一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路的制作方法
【專利摘要】一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路，其特征在于，電源輸出接變壓器T1初級(jí)線圈的一端，變壓器T1初級(jí)線圈的另一端接MOS管U1的漏極，MOS管U1的柵極接入控制電路，MOS管U1的源極接地，MOS管U1的漏極同時(shí)通過串聯(lián)的電阻R1和電容C1接地，變壓器T1次級(jí)線圈的一端接功率二極管的陽(yáng)極，功率二極管的陰極接控制電路實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電壓的檢測(cè)，功率二極管的陰極同時(shí)接電容Cout的一端，電容Cout的另一端與變壓器T1次級(jí)線圈的另一端均接地，本發(fā)明由于增加吸收回路，會(huì)有效降低MOS管的漏壓，保證了MOS的可靠性。
【專利說明】—種帶吸收回路的開關(guān)電源電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及開關(guān)電源二極管管電壓應(yīng)力控制【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于一般的開關(guān)電源典型電路而言，在二極管關(guān)閉和導(dǎo)通的瞬間，由于寄生電容的關(guān)系，會(huì)在二極管的兩端產(chǎn)生高的電壓尖峰，易造成MOS被擊穿導(dǎo)致電路失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路，通過RC組成吸收回路，減小MOS管的電壓應(yīng)力。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:
[0005]一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路，其特征在于，電源輸出接變壓器Tl初級(jí)線圈的一端，變壓器Tl初級(jí)線圈的另一端接MOS管Ul的漏極，MOS管Ul的柵極接入控制電路，MOS管Ul的源極接地，MOS管Ul的漏極同時(shí)通過串聯(lián)的電阻Rl和電容Cl接地，變壓器Tl次級(jí)線圈的一端接功率二極管的陽(yáng)極，功率二極管的陰極接控制電路實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電壓的檢測(cè)，功率二極管的陰極同時(shí)接電容Cout的一端，電容Cout的另一端與變壓器Tl次級(jí)線圈的另一端均接地。
[0006]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明由于增加吸收回路，會(huì)有效降低MOS管的漏壓，保證了MOS的可靠性。本方案中的吸收回路由RC組成，其中C的耐壓要高于二極管并留有一定裕量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳盡的說明。
[0009]如圖所示，本發(fā)明為一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路，其特征在于，電源輸出接變壓器Tl初級(jí)線圈的一端，變壓器Tl初級(jí)線圈的另一端接MOS管Ul的漏極，MOS管Ul的柵極接入控制電路，MOS管Ul的源極接地，MOS管Ul的漏極同時(shí)通過串聯(lián)的電阻Rl和電容Cl接地，變壓器Tl次級(jí)線圈的一端接功率二極管的陽(yáng)極，功率二極管的陰極接控制電路實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電壓的檢測(cè)，功率二極管的陰極同時(shí)接電容Cout的一端，電容Cout的另一端與變壓器Tl次級(jí)線圈的另一端均接地。
[0010]本方案中的開關(guān)電源BUCK電源，其中的Dl為功率二極管，由于MOS管Ul的開關(guān)作用，電感電流跟隨著開關(guān)進(jìn)行變換，在電感電流突然變換的瞬間，Tl上會(huì)產(chǎn)生極高的電壓脈沖，導(dǎo)致MOS管在關(guān)斷的瞬間承受的耐壓很高，高電壓產(chǎn)生的時(shí)候其電壓會(huì)達(dá)到輸入Vin的2倍以上，但其持續(xù)時(shí)間較短，RC吸收回路的存在，使得脈沖產(chǎn)生時(shí)，RC回路導(dǎo)通，將脈沖電壓鉗位在Vin的2倍左右，不至于損壞MOS管
[0011]對(duì)比原方案與本方案，原方案中，由于沒有吸收回路的存在，Tl產(chǎn)生的高電壓脈沖，只能依靠MOS管的寄生電容來吸收，其吸收能力有限，電壓會(huì)很高，沒有固定在2倍Vin的大小，MOS管很容易損壞。本方案中Cl的作用是并聯(lián)在MOS管寄生電容上，電容增大后，對(duì)于高頻的脈沖電流阻抗很低，將這部分的能量導(dǎo)入到GND，從而降低了 MOS管的應(yīng)力。
【權(quán)利要求】
1.一種帶吸收回路的開關(guān)電源電路，其特征在于，電源輸出接變壓器Tl初級(jí)線圈的一端，變壓器Tl初級(jí)線圈的另一端接MOS管Ul的漏極，MOS管Ul的柵極接入控制電路，MOS管Ul的源極接地，MOS管Ul的漏極同時(shí)通過串聯(lián)的電阻Rl和電容Cl接地，變壓器Tl次級(jí)線圈的一端接功率二極管的陽(yáng)極，功率二極管的陰極接控制電路實(shí)現(xiàn)輸入與輸出電壓的檢測(cè)，功率二極管的陰極同時(shí)接電容Cout的一端，電容Cout的另一端與變壓器Tl次級(jí)線圈的另一端均接地。
【文檔編號(hào)】H02M1/34GK103840649SQ201210489143
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年11月26日
【發(fā)明者】楊立斌 申請(qǐng)人:西安威正電子科技有限公司