專利名稱：用于中斷和/或限制直流電的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的設(shè)備。所述設(shè)備包括多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件，每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件均設(shè)有包括至少一個緩沖電容器的緩沖電路，并且所述緩沖電容器包括至少一個電容器元件、連接端子以及容置所述至少一個電容器元件的外殼。外殼包括第一端部和與所述第一端部相對的第二端部，并且所述連接端子經(jīng)由所述第一端部進入到所述外殼內(nèi)，所述外殼限定有延伸穿過所述第一端部和第二端部的縱向軸線。另外，本實用新型涉及包括這種設(shè)備的HVDC電力傳輸系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在直流電力傳輸系統(tǒng)中，常常必需限制和/或中斷流過所述系統(tǒng)——例如流過所述系統(tǒng)的直流傳輸線路——的直流電，以充分控制電力傳輸并且保護系統(tǒng)。DC斷路器可以用于限制和/或中斷直流電，并且這些DC斷路器可以包括電力半導(dǎo)體開關(guān)裝置例如IGBT、 MCT、FET等、以及緩沖電容器。緩沖電容器可以設(shè)置在每個電力半導(dǎo)體開關(guān)裝置上以減小在開關(guān)操作期間的電壓應(yīng)力。JP2003133172公開了多個幾乎平坦狀的電容器元件，這些電容器元件被容納在外殼中并且布置為提供緩沖電容器，該緩沖電容器能夠改進散熱效果并且使電感變小。JP2009-111158描述了一種位于外殼中的電容器例如緩沖電容器，該緩沖電容器能夠使電感降低。US2008/0273289公開了一種薄膜電容器及用于制造該薄膜電容器的方法。薄膜電容器包括薄膜電容器元件、匯流線和用于容納它們的外殼。薄膜電容器的形狀為平坦的。JP2010-225970描述了一種外殼模制型電容器，其具有穩(wěn)定的絕緣性能。US5, 142，439公開了一種集成式匯流線/多層陶瓷電容器模塊，其構(gòu)造為使任意的雜散電感最小化。US2005/263845描述了一種金屬化薄膜電容器，其具有緊湊的尺寸、較大的電容和較低的電感。US6, 570，774公開了一種用于使用在逆變器中的小尺寸的電容器模塊，其能夠抑制非期望的電感分量的出現(xiàn)。US2010/132193描述了一種電力轉(zhuǎn)換裝置，其包括電力轉(zhuǎn)換電路、電容器集成式匯流線及容置電力轉(zhuǎn)換電路和匯流線的殼體。US5，493，472公開了一種具有環(huán)氧樹脂殼體及端子安裝插件的電容器模塊，該電容器模塊用于與功率晶體管例如IGBT —起使用。實用新型目的本實用新型的目的是提供一種用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的改進的斷路器。本實用新型的另一目的是減小在用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的斷路器上的電壓應(yīng)力。[0015]本實用新型的另外的目的是減小在電力半導(dǎo)體開關(guān)元件上的電壓應(yīng)力，該電力半導(dǎo)體開關(guān)元件包括在用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的斷路器中。

實用新型內(nèi)容本實用新型的上述目的中的至少一個通過提供一種用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的設(shè)備實現(xiàn)，所述設(shè)備包括多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件，每個電半導(dǎo)體開關(guān)元件均設(shè)有包括至少一個緩沖電容器的緩沖電路，并且所述緩沖電容器包括至少一個電容器元件、連接端子和容置所述至少一個電容器元件的外殼，所述外殼包括第一端部和與所述第一端部相對的第二端部，并且所述連接端子經(jīng)由所述第一端部進入到所述外殼內(nèi)，所述外殼限定有延伸穿過所述第一端部和第二端部的縱向軸線，其中，所述外殼在橫向于所述外殼的縱向軸線的橫截面上為非圓形。借助于緩沖電容器的創(chuàng)造性結(jié)構(gòu)，有效地減小了緩沖電路的物理尺寸，并且獲得了設(shè)備的緊湊的機械設(shè)計，這導(dǎo)致了雜散電感的減小。通過減小雜散電感，減小了作用在電力半導(dǎo)體開關(guān)元件上的瞬時電壓應(yīng)力。由此，借助于根據(jù)本實用新型的設(shè)備，獲得了用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的改進的且有效的斷路器。傳統(tǒng)的圓筒狀電容器體積更大并占據(jù)更多的空間，并且由此當被包括在DC斷路器中的情況下導(dǎo)致大體積的DC斷路器。借助于根據(jù)本實用新型的設(shè)備的非圓筒形的電容器，提供了一種較小體積的斷路器。另外，借助于根據(jù)本實用新型的設(shè)備，使斷路器的機械結(jié)構(gòu)復(fù)雜性減小、減小了斷路器的尺寸、并且有利于斷路器的生產(chǎn)，從而降低了生產(chǎn)成本。另外，可以減小作用在電力半導(dǎo)體開關(guān)元件上的瞬時電壓應(yīng)力，并且增強直流電斷路能力。外殼的形狀可以為平坦。直流電力傳輸系統(tǒng)可以包括至少一個直流傳輸線路。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的一有利的實施例，在橫向于縱向軸線的橫截面上，外殼沿第一中心軸線的方向和垂直于所述第一中心軸線的第二中心軸線的方向延伸，并且其中，外殼的沿第一中心軸線的方向延伸的長度是外殼的沿第二中心軸線方向延伸的長度的至少兩倍。借助于該實施例，進一步減小了緩沖電路的物理尺寸，并且進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另外的有利的實施例，外殼的沿第一中心軸線的方向延伸的長度是外殼的沿第二中心軸線方向延伸的長度的至少三倍。借助于該實施例，進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一有利的實施例，外殼的沿第一中心軸線的方向延伸的長度是外殼的沿第二中心軸線方向延伸的長度的至少四倍。借助于該實施例，進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的又一有利的實施例，外殼的沿第一中心軸線的方向延伸的長度比外殼的沿第二中心軸線方向延伸的長度的四倍大，優(yōu)選地比外殼的沿第二中心軸線方向延伸的長度的五倍大。借助于該實施例，進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的再一有利的實施例，夕卜殼在橫向于外殼的縱向軸線的橫截面上為大致矩形。借助于該實施例，以有效的方式進一步減小了緩沖電路的物理尺寸，并且進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。外殼在橫向于外殼的縱向軸線的橫截面上可以為矩形。可選地，夕卜殼在橫向于外殼的縱向軸線的橫截面上可以為卵形、橢圓形或大致橢圓形。外殼的橫截面也可以是其他形狀的。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的一有利的實施例，外殼的沿縱向軸線的方向延伸的長度超過外殼的沿第一縱向軸線和第二縱向軸線的方向分別延伸的長度。借助于該實施例，進一步提高了設(shè)備的緊湊性，從而提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另外的有利的實施例，緩沖電路與電力半導(dǎo)體開關(guān)元件并聯(lián)地相連。借助于該實施例，提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一有利的實施例，緩沖電路包括至少一個電阻器和至 少一個二極管。借助于該實施例，提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的又一有利的實施例，二極管和緩沖電容器彼此串聯(lián)地相連，而電阻器與二極管并聯(lián)地相連。借助于該實施例，提供了用于中斷和/或限制直流電的更進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的再一有利的實施例，連接端子包括兩個導(dǎo)電板。導(dǎo)電板可以為平坦。借助于該實施例，獲得了具有較低電感值的連接端子(或匯流線)。借助于該實施例，進一步減小了雜散電感，并且進一步減小了作用在電力半導(dǎo)體開關(guān)元件上的瞬時電壓應(yīng)力。因此，獲得了用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的進一步改進的斷路器。連接端子可以為低電感的。連接端子可以與緩沖電容器為一體以與緩沖電容器一起形成模塊。連接端子可以由合適的材料例如銅制成。但是，其他材料也是可以的。根據(jù)本實用新型的一有利的實施例，兩個導(dǎo)電板彼此至少部分地重疊并且在它們之間具有電絕緣層。絕緣層可以由電介質(zhì)材料制成。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一有利的實施例，所述設(shè)備包括用于使連接端子中的至少一個連接至緩沖電路的夾持裝置。連接端子中的至少一個可以借助于夾持裝置例如通過夾持到二極管上而連接至二極管。夾持裝置可以布置為保持二極管。借助于該實施例，使緩沖電容器與緩沖電路的連接體積更小，從而導(dǎo)致了更小體積的DC斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另外的有利的實施例，每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件均包括至少一個絕緣柵雙極晶體管IGBT。可選地，每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件均可以包括至少一個雙模式絕緣柵晶體管BiGT，或者任意其他合適的晶體管。可選地，每個半導(dǎo)體開關(guān)元件均可以包括晶閘管，例如可關(guān)斷晶閘管GT0、集成門極換流晶閘管IGCT或者強制換向晶閘管。但是，也可以使用其他合適的晶閘管。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一有利的實施例，所述設(shè)備包括框架，多個電力半導(dǎo)體元件和緩沖電路安裝在該框架上。借助于該實施例，提供了用于中斷和/或限制直流電的進一步改進的斷路器。根據(jù)本實用新型的設(shè)備的再一有利的實施例，所述設(shè)備布置為中斷和/或限制高壓直流——HVDC——電力傳輸系統(tǒng)的直流電，所述系統(tǒng)包括至少一個HVDC傳輸線路。借助于該實施例，提供了改進的HVDC斷路器。本實用新型的上述目的中的至少一個也通過提供高壓直流一HVDC—電力傳輸系統(tǒng)來實現(xiàn)，所述系統(tǒng)包括至少一個HVDC傳輸線路，其中，所述系統(tǒng)包括至少一個如權(quán)利要求I至17中任一項所要求的設(shè)備，或者至少一個根據(jù)本實用新型的設(shè)備的上述實施例中的任一個的設(shè)備，所述設(shè)備用于中斷和/或限制系統(tǒng)的直流電。借助于本實用新型的系統(tǒng)，能夠有效地中斷和/或限制所述系統(tǒng)的直流電，并且有效地改進HVDC電力輸送系統(tǒng)中的電力傳輸及對所述系統(tǒng)的控制。本實用新型的設(shè)備的各種部件——其彼此相連或能夠彼此相連或者與其他單元相連或能夠與其他單元相連——可以例如經(jīng)由電導(dǎo)體例如匯流線或電線彼此電連接或能夠彼此電連接或者與其他單元電連接或能夠與其他單元電連接，和/或所述各種部件可以經(jīng)由另外的中間電子設(shè)備或單元——其設(shè)置在且連接在/能夠連接在部件例如變壓器等之間-例如電地或電感地間接連接或而能夠得以間接連接。一般而言，高電壓可以為大約IkV至I. 5kV及以上。但是，對于HVDC應(yīng)用和系統(tǒng)，高電壓可以為大約300kV及以上。根據(jù)本實用新型的設(shè)備和/或系統(tǒng)有利地適于上述高電壓水平及以上、以及上述HVDC電壓水平及以上?！に鲈O(shè)備及系統(tǒng)的上述特征及實施例分別能夠以各種可能的方式組合，從而提供其他有利的實施例。根據(jù)本實用新型的相應(yīng)的設(shè)備及系統(tǒng)的另外的有利的實施例以及本實用新型所具有的其他優(yōu)點從從屬權(quán)利要求及對實施例的詳細描述中顯現(xiàn)。

現(xiàn)在將出于示例性的目的，借助于實施例且參照附圖對本實用新型進行更詳細的描述，附圖中圖I是IGBT DC斷路器疊層的第一實施例的示意立體圖，該IGBTDC斷路器疊層結(jié)合有且示出了根據(jù)本實用新型的設(shè)備的多個方面；圖2-圖3是示意性立體圖，其示出了包括在根據(jù)本實用新型的設(shè)備中的緩沖電容器的實施例；圖4-圖5是示意橫截面圖，其示出了包括在根據(jù)本實用新型的設(shè)備中的緩沖電容器的另外的實施例；圖6是示意電路圖，其示出了圖I的IGBT DC斷路器疊層的一部分；以及圖7-圖8是示意性局部立體圖，其示出了根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一實施例以及緩沖電容器的連接端子的連接。
具體實施方式
圖I示意性地示出了結(jié)合有根據(jù)本實用新型的設(shè)備的多個方面的第一實施例的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)直流(DC)斷路器101。IGBTDC斷路器101布置為中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)例如HVDC電力傳輸系統(tǒng)的直流電。該系統(tǒng)可以包括至少一個直流傳輸線路例如HVDC傳輸線路。IGBT DC斷路器疊層包括多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102。每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以包括至少一個絕緣柵雙極晶體管IGBT?？蛇x地，每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以包括至少一個雙模式絕緣柵晶體管BiGT，或者任意其他合適的晶體管?？蛇x地，每個半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以包括晶閘管，例如可關(guān)斷晶閘管GTO、集成門極換流晶閘管IGCT或者強制換向晶閘管。但是，也可以使用其他合適的晶閘管。每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以至少部分地被冷卻或吸熱設(shè)備元件104包圍。每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均設(shè)有包括至少一個緩沖電容器206的緩沖電路103 (參見圖6)。緩沖電路103可以與電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102并聯(lián)地相連。每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以包括StakPakTM IGBT壓接式封裝。緩沖電路103還可以包括至少一個電阻器108和至少一個二極管110。二極管110和緩沖電容器206可以彼此串聯(lián)地相連，而電容器108可以與二極管110并聯(lián)地相連。每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102均可以連接至控制裝置112。IGBT DC斷路器疊層101可以包括框架114，多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102、緩沖電路103、冷卻元件104和控制裝置112安裝到該框架114上。參照圖2和圖3，更詳細地示意性示出了第一和第二實施例的緩沖電容器206、306。每個緩沖電容器206、306均包括至少一個電容器元件，該至少一個電容器元件可以包括由絕緣體例如電介質(zhì)隔離的一對導(dǎo)體、或者可以包括至少一個薄膜電容器元件。這種電容器元件對于技術(shù)人員來說是已知的并且由此沒有更詳細地公開。每個緩沖電容器206、·306均還包括連接端子208、210、308、310和容置該至少一個電容器元件的外殼212、312。·每個緩沖電容器206、306均可以包括多個電容器兀件。每個外殼212、312均包括第一端部214,314和與第一端部214、314相對的第二端部216、316。例如呈匯流線形式的連接端子208、210、308、310經(jīng)由第一端部214,314進入到外殼212,312內(nèi)。每個外殼212,312均限定有延伸穿過第一端部和第二端部的214、314、216、316的縱向軸線218、318。外殼212、312在橫向于外殼212、312的縱向軸線218、318的橫截面上為非圓形。外殼212、312在橫向于外殼212、312的縱向軸線218、318的橫截面上可以為大致矩形。在橫向于縱向軸線218的橫截面上,第一實施例的緩沖電容器206的外殼212沿第一中心軸線220的方向以及垂直于第一中心軸線220的第二中心軸線222的方向延伸。外殼212的沿第一中心軸線220的方向延伸的長度是外殼212的沿第二中心軸線222的方向延伸的長度的至少兩倍。外殼212的沿縱向軸線218的方向延伸的長度超過分別沿第一中心軸線220和第二中心軸線222的方向延伸的長度。外殼212的沿縱向軸線218的方向延伸的長度可以為大約300_-315_。外殼212的沿第一中心軸線220的方向延伸的長度可以為大約IOOmm-115mm，并且外殼212的沿第二中心軸線222的方向延伸的長度可以為大約35mm-45mm。但是,其他尺寸也是可以的。第一實施例的緩沖電容器206的連接端子208、210可以包括兩個導(dǎo)電板209、211，這兩個導(dǎo)電板209、211可以至少部分地彼此重疊并且在它們之間具有電絕緣層224。在橫向于縱向軸線318的橫截面上，第二實施例的緩沖電容器306的外殼312沿第一中心軸線320的方向以及垂直于第一中心軸線320的第二中心軸線322的方向延伸。外殼312的沿第一中心軸線320的方向延伸的長度是外殼312的沿第二中心軸線322的方向延伸的長度的至少三倍。外殼312的沿第一中心軸線320的方向延伸的長度可以為外殼312的沿第二中心軸線322的方向延伸的長度的至少四倍，或者比四倍大、例如比五倍大。外殼312的沿縱向軸線318的方向延伸的長度超過分別沿第一中心軸線320和第二中心軸線322的方向延伸的長度。但是，其他尺寸也是可以的。第二實施例的緩沖電容器306的連接端子308、310可以包括兩個導(dǎo)電板309、311，這兩個導(dǎo)電板309、311可以至少部分地彼此重疊并且在它們之間具有電絕緣層324。兩個導(dǎo)電板309、311可以彎曲。連接端子208、210、308、310可以與緩沖電容器206、306為一體以與緩沖電容器206、306 一起形成模塊。連接端子208、210、308、310可以由合適的材料例如銅制成。但是，其他材料也是可以的。參照圖4，示意性地示出了第三實施例的緩沖電容器406的橫截面。緩沖電容器406在橫向于外殼412的縱向軸線418的橫截面上為大致橢圓形。外殼412的沿第一中心軸線420延伸的長度是外殼412的沿第二中心軸線422的方向延伸的長度的至少兩倍。參照圖5，示意性地示出了第四實施例的緩沖電容器506的橫截面。緩沖電容器506在橫向于外殼512的縱向軸線518的橫截面為卵形。外殼的橫截面的其他形狀也是可以的。參照圖6，其是示出了圖I的IGBT DC斷路器疊層101的一部分/ 一段的示意電路 圖，示出了 IGBT DC斷路器疊層101的緩沖電路103的一實施例。緩沖電路103可以與電力半導(dǎo)體開關(guān)元件102并聯(lián)地相連。緩沖電路103可以包括至少一個電阻器108和至少一個二極管110。二極管110和緩沖電容器206可以彼此串聯(lián)地相連，而電阻器108可以與二極管110并聯(lián)地相連。第一實施例的IGBT DC斷路器疊層101可以設(shè)有上述實施例的緩沖電容器206、306、406、506中的任一個。借助于平坦的緩沖電容器206、306、406、506，獲得了 IGBT DC斷路器疊層的緊湊設(shè)計。用于大約40kV額定電壓的IGBT DC斷路器疊層101的長度可以小于大約2米，或者為大約2米。IGBT DC斷路器疊層101可以用作斷路設(shè)備的主斷路器的主IGBT斷路器疊層，所述斷路設(shè)備包括主斷路器和輔助斷路器，如在國際專利申請NO.PCT/EP2009/065233中描述的，該專利申請通過參引的方式并入本文。參照圖7和圖8，其示意性地示出了根據(jù)本實用新型的設(shè)備的另一實施例，更詳細地示出了緩沖電容器606的連接端子608、610與緩沖電路103的連接。連接端子608、610中的至少一個可以包括導(dǎo)電板609。所述設(shè)備可以包括用于使連接端子608中的至少一個連接至緩沖電路603的夾持裝置632。連接端子608中的至少一個可以借助于夾持裝置632例如通過被夾持到二極管110而連接至緩沖電路103的二極管110。通過借助于夾持裝置632將連接端子608中的至少一個夾持至二極管110，與通過傳統(tǒng)的螺釘裝置使連接端子608連接相比，有效地減小了緩沖電路103的電感。緩沖電路103的減小的電感改進了設(shè)備的性能。夾持裝置632可以包括借助于一個或兩個帶螺紋的附接元件636、638附接至設(shè)備的框架614上的夾持元件634。附接元件636、638可以布置為附接至設(shè)備的框架614。連接端子608的導(dǎo)電板609可以放置在夾持元件634與二極管110之間。夾持元件634可以布置為將導(dǎo)電板609夾靠在二極管110上。夾持裝置632可以布置為保持二極管110。其他夾持裝置也是可以的。如上述，替代IGBT，可以使用其他晶體管或晶閘管。本實用新型不應(yīng)當被認為限制于所示出的實施例，而是能夠由本領(lǐng)域的技術(shù)人員以多種方式進行變型和改變，而不會偏離所附權(quán)利要求的范圍。
權(quán)利要求1.一種用于中斷和/或限制直流電的設(shè)備，所述設(shè)備包括多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件(102)，每個所述電力半導(dǎo)體開關(guān)元件均設(shè)有包括至少一個緩沖電容器(206、306、406、506)的緩沖電路(103)，并且所述緩沖電容器包括至少一個電容器元件、連接端子(208、210.308.310)以及容置所述至少一個電容器元件的外殼(212、312)，所述外殼包括第一端部(214、314)和與所述 第一端部相對的第二端部(216、316)，所述連接端子經(jīng)由所述第一端部進入到所述外殼內(nèi)，所述外殼限定有延伸穿過所述第一端部和第二端部的縱向軸線(218、318)，其特征在于，所述外殼在橫向于所述外殼的所述縱向軸線的橫截面上為非圓形。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，在橫向于所述縱向軸線(218、318)的橫截面上，所述外殼(212、312)沿第一中心軸線(220、320)的方向以及垂直于所述第一中心軸線的第二中心軸線(222、322)的方向延伸，并且所述外殼的沿所述第一中心軸線的方向延伸的長度是所述外殼的沿所述第二中心軸線的方向延伸的長度的至少兩倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述外殼(212、312)的沿所述第一中心軸線(220、320)的方向延伸的長度是所述殼體的沿所述第二中心軸線(222、322)的方向延伸的長度的至少三倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其特征在于，所述外殼(212、312)的沿所述第一中心軸線(220、320)的方向延伸的長度是所述殼體的沿所述第二中心軸線(222、322)的方向延伸的長度的至少四倍。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述外殼(212、312)的沿所述第一中心軸線(220、320)的方向延伸的長度比所述外殼的沿所述第二中心軸線(222、322)的方向延伸的長度的四倍大。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備,其特征在于,所述外殼(212、312)在橫向于所述外殼的所述縱向軸線(218、318)的橫截面上為大致矩形。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述外殼(412、512)在橫向于所述外殼的所述縱向軸線(418、518)的橫截面上為卵形或大致橢圓形。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述外殼(212、312)的沿所述縱向軸線(218、318)的方向延伸的長度超過所述外殼的分別沿所述第一中心軸線(220、320)和所述第二中心軸線(222、322)的方向延伸的長度。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述緩沖電路(103)與所述電力半導(dǎo)體開關(guān)元件(102)并聯(lián)地相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述緩沖電路(103)包括至少一個電阻器(108)和至少一個二極管(110)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述二極管(110)和所述緩沖電容器(206、306、406、506)彼此串聯(lián)地相連，而所述電阻器(108)與所述二極管并聯(lián)地相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述連接端子(208、210；308.310)包括兩個導(dǎo)電板(209,211;309、311)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述兩個導(dǎo)電板(209、211;309、311)彼此至少部分地重疊并且在它們之間具有電絕緣層(224、324)。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括用于使所述連接端子(608,610)中的至少一個連接至所述緩沖電路(103)的夾持裝置￠32)。
15.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件(102)均包括至少一個絕緣柵雙極晶體管IGBT。
16.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備包括框架(114)，所述多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件(102)和所述緩沖電路(103)安裝在所述框架上。
17.根據(jù)權(quán)利要求I至5中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備布置為中斷和/或限制高壓直流HVDC電力輸送系統(tǒng)的直流電，所述電力輸送系統(tǒng)包括至少一個HVDC輸送線路。
18.一種高壓直流HVDC電力輸送系統(tǒng)，所述電力輸送系統(tǒng)包括至少一個HVDC輸送線路，其中，所述系統(tǒng)包括至少一個如在權(quán)利要求I至17中任一項所述的用于中斷和/或限制直流電的設(shè)備。
專利摘要一種用于中斷和/或限制直流電力傳輸系統(tǒng)的直流電的設(shè)備，所述設(shè)備包括多個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件，每個電力半導(dǎo)體開關(guān)元件均設(shè)有包括至少一個緩沖電容器的緩沖電路，并且緩沖電容器包括至少一個電容器元件、連接端子以及容置至少一個電容器元件的外殼，外殼包括第一端部和與第一端部相對的第二端部，并且連接端子經(jīng)由第一端部進入到外殼內(nèi)。外殼限定有延伸穿過第一端部和第二端部的縱向軸線，其中，外殼在橫向于外殼的縱向軸線的橫截面上為非圓形。一種包括至少一個HVDC傳輸線路的HVDC電力傳輸系統(tǒng)，其中，所述系統(tǒng)包括至少一個這種設(shè)備。
文檔編號H02J1/00GK202586336SQ20112039908
公開日2012年12月5日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月14日
發(fā)明者伊達·弗里貝里, 于爾根·哈夫納, 馬德勒納·尼爾森, 亨利·貝克 申請人:Abb技術(shù)有限公司