專利名稱：半導(dǎo)體芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及以抑制連接太陽(yáng)能電池與二次電池的布線的電阻的增加為目的的半導(dǎo)體芯片，特別涉及在設(shè)置于半導(dǎo)體芯片上的外部連接端子的布局上具有特征的半導(dǎo)體芯片。
背景技術(shù)：
在專利文獻(xiàn)1中，作為具備控制從太陽(yáng)能電池向二次電池的充電的功能的充電控制系統(tǒng)，公開了具備太陽(yáng)能電池、二次電池、電連接太陽(yáng)能電池與二次電池的布線、和設(shè)置在該布線上來(lái)防止從二次電池向太陽(yáng)能電池的電流的逆流的逆流防止部的系統(tǒng)。
專利文獻(xiàn)1 日本特開平8-251818號(hào)公報(bào)
在此，當(dāng)研究根據(jù)專利文獻(xiàn)1的尤其是圖1想到的充電控制系統(tǒng)時(shí)，可考慮形成圖 4那樣的構(gòu)成。圖4所示的充電控制系統(tǒng)具備太陽(yáng)能電池1、二次電池2和半導(dǎo)體芯片3，而且半導(dǎo)體芯片3具備與太陽(yáng)能電池1電連接的第1端子4、與二次電池2電連接的第2端子5、電連接第1端子4與第2端子5的布線6、和形成在布線6上來(lái)防止從二次電池2向太陽(yáng)能電池1的電流的逆流的逆流防止部7。
但是，如圖4所示那樣，近年來(lái)，在充電控制系統(tǒng)所使用的半導(dǎo)體芯片3上除混裝有逆流防止部7以外，還混裝有具有各種功能的電路等作為內(nèi)部電路8的情況已較普遍。
從而，如圖4所示的以往的充電控制系統(tǒng)所使用的半導(dǎo)體芯片3那樣，若電連接太陽(yáng)能電池1與二次電池2的布線6采用從半導(dǎo)體芯片3的一邊延伸到與該一邊相對(duì)的另一邊的構(gòu)成，則布線6依賴于內(nèi)部電路8的大小變得冗長(zhǎng)，布線電阻增加對(duì)應(yīng)的量，所以在從太陽(yáng)能電池1向二次電池2進(jìn)行充電時(shí)可能會(huì)蒙受電損耗。發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明中提供一種電連接太陽(yáng)能電池與二次電池的布線的長(zhǎng)度不易受其他內(nèi)部電路的影響，能夠降低從太陽(yáng)能電池向二次電池進(jìn)行充電時(shí)的電損耗的半導(dǎo)體芯片。
本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體芯片是被四邊鑲邊而形成為矩形的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，具有第1端子，其沿著所述四邊之中的一個(gè)邊形成，與太陽(yáng)能電池電連接；第2端子， 其沿著所述一個(gè)邊形成，與二次電池電連接；和布線，其電連接所述第1端子與所述第2端子。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片是被四邊鑲邊而形成為矩形的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，具有第ι端子，其沿著所述四邊之中的一個(gè)邊形成，與太陽(yáng)能電池電連接；第2端子， 其沿著與所述一個(gè)邊相鄰的另一個(gè)邊形成，與二次電池電連接；布線，電連接所述第1端子與所述第2端子。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片，與太陽(yáng)能電池電連接的第1端子和與二次電池電連接的第2端子都沿著形成為矩形的半導(dǎo)體芯片的四邊之中的一個(gè)邊形成，或者第1端子形成于一個(gè)邊，第2端子形成于與該邊相鄰的另一個(gè)邊，因此電連接第1端子與第2端子的布線不會(huì)從半導(dǎo)體芯片的一個(gè)邊延伸到與該邊相對(duì)的另一個(gè)邊而形成。因此，電連接太陽(yáng)能電池與二次電池的布線的長(zhǎng)度不易受其他內(nèi)部電路的影響，能夠減少?gòu)奶?yáng)能電池向二次電池進(jìn)行充電時(shí)的電損耗。


圖1是表示本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10的構(gòu)成的圖。
圖2是本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10內(nèi)所形成的放電部70的詳細(xì)電路圖。
圖3是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10的構(gòu)成的圖。
圖4是用于說(shuō)明根據(jù)專利文獻(xiàn)1中公開的圖1想到的充電控制系統(tǒng)中的問(wèn)題的圖。
附圖標(biāo)記的說(shuō)明
10半導(dǎo)體芯片；20a 20d邊；30第1端子；40第2端子；50布線；60控制部；70 放電部；80第3端子；90內(nèi)部電路具體實(shí)施方式
對(duì)于本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片，參照附圖在下面進(jìn)行詳細(xì)地說(shuō)明。
(第1實(shí)施方式)
圖1表示具備本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10的充電控制系統(tǒng)，由半導(dǎo)體芯片10、太陽(yáng)能電池11和二次電池12構(gòu)成。
半導(dǎo)體芯片10是對(duì)作為四邊的邊20a、邊20b、邊20c以及邊20d進(jìn)行鑲邊而形成為矩形的。半導(dǎo)體芯片10具有第1端子30，其沿著作為四邊之中的一個(gè)邊的邊20a形成， 與太陽(yáng)能電池11電連接；第2端子40，其沿著邊20a形成，與二次電池12電連接；和布線 50，其電連接第1端子30與第2端子40。從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的充電經(jīng)由第1 端子30、布線50、以及第2端子40被進(jìn)行。
第1端子30在沿著邊20a 邊20d之中的邊20a、且最接近的位置上形成。第1 端子30與太陽(yáng)能電池11連接，起到作為半導(dǎo)體芯片10接受從太陽(yáng)能電池11供給的電力的窗口的作用。
第2端子40在沿著邊20a 邊20d之中的邊20a、且最接近的位置上形成。第2 端子40與二次電池12連接，起到作為向二次電池12交接由太陽(yáng)能電池11供給并從半導(dǎo)體芯片10輸出的電力的窗口的作用。而且，第2端子40與第1端子30相鄰地形成。
布線50是電連接第1端子30與第2端子40的布線。布線50在從太陽(yáng)能電池11 向二次電池12進(jìn)行充電時(shí)，起到將從第1端子30輸入的太陽(yáng)能電池11的電力向第2端子 40傳輸?shù)淖饔谩?br> 逆流防止部60設(shè)置在布線50上。逆流防止部60起到防止太陽(yáng)能電池11的電壓下降的結(jié)果為二次電池12的電壓朝太陽(yáng)能電池11發(fā)生逆流的作用，該逆流防止部60例如由開關(guān)元件構(gòu)成。在逆流防止部60由開關(guān)元件構(gòu)成的情況下，也可以采用下述構(gòu)成從太陽(yáng)能電池11向二次電池12進(jìn)行充電時(shí)接通開關(guān)元件，在太陽(yáng)能電池11的電壓比二次電池 12的電壓低時(shí)斷開開關(guān)元件防止從二次電池12向太陽(yáng)能電池11的逆流。另外，逆流防止部60可以不用開關(guān)元件，而只使用二極管，也可以將兩者組合，但不僅限于此。
放電部70在連接點(diǎn)55上與布線50連接。放電部70為了防止從太陽(yáng)能電池11 向二次電池12的過(guò)充電而被設(shè)置，起到如下作用當(dāng)二次電池12中貯存的電壓達(dá)到規(guī)定值以上時(shí)，為了防止從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的過(guò)充電，對(duì)從太陽(yáng)能電池11向布線50 供給的電力進(jìn)行放電。
而且，優(yōu)選放電部70在布線50和半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的與邊20a不同的邊、 即邊20b、邊20c或者邊20d中的至少任意一個(gè)邊之間形成。由于放電部70在布線50與邊20b 邊20d的任意一個(gè)邊之間形成，所以在半導(dǎo)體芯片10具備由連接第1端子30與第2端子40的線段100和布線50包圍的區(qū)域110的情況下，放電部70形成于區(qū)域110的外側(cè)，不形成于區(qū)域110的內(nèi)側(cè)，因此使不依賴于放電部70的形成面積的布線50的布線布局成為可能。這樣，通過(guò)提高布線50的布局的自由度，與放電部70形成于區(qū)域110內(nèi)的情況相比，能夠?qū)⒉季€50形成得更短，因此能夠?qū)⒉季€50的布線電阻抑制得更小。
第3端子80是從半導(dǎo)體芯片的外部供給接地電位GND的端子，與放電部70相連接。布線50中流動(dòng)的從太陽(yáng)能電池11供給的電流，在需要防止從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的過(guò)充電時(shí)，經(jīng)由與布線50連接的放電部70以及第3端子80流向接地電位GND。
內(nèi)部電路90在半導(dǎo)體芯片10內(nèi)按照各種設(shè)計(jì)事項(xiàng)被形成。內(nèi)部電路90可以是例如監(jiān)視二次電池12中貯存的電壓并且在二次電池12的電壓達(dá)到規(guī)定值以上時(shí)對(duì)放電部 70進(jìn)行規(guī)定的控制的電路，也可以是例如具備對(duì)逆流防止部60所使用的開關(guān)元件進(jìn)行控制的功能的電路，也可以不限于此而形成各種電路。
圖2是本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片10內(nèi)所形成的放電部70的一個(gè)電路圖，示出第1端子30、第2端子40、布線50、逆流防止部60、放電部70、第3端子80以及內(nèi)部電路90的電路構(gòu)成。而且，在圖2中，對(duì)與圖1相同的部分付與了同樣的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。另外， 圖2終歸是表示電路構(gòu)成的圖，不是表示半導(dǎo)體芯片10內(nèi)的各種配置的圖。
放電部70由形成有作為N型晶體管的多個(gè)放電晶體管Q1、Q2、…、Qn的放電晶體管部45構(gòu)成，放電晶體管部45中所形成的放電晶體管Ql、Q2、…、Qn各自的漏極D在布線50上的連接點(diǎn)55與布線50連接。而且，放電晶體管Q1、Q2、…、Qn各自的源極S與第 3端子80連接。而且，放電晶體管Q1、Q2、…、Qn各自的柵極G例如和作為內(nèi)部電路90與布線50連接而形成的放電晶體管控制部95電流鏡連接，放電晶體管Q1、Q2、…、Qn的開關(guān)被放電晶體管控制部95控制。而且，放電晶體管Q1、Q2、…、Qn也可以是P型晶體管。
放電部70為了上述那樣防止從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的過(guò)充電而被使用。 下面說(shuō)明放電部70的放電動(dòng)作的一個(gè)例子。而且，以下使用N型晶體管作為放電晶體管。
首先，在二次電池12的電壓在規(guī)定值以下時(shí)，從放電晶體管控制部95向放電晶體管Q1、Q2、…、Qn各自的柵極供給0V，放電晶體管Q1、Q2、…、Qn的每一個(gè)都截止。下面， 在二次電池12的電壓達(dá)到規(guī)定值以上時(shí)，放電晶體管控制部95檢測(cè)到該情況，從放電晶體管控制部95向放電晶體管Q1、Q2、…、Qn各自的柵極施加規(guī)定的電壓，由此，各個(gè)放電晶體管Q1、Q2、…、Qn導(dǎo)通。當(dāng)放電晶體管Q1、Q2、…、Qn導(dǎo)通時(shí)，從太陽(yáng)能電池11經(jīng)由第1 端子30向布線50供給的電流開始向放電部70側(cè)流動(dòng)。即，從太陽(yáng)能電池11向二次電池 12流動(dòng)的電流減少。通過(guò)以上的動(dòng)作，防止從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的過(guò)充電。
在此，對(duì)放電部70的放電特性進(jìn)行說(shuō)明。放電部70的放電特性是指在放電晶體6管Q1、Q2、…、Qn導(dǎo)通時(shí)，在布線50中流動(dòng)的電流向放電部70側(cè)流動(dòng)的程度的特性，該放電特性越強(qiáng)，越能夠?qū)⒃诓季€50中流動(dòng)的電流進(jìn)一步吸引到放電部70，能夠抑制從太陽(yáng)能電池11向二次電池12的過(guò)充電。而且，半導(dǎo)體芯片10中的放電部70的放電特性依賴于從第1端子30到第3端子80的布線電阻的大小。從而，通過(guò)進(jìn)一步減小從第1端子30到第3端子80的布線電阻，而能夠得到更強(qiáng)的放電特性、即能夠?qū)⒀夭季€50向第2端子40 流動(dòng)的電流進(jìn)一步吸引到放電部70側(cè)。
以下，再次使用圖1說(shuō)明能夠得到更強(qiáng)的放電部70的放電特性的放電部70的半導(dǎo)體芯片10內(nèi)的配置。
優(yōu)選放電部70如圖1所示連接在布線50上的第1端子30與逆流防止部60之間。 換言之，優(yōu)選放電部70在布線50上的比逆流防止部60靠近第1端子30的位置上與布線 50連接。由此，比放電部70連接在布線50上的第2端子40與逆流防止部60之間的情況相比，能夠縮短從第1端子30到放電部70的布線長(zhǎng)度，能夠減小布線電阻，所以能夠進(jìn)一步提高放電部70的放電特性。
另外，優(yōu)選使從第1端子30到放電部70的布線50的布線電阻比從第2端子40 到放電部70的布線50的布線電阻小。作為這樣的一個(gè)例子，可以舉出從第1端子30到放電部70的布線50的長(zhǎng)度比從第2端子40到放電部70的布線50的長(zhǎng)度短的情況。
另外，優(yōu)選第3端子80沿著半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的離配置有放電部70的部位最近的邊形成。通過(guò)第3端子80沿著離配置有放電部70的部位最近的邊形成，與第3 端子80在其他邊上形成的情況相比，能夠使連接放電部70與第3端子80的布線的長(zhǎng)度最短，能夠使該布線的布線電阻最小，因此能夠進(jìn)一步提高放電部70的放電特性。而且，優(yōu)選在圖1所示的半導(dǎo)體芯片10中，第3端子80在沿著邊20a 邊20d之中的邊20a、且最接近的位置上形成。
而且，在圖1中表示了沿著邊20a，第1端子30和第2端子40相鄰地形成的情況， 但是不限于此，也可以在第1端子30與第2端子40之間形成有其他外部端子。這是因?yàn)榧词乖诘?端子30與第2端子40之間形成有其他外部端子，由于在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中第1端子30和第2端子40沒(méi)有形成于相互對(duì)置的邊上，因此這時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)布線50 的布線電阻的抑制。但是，優(yōu)選在第1端子30與第2端子40之間不形成其他外部端子，第 1端子30與第2端子40相鄰接地形成。其原因是在第1端子30與第2端子40之間形成有其他外部端子時(shí)，存在需要采用避開該其他外部端子那樣的布線50的布局，因此造成布線50的布線長(zhǎng)度要依賴于其他外部端子的配置來(lái)決定的情況，有可能導(dǎo)致布線50的布局的自由度降低，但是通過(guò)第1端子30與第2端子40相鄰地形成，而能夠不依賴于其他外部端子的配置地決定布線50的布線長(zhǎng)度，從而不會(huì)導(dǎo)致布線50的布局的自由度的降低，就能夠進(jìn)一步抑制布線50的布線電阻的增加。
以上，根據(jù)本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10，第1，與太陽(yáng)能電池11電連接的第1端子30和與二次電池12電連接的第2端子40都沿著形成為矩形的半導(dǎo)體芯片10 的邊20a被形成，因而電連接第1端子30與第2端子40的布線50不會(huì)從半導(dǎo)體芯片10 的一個(gè)邊延伸到與該邊相對(duì)的另一個(gè)邊地形成。因此，電連接太陽(yáng)能電池11與二次電池12 的布線50的長(zhǎng)度變得不易受其他內(nèi)部電路90的影響，能夠降低從太陽(yáng)能電池11向二次電池12進(jìn)行充電時(shí)的電損耗。
另外，第2，通過(guò)放電部70被形成于布線50和半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的與邊 20a不同的邊、即邊20b、邊20c、或者邊20d中的至少任意一個(gè)邊之間，而使不依賴放電部 70的形成面積的布線50的布線布局成為可能，能夠?qū)⒉季€50的布線電阻抑制得更小。
另外，第3，通過(guò)放電部70連接在布線50上的第1端子30與逆流防止部60之間， 與放電部70連接在布線50上的第2端子40與逆流防止部60之間的情況相比，能夠縮短從第1端子30到放電部70的布線長(zhǎng)度，能夠減小布線電阻。
另外，第4，通過(guò)第3端子80沿著半導(dǎo)體芯片50的四邊之中、離配置有放電部70 的部位最近的邊形成，與第3端子80在其他邊上形成的情況相比，能夠使連接放電部70與第3端子80的布線的長(zhǎng)度最短，能夠使該布線的布線電阻最小。
另外，第5，通過(guò)第1端子30與第2端子40沿著邊20a相鄰地形成，從而不會(huì)因其他外部端子而導(dǎo)致布線50的布局的自由度降低，因此能夠抑制布線50的布線電阻的增加。
(第2實(shí)施方式)
圖3示出具備本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10的充電控制系統(tǒng)，其由半導(dǎo)體芯片10、太陽(yáng)能電池11和二次電池12構(gòu)成。而且，對(duì)于與本發(fā)明的第1實(shí)施方式中記載的充電控制系統(tǒng)同樣的構(gòu)成，付與同樣的附圖標(biāo)記，來(lái)省略其說(shuō)明。
半導(dǎo)體芯片IOa是對(duì)作為四邊的邊20a、邊20b、邊20c以及邊20d鑲邊而形成為矩形的。半導(dǎo)體芯片IOa具有沿著作為四邊之中的一個(gè)邊的邊20a形成，與太陽(yáng)能電池11 電連接的第1端子30 ；第2端子40，其沿著作為與邊20a相鄰的另一個(gè)邊的邊20b形成，與二次電池12電連接；和布線50，其電連接第1端子30與第2端子40。
本發(fā)明的第2實(shí)施方式的充電控制系統(tǒng)在與第1實(shí)施方式的充電控制系統(tǒng)相比較時(shí)，不同點(diǎn)在于第2端子40沿著與邊20a相鄰的邊20b形成。
第2端子40在沿著邊20a 邊20d之中的邊20b、且最接近的位置上形成。第2 端子40與二次電池12連接，起到作為將從半導(dǎo)體芯片10輸出、由太陽(yáng)能電池11供給的電力向二次電池12交接的窗口的作用。而且，第2端子40與第1端子30相鄰地形成。
優(yōu)選放電部70在布線50和半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的與邊20a以及邊20b不同的邊、即邊20c、或者邊20d中的任意一邊之間被形成。通過(guò)放電部70在布線50與邊20c 或者邊20d中的任意一邊之間形成，而在半導(dǎo)體芯片10具備由連接第1端子30與第2端子 40的線段IOOa和布線50包圍的區(qū)域IlOa時(shí)，放電部70形成在區(qū)域IlOa的外側(cè)，不形成在區(qū)域IlOa的內(nèi)側(cè)，因此使不依賴放電部70的形成面積的布線50的布線布局成為可能， 與放電部70形成在區(qū)域IlOa內(nèi)的情況相比，能夠使布線50形成得更短，能夠?qū)⒉季€50的布線電阻抑制到更小。
而且，優(yōu)選在第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10中，放電部70形成于由邊20a、邊20b、 以及線段100包圍的區(qū)域IlOb內(nèi)。例如，想抑制布線電阻的增加，而將布線50以在在第1 端子30與第2端子40的最短路徑上、即布線50成為最短地形成時(shí)，存在區(qū)域IlOb成為未使用區(qū)域的情況。在該情況下，為了有效地利用區(qū)域110b，更優(yōu)選把放電部70形成于區(qū)域 IlOb內(nèi)。另外，即使不是以布線50為最短的方式形成布線50的情況，也優(yōu)選將放電部70 配置于區(qū)域IlOb從而有效地利用區(qū)域110b。
另外，優(yōu)選放電部70連接在布線50上的第1端子30與逆流防止部60之間。換言之，優(yōu)選放電部70在比逆流防止部60靠近第1端子30的布線50上的位置與布線50連接。由此，與放電部70連接在布線50上的第2端子40與逆流防止部60之間的情況相比， 能夠縮短從第1端子30到放電部70的布線長(zhǎng)度，能夠減小布線電阻，因此能夠進(jìn)一步提高放電部70的放電特性。
另外，優(yōu)選從第1端子30到放電部70的布線50的布線電阻的大小比從第2端子 40到放電部70的布線50的布線電阻小。作為這樣的一個(gè)例子，可以舉出從第1端子30到放電部70的布線50的長(zhǎng)度比從第2端子40到放電部70的布線50的長(zhǎng)度短的情況。
另外，優(yōu)選第3端子80沿著半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的離配置有放電部70的部位最近的邊地形成。通過(guò)第3端子80沿著離配置有放電部70的部位最近的邊地形成，而與第3端子80在其他邊上形成的情況相比，能夠使連接放電部70與第3端子80的布線的長(zhǎng)度最短，能夠使該布線的布線電阻最小，因此能夠進(jìn)一步提高放電部70的放電特性。而且，優(yōu)選在圖1所示的半導(dǎo)體芯片10中，第3端子80在沿著邊20a 邊20d之中的邊20a、 且接近的位置上被形成。
而且，圖3表示了第1端子30與第2端子40相鄰地形成的情況，但是不限于此， 也可以在第1端子30與第2端子40之間形成其他外部端子。這是因?yàn)榧词乖诘?端子 30與第2端子40之間形成了其他外部端子，在本發(fā)明的第1實(shí)施方式中第1端子30與第 2端子40未形成在互相對(duì)的邊上，因此這時(shí)也能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)布線50的布線電阻的增加的抑制。但是，優(yōu)選在第1端子30與第2端子40之間不形成其他外部端子，第1端子30與第 2端子40相鄰地形成。其原因是在第1端子30與第2端子40之間形成有其他外部端子時(shí)，存在需要采用避開該其他外部端子那樣的布線50的布局，因此造成布線50的布線長(zhǎng)度要依賴于其他外部端子的配置地決定的情況，有可能導(dǎo)致布線50的布局的自由度降低，但是通過(guò)第1端子30與第2端子40相鄰地形成，能夠不依賴其他外部端子的配置地決定布線50的布線長(zhǎng)度，從而不會(huì)導(dǎo)致布線50的布局的自由度的降低，能夠進(jìn)一步抑制布線50 的布線電阻的增加。
以上，根據(jù)本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體芯片10，第1，與太陽(yáng)能電池11電連接的第1端子30沿著形成為矩形的半導(dǎo)體芯片10的邊20a地形成，與二次電池12電連接的第2端子40沿著與邊20a相鄰的邊20b地形成，所以電連接第1端子30與第2端子40的布線50不會(huì)從半導(dǎo)體芯片10的一個(gè)邊延伸到與該邊相對(duì)的另一個(gè)邊地形成。因此，電連接太陽(yáng)能電池11與二次電池12的布線50的長(zhǎng)度變得不易受其他的內(nèi)部電路90的影響， 能夠減小從太陽(yáng)能電池11向二次電池12進(jìn)行充電時(shí)的電損耗。
另外，第2，通過(guò)放電部70在布線50和與半導(dǎo)體芯片10的邊20a以及邊20b不同的邊、即邊20c或者邊20d中的任意一邊之間被形成，從而使不依賴于放電部70的形成面積的布線50的布線布局成為可能，能夠?qū)⒉季€電阻增加抑制到更少。
另外，第3，通過(guò)放電部70連接在布線50上的第1端子30與逆流防止部60之間， 從而與放電部70連接在布線50上的第2端子40與逆流防止部60之間的情況相比，能夠縮短從第1端子30到放電部70的布線長(zhǎng)度，能夠減小布線電阻。
另外，第4，通過(guò)第3端子80沿著半導(dǎo)體芯片10的四邊之中的離配置有放電部70 的部位最近的邊地形成，從而與第3端子80形成在其他邊上的情況相比，能夠使連接放電部70與第3端子80的布線的長(zhǎng)度最短，能夠使該布線的布線電阻最小。
另外，第5，通過(guò)第1端子30與第2端子40相鄰地形成，不會(huì)因其他外部端子而導(dǎo)致布線50的布局的自由度降低的情況，因此能夠抑制布線50的布線電阻的增加。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片，對(duì)其四邊鑲邊而形成為矩形，該半導(dǎo)體芯片的特征在于，具有 第1端子，其沿著所述四邊之中的一個(gè)邊形成，與太陽(yáng)能電池電連接；第2端子，其沿著所述一個(gè)邊形成，與二次電池電連接； 布線，其電連接所述第1端子與所述第2端子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，在所述布線上連接有放電部，該放電部對(duì)由所述太陽(yáng)能電池供給的電力進(jìn)行放電， 所述放電部在所述第1布線和所述半導(dǎo)體芯片的所述四邊之中的與所述一個(gè)邊不同的邊之間形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，從所述第1端子到所述放電部的所述布線的布線電阻比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的布線電阻小。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，從所述第1端子到所述放電部的所述布線的長(zhǎng)度比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的長(zhǎng)度短。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，在所述布線上設(shè)置有逆流防止部，該逆流防止部防止從所述二次電池向所述太陽(yáng)能電池的電流的逆流，所述放電部連接在所述布線上的所述第1端子與所述逆流防止部之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述放電部沿著所述半導(dǎo)體芯片的四邊之中的離所述放電部的距離最近的邊形成，并且與連接在接地電位上的第3端子電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于， 所述半導(dǎo)體芯片的四邊之中的最近的邊是所述一個(gè)邊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于， 所述第1端子與所述第2端子相互鄰接地形成。
9.一種半導(dǎo)體芯片，對(duì)其四邊鑲邊而形成為矩形，該半導(dǎo)體芯片的特征在于，具有 第1端子，其沿著所述四邊之中的一個(gè)邊形成，與太陽(yáng)能電池電連接；第2端子，其沿著與所述一個(gè)邊相鄰的另一個(gè)邊形成，與二次電池電連接； 布線，其電連接所述第1端子與所述第2端子。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，在所述布線上連接有放電部，該放電部對(duì)由所述太陽(yáng)能電池供給的電力進(jìn)行放電， 所述放電部在所述第1布線和所述半導(dǎo)體芯片的所述四邊之中的與所述一個(gè)邊以及所述另一個(gè)邊不同的邊之間形成。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，從所述第1端子到所述放電部的所述布線的布線電阻比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的布線電阻小。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，從所述第1端子到所述放電部的所述布線的長(zhǎng)度比從所述第2端子到所述放電部的所述布線的長(zhǎng)度短。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，在所述布線上設(shè)置有逆流防止部，其防止從所述二次電池向所述太陽(yáng)能電池的電流的逆流，所述放電部連接在所述布線上的所述第1端子與所述逆流防止部之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述放電部沿著所述半導(dǎo)體芯片的四邊之中的離所述放電部的距離最近的邊形成，并且與連接在接地電位上的第3端子電連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述半導(dǎo)體芯片的四邊之中的最近的邊是所述一個(gè)邊或者所述另一個(gè)邊。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于， 所述第1端子與所述第2端子相互相鄰地形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片，使電連接太陽(yáng)能電池與二次電池的布線的長(zhǎng)度不易受其他內(nèi)部電路的影響，并能夠降低從太陽(yáng)能電池向二次電池進(jìn)行充電時(shí)的電損耗的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片(10)具有沿著邊(20a)形成，與太陽(yáng)能電池(11)電連接的第1端子(30)；沿著邊(20a)形成，與二次電池(12)電連接的第2端子(40)、和電連接第1端子(30)與第2端子(40)的布線(50)。
文檔編號(hào)H02J7/00GK102543918SQ20111039134
公開日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者宇都野紀(jì)久生 申請(qǐng)人:拉碧斯半導(dǎo)體株式會(huì)社