的限制。需要新的解決方案以進ー步減少在同步整流器驅(qū)動電路中的損耗，同時以低成本實現(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容
ー個方面是提供包括初級和次級整流器電路的同步整流器。該初級整流器電路被配置為從第一變壓器繞組的相應第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號。次級整流器電路被配置為響應第一和第二晶體管柵極輸入對第二變壓器繞組的電壓輸出進行整流。第一緩沖驅(qū)動器被配置為接收第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。第二緩沖驅(qū)動器被配置為接收第二半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。另ー方面提供了 ー種形成同步整流器的方法。該方法包括配置初級整流器電路以從第一變壓器繞組的第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號的步驟。在另ー步驟中，次級流器電路被配置為響應第一和第二晶體管柵極輸入對第二變壓器繞組的電壓輸出進行整流。在另ー步驟中，第一緩沖驅(qū)動器被配置為接收第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。在另ー步驟中，第二緩沖驅(qū)動器被配置為接收第二半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。另ー方面提供了ー種操作同步整流器的方法。該方法包括從第一變壓器繞組的相應第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號的步驟。在另ー步驟中，第一和第二半波整流信號被相應第一和第二緩沖驅(qū)動器緩沖以產(chǎn)生相應第一和第二控制信號。在另ー步驟中，第一控制信號的輸出在第二整流控制信號的控制下被耦合到地。在另ー步驟中，第二緩沖驅(qū)動器的輸出在第一整流控制信號的控制下被耦合到地。又一方面提供了一種同步整流器。該整流器包括MOSFET SI和S2。該MOSFET SI具有連接到第一變壓器繞組的第一端子的漏扱。該MOSFET S2具有連接到第一變壓器繞組的第二端子的漏扱。第一緩沖驅(qū)動器的輸入端被連接到該MOSFET SI的源扱。第二緩沖驅(qū)動器的輸入端被連接到該MOSFET S2的源極。MOSFET S3具有連接到第二緩沖驅(qū)動器的輸入端的柵極，連接到地的源極以及配置為從第一緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的漏扱。MOSFETS4具有連接到第一緩沖驅(qū)動器的輸入端的柵極，連接到地的源極以及配置為從第二緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的漏扱。MOSFET Ql具有連接到第二變壓器繞組的第一端子的漏極，連接到地的源極以及配置為從第一緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的柵極。MOSFET Q2具有連接到第ニ變壓器繞組的第二端子的漏極，連接到地的源極以及配置為從第二緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的柵極。


現(xiàn)在將結合附圖進行以下描述，其中圖I示出了現(xiàn)有技術的同步整流器的各方面；圖2示出了根據(jù)公開的一個實施例的同步整流器；
圖3和4示出了各個實施例例如圖2的同步整流器中的信號的信號時序的各方面；圖5示出了集成驅(qū)動電路的內(nèi)部功能，該集成驅(qū)動電路可被用在某些實施例中以提供在圖2的同步整流器中使用的緩沖驅(qū)動器；圖6示出了根據(jù)ー個實施例的同步整流器，其中在圖2的實施例中的某些MOSFET被ニ極管代替；以及圖7表示根據(jù)本公開的各個實施例形成同步整理器例如同步整流器200和600的方法。
具體實施例方式這里給出的實施例描述了ー種用于功率變換器的新型同步整流器(SR)驅(qū)動電路。在應用中，包括各種各樣的輸入電壓，常規(guī)SR自驅(qū)動電路通常是不合適的，因為可能存在大的電阻損耗以及由熱造成的問題，包括在同步FET驅(qū)動中使用的線性箝位M0SFET。某些常規(guī)的同步整流器驅(qū)動方案使用數(shù)字隔離器以將控制信號從初級控制集成電路(IC)傳送到次級驅(qū)動1C，用RC延遲電路調(diào)節(jié)在初級側(cè)和次級側(cè)之間的延遲時間。盡管該方案可以在某些情況下實現(xiàn)高效率，但是該電路包括許多部件，并且因此通常是復雜的和/或高成本的。本公開的實施例提供了一種改進的SR驅(qū)動器策略，其提供了低的與驅(qū)動器相關的損耗并且可以比常規(guī)同步整流器驅(qū)動方案制造成本更低。圖I示出了現(xiàn)有技術的SR電路100，其是某些常規(guī)SR電路的代表。該電路100包括初級整流器電路101以及次級整流器電路102。初級整流器電路101包括MOSFET SI110和S2 120，以及箝位MOSFET 140、150。次級整流器電路102包括MOSFET Ql 160和Q2170。在某些情況下，初級整流器電路101的部件被集成在一個控制IC中，并且次級整流器電路102的部件被集成在一個驅(qū)動IC中。MOSFET SI 110和S2 120由柵極電壓Vg偏置并且因此總是“導通”，例如在器件的源極和漏極之間提供相對低的電阻通路。SI 110和S2 120中的每ー個的漏極被連接到變壓器Tl的初級繞組TlB 130的端子130-1和130-2。繞組T1B130在端子130-1和130-2的兩端產(chǎn)生時變(AC)電壓。在端子130-1處的電壓被指定為Vsl，并且在端子130-2處的電壓被指定為Vs2。在SI 110源極處的電壓被指定為Vinl，以及在S2120源極處的電壓被
指定為Vin2。SI 110的源極被連接到MOSFET 140的柵極。S2 120的源極被連接到MOSFET 150的柵極。當Vsl > 0時，MOSFET 140將Vin2箝位到大約接地。當Vs2 > 0，MOSFET 150將Vinl箝位到大約接地。因此，Vinl和Vin2中的每ー個為在相應端子130-1、130-2處產(chǎn)生的AC電壓的半波整流部分。MOSFET Ql 160和MOSFET Q2 170的漏極相應被連接到變壓器Tl的次級繞組TlA180的端子180-2和端子180-1。當Vinl為正時，Ql 160導通并且Q2 170截止。端子180-2接地，將地參考設置為端子180-1處的電壓。因此在端子180-1處的電壓跟隨繞組TlA 180的AC輸出的正相位。當Vin2為正吋，Q2 170導通，因此將端子180-1接地。因此在端子180-2處的電壓被半波整流。通過電感器LI 190和電容器Cl 195形成的LC濾波器通過在端子180-1處的電壓的周期的正循環(huán)來充電，由此在Cl 195的端子兩端提供基本上為直流 的電壓Vo。為了改進在寬輸入電壓范圍設計應用中的性能，某些常規(guī)的SR電路包括在初級整流器電路101和次級整流器電路102之間的驅(qū)動器。該驅(qū)動器可以例如減少流過SI 110和S2 120的瞬態(tài)電流。然而，驅(qū)動器中的延遲會導致Ql 160和Q2 170暫時同時接通。在這些情況下，在繞組T1A180的端子180-1和180-2之間的低電阻通路導致高的電流瞬態(tài)，由此產(chǎn)生電阻損耗和Ql 160和Q2 170和繞組TlA的焦耳熱。該功率損耗減少了 SR電路100的效率并且可能導致更低的可靠性和/或需要消散SR電路100的熱量。某些常規(guī)的減少這些電阻損耗的嘗試已經(jīng)用于數(shù)字隔離器以及RC延遲電路以調(diào)節(jié)在變壓器Tl的初級側(cè)和次級側(cè)之間的延遲時間。這些方法的常規(guī)實施通常要求更多的部件，其導致增加的電路復雜度和成本，并且可能由于增加的故障的潛在來源而不可靠。圖2示出了在本公開的ー個實施例中的同步整流器200，其提供了具有比如上所述的某些常規(guī)實施顯著低的復雜度和成本的改進的變換效率。該同步整流器200包括前面所述的初級整流器電路101和次級整流器電路102。本公開的實施例明確地包括初級整流器電路101和次級整流器電路102的變形，其雖然提供基本上與所示的整流器電路101和102相同的功能，但是可以在形式上有所不同。在整流器電路101、102之間插入的是隔離電路201。該隔離電路201包括緩沖驅(qū)動器210a和210b、電阻器Rl 220和R2 230、以及MOSFET S3 240和S4 250。如在該論述中以及權利要求中所使用的，緩沖驅(qū)動器是將電信號輸入到緩沖驅(qū)動器的驅(qū)動電流能力放大的電路。緩沖驅(qū)動器的増益不限于任何特定值。例如，緩沖驅(qū)動器可以在其輸入端接收100 u A的電流并且驅(qū)動大約IA或更大的負載。緩沖驅(qū)動器可以是例如常規(guī)驅(qū)動器。該隔離電路201接收輸入信號Vinl和Vin2，并且將緩沖控制信號Vtjl和\2相應提供給Ql 160和Q2 170的柵極。該緩沖驅(qū)動器210a、210b可以通過將繞組LlB感應地耦合到電感器LI來供電?？梢酝ㄟ^ニ極管Dl和電容器C2對由繞組LlB產(chǎn)生的AC電壓進行整流。該隔離電路201在同步整流器200中提供幾種功能。第一，該緩沖驅(qū)動器210a、210b將MOSFET SI 110和S2 120與MOSFET Ql 160和Q2 170隔離。該方面可以減少通過SI 110和S2 120的電流，其由在Ql 160和Q2 170的柵極處的容性切換引起。第二，該緩沖驅(qū)動器可以在由繞組TlB 130提供的各種電壓上將相對均勻的切換電流提供給Ql 160和Q2 170。由緩沖驅(qū)動器210a、210b提供的第三相關功能是切換時間例如Ql 160和Q2 170的柵極電壓的上升和下降時間的減少，其可以為Ql 160和Q2 170的接通和截止狀態(tài)提供更精確的定時。盡管有這些有利的效果，但是該緩沖驅(qū)動器210a會在Vinl和Ql 160的柵極之間施加小的延遲。類似地，該緩沖驅(qū)動器210b會在Vin2和Q2 170的柵極之間施加小的延遲。如果不減輕，則這些延遲可能導致Ql和Q2的同時導通，由此導致Ql和Q2的功率損耗和壽命降低。例如，圖3A示出了在不存在S3 240和S4 250的情況下用于同步整流器200的Vinl和Vin2的電壓軌跡。電流軌跡Itia是代表流過繞組TIA 180,Ql 160和Q2 170的電流。Vinl和Vin2為半波整流信號。在時間tl、t2、t3和t4，Ql 160和Q2 170可以暫時地同時在“導通”狀態(tài)。因此，Itia包括在Vinl和Vin2的零交叉處的周期的電流尖脈沖310。 圖4示出了包括晶體管S3 240和S4 250的同步整流器200的Vinl, Vin2, Vol和Vo2的電壓軌跡。S3 240和S4 250接收Vinl和Vin2信號的前饋通信以基本上防止電流尖脈沖310的出現(xiàn)。Vq1滯后Vinl At，Vq2滯后Vin2 At，其中At是由緩沖驅(qū)動器210a和210b施加的延遲。首先考慮Vtjl，緊接Tl之前，該信號跟隨Vinl的形式。該緩沖驅(qū)動器210a可以具有単位或非単位的増益。晶體管S3 240是截止的，因為Vin2被MOSFET 140箝位到地。在時間tl，Vinl回落到S4 250的接通電壓之下，從而使S4 250切斷，并且Vin2開始增加。Vin2的上升使S3 240接通，使Vtjl箝位到地。Vin2由緩沖驅(qū)動器210b緩沖，其又可以具有單位或非單位增益。V02以時滯跟隨Vin2。在T2，Vinl再次増加，使S4250接通。Vo2被S4 250箝位到地。Vtjl以時滯At跟隨Vinl。VinPVin2^1和Vtj2的后續(xù)周期繼續(xù)跟隨所述圖案。通過檢查Vtjl和Vtj2，顯然這些信號不是同時激活的，例如大于零伏。因此Ql和Q2將不會同時處于“導通”狀態(tài)并且電流尖脈沖310 (圖3)基本上被消除。轉(zhuǎn)到圖5，驅(qū)動電路500包括第一和第二緩沖驅(qū)動電路510和520。該驅(qū)動電路500包括端子1-6。緩沖驅(qū)動電路510具有端子I處的輸入和端子4處的輸出。緩沖驅(qū)動電路520具有端子3處的輸入和端子6處的輸出。每個緩沖驅(qū)動電路510、520提供緩沖驅(qū)動器210a，210b中的一個的功能。在各個實施例中，緩沖驅(qū)動電路500是具有至少兩個獨立緩沖驅(qū)動電路的商業(yè)上可得到的集成電路。電路510可以操作為緩沖驅(qū)動器210a，而電路520可以操作為緩沖驅(qū)動器210b。電源和接地可以相應地被施加到端子5和2。在某些實施例中，緩沖驅(qū)動電路510、520為高性能緩沖驅(qū)動器。這里和在權利要求中，高性能緩沖驅(qū)動器由下列屬性來表征I)能夠驅(qū)動至少約I安培的峰值負載，2)具有響應階躍函數(shù)輸入不高于約150ns的上升時間，同時驅(qū)動大約2nF的負載，以及3)具有響應階躍函數(shù)輸入不高于約150ns的下降時間，同時驅(qū)動大約2nF的負載。在某些實施例中，峰值負載驅(qū)動能力是至少約4安培,對于約I. 8nF的負載,上升時間的響應時間為約20ns或者更小、，并且對于約I. 8nF的負載，下降時間小于約15ns。在一個實施例中，驅(qū)動電路500由包括兩個或更多個驅(qū)動器例如緩沖驅(qū)動電路510,520的商業(yè)上可得到的集成電路提供。在一個非限制性的例子中，可以使用由TexasInstruments、Dallas、TX、USA制造的零件號碼UCC27324。所屬領域技術人員將會理解,可以使用分立部件等效的形成緩沖驅(qū)動電路510、520。此外，提供與UCC27324功能上類似操作的電路500的實施例被包括在本公開中。圖6示出了本發(fā)明另一實施例中的同步整流器600。該同步整流器600用電阻器R3、R4以及ニ極管D2、D3的網(wǎng)絡代替同步整流器200的MOSFET 140和150。除了現(xiàn)在所描述的方面之外，該同步整流器600可以以關于同步整流器200描述的方式操作。ニ極管D2的陽極被連接到地并且陰極被連接到Vinl。電阻器R3與D2并聯(lián)連接。ニ極管D3的陽極被連接到地并且其陰極被連接到Vin2。電阻器R4與D3并聯(lián)連接。ニ極管D2操作為把Vinl箝位到不小于約地電位的D2的小結電壓降的值。ニ極管D3操作為把Vin2箝位到到不小于約地電位的D3的ニ極管電壓降的值。在某些實施例中，同步整流器600也包括具有其陽極連接到Vin2以及其陰極連接到變壓器端子180-2的ニ極管D4。當Vinl為正吋，Ql導通，將變壓器端子180-2接地。然后端子180-2處的電壓參考為地，并且端子180-2提供由變壓器特性所確定的輸出電壓。當Vin2為正時，端子180-2參考為Vin2，小于D4 ニ極管壓降。D4的作用是確保當Vol使Ql導 通時Vin2為大約接地。轉(zhuǎn)到圖7，代表例如形成同步整流器例如同步整流器200和600的方法700。在不按照這里例如在圖2、4、5和6中所述的特征進行限制的情況下描述方法700。本公開的實施例包括在方法700上的變形，例如以不同于所述順序的順序執(zhí)行步驟。在步驟710中，初級整流器電路例如初級整流器電路101被配置為從第一變壓器繞組例如初級繞組TlB 130的第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號。在步驟720中，次級整流器電路例如次級整流器電路102被配置為響應第一和第二晶體管柵極輸入，例如晶體管Q2170和Q1160的相應柵極輸入，對第二變壓器繞組例如次級繞組TlA180的電壓輸出進行整流。在步驟730中，第一緩沖驅(qū)動器例如緩沖驅(qū)動器210a被配置為接收第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給第二晶體管柵極輸入，例如晶體管Q1160的柵極輸入。在步驟740中，第二緩沖驅(qū)動器例如緩沖驅(qū)動器210b被配置為接收第ニ半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入，例如晶體管Q2 170的柵極輸入。在步驟750中，第一箝位晶體管例如晶體管S3 240被配置為響應第二半波整流信號將第一緩沖控制信號接地。在步驟760中，第二箝位晶體管例如晶體管S4 250被配置為響應第一半波整流信號將第二緩沖控制信號接地。在步驟770中，第一ニ極管例如ニ極管D2被配置為防止第一半波整流信號負偏移。在步驟780中，第二ニ極管例如ニ極管D3被配置為防止第二半波整流信號負偏移。在步驟790中，第三ニ極管例如ニ極管D4的陰極被連接到第二變壓器繞組。ニ極管的陽極被連接到第二半波整流信號。本申請涉及的所屬領域技術人員將理解，可以對所述實施例做出其它以及另外的添加、刪除、代替和修改。
權利要求
1.一種同步整流器，包括 初級整流器電路，所述初級整流器電路配置為接收第一變壓器繞組的第一和第二初級電壓輸出并且由此產(chǎn)生第一和第二半波整流信號； 次級整流器電路，所述次級整流器電路配置為響應第一和第二晶體管柵極輸入對第二變壓器繞組的電壓輸出進行整流； 第一緩沖驅(qū)動器，所述第一緩沖驅(qū)動器配置為接收所述第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給所述第一晶體管柵極輸入；以及 第二緩沖驅(qū)動器，所述第二緩沖驅(qū)動器配置為接收所述第二半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給所述第一晶體管柵極輸入。
2.如權利要求I所述的同步整流器，還包括 第一箝位晶體管，所述第一箝位晶體管配置為響應所述第二半波整流信號將所述第一緩沖控制信號接地；以及 第二箝位晶體管，所述第二箝位晶體管配置為響應所述第一半波整流信號將所述第二緩沖控制信號接地。
3.如權利要求I所述的同步整流器，還包括 第一二極管，所述第一二極管配置為防止所述第一半波整流信號負偏移；以及 第二二極管，所述第二二極管配置為防止所述第二半波整流信號負偏移。
4.如權利要求I所述的同步整流器，其中所述次級整流器電路包括濾波電感器，所述濾波電感器配置為向所述緩沖驅(qū)動器提供運行功率。
5.如權利要求I所述的同步整流器，其中所述緩沖驅(qū)動器是高性能緩沖驅(qū)動器。
6.如權利要求I所述的同步整流器，還包括二極管，所述二極管具有連接到所述第二變壓器繞組的陰極以及連接到所述第二緩沖驅(qū)動器的輸入的陽極。
7.如權利要求I所述的同步整流器，其中所述第一和第二變壓器繞組是同一變壓器的繞組。
8.一種形成同步整流器的方法，包括 配置初級整流器電路以從第一變壓器繞組的第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號； 配置次級整流器電路以響應第一和第二晶體管柵極輸入對第二變壓器繞組的電壓輸出進行整流； 配置第一緩沖驅(qū)動器以接收所述第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給所述第二晶體管柵極輸入；以及 配置第二緩沖驅(qū)動器以接收所述第二半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給所述第一晶體管柵極輸入。
9.如權利要求8所述的方法，還包括 配置第一箝位晶體管以響應所述第二半波整流信號將所述第一緩沖控制信號接地；以及 配置第二箝位晶體管以響應所述第一半波整流信號將所述第二緩沖控制信號接地。
10.如權利要求8所述的方法，還包括 配置第一二極管以防止所述第一半波整流信號負偏移；以及配置第二二極管以防止所述第二半波整流信號負偏移。
11.如權利要求8所述的方法，其中所述次級整流器電路包括濾波電感器，所述濾波電感器配置為向所述緩沖驅(qū)動器提供運行功率。
12.如權利要求8所述的方法，其中所述緩沖驅(qū)動器是高性能緩沖驅(qū)動器。
13.如權利要求8所述的方法，還包括將二極管的陰極連接到所述第二變壓器繞組以及將所述二極管的陽極連接到所述第二緩沖驅(qū)動器的輸入。
14.如權利要求8所述的方法，其中所述第一和第二變壓器繞組是同一變壓器的繞組。
15.一種操作同步整流器的方法，包括 從第一變壓器繞組的相應第一和第二初級電壓端子產(chǎn)生第一和第二半波整流信號；借助相應第一和第二緩沖驅(qū)動器對所述第一和第二輸入信號進行緩沖以產(chǎn)生相應第一和第二輸出信號； 當所述第二輸入信號的電壓大于所述第一輸入信號的電壓時，將所述第一輸出信號耦合到地；以及 當所述第一輸入信號的電壓大于所述第二輸入信號的電壓時，將所述第二輸出信號耦合到地。
16.如權利要求15所述的方法，還包括控制次級整流器電路以產(chǎn)生電源電壓來向所述緩沖驅(qū)動器提供運行功率。
17.如權利要求15所述的方法，還包括使用相應第一和第二二極管以箝位所述第一和第二輸入電壓的負電壓偏移。
18.如權利要求15所述的方法，其中所述第二變壓器繞組具有第一和第二端子，并且所述次級整流器電路包括 第一金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)，所述第一 MOSFET連接在地和所述第一端子之間，并且由所述第一控制信號控制；以及 第二 M0SFET，所述MOSFET連接在地和所述第二端子之間，并且由所述第二控制信號控制， 以及還包括在所述第二輸入信號和所述第一端子之間耦合二極管。
19.如權利要求15所述的方法，其中所述第一和第二變壓器繞組是同一變壓器的繞組。
20.一種同步整流器，包括 MOSFET SI，具有連接到第一變壓器繞組的第一端子的漏極； MOSFET S2，具有連接到所述第一變壓器繞組的第二端子的漏極； 第一緩沖驅(qū)動器，具有連接到所述MOSFET SI的源極的輸入端； 第二緩沖驅(qū)動器，具有連接到所述MOSFET S2的源極的輸入端； MOSFET S3，具有連接到所述第二緩沖驅(qū)動器的所述輸入端的柵極、連接到地的源極以及配置為從所述第一緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的漏極； MOSFET S4，具有連接到所述第一緩沖驅(qū)動器的所述輸入端的柵極、連接到地的源極以及配置為從所述第二緩沖驅(qū)動器接收輸出電壓的漏極； MOSFET Q1，具有連接到第二變壓器繞組的第一端子的漏極、連接到地的源極以及配置為從所述第一緩沖驅(qū)動器接收所述輸出電壓的柵極；以及MOSFET Q2，具有連接到所述第二變壓器繞組的第二端子的漏極、連接到地的源極以及配置為從所述第 二緩沖驅(qū)動器接收所述輸出電壓的柵極。
全文摘要
本發(fā)明涉及同步整流器驅(qū)動電路整流器。一種同步整流器包括初級整流器電路和次級整流器電路。該初級整流器電路被配置為從第一變壓器繞組的相應第一和第二初級電壓輸出產(chǎn)生第一和第二半波整流信號。次級整流器電路被配置為響應第一和第二晶體管柵極輸入對第二變壓器繞組的電壓輸出進行整流。第一緩沖驅(qū)動器被配置為接收第一半波整流信號并且將第一緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。第二緩沖驅(qū)動器被配置為接收第二半波整流信號并且將第二緩沖控制信號提供給第一晶體管柵極輸入。
文檔編號H02M7/12GK102810991SQ20111019856
公開日2012年12月5日 申請日期2011年6月2日 優(yōu)先權日2011年6月2日
發(fā)明者趙小儉, 吳睿, 胡欣 申請人:世系動力公司