專利名稱：雙電源供應(yīng)系統(tǒng)及雙電源控制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種雙電源供應(yīng)系統(tǒng)及雙電源控制器。
背景技術(shù)：
為了使電力的使用效率提高，有些電源系統(tǒng)會設(shè)計多個電源模式，以對應(yīng)負載的情況，例如正常工作模式、待機工作模式等，使得電源系統(tǒng)減少不必要的電力損耗。為解決上述的問題，請參考圖1，顯示一現(xiàn)有雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路方框圖。雙電源供應(yīng)系統(tǒng)包含一主電源供應(yīng)模塊PS、一輔助電源供應(yīng)模塊5VSB、一晶體管開關(guān)M、一第一開關(guān)SW1、一第二開關(guān)SW2、一雙電源控制器10、電阻Rl及R2。晶體管開關(guān)M可為一 N型金氧半場效晶體管(NM0SFET)。電阻Rl耦接主電源供應(yīng)模塊PS中的一第一電壓源+12V及晶體管開關(guān)M的柵極。晶體管開關(guān)M耦接于主電源供應(yīng)模塊PS中的一第二電壓源+5V及一輸出端5V。第二開關(guān)SW2耦接于輔助電源供應(yīng)模塊5VSB及輸出端5V。開關(guān)SWl耦接晶體管開關(guān)M的柵極及電阻R2之間，而電阻R2的另一端接地。當(dāng)開關(guān)SWl導(dǎo)通時，雙電源控制器10可通過電阻Rl及電阻R2的分壓，以檢測主電源供應(yīng)模塊PS的電位，進而確定主電源供應(yīng)模塊PS是否足以將晶體管開關(guān)M導(dǎo)通。當(dāng)確定主電源供應(yīng)模塊PS的電位足以導(dǎo)通晶體管開關(guān)M時，進行由輔助電源至主電源的電源切換，以確保切換過程中雙電源供應(yīng)系統(tǒng)于輸出端5V所提供的電壓仍穩(wěn)定不受影響。然而，現(xiàn)有設(shè)計中，通常電阻R2的電阻值相較于電阻Rl要小很多，以確保當(dāng)開關(guān)Sffl于導(dǎo)通狀態(tài)時，可將晶體管開關(guān)M的柵極準(zhǔn)位拉低至接地電位附近，以確保晶體管開關(guān)M能被關(guān)斷。上述設(shè)計下，當(dāng)開關(guān)SWl于關(guān)斷狀態(tài)時，雙電源控制器10即無法檢測主電源供應(yīng)模塊PS或晶體管開關(guān)M的電壓準(zhǔn)位，因此亦無法確保晶體管開關(guān)M的導(dǎo)通后，雙電源供應(yīng)系統(tǒng)于輸出端5V所提供的電壓是否穩(wěn)定。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于現(xiàn)有技術(shù)中雙電源供應(yīng)系統(tǒng)于提供主電源模塊的電力后即無法檢測主電源供應(yīng)模塊PS的問題，本發(fā)明提供一種能及時檢測主電源電壓準(zhǔn)位的設(shè)計，確保雙電源供應(yīng)系統(tǒng)于電源模式切換后仍持續(xù)檢測，以克服現(xiàn)有技術(shù)的限制。為達上述目的，本發(fā)明揭不一種雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，包含一主電源供應(yīng)模塊、一輔助電源供應(yīng)模塊、一第一晶體管開關(guān)、一第二晶體管開關(guān)以及一雙電源控制器。第一晶體管開關(guān)耦接主電源供應(yīng)模塊及一輸出端，用以控制主電源供應(yīng)模塊提供電力至輸出端。第二晶體管開關(guān)耦接輔助電源供應(yīng)模塊及輸出端，用以控制輔助電源供應(yīng)模塊提供電力至輸出端。雙電源控制器檢測主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的一主電源電壓，于主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，導(dǎo)通第一晶體管開關(guān)以提供主電源供應(yīng)模塊的電力至輸出端，并經(jīng)一預(yù)定時間延遲后關(guān)斷第二晶體管開關(guān)以停止提供輔助電源供應(yīng)模塊的電力至輸出端，其中雙電源控制器并于后檢測到主電源電壓降至一預(yù)定保護電壓值時執(zhí)行一保護程序。所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，還包含一第一阻抗裝置、一第二阻抗裝置及一第三晶體管開關(guān)，該第一阻抗裝置耦接于該主電源供應(yīng)模塊及該第一晶體管開關(guān)的一受控端之間，該第二阻抗裝置耦接于該第一晶體管開關(guān)的一受控端及該第三晶體管開關(guān)的一第一端，而該第三晶體管開關(guān)的一第二端耦接地，其中該雙電源控制器于該主電源電壓達該預(yù)定電壓值時，關(guān)斷該第三晶體管開關(guān)以導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)。所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其中該雙電源控制器包含:一檢測端、一第一控制端、一第二控制端、一檢測單元、一延遲單元；檢測端耦接該主電源供應(yīng)模塊；第一控制端耦接該第一晶體管開關(guān)；第二控制端耦接該第二晶體管開關(guān)；檢測單元通過該檢測端耦接該主電源供應(yīng)模塊以檢測該主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的該主電源電壓，該檢測單元于該主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，通過該第一控制端以導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)；延遲單元耦接該檢測單元，于接收到該第一控制信號后一預(yù)定時間長度，通過該第二控制端以關(guān)斷該第二晶體管開關(guān)。所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其中該雙電源控制器還包含一保護單元，于該第二晶體管開關(guān)被關(guān)斷期間該主電源電壓下降至該預(yù)定保護電壓值時，通過該第二控制端以再度導(dǎo)通該第二晶體管開關(guān)。所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其中該第一晶體管開關(guān)為一 N型金氧半場效晶體管開關(guān)，該第二晶體管開關(guān)為一 P型金氧半場效晶體管開關(guān)。本發(fā)明也揭示一種雙電源控制器，用以切換一第一晶體管開關(guān)及一第二晶體管開關(guān)，以分別對應(yīng)控制一主電源供應(yīng)模塊及一輔助電源供應(yīng)模塊的電力供應(yīng)。雙電源控制器包含一檢測端、一第一控制端、一第二控制端、一檢測單元以及一延遲單元。檢測端耦接主電源供應(yīng)模塊，第一控制端耦接第一晶體管開關(guān)，以及第二控制端耦接第二晶體管開關(guān)。檢測單元通過檢測端耦接主電源供應(yīng)模塊以檢測主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的一主電源電壓,檢測單元于主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，通過第一控制端以導(dǎo)通第一晶體管開關(guān)。延遲單元耦接檢測單元，于接收到第一控制信號后一預(yù)定時間長度，通過第二控制端以關(guān)斷第二晶體管開關(guān)。所述的雙電源控制器，其中還包含一保護單元，于該第二晶體管開關(guān)被關(guān)斷期間該主電源電壓下降至一預(yù)定保護電壓值時，通過該第二控制端以再度導(dǎo)通該第二晶體管開關(guān)。所述的雙電源控制器，其中該第一晶體管開關(guān)為一 N型金氧半場效晶體管開關(guān)，該第二晶體管開關(guān)為一 P型金氧半場效晶體管開關(guān)。以上的概述與接下來的詳細說明皆為示范性質(zhì)，是為了進一步說明本發(fā)明的權(quán)利要求。而有關(guān)本發(fā)明的其他目的與優(yōu)點，將在后續(xù)的說明與圖示加以闡述。


圖1顯示一現(xiàn)有雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路方框圖。圖2(a)、圖2(b)為根據(jù)本發(fā)明的一第一較佳實施例的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路示意圖及信號波形圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的雙電源控制器的電路示意圖。圖4為根據(jù)本發(fā)明的一第一較佳實施例的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路示意圖及信號波形圖。
附圖標(biāo)記:現(xiàn)有技術(shù):PS:主電源供應(yīng)模塊5VSB:輔助電源供應(yīng)模塊M:晶體管開關(guān)Sffl:第一開關(guān)SW2:第二開關(guān)10:雙電源控制器R1、R2:電阻5V:輸出端+12V:第一電壓源+5V:第二電壓源本發(fā)明:PS:主電源供應(yīng)模塊5VSB:輔助電源供應(yīng)模塊Ml:第一晶體管開關(guān)M2:第二晶體管開關(guān)M3:第三晶體管開關(guān)R3:第一阻抗裝置R4:第二阻抗裝置200,300:雙電源控制器202:檢測單元204:延遲電路206: SR 觸發(fā)器208:延遲單元210:保護單元212:比較器214:下降沿檢測電路+12V:第一電壓源+5V:第二電壓源5V:輸出端Pinl:檢測端Pin2:第一控制端Pin3:第二控制端Vde:檢測信號Drvl、Drv2:控制信號Delay:預(yù)定時間Vrel:預(yù)定電壓參考值Vre2:預(yù)定保護參考值
具體實施例方式請參見圖2(a)、圖2(b)為根據(jù)本發(fā)明的一第一較佳實施例的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路示意圖及信號波形圖。雙電源供應(yīng)系統(tǒng)包含一主電源供應(yīng)模塊PS、一輔助電源供應(yīng)模塊5VSB、一第一晶體管開關(guān)Ml、一第二晶體管開關(guān)M2、一第三晶體管開關(guān)M3、一第一阻抗裝置R3、一第二阻抗裝置R4以及一雙電源控制器200。在本實施例，第一晶體管開關(guān)Ml及第三晶體管開關(guān)M3為N型金氧半場效晶體管開關(guān)，而第二晶體管開關(guān)M2為一 P型金氧半場效晶體管開關(guān)。第一阻抗裝置R3耦接于主電源供應(yīng)模塊PS中的一第一電壓源+12V及第一晶體管開關(guān)Ml的一受控端(柵極)之間。第二阻抗裝置R4耦接于第一晶體管開關(guān)Ml的受控端及第三晶體管開關(guān)M3的一第一端(漏極)，而第三晶體管開關(guān)M3的一第二端(源極)耦接地。第一晶體管開關(guān)Ml耦接主電源供應(yīng)模塊PS中的一第二電壓源+5V及一輸出端5V，用以控制主電源供應(yīng)模塊是否提供電力至輸出端5V。第二晶體管開關(guān)M2耦接輔助電源供應(yīng)模塊5VSB及輸出端5V，用以控制輔助電源供應(yīng)模塊是否提供電力至輸出端5V。雙電源控制器200具有一檢測端Pinl、一第一控制端Pin2、一第二控制端Pin3。檢測端Pinl通過第一阻抗裝置R3耦接主電源供應(yīng)模塊PS，接收一檢測信號Vde以檢測主電源供應(yīng)模塊PS的第一電壓源+12V所產(chǎn)生的一主電源電壓。第一控制端Pin2通過第二阻抗裝置R4及第三晶體管開關(guān)M3耦接至第一晶體管開關(guān)Ml的受控端，以控制第一晶體管開關(guān)Ml導(dǎo)通或關(guān)斷。第二控制端Pin3耦接第二晶體管開關(guān)M2，以控制第二晶體管開關(guān)M2導(dǎo)通或關(guān)斷。第二晶體管開關(guān)M2的預(yù)設(shè)狀態(tài)為導(dǎo)通，而第三晶體管開關(guān)M3的預(yù)設(shè)狀態(tài)為導(dǎo)通。如此，通過第一阻抗裝置R3及第二阻抗裝置R4的分壓作用，可使第一晶體管開關(guān)Ml的受控端電位維持在一低準(zhǔn)位，而使第一晶體管開關(guān)Ml的預(yù)設(shè)狀態(tài)為關(guān)斷。而此時，雙電源控制器200也可利用第一阻抗裝置R3及第二阻抗裝置R4的分壓來判斷主電源供應(yīng)模塊PS的狀態(tài)。當(dāng)雙電源控制器200檢測于主電源供應(yīng)模塊PS的第一電壓源+12V所產(chǎn)生的主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，雙電源控制器200于第一控制端Pin2所產(chǎn)生的控制信號Drvl由高準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為低準(zhǔn)位以關(guān)斷第三晶體管開關(guān)M3。此時第一晶體管開關(guān)Ml的受控端電位因第一阻抗裝置R3的上拉而大幅提高準(zhǔn)位至第一電壓源+12V所產(chǎn)生的主電源電壓。此時第一晶體管開關(guān)Ml被導(dǎo)通,主電源供應(yīng)模塊PS的第二電壓源+5V的電力傳送至輸出端5V。雙電源控制器200再經(jīng)一預(yù)定時間Delay延遲后，于第二控制端Pin3所產(chǎn)生的控制信號Drv2由低準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為高準(zhǔn)位以關(guān)斷第二晶體管開關(guān)M2，以停止提供輔助電源供應(yīng)模塊5VSB的電力至輸出端5V。此時，由于雙電源控制器200的檢測端Pinl仍可通過第一阻抗裝置R3耦接至主電源供應(yīng)模塊PS的第一電壓源+12V，故仍可持續(xù)檢測主電源供應(yīng)模塊PS的狀態(tài)。因此，雙電源控制器200于后若檢測到的第一電壓源+12V所產(chǎn)生的主電源電壓降至一預(yù)定保護電壓值時，即可執(zhí)行一保護程序，例如:再度導(dǎo)通第二晶體管開關(guān)M2，以提供輔助電源供應(yīng)模塊5VSB的電力至輸出端5V來穩(wěn)定輸出端的電力供應(yīng)。請參見圖3，為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的雙電源控制器的電路示意圖。雙電源控制器包含一檢測單元202、一延遲單元208以及一保護單元210。以下說明請同時參見圖2 (a)。檢測單元202可以是比較器，比較器的非反向端接收一預(yù)定電壓參考值Vrel，反向端接收一檢測信號Vde，以產(chǎn)生控制信號Drvl并通過第一控制端Pin2控制第三晶體管開關(guān)M3的導(dǎo)通與關(guān)斷，進而控制第一晶體管開關(guān)Ml的導(dǎo)通與關(guān)斷。檢測單元202判斷主電源電壓PS的第一電壓源+12V所產(chǎn)生的主電源電壓等于或大于一預(yù)定電壓值(即檢測信號Vde的準(zhǔn)位到達預(yù)定電壓參考值Vrel)時，通過第一控制端Pin2關(guān)斷第三晶體管開關(guān)M3，使得第一晶體管開關(guān)Ml的受控端電位上升而導(dǎo)通。延遲單元208包含一延遲電路204以及一 SR觸發(fā)器206。延遲電路204耦接檢測單元202，于接收到第一控制信號Drvl后一預(yù)定時間長度，產(chǎn)生高準(zhǔn)位信號。SR觸發(fā)器206于一設(shè)定端S接收到延遲電路204所產(chǎn)生的高準(zhǔn)位信號后，會于輸出端Q產(chǎn)生控制信號Drv2，并通過第二控制端Pin3以關(guān)斷第二晶體管開關(guān)M2。保護單元210包含一比較器212以及一下降沿檢測電路214。比較器212的非反向端接收一預(yù)定保護參考值Vre2，反向端接收一檢測信號Vde。比較器212于第二晶體管開關(guān)M2被關(guān)斷期間主電源電壓下降至一預(yù)定保護電壓值(即檢測信號Vde的準(zhǔn)位到達預(yù)定保護參考值Vre2)時，通過第二控制端Pin3以再度導(dǎo)通第二晶體管開關(guān)M2。請參見圖4，為根據(jù)本發(fā)明的一第二較佳實施例的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)的電路示意圖。相較于圖2(a)所示的實施例，一雙電源控制器300不需通過第一阻抗裝置R3、第二阻抗裝置R4來檢測，而是直接耦接一主電源供應(yīng)模塊PS來檢測并判斷主電源供應(yīng)模塊PS的一第一電壓源+12V所產(chǎn)生的一主電源電壓是否已足夠高。故本實施例可以省略第一阻抗裝置R3、第二阻抗裝置R4第三晶體管開關(guān)M3等組件。當(dāng)主電源電壓已足夠高時，雙電源控制器300產(chǎn)生一控制信號Drvl直接導(dǎo)通一第一晶體管開關(guān)M1，使主電源供應(yīng)模塊PS中的一第二電壓源+5V提供電力至一輸出端5V。于后,雙電源控制器300將一第二控制端Pin3所產(chǎn)生的一控制信號Drv2由低準(zhǔn)位轉(zhuǎn)為高準(zhǔn)位以關(guān)斷一第二晶體管開關(guān)M2，以停止提供一輔助電源供應(yīng)模塊5VSB的電力至輸出端5V。由于雙電源控制器300直接耦接主電源供應(yīng)模塊PS，故也可避免第一晶體管開關(guān)Ml、第二晶體管開關(guān)M2于導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷狀態(tài)之間切換時，中斷雙電源控制器300的檢測。故于后，主電源供應(yīng)模塊PS若有異常而造成輸出異常，雙電源控制器300可例值檢測并對應(yīng)執(zhí)行一保護程序。如上述實施例的說明，本發(fā)明提供一種能及時檢測主電源電壓準(zhǔn)位的設(shè)計，確保雙電源供應(yīng)系統(tǒng)于電源模式切換后仍持續(xù)檢測，以克服現(xiàn)有技術(shù)的限制。本發(fā)明在上文中已以較佳實施例揭示，然所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)理解的是，該實施例僅用于描繪本發(fā)明，而不應(yīng)解讀為限制本發(fā)明的范圍。應(yīng)注意的是，舉凡與該實施例等效的變化與置換，均應(yīng)設(shè)為涵蓋于本發(fā)明的范疇內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍當(dāng)以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種雙電源控制器，用以切換一第一晶體管開關(guān)及一第二晶體管開關(guān)，以分別對應(yīng)控制一主電源供應(yīng)模塊及一輔助電源供應(yīng)模塊的電力供應(yīng)，其特征在于，該雙電源控制器包含: 一檢測端，耦接該主電源供應(yīng)模塊； 一第一控制端，耦接該第一晶體管開關(guān)； 一第二控制端，耦接該第二晶體管開關(guān)； 一檢測單元，通過該檢測端耦接該主電源供應(yīng)模塊以檢測該主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的一主電源電壓，該檢測單元于該主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，通過該第一控制端以導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)；以及 一延遲單元，耦接該檢測單元，于接收到該第一控制信號后一預(yù)定時間長度，通過該第二控制端以關(guān)斷該第二晶體管開關(guān)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙電源控制器，其特征在于，還包含一保護單元，于該第二晶體管開關(guān)被關(guān)斷期間該主電源電壓下降至一預(yù)定保護電壓值時，通過該第二控制端以再度導(dǎo)通該第二晶體管開關(guān)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙電源控制器，其特征在于，該第一晶體管開關(guān)為一N型金氧半場效晶體管開關(guān)，該第二晶體管開關(guān)為一 P型金氧半場效晶體管開關(guān)。
4.一種雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于，包含 一主電源供應(yīng)模塊； 一輔助電源供應(yīng)模塊； 一第一晶體管開關(guān)， 耦接該主電源供應(yīng)模塊及一輸出端，用以控制該主電源供應(yīng)模塊提供電力至該輸出端； 一第二晶體管開關(guān)，耦接該輔助電源供應(yīng)模塊及該輸出端，用以控制該輔助電源供應(yīng)模塊提供電力至該輸出端；以及 一雙電源控制器，檢測該主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的一主電源電壓，于該主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)以提供該主電源供應(yīng)模塊的電力至該輸出端，并經(jīng)一預(yù)定時間延遲后關(guān)斷該第二晶體管開關(guān)以停止提供該輔助電源供應(yīng)模塊的電力至該輸出端，其中該雙電源控制器并于后檢測到該主電源電壓降至一預(yù)定保護電壓值時執(zhí)行一保護程序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于，還包含一第一阻抗裝置、一第二阻抗裝置及一第三晶體管開關(guān)，該第一阻抗裝置耦接于該主電源供應(yīng)模塊及該第一晶體管開關(guān)的一受控端之間，該第二阻抗裝置耦接于該第一晶體管開關(guān)的一受控端及該第三晶體管開關(guān)的一第一端，而該第三晶體管開關(guān)的一第二端耦接地，其中該雙電源控制器于該主電源電壓達該預(yù)定電壓值時，關(guān)斷該第三晶體管開關(guān)以導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于，該雙電源控制器包含: 一檢測端，耦接該主電源供應(yīng)模塊； 一第一控制端，耦接該第一晶體管開關(guān)； 一第二控制端，耦接該第二晶體管開關(guān)； 一檢測單元，通過該檢測端耦接該主電源供應(yīng)模塊以檢測該主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的該主電源電壓，該檢測單元于該主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，通過該第一控制端以導(dǎo)通該第一晶體管開關(guān)；以及 一延遲單元，耦接該檢測單元，于接收到該第一控制信號后一預(yù)定時間長度，通過該第二控制端以關(guān)斷該第二晶體管開關(guān)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng)，其特征在于，該雙電源控制器還包含一保護單元，于該第二晶體管開關(guān)被關(guān)斷期間該主電源電壓下降至該預(yù)定保護電壓值時，通過該第二控制端以再度導(dǎo)通該第二晶體管開關(guān)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙電源供應(yīng)系統(tǒng),其特征在于，該第一晶體管開關(guān)為一N型金氧半場效晶體管開關(guān)，該第二晶體管開關(guān)為一 P型金氧半場效晶體管開關(guān)。
全文摘要
一種雙電源供應(yīng)系統(tǒng)及雙電源控制器，其中雙電源供應(yīng)系統(tǒng)包含主電源供應(yīng)模塊、輔助電源供應(yīng)模塊、第一晶體管開關(guān)、第二晶體管開關(guān)以及雙電源控制器。第一晶體管開關(guān)耦接主電源供應(yīng)模塊及一輸出端，用以控制主電源供應(yīng)模塊提供電力至輸出端。第二晶體管開關(guān)耦接輔助電源供應(yīng)模塊及輸出端，用以控制輔助電源供應(yīng)模塊提供電力至輸出端。雙電源控制器檢測主電源供應(yīng)模塊所產(chǎn)生的一主電源電壓，于主電源電壓達一預(yù)定電壓值時，導(dǎo)通第一晶體管開關(guān)以提供主電源供應(yīng)模塊的電力至輸出端，并經(jīng)一預(yù)定時間延遲后關(guān)斷第二晶體管開關(guān)以停止提供輔助電源供應(yīng)模塊的電力至輸出端，其中雙電源控制器并于后檢測到主電源電壓降至一預(yù)定保護電壓值時執(zhí)行一保護程序。
文檔編號H02J9/06GK103219790SQ20121001879
公開日2013年7月24日 申請日期2012年1月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月20日
發(fā)明者李立民, 劉中唯, 余仲哲, 徐獻松 申請人:登豐微電子股份有限公司