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      一種電源管理電路的制作方法

      文檔序號(hào):7341070閱讀:160來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種電源管理電路的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及電源設(shè)計(jì)領(lǐng)域,特別是涉及一種電源管理電路。背景技術(shù)
      對(duì)于集成多路電源通道的電源管理芯片,可能面臨對(duì)多路電源管理分別修調(diào),以保證每路輸出電壓都達(dá)到高精度。請(qǐng)參考圖1所示,其為現(xiàn)有技術(shù)中具有多路電源通道的電源管理電路的電路示意圖。所述電源管理電路中的每個(gè)電源通路采用一個(gè)獨(dú)立的帶隙基準(zhǔn)電路。所述電源管理電路包括第一路電源通道和第二路電源通道,其中第一路電源通道和第二路電源通道的電路結(jié)構(gòu)相似。以第一電源通路為例,其包括帶隙基準(zhǔn)電路Bandgapl、 可修調(diào)電阻串110、低壓差電壓調(diào)節(jié)器LDO (Low DropOut Regulator) 1。所述可修調(diào)電阻串 110的一端與帶隙基準(zhǔn)電路Bandgapl的輸出端和低壓差電壓調(diào)節(jié)器LDOl的輸入端連接的節(jié)點(diǎn)相連,其另一端接地。其中所述帶隙基準(zhǔn)電路Bandgapl產(chǎn)生基準(zhǔn)電流,該電流在電阻串110上產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓VR1,低壓差電壓調(diào)節(jié)器LDOl根據(jù)所述基準(zhǔn)電壓VRl輸出驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng)的電源輸出電壓V01。根據(jù)每路電源通道的輸出電壓所需精度不同,對(duì)修調(diào)位數(shù)即修調(diào)單元個(gè)數(shù)的需求也不同。例如,如果每路電源通道的輸出電壓VO所需精度為+/-2%,則對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝而言,為了將大多數(shù)芯片都校準(zhǔn)到該精度,則通常需要五位修調(diào)位,即對(duì)應(yīng)五個(gè)修調(diào)單元。在圖1中的第一電源通道中的可修調(diào)電阻串110包括依次串聯(lián)的電阻 Rla、修調(diào)電阻R11、修調(diào)電阻R12、修調(diào)電阻R13、修調(diào)電阻R14和修調(diào)電阻R15,以及與修調(diào)電阻R11、修調(diào)電阻R12、修調(diào)電阻R13、修調(diào)電阻R14和修調(diào)電阻R15分別并聯(lián)的熔絲F11、 熔絲F12、熔絲F13、熔絲F14和熔絲F15,其中熔絲F11、熔絲F12、熔絲F13、熔絲F14和熔絲F15為修調(diào)單元。在晶圓測(cè)試時(shí),測(cè)量電源輸出電壓VOl的電壓值,計(jì)算與目標(biāo)值的差異, 然后對(duì)熔絲Fll至F15進(jìn)行選擇性熔斷,熔斷熔絲會(huì)導(dǎo)致可修調(diào)電阻串110電阻值增加,從而導(dǎo)致參考電壓VRl增加,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對(duì)VOl電壓的校準(zhǔn)(或者修調(diào))。其他電源通道的修調(diào)過(guò)程與此相似。這種方法設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單,只需簡(jiǎn)單復(fù)制電路即可實(shí)現(xiàn)。但是,由于每路電源通道都需要很多修調(diào)單元和很多用于修調(diào)的壓點(diǎn)。這些壓點(diǎn)在版圖中與用封裝鍵合金線的壓焊點(diǎn)結(jié)構(gòu)相似,但通常其面積較壓焊點(diǎn)小,在晶圓測(cè)試時(shí)采用探針接觸它們,然后在兩個(gè)相鄰的修調(diào)壓點(diǎn)之間施加一定電壓并產(chǎn)生大電流,從而將熔絲燒斷,產(chǎn)生修調(diào)效果。由于多路電源通道要分別修調(diào),導(dǎo)致集成多路電源通道的電源管理芯片所需要的總修調(diào)壓點(diǎn)相當(dāng)多,而測(cè)試環(huán)境通常要求封裝鍵合的壓焊點(diǎn)和修調(diào)壓點(diǎn)都需布置在芯片四周的邊緣上,以免測(cè)試時(shí)移動(dòng)探針導(dǎo)致將芯片劃傷,影響良率。但當(dāng)所需壓焊點(diǎn)和修調(diào)壓點(diǎn)數(shù)目太多時(shí),可能導(dǎo)致所需的所有壓點(diǎn)和壓焊點(diǎn)無(wú)法全部布置在芯片的邊緣上,這種現(xiàn)象在多路輸出電源管理芯片中很嚴(yán)重。因此,有必要提出一種改進(jìn)的技術(shù)方案來(lái)解決上述問(wèn)題。

      發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種電源管理電路,其可以減少需要的修調(diào)單元和用于修調(diào)的壓點(diǎn)。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出一種電源管理電路,其包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和若干可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生參考電壓,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括有第一修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)所述參考電壓進(jìn)行修調(diào);每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路基于所述參考電壓產(chǎn)生輸出電壓,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括有第二修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行修調(diào)。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括參考電壓產(chǎn)生電路、第一可修調(diào)分壓電路和運(yùn)算放大器,所述參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓;第一可修調(diào)分壓電路對(duì)所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行分壓并輸出第一分壓電壓,所述第一修調(diào)單元位于第一可修調(diào)分壓電路內(nèi),第一可修調(diào)分壓電路通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)該第一分壓電壓進(jìn)行修調(diào);所述運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接所述第一分壓電壓,另一個(gè)輸入端接其輸出端,所述輸出端輸出所述參考電壓。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,第一可修調(diào)分壓電路包括串聯(lián)在所述基準(zhǔn)電壓和地之間的第一修調(diào)電阻、兩個(gè)第一分壓電阻,兩個(gè)第一分壓電阻之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第一分壓電壓,所述第一修調(diào)電阻與第一修調(diào)單元并聯(lián)。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路還包括第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、運(yùn)算放大器、第一修調(diào)電阻,第一修調(diào)電阻、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第一雙極型晶體管依次串聯(lián),第一雙極型晶體管的基極與其集電極相連,第四電阻與第二雙極型晶體管依次串聯(lián),第二雙極型晶體管的基極與其集電極相連,第四電阻的另一端與第一電阻和第二電阻的中間節(jié)點(diǎn)相連, 所述運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接第四電阻與第二雙極型晶體管的中間節(jié)點(diǎn),所述運(yùn)算放大器的另一個(gè)輸入端接第二電阻與第三電阻的中間節(jié)點(diǎn),所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述第一修調(diào)電阻的另一端相連,所述運(yùn)算放大器的輸出端輸出所述參考電壓,所述第一修調(diào)電阻與所述第一修調(diào)單元并聯(lián)。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,第一修調(diào)電阻包括相互串聯(lián)的多個(gè),每個(gè)第一修調(diào)電阻與一個(gè)第一修調(diào)單元并聯(lián)。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括第二可修調(diào)分壓電路和電源轉(zhuǎn)換電路,第二可修調(diào)分壓電路對(duì)所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路輸出的參考電壓進(jìn)行分壓并輸出第二分壓電壓,所述第二修調(diào)單元位于第二可修調(diào)分壓電路內(nèi),第二可修調(diào)分壓電路通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)該第二分壓電壓進(jìn)行修調(diào);所述電源轉(zhuǎn)換電路基于所述第二分壓電壓產(chǎn)生所述輸出電壓。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,第二可修調(diào)分壓電路包括串聯(lián)在所述參考電壓和地之間的第二修調(diào)電阻、兩個(gè)第二分壓電阻,兩個(gè)第二分壓電阻之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第二分壓電壓,所述第二修調(diào)電阻與第二修調(diào)單元并聯(lián)。在一個(gè)進(jìn)一步的實(shí)施例中,第二修調(diào)電阻包括相互串聯(lián)的多個(gè),每個(gè)第二修調(diào)電阻與一個(gè)第二修調(diào)單元并聯(lián)。在一個(gè)更進(jìn)一步的實(shí)施例中,各個(gè)電源轉(zhuǎn)換電路中的第二修調(diào)電阻都直接連接所述參考電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比,在本發(fā)明中通過(guò)使得多個(gè)電源通道共用可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路,這樣就減少了所需的修調(diào)單元個(gè)數(shù),從而減少了所需的修調(diào)壓點(diǎn)個(gè)數(shù),進(jìn)而方便將修調(diào)壓點(diǎn)和壓焊點(diǎn)排布在芯片的邊緣,避免了將修調(diào)壓點(diǎn)布置在芯片的內(nèi)側(cè)。

      為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中圖1為現(xiàn)有技術(shù)中具有多路電源通道的電源管理電路的電路示意圖;圖2為本發(fā)明中的具有多路電源通道的電源管理電路在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖;圖3為圖2中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖;圖4為圖2中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路在另一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖;和圖5為本發(fā)明中的具有多路電源通道的電源管理電路在另一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。
      具體實(shí)施方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明。除特別說(shuō)明外,本文中的“連接”、“相接”、“接至”、 “接”等涉及到電性連接的詞均可以表示直接或間接電性連接。本文中的“若干”、“多個(gè)”表示兩個(gè)或兩個(gè)以上。此處所稱的“一個(gè)實(shí)施例”或“實(shí)施例”是指可包含于本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)現(xiàn)方式中的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。在本說(shuō)明書中不同地方出現(xiàn)的“在一個(gè)實(shí)施例中”并非均指同一個(gè)實(shí)施例,也不是單獨(dú)的或選擇性的與其他實(shí)施例互相排斥的實(shí)施例。由于電源管理電路中的電源通道輸出的電壓VO不準(zhǔn)由兩種原因構(gòu)成一是由參考電壓產(chǎn)生電路引起,其輸出的參考電壓VR本身因工藝產(chǎn)生偏差,導(dǎo)致芯片之間存在差異;二是由電源轉(zhuǎn)換電路(如低壓差電壓調(diào)節(jié)器LDO中的誤差放大器)引起,其輸出電壓VO 因工藝產(chǎn)生偏差,導(dǎo)致芯片之間存在差異。因此,本發(fā)明中提供的電源管理電路包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和若干可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路對(duì)應(yīng)一個(gè)電源通道。所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生參考電壓VR,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括有第一修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)所述參考電壓VR進(jìn)行修調(diào)。每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路基于所述參考電壓VR產(chǎn)生輸出電壓V0,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括有第二修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)所述輸出電壓VO進(jìn)行修調(diào)。這樣,利用第一修調(diào)單元對(duì)參考電壓VR進(jìn)行粗調(diào)后,再利用第二修調(diào)單元對(duì)每個(gè)電源通道的輸出電壓VO進(jìn)行精調(diào),從而實(shí)現(xiàn)了對(duì)每個(gè)電源通道的精確調(diào)整。此外,由于對(duì)參考電壓VR的粗調(diào)是針對(duì)所有電源通道的,因此需要的總的修調(diào)單元的個(gè)數(shù)將會(huì)減少。請(qǐng)參考圖2所示,其為本發(fā)明中的具有多路電源通道的電源管理電路在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。所述電源管理電路包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210和兩個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路220。在此實(shí)施例中,僅示出了兩個(gè)電源通道,很顯然,在其他實(shí)施例中可以有三個(gè)或更多個(gè)電源通道。請(qǐng)參考圖3所示,其為圖2中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210在一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210包括參考電壓產(chǎn)生電路211、第一可修調(diào)分壓電路212和運(yùn)算放大器0P1。所述參考電壓產(chǎn)生電路211產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓。第一可修調(diào)分壓電路212對(duì)所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行分壓并輸出第一分壓電壓VA,所述第一修調(diào)單元位于第一可修調(diào)分壓電路212 內(nèi),第一可修調(diào)分壓電路通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)該第一分壓電壓VA進(jìn)行修調(diào)。在本實(shí)施例中,所述第一可修調(diào)分壓電路212包括串聯(lián)在所述基準(zhǔn)電壓和地之間的電阻Raa,第一修調(diào)電阻Rbl和Rb2,第一分壓電阻Rb4和Rb5,以及兩個(gè)第一修調(diào)單元即熔絲!^bl和冊(cè)2, 熔絲!^bl與第一分壓電阻Rb2并聯(lián),熔絲冊(cè)2與第一分壓電阻Rb2并聯(lián),第一分壓電阻Rb4 和此5之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第一分壓電壓VA。所述運(yùn)算放大器OPl的正相輸入端接所述第一分壓電壓VA,其負(fù)相輸入端接其輸出端,所述輸出端輸出所述參考電壓VR。通過(guò)選擇是否熔斷熔絲冊(cè)1和冊(cè)2,使所述第一可修調(diào)分壓電路212得到不同的分壓比例,從而改變分壓電壓VA和參考電壓VR的電壓值,即對(duì)所述參考電壓VR進(jìn)行修調(diào)。請(qǐng)參考圖4所示,其為圖2中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210在另一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210包括第一雙極型晶體管PNP1,第二雙極型晶體管PNP2,第一電阻Rc 1,第二電阻Rc2,第三電阻Rc3,第四電阻Rc4,運(yùn)算放大器0P2,第一修調(diào)電阻和詘2,以及兩個(gè)第一修調(diào)單元即熔絲!^bl和冊(cè)2。第一修調(diào)電阻和詘2, 第一電阻Rcl、第二電阻Rc2、第三電阻Rc3和第一雙極型晶體管PNPl依次串聯(lián),第一雙極型晶體管PNPl的基極與其集電極相連并接地。第四電阻Rc4與第二雙極型晶體管PNP2依次串聯(lián),第二雙極型晶體管PNP2的基極與其集電極相連并接地,第四電阻Rc4的另一端與第一電阻Rcl和第二電阻Rc2的中間節(jié)點(diǎn)相連。所述運(yùn)算放大器0P2的正相輸入端接第四電阻Rc4與第二雙極型晶體管PNP2的中間節(jié)點(diǎn),其負(fù)相輸入端接第二電阻Rc2與第三電阻 Rc3的中間節(jié)點(diǎn),其輸出端與所述第一修調(diào)電阻Rbl的另一端相連,其輸出端輸出所述參考電壓VR,熔絲與第一分壓電阻Rb2并聯(lián),熔絲冊(cè)2與第一分壓電阻Rb2并聯(lián)。所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路210產(chǎn)生較準(zhǔn)確的參考電壓原理如下第一雙極晶體管PNPl的發(fā)射極面積為比第二雙極晶體管PNP2的發(fā)射極面積大,第二電阻Rc2和第四電阻Rc4的電阻設(shè)計(jì)為相等。因?yàn)檫\(yùn)算放大器0P2將調(diào)整滿足其正負(fù)相輸入端的電壓相等,又因第二電阻 Rc2和第四電阻Rc4的另一端連接在一起,所以第二電阻Rc2和第四電阻Rc4上的電壓降相等,則第二電阻Rc2和第四電阻Rc4上的電流相等。根據(jù)雙極晶體管的電流電壓特性,雙極晶體管PNPl和PNP2的發(fā)射極-基極電壓差為正溫度系數(shù),而兩者的發(fā)射極-基極電壓差等于第三電阻Rc3上的電壓降,又因第二電阻Rc2上的電流等于第三電阻Rc3上的電流, 所以第二電阻Rc2上的電壓降也為正溫度系數(shù)。第一電阻Rcl上的電流等于第二電阻Rc2 上的電流和第四電阻Rc4上的電流之和,并等于第二電阻Rc2上的電流的兩倍。所以第一電阻Rcl的電壓降也為相同的正溫度系數(shù)。這樣導(dǎo)致參考電壓VR節(jié)點(diǎn)到運(yùn)算放大器0P2 正相輸入端的電壓降為正溫度系數(shù),而第二雙極晶體管PNP2的發(fā)射極-基極電壓為負(fù)溫度系數(shù),這兩個(gè)電壓之和等于節(jié)點(diǎn)參考電壓VR的電壓,可以通過(guò)合適的電阻比例實(shí)現(xiàn)零溫度系數(shù)的電壓,這就是帶隙基準(zhǔn)源的溫度補(bǔ)償原理。通過(guò)選擇性熔斷熔絲和冊(cè)2,從而實(shí)現(xiàn)輸出溫度補(bǔ)償好的參考電壓VR,即輸出更為準(zhǔn)確的參考電壓VR。圖4與圖3相比可以節(jié)省一個(gè)運(yùn)算放大器。圖3中的參考電壓產(chǎn)生電路內(nèi)部一般也需要運(yùn)算放大器。而圖4中運(yùn)算放大器0P2輸出存在較強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力,所以可以直接輸出驅(qū)動(dòng)VR節(jié)點(diǎn)的參考電壓。在另一個(gè)實(shí)施例中,所述雙極晶體管也可以為NPN型。圖4中的實(shí)施例采用了帶隙基準(zhǔn)源實(shí)現(xiàn)方式,但顯然,本發(fā)明也可以適用于其他各種基準(zhǔn)源實(shí)現(xiàn)方式,如基于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的耗盡型或增強(qiáng)型帶隙基準(zhǔn)源的實(shí)現(xiàn)方式。圖3和圖4中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路都包括兩個(gè)相互串連的第一修調(diào)電阻, 以及與其對(duì)應(yīng)的兩個(gè)第一修調(diào)單元。根據(jù)對(duì)所述參考電壓精度的要求,所述第一修調(diào)電阻可以包括相互串聯(lián)的更多個(gè),每個(gè)第一修調(diào)電阻與一個(gè)第一修調(diào)單元并聯(lián)。圖2中的每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路220基于所述參考電壓VR產(chǎn)生輸出電壓V0,其中每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路220包括第二可修調(diào)分壓電路221和電源轉(zhuǎn)換電路222,第二可修調(diào)分壓電路221對(duì)所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路輸出的參考電壓VR進(jìn)行分壓并輸出第二分壓電壓VB,所述第二修調(diào)單元位于第二可修調(diào)分壓電路221內(nèi),第二可修調(diào)分壓電路 221通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)該第二分壓電壓VB進(jìn)行修調(diào);所述電源轉(zhuǎn)換電路222基于所述第二分壓電壓VB產(chǎn)生所述輸出電壓V0,在此實(shí)施例中,所述電源轉(zhuǎn)換電路222為低壓差電壓調(diào)節(jié)器,分別標(biāo)記為L(zhǎng)DOl和LD02。所述第二修調(diào)分壓電路221包括串聯(lián)在所述參考電壓VR和地之間的電阻Rla,第二修調(diào)電阻Rl 1、R12和R13,第二分壓電阻R14和R15,以及第二修調(diào)單元即熔絲Fl 1、F12 和F13,第二修調(diào)電阻Rl 1和熔絲Fl 1并聯(lián),第二修調(diào)電阻R12和熔絲F12并聯(lián),第二修調(diào)電阻R13和熔絲F13并聯(lián),第二分壓電阻R14和第二分壓電阻R15之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第二分壓電壓VBl。低壓差電壓調(diào)節(jié)器LDOl基于所述第二分壓電壓VBl產(chǎn)生輸出電壓VOl。通過(guò)選擇是否熔斷熔絲F11、F12和F13,使所述第二可修調(diào)分壓電路得到不同的分壓比例,從而改變第二分壓電壓VBl,進(jìn)而改變所述輸出電壓VOl。同樣的,通過(guò)選擇是否熔斷熔絲F21、F22和F23,從而可以改變第二分壓電壓VB2, 進(jìn)而改變所述輸出電壓V02。本實(shí)施例中,第二可修調(diào)分壓電路221包括三個(gè)相互串連的第二修調(diào)電阻,以及與其對(duì)應(yīng)的三個(gè)第二修調(diào)單元。根據(jù)對(duì)所述輸出電壓VO精度的要求,所述第二修調(diào)電阻可以包括相互串聯(lián)的2個(gè)、4個(gè)或更多個(gè),每個(gè)第二修調(diào)電阻與一個(gè)第二修調(diào)單元并聯(lián)。在圖2中,所述電源管理電路包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和第一可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路組成的第一電源通道,以及可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和第二可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路組成的第二電源通道。圖2及后續(xù)圖例僅描述兩個(gè)電源通道的例子,但是顯然本發(fā)明原理也適用于更多電源通道的情形。在晶圓測(cè)試時(shí),可以先測(cè)試所有共享參考電壓VR的各路電源通道的的輸出電壓 V0,然后折算出分別對(duì)應(yīng)的參考電壓VR的電壓值,并求這些VR電壓值的平均值。然后根據(jù)該平均值計(jì)算出對(duì)所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路修調(diào)的修調(diào)數(shù)據(jù),并對(duì)所述參考電壓VR 進(jìn)行修調(diào),此過(guò)程可看做是對(duì)各路輸出電壓VO進(jìn)行粗調(diào)。粗調(diào)后再測(cè)量每個(gè)電源通道的輸出電壓V0,然后根據(jù)該輸出電壓VO計(jì)算出對(duì)該可修調(diào)電壓轉(zhuǎn)換電路修調(diào)的修調(diào)數(shù)據(jù),并對(duì)其輸出的輸出電壓VO進(jìn)行修調(diào),此過(guò)程可看做是對(duì)各路電源輸出電壓VO進(jìn)行精調(diào)。結(jié)合圖2和圖3或者圖2和圖4可知,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路中包括兩個(gè)修調(diào)單元。每個(gè)可修調(diào)低電壓差電壓調(diào)節(jié)器LDO包括三個(gè)修調(diào)單元。對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中兩路電源輸出需要 10個(gè)修調(diào)單元,而本發(fā)明只需要8個(gè)修調(diào)單元,節(jié)省2個(gè)修調(diào)單元,對(duì)于更多通道輸出的情況,節(jié)省的修調(diào)單元數(shù)目會(huì)更多。請(qǐng)參考圖5所示,其為本發(fā)明中的具有多路電源通道的電源管理電路在另一個(gè)實(shí)施例中的電路示意圖。其與圖2的區(qū)別在于電阻Rla和Rh被換到修調(diào)電阻的下面,同時(shí)第一可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路中的第二修調(diào)電阻Rl 1和第二可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換器中的第二修調(diào)電阻R21都直接連接所述參考電壓VR,這種方式比圖2節(jié)省更多的修調(diào)壓點(diǎn)。通常每個(gè)修調(diào)單元需兩個(gè)修調(diào)壓點(diǎn),當(dāng)通過(guò)修改修調(diào)單元位置后,可以實(shí)現(xiàn)修調(diào)單元Fll和修調(diào)單元F21共享一個(gè)修調(diào)壓點(diǎn),因?yàn)樾拚{(diào)單元Fll和修調(diào)單元F21存在一個(gè)公共連接端。結(jié)合圖4中的可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路時(shí),同理,修調(diào)單元Fll還可以與圖4中修調(diào)單元Fbl共享一個(gè)修調(diào)壓點(diǎn),因?yàn)樗麄兇嬖谝粋€(gè)公共連接端,從而節(jié)省更多的修調(diào)壓點(diǎn)。本發(fā)明以熔絲做為修調(diào)單元,但本發(fā)明思想可以應(yīng)用于其他如齊納二極管等其他修調(diào)單元的實(shí)現(xiàn)方式。此外,本發(fā)明中舉例描述了低壓差調(diào)節(jié)器LD0(Low DropOut Regulator),但實(shí)際上也可以為其他電源模塊,如升壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器或者降壓型直流-直流轉(zhuǎn)換器或者電荷泵型電源模塊。 本發(fā)明的原理是通過(guò)可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和若干可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路,來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)多路電源通道的輸出電壓進(jìn)行管理。這樣減少了所需的修調(diào)單元個(gè)數(shù),從而減少了所需的修調(diào)壓點(diǎn)個(gè)數(shù),進(jìn)而方便將修調(diào)壓點(diǎn)和壓焊點(diǎn)排布在芯片的邊緣,避免了將修調(diào)壓點(diǎn)布置在芯片的內(nèi)側(cè)。 上述說(shuō)明已經(jīng)充分揭露了本發(fā)明的具體實(shí)施方式
      。需要指出的是,熟悉該領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
      所做的任何改動(dòng)均不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求書的范圍。 相應(yīng)地,本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍也并不僅僅局限于前述具體實(shí)施方式
      。
      權(quán)利要求
      1.一種電源管理電路,其特征在于,其包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和若干可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生參考電壓,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括有第一修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)所述參考電壓進(jìn)行修調(diào);每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路基于所述參考電壓產(chǎn)生輸出電壓,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括有第二修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行修調(diào)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源管理電路,其特征在于,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括參考電壓產(chǎn)生電路、第一可修調(diào)分壓電路和運(yùn)算放大器,所述參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓;第一可修調(diào)分壓電路對(duì)所述基準(zhǔn)電壓進(jìn)行分壓并輸出第一分壓電壓,所述第一修調(diào)單元位于第一可修調(diào)分壓電路內(nèi),第一可修調(diào)分壓電路通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)該第一分壓電壓進(jìn)行修調(diào);所述運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接所述第一分壓電壓,另一個(gè)輸入端接其輸出端,所述輸出端輸出所述參考電壓。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電源管理電路,其特征在于,第一可修調(diào)分壓電路包括串聯(lián)在所述基準(zhǔn)電壓和地之間的第一修調(diào)電阻、兩個(gè)第一分壓電阻,兩個(gè)第一分壓電阻之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第一分壓電壓,所述第一修調(diào)電阻與第一修調(diào)單元并聯(lián)。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源管理電路,其特征在于,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路還包括第一雙極型晶體管、第二雙極型晶體管、第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻、 運(yùn)算放大器、第一修調(diào)電阻,第一修調(diào)電阻、第一電阻、第二電阻、第三電阻和第一雙極型晶體管依次串聯(lián),第一雙極型晶體管的基極與其集電極相連,第四電阻與第二雙極型晶體管依次串聯(lián),第二雙極型晶體管的基極與其集電極相連, 第四電阻的另一端與第一電阻和第二電阻的中間節(jié)點(diǎn)相連,所述運(yùn)算放大器的一個(gè)輸入端接第四電阻與第二雙極型晶體管的中間節(jié)點(diǎn),所述運(yùn)算放大器的另一個(gè)輸入端接第二電阻與第三電阻的中間節(jié)點(diǎn),所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述第一修調(diào)電阻的另一端相連,所述運(yùn)算放大器的輸出端輸出所述參考電壓,所述第一修調(diào)電阻與所述第一修調(diào)單元并聯(lián)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電源管理電路,其特征在于,第一修調(diào)電阻包括相互串聯(lián)的多個(gè),每個(gè)第一修調(diào)電阻與一個(gè)第一修調(diào)單元并聯(lián)。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電源管理電路,其特征在于,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括第二可修調(diào)分壓電路和電源轉(zhuǎn)換電路,第二可修調(diào)分壓電路對(duì)所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路輸出的參考電壓進(jìn)行分壓并輸出第二分壓電壓,所述第二修調(diào)單元位于第二可修調(diào)分壓電路內(nèi),第二可修調(diào)分壓電路通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)該第二分壓電壓進(jìn)行修調(diào);所述電源轉(zhuǎn)換電路基于所述第二分壓電壓產(chǎn)生所述輸出電壓。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電源管理電路,其特征在于,第二可修調(diào)分壓電路包括串聯(lián)在所述參考電壓和地之間的第二修調(diào)電阻、兩個(gè)第二分壓電阻,兩個(gè)第二分壓電阻之間的節(jié)點(diǎn)提供所述第二分壓電壓,所述第二修調(diào)電阻與第二修調(diào)單元并聯(lián)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電源管理電路,其特征在于,第二修調(diào)電阻包括相互串聯(lián)的多個(gè),每個(gè)第二修調(diào)電阻與一個(gè)第二修調(diào)單元并聯(lián)。
      9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電源管理電路,其特征在于,各個(gè)電源轉(zhuǎn)換電路中的第二修調(diào)電阻都直接連接所述參考電壓。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種電源管理電路,其包括可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路和若干可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路產(chǎn)生參考電壓,所述可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路包括有第一修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第一修調(diào)單元對(duì)所述參考電壓進(jìn)行修調(diào);每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路基于所述參考電壓產(chǎn)生輸出電壓,每個(gè)可修調(diào)電源轉(zhuǎn)換電路包括有第二修調(diào)單元,其通過(guò)其內(nèi)的第二修調(diào)單元對(duì)所述輸出電壓進(jìn)行修調(diào)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,在本發(fā)明中通過(guò)使得多個(gè)電源通道共用可修調(diào)參考電壓產(chǎn)生電路,這樣就減少了所需的修調(diào)單元個(gè)數(shù),從而減少了所需的修調(diào)壓點(diǎn)個(gè)數(shù),進(jìn)而方便將修調(diào)壓點(diǎn)和壓焊點(diǎn)排布在芯片的邊緣,避免了將修調(diào)壓點(diǎn)布置在芯片的內(nèi)側(cè)。
      文檔編號(hào)H02M3/155GK102437733SQ201110392279
      公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
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