電子標簽中高頻接口的整流器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了電子標簽中高頻接口的整流器，包括第一電容、第一PMOS管、第二PMOS管及整流電壓輸出線，第一PMOS管和第二PMOS管兩者的漏極、柵極及襯底均連接在整流電壓輸出線上，第一電容一端與整流電壓輸出線連接，其另一端接地。第一PMOS管的源極連接有第一天線信號輸入線，第二PMOS管的源極連接有第二天線信號輸入線。本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)，且能提高整流效率。
【專利說明】電子標簽中高頻接口的整流器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及射頻【技術(shù)領(lǐng)域】，具體是電子標簽中高頻接口的整流器。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子技術(shù)的迅猛發(fā)展和制造水平的不斷提高，采用無線電實現(xiàn)的射頻識別技術(shù)發(fā)展迅猛，射頻識別電子標簽作為一種非接觸式IC卡，其將無線電技術(shù)和IC技術(shù)結(jié)合，通過射頻信號自動識別目標對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)。射頻識別系統(tǒng)中電子標簽的高頻接口形成從閱讀器到電子標簽的高頻傳輸通路，高頻接口從其天線上吸收電流，并將吸收的電流整流穩(wěn)壓后作為電子標簽內(nèi)芯片的電源?，F(xiàn)有高頻接口中天線上的電壓低于整流輸出電壓時，電容上積聚的電荷會發(fā)生泄漏，從而會使得現(xiàn)有高頻接口中整流電路的整流效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，且能提高整流效率的電子標簽中高頻接口的整流器。
[0004]本發(fā)明的目的主要通過以下技術(shù)方案實現(xiàn):電子標簽中高頻接口的整流器，包括第一電容、第一 PMOS管、第二 PMOS管及整流電壓輸出線，所述第一 PMOS管和第二 PMOS管兩者的漏極、柵極及襯底均連接在整流電壓輸出線上，所述第一電容一端與整流電壓輸出線連接，其另一端接地；所述第一 PMOS管的源極連接有第一天線信號輸入線，所述第二 PMOS管的源極連接有第二天線信號輸入線。其中，本發(fā)明應(yīng)用時，第一天線信號輸入線相對連接第一 PMOS管漏極端的另一端和第二天線信號輸入線相對連接第二 PMOS管漏極端的另一端均連接在高頻接口的天線上，整流電壓輸出線用于高頻接口中生成的直流電壓的輸出。
[0005]電子標簽中高頻接口的整流器，還包括第一 NMOS管和第二 NMOS管，所述第一 NMOS管漏極連接在第一天線信號輸入線上，第二 NMOS管漏極連接在第二天線信號輸入線上，第一 NMOS管柵極與第二天線信號輸入線和第二 NMOS管漏極之間的線路連接，第二 NMOS管柵極與第一天線信號輸入線和第一 NMOS管漏極之間的線路連接，第一 NMOS管和第二 NMOS管兩者的源極均接地。第一 NMOS管和第二 NMOS管工作時交替導通，使天線上的低壓端接地。
[0006]所述第一天線信號輸入線和第二天線信號輸入線之間連接有第二電容。本發(fā)明可通過改變或替換第二電容來實現(xiàn)其參數(shù)的改變，從而改變天線的諧振頻率。
[0007]本發(fā)明工作時，當天線上的電壓高于整流電壓輸出線輸出的電壓時，同時會有兩條支路電流流向整流電壓輸出線，一條支路是第一 PMOS管和第二 PMOS管處于正常導通時的溝道電流，另一條支路是由于第一 PMOS管和第二 PMOS管的漏極與襯底之間的PN結(jié)正偏產(chǎn)生的襯底電流；當天線上的電壓低于整流電壓輸出線的輸出電壓時，第一 PMOS管和第二PMOS管處于截止狀態(tài)，同時第一 PMOS管和第二 PMOS管的漏極和襯底處于反偏狀態(tài),不會產(chǎn)生襯底電流，因此能夠很好地關(guān)閉第一 PMOS管和第二 PMOS管。
[0008]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下有益效果:本發(fā)明包括第一電容、第一 PMOS管、第二 PMOS管及整流電壓輸出線，整體結(jié)構(gòu)簡單，便于實現(xiàn)，在天線上的電壓低于整流電壓輸出線的輸出電壓時，本發(fā)明可通過關(guān)斷第一 PMOS管和第二 PMOS管,從而避免第一電容上積聚的電荷發(fā)生泄漏，有助于提高整流效率；本發(fā)明中天線上的電壓與整流電壓輸出線的輸出電壓之間的差值不再由PMOS管的閾值決定，而是由漏極與襯底構(gòu)成的二極管兩端的壓降決定，這更進一步提高了本發(fā)明的整流效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]附圖中附圖標記所對應(yīng)的名稱為:C1 一第一電容，C2—第二電容，P1—第一 PMOS管，P2—第二 PMOS管，NI—第一 NMOS管，N2—第二 NMOS管，ANTl—第一天線信號輸入線，ANT2—第二天線信號輸入線，I一整流電壓輸出線。
【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合實施例及附圖對本發(fā)明作進一步的詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。
[0012]實施例:
如圖1所示，電子標簽中高頻接口的整流器，包括第一電容Cl、整流電壓輸出線I及四個MOS管，其中，四個MOS管分別為第一 PMOS管P1、第二 PMOS管P2、第一 NMOS管NI及第二NMOS管N2。整流電壓輸出線I用于輸出整流后的直流電壓，第一 PMOS管PI和第二 PMOS管P2兩者的漏極、柵極及襯底均連接在整流電壓輸出線I上，第一電容Cl 一端與整流電壓輸出線I連接且連接位置靠近整流電壓輸出線I的輸出端頭位置，其另一端接地。第一 PMOS管Pl的源極連接有第一天線信號輸入線ANTl，第二 PMOS管P2的源極連接有第二天線信號輸入線ANT2，第一天線信號輸入線ANTl和第二天線信號輸入線ANT2之間連接有第二電容C2。
[0013]第一 NMOS管NI漏極連接在第一天線信號輸入線ANTl上，第二 NMOS管N2漏極連接在第二天線信號輸入線ANT2上，第一 NMOS管NI柵極與第二天線信號輸入線ANT2和第
二NMOS管N2漏極之間的線路連接，第二 NMOS管N2柵極與第一天線信號輸入線ANTl和第一 NMOS管NI漏極之間的線路連接，第一 NMOS管NI和第二 NMOS管N2者的源極均接地。
[0014]如上所述，則能很好的實現(xiàn)本發(fā)明。
【權(quán)利要求】
1.電子標簽中高頻接口的整流器，其特征在于:包括第一電容(Cl)、第一PMOS管(P1)、第二 PMOS管(P2)及整流電壓輸出線(1)，所述第一 PMOS管(Pl)和第二 PMOS管(P2)兩者的漏極、柵極及襯底均連接在整流電壓輸出線(I)上，所述第一電容(Cl) 一端與整流電壓輸出線(I)連接，其另一端接地；所述第一 PMOS管(Pl)的源極連接有第一天線信號輸入線(ANT1)，所述第二 PMOS管(P2)的源極連接有第二天線信號輸入線(ANT2)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子標簽中高頻接口的整流器，其特征在于:還包括第一NMOS管(NI)和第二 NMOS管(N2)，所述第一 NMOS管(NI)漏極連接在第一天線信號輸入線(ANTl)上，第二 NMOS管(N2)漏極連接在第二天線信號輸入線(ANT2)上，第一 NMOS管(NI)柵極與第二天線信號輸入線(ANT2)和第二 NMOS管(N2)漏極之間的線路連接，第二 NMOS管(N2)柵極與第一天線信號輸入線(ANTl)和第一 NMOS管(NI)漏極之間的線路連接，第一NMOS管(NI)和第二 NMOS管(N2)兩者的源極均接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子標簽中高頻接口的整流器，其特征在于:所述第一天線信號輸入線(ANTl)和第二天線信號輸入線(ANT2)之間連接有第二電容(C2)。
【文檔編號】H02H7/10GK103532101SQ201210225654
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月3日
【發(fā)明者】曾維亮 申請人:成都市宏山科技有限公司