專利名稱：一種新型開關(guān)整流半橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種開關(guān)整流半橋，尤其涉及一種用于摩托車專用線路的、結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、開關(guān)速度快的新型開關(guān)整流半橋，屬于開關(guān)整流元器件的生產(chǎn)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
目前，用于摩托車專用線路的整流或變壓電路中的核心部件整流橋，其開關(guān)應(yīng)用最多的是可控硅開關(guān)，其部件整流半橋為可控硅整流半橋，這種整流半橋存在以下缺點結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜、功耗較大、導(dǎo)通電阻較大、開關(guān)速度較慢，而且靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差、容易受干擾而誤導(dǎo)通。在現(xiàn)代社會對電子產(chǎn)品性能的高要求下，可控硅整流半橋已經(jīng)越來越難以滿足要求。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、開關(guān)速度快的新型開關(guān)整流半橋。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用了以下技術(shù)方案本實用新型用于摩托車專用線路，可組成整流全橋或三相橋，也可與其它電路配合組成整流電路或變壓電路；其創(chuàng)新在于在金氧半場效晶體管MOSFET的源極、柵極、漏極分別引出三個外接接線端，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間并聯(lián)連接有一個寄生二極管D1，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極引出的外接接線端上串聯(lián)連接有一個外接二極管D2。MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)全稱為金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管，是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管。MOSFET具有正溫度系數(shù)，當結(jié)溫升高時，通態(tài)電阻增大，有自限流作用，熱穩(wěn)定性高，MOSFET可以并聯(lián)使用，通過其正的溫度系數(shù)，多管之間可以實現(xiàn)自動均流效果，開關(guān)速度快，工作頻率高，是目前所有功率器件中工作頻率最高的器件之一。 MOSFET與二極管結(jié)合應(yīng)用，可以通過改變二極管導(dǎo)電的方向、電壓的大小等參數(shù)來改變開關(guān)的性能，應(yīng)用非常方便。具體地，所述寄生二極管Dl的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極；所述外接二極管D2的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的源極到外接接線端。在所述金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間還可以并聯(lián)連接一個外接二極管D3 ；所述外接二極管D3的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極。本實用新型的有益效果在于與用于摩托車專用線路的傳統(tǒng)可控硅作開關(guān)的整流半橋相比，本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的優(yōu)點，用途廣泛。

圖1是本實用新型的電路結(jié)構(gòu)圖之一；圖2是本實用新型的電路結(jié)構(gòu)圖之二。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型作進一步具體說明如圖1所示，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極、柵極、漏極分別引出三個外接接線端，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間并聯(lián)連接有一個寄生二極管Dl，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極引出的外接接線端上串聯(lián)連接有一個外接二極管D2。實際應(yīng)用中，本實用新型可方便組成整流全橋或三相橋，可與其它電路配合組成整流電路或變壓電路。如圖1所示，寄生二極管Dl的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極；外接二極管D2的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的源極到外接接線端。如圖2所示，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間還并聯(lián)連接有一個外接二極管D3。外接二極管D3的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極。這種整流半橋可應(yīng)用到有特殊要求的電路中。
權(quán)利要求1.一種新型開關(guān)整流半橋，用于摩托車專用線路，可組成整流全橋或三相橋，也可與其它電路配合組成整流電路或變壓電路；其特征在于在金氧半場效晶體管MOSFET的源極、 柵極、漏極分別引出三個外接接線端，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間并聯(lián)連接有一個寄生二極管D1，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極引出的外接接線端上串聯(lián)連接有一個外接二極管D2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型開關(guān)整流半橋，其特征在于所述寄生二極管Dl的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極；所述外接二極管D2的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的源極到外接接線端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的新型開關(guān)整流半橋，其特征在于在所述金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間還并聯(lián)連接有一個外接二極管D3。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的新型開關(guān)整流半橋，其特征在于所述外接二極管D3的電流導(dǎo)通方向為由金氧半場效晶體管MOSFET的漏極到源極。
專利摘要本實用新型公開了一種新型開關(guān)整流半橋，用于摩托車專用線路，可組成整流全橋或三相橋，也可與其它電路配合組成整流電路或變壓電路；其特征在于在金氧半場效晶體管MOSFET的源極、柵極、漏極分別引出三個外接接線端，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極和漏極之間并聯(lián)連接有一個寄生二極管D1，在金氧半場效晶體管MOSFET的源極引出的外接接線端上串聯(lián)連接有一個外接二極管D2。與傳統(tǒng)可控硅作開關(guān)的整流半橋相比，本實用新型具有結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、導(dǎo)通電阻低、開關(guān)速度快的優(yōu)點，用途廣泛。
文檔編號H02M7/162GK202094812SQ20112023784
公開日2011年12月28日 申請日期2011年7月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月7日
發(fā)明者吳維國, 張成方 申請人:重慶平偉實業(yè)股份有限公司