專利名稱：一種功率因數(shù)校正裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及功率因素控制領(lǐng)域，具體是一種功率因數(shù)校正裝置，其主要用于單片PFC控制IC的有源全跟隨式功率因素校正。
背景技術(shù)：
目前的市電是個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正弦波，流過(guò)阻性負(fù)載的電流也是一個(gè)同相位的正弦波。當(dāng)交流電轉(zhuǎn)換成直流的時(shí)候，由于電源整流器是非線性元件，使輸入的交流電流產(chǎn)生畸變，呈脈沖狀，造成的嚴(yán)重后果是諧波對(duì)電網(wǎng)的危害作用，變電設(shè)備損壞，電能效率降低，從而造成能源的浪費(fèi)。而現(xiàn)有的有源非全跟隨式的功率因素校正電路能在一定程度上對(duì)穩(wěn)定值進(jìn)行提聞，但成本聞、效率底。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種功率因數(shù)校正裝置，以使脈沖更加平穩(wěn)，達(dá)到能源的更高利用。本發(fā)明主要通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)
一種功率因數(shù)校正裝置，包括IC芯片、電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管、電感和直流輸出
端;
所述電流檢測(cè)電阻為無(wú)感電阻，以提高電路的功率承受能力和快速反映能力；所述開關(guān)管為IGBT開關(guān)管，以提聞效率；
所述電感為多股漆包線的高頻磁環(huán)電感，以達(dá)到增加功率，提高速度和縮小體積的
目的；
所述直流輸出端設(shè)有阻容和消高頻電容，以實(shí)現(xiàn)在脈沖過(guò)程中加強(qiáng)電路穩(wěn)定性的效果。優(yōu)選地，所述直流輸出端設(shè)有二極管，所述阻容設(shè)于該二極管的兩端。優(yōu)選地，所述IC芯片為單片PFC控制的1C。本發(fā)明新型的有益效果籍由對(duì)電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管、電感和直流輸出端的部分進(jìn)行更改，以實(shí)現(xiàn)在大功率有源全跟隨式功率因數(shù)校正電路穩(wěn)定、高效、緊湊的效果，從而提聞了電能的利用率。


圖I為本發(fā)明的實(shí)施例方框圖2為本發(fā)明的電流檢測(cè)電阻部分電路；
圖3為本發(fā)明的主工作電路圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不做為對(duì)本發(fā)明的限定。
從圖I中可以看出，本發(fā)明實(shí)施例是用CCN實(shí)現(xiàn)有源全跟隨式功率因素校正的，其由AC電源I供電給EMC電路2，EMC電路2再通過(guò)AC/DC整流橋3和PFC電路4來(lái)實(shí)現(xiàn)交流電流高效率的轉(zhuǎn)換成直流電流來(lái)供電給直流用電負(fù)載5。參照?qǐng)D2和圖3，此功率因數(shù)校正裝置中的PFC電路包括IC芯片、電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管Q、電感L和直流輸出端；其中電流檢測(cè)電阻為大功率小阻抗無(wú)感電阻SR，以提高電路的功率承受能力和快速反映能力；而開關(guān)管Q為高速IGBT開關(guān)管代替先前的M0SFET，以提高效率；所述電感L為多股漆包線的高頻磁環(huán)電感，以達(dá)到增加功率，提高速度和縮小體積的目的；所述直流輸出端設(shè)有消高頻電容CE，而在快速恢復(fù)功能的二極管0兩邊則加阻容C2和阻容C3吸收，以實(shí)現(xiàn)在脈沖過(guò)程中加強(qiáng)電路穩(wěn)定性的效果。而所述IC芯片則為單片PFC控制的1C。籍由對(duì)電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管Q、電感L和直流輸出端的部分進(jìn)行更改，以實(shí)現(xiàn)在大功率有源全跟隨式功率因數(shù)校正電路穩(wěn)定、高效、緊湊的效果，從而提高了電能的利用 率。以上已將本發(fā)明做一詳細(xì)說(shuō)明，但顯而易見，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以進(jìn)行各種改變和改進(jìn)，而不背離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種功率因數(shù)校正裝置，包括IC芯片、電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管、電感和直流輸出端，其特征在于所述電流檢測(cè)電阻為無(wú)感電阻，所述開關(guān)管為IGBT開關(guān)管，所述電感為多股漆包線的高頻磁環(huán)電感，所述直流輸出端設(shè)有阻容和消高頻電容。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種功率因數(shù)校正裝置，其特征在于所述直流輸出端設(shè)有二極管，所述阻容設(shè)于該二極管的兩端。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種功率因數(shù)校正裝置，其特征在于所述IC芯片為單片PFC控制的1C。
全文摘要
本發(fā)明涉及功率因素控制領(lǐng)域，具體是一種功率因數(shù)校正裝置，其主要用于單片PFC控制IC的有源全跟隨式功率因素校正。包括IC芯片、電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管、電感和直流輸出端，其特征在于所述電流檢測(cè)電阻為無(wú)感電阻，所述開關(guān)管為IGBT開關(guān)管，所述電感為多股漆包線的高頻磁環(huán)電感，所述直流輸出端設(shè)有阻容和消高頻電容。籍由對(duì)電流檢測(cè)電阻、開關(guān)管、電感和直流輸出端的部分進(jìn)行更改，以實(shí)現(xiàn)在大功率有源全跟隨式功率因數(shù)校正電路穩(wěn)定、高效、緊湊的效果，從而提高了電能的利用率。
文檔編號(hào)H02M1/42GK102780391SQ201210289758
公開日2012年11月14日 申請(qǐng)日期2012年8月15日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月15日
發(fā)明者陳旭亮 申請(qǐng)人:中山市愛的圣科技有限公司