專利名稱：用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的系統(tǒng)和方法
用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的系統(tǒng)和方法背景領(lǐng)域各種實(shí)施方式涉及到電子電路，并且特別地涉及到用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路、系統(tǒng)和方法。相關(guān)技術(shù)描述當(dāng)今的高電壓放電電路使用多個(gè)電流源或者選通電阻器來(lái)釋放電壓。需要多個(gè)電流源或者選通電阻器，因?yàn)樨?fù)載電容可能根據(jù)芯片執(zhí)行的操作而變化。每個(gè)電流源需要單獨(dú)的調(diào)諧，其依賴于負(fù)載電容。在先前的放電電路，電流源或者選通電阻器的大小必須被調(diào)整以適應(yīng)被放電的電容性負(fù)載的大小。在非易失性存儲(chǔ)器的情況下，根據(jù)執(zhí)行的高電壓操作以及存儲(chǔ)器件的大小，電容性負(fù)載將是不同的。高電壓操作是有區(qū)別的，因?yàn)榇鎯?chǔ)器陣列的不同部件對(duì)于不同的操作(例如，編程和擦除)以高電壓被供給能量。每個(gè)高電壓操作需要不同大小的電流源或者選通電阻器，并且這消耗額外的電路面積。電容性負(fù)載的精確值可能不被充分獲知，直到電路設(shè)計(jì)完成。因此，不同的電容型負(fù)載需要耗時(shí)的調(diào)諧，這通常發(fā)生接近在設(shè)計(jì)方案的結(jié)束處。陣列尺寸的變化意為沒有附加調(diào)諧的電路再使用也是受限的。改變電介質(zhì)厚度的工藝變化將改變負(fù)載電容，并因此將改變放電電壓轉(zhuǎn)換速率。放電電壓轉(zhuǎn)換速率對(duì)避免被稱為“雙極快速反回”的現(xiàn)象是重要的，該現(xiàn)象可以導(dǎo)致電子電路中的閂鎖。附圖簡(jiǎn)述為了令本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)將被容易地理解，對(duì)以上簡(jiǎn)短描述的本發(fā)明的更特定的描述將通過(guò)參考在附圖中示出的具體實(shí)施方式
被呈現(xiàn)出來(lái)。理解到這些附圖描述僅僅是本發(fā)明有代表性的實(shí)施方式，并且并不因此被認(rèn)為是對(duì)本發(fā)明范圍的限制，本發(fā)明將通過(guò)利用附圖，以額外的特性和細(xì)節(jié)被描述和解釋，其中:

圖1是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路的一個(gè)實(shí)施方式的原理圖；圖2是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路的另一個(gè)實(shí)施方式的原理圖；圖3還是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路的另一個(gè)實(shí)施方式的原理圖；圖4仍然是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路的另一個(gè)實(shí)施方式的原理圖；圖5是存儲(chǔ)器系統(tǒng)的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖；以及圖6是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的方法的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。附圖的詳細(xì)描述在描述中對(duì)“一個(gè)實(shí)施方式”或者“實(shí)施方式”的引用意味著，結(jié)合實(shí)施方式描述的特定的特征、結(jié)構(gòu)或者特性包含在本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施方式中。在本描述中位于不同位置的短語(yǔ)“在一個(gè)實(shí)施方式中”并不一定指的是相同的實(shí)施方式。在以下的詳細(xì)描述中，出于解釋的目的，為了提供對(duì)本應(yīng)用的主題的徹底的理解而闡述了許多具體細(xì)節(jié)。然而，對(duì)于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將明顯的是，所公開的實(shí)施方式、所聲明的主題以及它們的等價(jià)物可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下被實(shí)踐。
詳細(xì)描述包括參考構(gòu)成詳細(xì)描述的一部分的附圖。附圖根據(jù)示例性實(shí)施方式示出圖解。這些在此也可以被稱為“實(shí)施例”的實(shí)施方式被足夠詳細(xì)地描述，以使得本領(lǐng)域中那些技術(shù)人員能夠?qū)嵺`在此描述的所要求權(quán)利的主題的實(shí)施方式。實(shí)施方式可以被組合，其它實(shí)施方式可以被使用，或者可以在不偏離所要求權(quán)利的主題的范圍和精神下進(jìn)行結(jié)構(gòu)的、邏輯的和電氣的改變。應(yīng)該理解到，在此描述的實(shí)施方式并不意在限制本主題的范圍，而是使得本領(lǐng)域中的技術(shù)人員能夠?qū)嵺`、制造、和/或使用本主題。在此描述的不同實(shí)施方式包括放電電路。一個(gè)放電電路包括被配置為耦合到電壓源的節(jié)點(diǎn)、電容器、耦合在節(jié)點(diǎn)和電容器之間的源極跟隨器器件、以及耦合到電容器的電流源。源極跟隨器器件被配置為可切換地將電容器耦合到所述節(jié)點(diǎn)，所述電容器被配置為使電壓源放電，而所述電流源被配置為使電容器放電。其它的實(shí)施方式提供存儲(chǔ)器系統(tǒng)。一個(gè)存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括包含高電壓的存儲(chǔ)器件陣列和耦合到該存儲(chǔ)器件陣列的放電電路。放電電路包括被耦合到存儲(chǔ)器件陣列的高電壓節(jié)點(diǎn)、電容器、耦合在高電壓節(jié)點(diǎn)和電容器之間的源極跟隨器器件、以及耦合到電容器的電流源。源極跟隨器器件被配置為可切換地將電容器耦合到所述節(jié)點(diǎn)，所述電容器被配置為使存儲(chǔ)器件陣列放電，而所述電流源被配置為使電容器放電。還提供了用于使存儲(chǔ)器件放電的方法。一種方法包括通過(guò)耦合到存儲(chǔ)器件的電容器從存儲(chǔ)器件釋放高電壓，以及通過(guò)耦合到電容器的電流源從電容器釋放高電壓。這里，電容器被配置為在預(yù)定時(shí)間范圍內(nèi)從存儲(chǔ)器件釋放高電壓。現(xiàn)在轉(zhuǎn)到附圖，圖1是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路100的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖。至少在示出的實(shí)施方式中，電路100被配置為釋放負(fù)高電壓。電路100包括高電壓開關(guān)110，該開關(guān)110包括耦合到N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nMOSFET ) 115的輸出端(HVswb )和耦合到nMOSFET 120的輸出端(HVsw)。具體地，HVswb被耦合到nMOSFET 115的柵極，而HVsw被耦合到nMOSFET 120的柵極。HVswb和HVsw被配置為分別為nMOSFET 115的柵極和nMOSFET 120的柵極提供邏輯輸入。nMOSFET 115的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)125，節(jié)點(diǎn)125被耦合到VNEG，其位于電路100中的最下位置。nMOSFET 115的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)130，而nMOSFET 115的塊體(bulk)被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 115中沒有源極-漏極正向偏壓。節(jié)點(diǎn)125被耦合到表示為電容器135的電壓源、負(fù)載(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件。在各種實(shí)施方式中，表不為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括在大約-4.5伏特到大約-3.0伏特范圍內(nèi)的電壓(VNEG)。在一個(gè)實(shí)施方式中，表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括大約為-3.5伏特的電壓。nMOSFET 120的塊體被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 120中沒有源極-漏極正向偏壓。nMOSFET 120的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)140，該節(jié)點(diǎn)140被耦合到地，而nMOSFET 120的源極被耦合到作為源極跟隨器(例如，共漏極放大器)的nMOSFET 145的漏極。nMOSFET 145的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)125，而nMOSFET 145的塊體被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 145中沒有源極-漏極正向偏壓。nMOSFET 145的柵極被耦合到節(jié)點(diǎn)150，該節(jié)點(diǎn)150被耦合到放電電容器160 (Cdcharge)0電容器160被配置為使表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。例如，電容器135可以代表存儲(chǔ)器件陣列，而電容器160被配置為在編程和擦除操作期間使存儲(chǔ)器件陣列放電。電容器160被耦合到節(jié)點(diǎn)165，該節(jié)點(diǎn)165被耦合到節(jié)點(diǎn)140和P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(pMOSFET) 170的柵極。pMOSFET 170的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)130。pMOSFET 170的漏極被耦合到電流源175(Idchg)，該電流源175 (Idchg)被耦合到地并被配置為使電容器160放電。pMOSFET 170的塊體被耦合到VPWR以確保在pMOSFET 170中沒有源極-漏極正向偏壓。電流源175可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意類型的電流源。在一個(gè)實(shí)施方式中，電流源175是與pMOSFET 170的漏極串聯(lián)耦合的電阻器。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電流源175是晶體管(例如，nMOSFET)。在各種實(shí)施方式中，電路100被配置為在預(yù)充電模式和放電模式中操作。在預(yù)充電模式中，電路100被配置為使表示為耦合(例如，通過(guò)節(jié)點(diǎn)125)到電路100的電容器135的電壓源、(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件通過(guò)電容器160放電。在放電模式中，電路100被配置為通過(guò)電流源175使電容器160放電。在各種實(shí)施方式中，電容器160使表不為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電的規(guī)模和/或速率(例如，速度)可以是重要的。具體地，電容器160包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被既不太快也不太慢地放電。例如，不太快速地使表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而避免或者至少減少被稱為“雙極快速反回”的現(xiàn)象。此外，不太緩慢地使表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件的性能不會(huì)受到不利影響。換言之，電容器160包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件在預(yù)定時(shí)間量?jī)?nèi)被放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，表不為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被放電的預(yù)定時(shí)間量在大約5μ s到大約50 μ s的范圍內(nèi)。換言之，在一個(gè)實(shí)施方式中，電容器160被配置為花費(fèi)至少5 μ s但是不多于大約50 μ s來(lái)使表不為電容器135的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。此外，在各種實(shí)施方式中，電容器160包括在大約2pF到大約5pF范圍內(nèi)的電容，盡管根據(jù)電路100的應(yīng)用可以使用較大或者較小的電容器。以下對(duì)電路100的操作的解釋可以有助于理解電路100。然而，電路100的各種實(shí)施方式并不局限于以下解釋。為了啟動(dòng)預(yù)充電模式，高電壓開關(guān)110通過(guò)HVswb提供邏輯高信號(hào)(或者1.2伏特信號(hào))到nMOSFET 115，并通過(guò)HVsw提供邏輯低信號(hào)(或者O伏特信號(hào))到nMOSFET 120。邏輯高信號(hào)使nMOSFET 115導(dǎo)通，而電流源175被關(guān)斷。耦合到節(jié)點(diǎn)125的電壓泵(參見圖5中的電壓泵520)施加負(fù)電壓(VNEG)到電路100，而節(jié)點(diǎn)130將遵循這個(gè)電壓降并保持nMOSFET 145 關(guān)斷。節(jié)點(diǎn)170將放電至在vgnd (O伏特)以上的一個(gè)pMOSFET閾值電壓左右的電壓。此時(shí)，pMOSFET 170被偏置在操作的截止區(qū)中。在nMOSFETl 15導(dǎo)通且nMOSFET 145關(guān)斷的情況下，節(jié)點(diǎn)130處的電壓在VNEG，而電容器155被“預(yù)充電”。換言之，pMOSFET 170總是導(dǎo)通的，因而在預(yù)充電模式中，放電電流源175 (Idchg)被關(guān)斷。pMOSFET 170的源極將使電流源175放電，直到它達(dá)到在VGND以上的pMOSFET閾值電壓，其還可以被接地。此時(shí)，pMOSFET 170的V柵極-V源極小于pMOSFET 170的閾值電壓,這關(guān)斷了 pMOSFET 170。nMOSFET 145關(guān)斷是由于nMOSFET 115導(dǎo)通，并且nMOSFET 145的柵極和源極均被短路(即，V柵極-V源極=0V)，這保證了 nMOSFET 145是關(guān)斷的。節(jié)點(diǎn)125處的電壓(VNEG)被泵下至-3.5V，并且電容器155 (Cdchg)被預(yù)充電至-3.5V。具體地，電容器155的一個(gè)端子在O伏特，而另一端子在-3.5伏特。為了啟動(dòng)放電模式，連接到節(jié)點(diǎn)125的電壓源被關(guān)斷。高電壓開關(guān)110通過(guò)HVswb提供邏輯低信號(hào)到nMOSFET 115，這關(guān)斷了 nMOSFET 115，并且通過(guò)HVsw提供邏輯高信號(hào)到nMOSFET 120。此時(shí)，兩個(gè)節(jié)點(diǎn)130和125仍然在-3.5伏特，所以nMOSFET 145仍然是關(guān)斷的，而nMOSFET 120被導(dǎo)通。放電電流源175接下來(lái)被導(dǎo)通。此外，因?yàn)閚MOSFET 145構(gòu)成源極跟隨器器件，隨著節(jié)點(diǎn)130通過(guò)電流源175放電，VNEG將跟隨節(jié)點(diǎn)130的放電。雖然在圖1中示出的電路100的實(shí)施方式被描述為使用MOSFET器件，電路100并不局限于MOSFET器件。S卩，電路100的各種其它實(shí)施方式可以使用其它類型的開關(guān)、開關(guān)器件、和/或晶體管器件(例如，雙極面結(jié)型晶體管器件、結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、絕緣柵雙極型晶體管器件等等)。參考圖2，圖2是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路200的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖。至少在示出的實(shí)施方式中，電路200被配置為釋放負(fù)高電壓。電路200包括高電壓開關(guān)210，該開關(guān)210包括耦合到nMOSFET 215的輸出端(HVswb)和耦合到nMOSFET 220的輸出端(HVsw)。具體地，HVswb被耦合到nMOSFET 215的柵極，而HVsw被耦合到nMOSFET 220的柵極。HVswb和HVsw被配置為分別為nMOSFET 215的柵極和nMOSFET 220的柵極提供邏輯輸入。nMOSFET 215的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)225，節(jié)點(diǎn)225被耦合到VNEG，其位于電路200中的最下位置。nMOSFET 215的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)230，而nMOSFET 215的塊體被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 215中沒有源極-漏極正向偏壓。節(jié)點(diǎn)225被耦合到表示為電容器235的電壓源、負(fù)載(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件。在各種實(shí)施方式中，表不為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括在大約-4.5伏特到大約-3.0伏特范圍內(nèi)的電壓(VNEG)。在一個(gè)實(shí)施方式中，表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括大約為-3.5伏特的電壓。nMOSFET 220的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)240，該節(jié)點(diǎn)240被耦合到地，而nMOSFET 220的塊體被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 220中沒有源極-漏極正向偏壓。nMOSFET 220的源極被耦合到作為源極跟隨器(例如，共漏極放大器)的nMOSFET 245的漏極。nMOSFET 245的塊體被耦合到VNEG以確保在nMOSFET 245中沒有源極-漏極正向偏壓。nMOSFET 245的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)225，而nM0SFET245的柵極被耦合到節(jié)點(diǎn)250，該節(jié)點(diǎn)250被耦合到電阻器255 (例如，低通濾波器)。電阻器255可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意電阻器件。在各種實(shí)施方式中，電阻器255可以包括范圍為大約50kΩ到大約500kΩ的阻抗。電阻器255還被耦合到電容器260，該電容器260被耦合到節(jié)點(diǎn)265。電容器260被配置為使表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。例如，電容器235可以代表存儲(chǔ)器件陣列，而電容器260被配置為在編程和擦除操作期間使存儲(chǔ)器件陣列放電。節(jié)點(diǎn)265被耦合到節(jié)點(diǎn)240以及被耦合到pMOSFET 270。具體地，節(jié)點(diǎn)265被耦合到pMOSFET 270的柵極。pMOSFET 270的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)230。pMOSFET 270的漏極被耦合到電流源275(Idchg)，該電流源275 (Idchg)被耦合到地并被配置為使電容器260放電。pMOSFET 270的塊體被耦合到VPWR以確保在pMOSFET 270中沒有源極-漏極正向偏壓。電流源275可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意類型的電流源。在一個(gè)實(shí)施方式中，電流源275是與pMOSFET 270的漏極串聯(lián)耦合的電阻器。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電流源275是晶體管(例如，nMOSFET)。在各種實(shí)施方式中，電路200被配置為在預(yù)充電模式和放電模式中操作。在預(yù)充電模式中，電路200被配置為使表示為被耦合(例如，通過(guò)節(jié)點(diǎn)225)到電路200的電容器235的電壓源、(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件通過(guò)電容器260放電。在放電模式中，電路200被配置為通過(guò)電流源275使電容器260放電。在各種實(shí)施方式中，電容器260使表不為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電的規(guī)模和/或速率(例如，速度)可以是重要的。具體地，電容器260包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被既不太快也不太慢地放電。例如，不太快速地使表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而避免或者至少減少被稱為“雙極快速反回”的現(xiàn)象。此外，不太緩慢地使表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件的性能不會(huì)受到不利影響。換言之，電容器260包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件在預(yù)定時(shí)間量?jī)?nèi)被放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，表不為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被放電的預(yù)定時(shí)間量在大約5μ s到大約50 μ s的范圍內(nèi)。換言之,在一個(gè)實(shí)施方式中，電容器260被配置為花費(fèi)至少5 μ s但是不多于大約50 μ s來(lái)使表不為電容器235的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。此外，在各種實(shí)施方式中，電容器260包括大約2pF到大約5pF范圍內(nèi)的電容。以下對(duì)電路200的操作的解釋可以有助于理解電路200。然而，電路200的各種實(shí)施方式并不局限于以下解釋。為了啟動(dòng)預(yù)充電模式，高電壓開關(guān)210通過(guò)HVswb提供邏輯高信號(hào)(或者1.2伏特信號(hào))到nMOSFET 215，并通過(guò)HVsw提供邏輯低信號(hào)(或者O伏特信號(hào))到nMOSFET 220。邏輯高信號(hào)導(dǎo)通nMOSFET 215，而電流源275被關(guān)斷。耦合到節(jié)點(diǎn)225的電壓泵(參見圖5中的電壓泵520)施加負(fù)電壓(VNEG)到電路200，而節(jié)點(diǎn)230將遵循這個(gè)電壓降并保持nMOSFET245關(guān)斷。節(jié)點(diǎn)270將放電至在vgnd (O伏特)以上的一個(gè)pMOSFET閾值電壓左右的電壓。此時(shí)，pMOSFET 270被偏置在操作的截止區(qū)中。在nM0SFET215導(dǎo)通且nMOSFET 245關(guān)斷的情況下，節(jié)點(diǎn)230處的電壓在VNEG，而電容器255被“預(yù)充電”。換言之，pMOSFET 270總是處于導(dǎo)通狀態(tài)，因而在預(yù)充電模式中，放電電流源275(Idchg)被關(guān)斷。pMOSFET 270的源極將使電流源275放電，直到它達(dá)到在VGND以上的pMOSFET閾值電壓，其還可以被接地。此時(shí)，pMOSFET 270的V柵極-V源極小于pMOSFET270的閾值電壓，這關(guān)斷了 pMOSFET 270。nMOSFET 245關(guān)斷是由于nMOSFET 215導(dǎo)通，并且nMOSFET 245的柵極和源極均被短路(即，V柵極-V源極=0V)，這保證了 nMOSFET 245是關(guān)斷的。節(jié)點(diǎn)225處的電壓(VNEG)被泵下至-3.5V，并且電容器255 (Cdchg)被預(yù)充電至-3.5V。具體地，電容器255的一個(gè)端子在O伏特，而另一端子在-3.5伏特。為了啟動(dòng)放電模式，連接到節(jié)點(diǎn)225的電壓源被關(guān)斷。高電壓開關(guān)210通過(guò)HVswb提供邏輯低信號(hào)到nMOSFET 215，這關(guān)斷了 nMOSFET 215，并且通過(guò)HVsw提供邏輯高信號(hào)到nMOSFET 220。此時(shí)，兩個(gè)節(jié)點(diǎn)230和225仍然在-3.5伏特，所以nMOSFET 245仍然是關(guān)斷的，而nM0SFET220是導(dǎo)通的。放電電流源275接下來(lái)被導(dǎo)通。此外，因?yàn)閚MOSFET 245構(gòu)成源極跟隨器器件，隨著節(jié)點(diǎn)230通過(guò)電流源275放電，VNEG將跟隨節(jié)點(diǎn)230的放電。雖然在圖2中示出的電路200的實(shí)施方式被描述為使用MOSFET器件，電路200并不局限于MOSFET器件。即，電路200的各種其它實(shí)施方式可以使用其它類型的開關(guān)、開關(guān)器件、和/或晶體管器件(例如，雙極面結(jié)型晶體管器件、結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、絕緣柵雙極型晶體管器件等等)。現(xiàn)在參考圖3，圖3是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路300的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖。至少在示出的實(shí)施方式中，電路300被配置為釋放正高電壓。電路300包括高電壓開關(guān)310，該開關(guān)310包括耦合到(pMOSFET) 315的輸出端(HVsw)和耦合到pMOSFET 320的輸出端(HVswb)。具體地，HVsw被耦合到pMOSFET 315的柵極，而HVswb被耦合到pM0SFET320的柵極。HVsw和HVswb被配置為分別為pMOSFET 315的柵極和pMOSFET 320的柵極提供邏輯輸入。pMOSFET 315的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)325，節(jié)點(diǎn)325被耦合到VP0S，其位于電路300中的最高位置。pMOSFET 315的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)330，而pMOSFET 315的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 315中沒有源極-漏極正向偏壓。節(jié)點(diǎn)325被耦合到表示為電容器335的電壓源、負(fù)載(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件。在各種實(shí)施方式中，表不為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括在大約1.2伏特到大約4.0伏特范圍內(nèi)的電壓(VP0S)。在一個(gè)實(shí)施方式中，表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括大約為3.0伏特的電壓。pMOSFET 320的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)340，該節(jié)點(diǎn)340被耦合到地，而pMOSFET 320的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 320中沒有源極-漏極正向偏壓。pMOSFET 320的源極被耦合到作為源極跟隨器(例如，共漏極放大器)的pMOSFET 345的漏極。pMOSFET 345的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 345中沒有源極-漏極正向偏壓。pMOSFET 345的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)325，而pM0SFET345的柵極被耦合到節(jié)點(diǎn)350，該節(jié)點(diǎn)350被耦合到放電電容器360 (Cdcharge)0電容器360被配置為使表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。例如，電容器335可以代表存儲(chǔ)器件陣列，而電容器360被配置為在編程和擦除操作期間使存儲(chǔ)器件陣列放電。電容器360被耦合到節(jié)點(diǎn)365，該節(jié)點(diǎn)365被耦合到節(jié)點(diǎn)340和nMOSFET 370的柵極。
nMOSFET 370的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)330。nMOSFET 370的漏極被耦合到電流源375(Idchg)，該電流源375 (Idchg)被耦合到地并被配置為使電容器360放電。nMOSFET 370的塊體被耦合到地以確保在nM0SFET370中沒有源極-漏極正向偏壓。電流源375可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意類型的電流源。在一個(gè)實(shí)施方式中，電流源375是與nMOSFET 370的漏極串聯(lián)耦合的電阻器。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電流源375是晶體管(例如，nMOSFET)。在各種實(shí)施方式中，電路300被配置為在預(yù)充電模式和放電模式中操作。在預(yù)充電模式中，電路300被配置為使表示為被耦合(例如，通過(guò)節(jié)點(diǎn)325)到電路300的電容器335的電壓源、(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件通過(guò)電容器360放電。在放電模式中，電路300被配置為通過(guò)電流源375使電容器360放電。在各種實(shí)施方式中，電容器360使表不為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電的規(guī)模和/或速率(例如，速度)可以是重要的。具體地，電容器360包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被既不太快也不太慢地放電。例如，不太快速地使表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而避免或者至少減少被稱為“雙極快速反回”的現(xiàn)象。此外，不太緩慢地使表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件的性能不會(huì)受到不利影響。換言之，電容器360包括的充電規(guī)模大小和/或速率可以使得表示為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件在預(yù)定時(shí)間量?jī)?nèi)被放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，表不為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被放電的預(yù)定時(shí)間量在大約5 μ s到大約50 μ s的范圍內(nèi)。即,在一個(gè)實(shí)施方式中，電容器360被配置為花費(fèi)至少5 μ s但是不多于大約50 μ s來(lái)使表不為電容器335的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。此外，在各種實(shí)施方式中，電容器360包括大約2pF到大約5pF范圍內(nèi)的電容。以下對(duì)電路300的操作的解釋可以有助于理解電路300。然而，電路300的各種實(shí)施方式并不局限于以下解釋。為了啟動(dòng)預(yù)充電模式，高電壓開關(guān)310通過(guò)HVsw提供邏輯低信號(hào)(或者O伏特信號(hào))到pMOSFET 315，并通過(guò)HVswb提供邏輯高信號(hào)(或者1.2伏特信號(hào))到pMOSFET 320。邏輯低信號(hào)導(dǎo)通pMOSFET 315，而電流源375被關(guān)斷。耦合到節(jié)點(diǎn)325的電壓泵(參見圖5中的電壓泵520)施加正電壓(VPOS)到電路300，而節(jié)點(diǎn)330將遵循這個(gè)電壓增并保持pMOSFET345關(guān)斷。節(jié)點(diǎn)370將充電至在VPWR (1.2伏特)以下的一個(gè)pMOSFET閾值電壓左右的電壓。此時(shí)，nMOSFET 370被偏置在操作的截止區(qū)中。在pMOSFET 315導(dǎo)通且pMOSFET 345關(guān)斷的情況下，節(jié)點(diǎn)330處的電壓在VP0S，而電容器355被“預(yù)充電”。換言之，nMOSFET 370總是被導(dǎo)通，因而在預(yù)充電模式中，放電電流源375 (Idchg)被關(guān)斷。nMOSFET 370的源極將使電流源375放電，直到它達(dá)到在VPWR以下的nMOSFET閾值電壓。此時(shí)，nMOSFET 370的V柵極-V源極大于nMOSFET 370的閾值電壓，這關(guān)斷了nMOSFET 370。pMOSFET 345關(guān)斷是由于pMOSFET 315被導(dǎo)通，并且pMOSFET 345的柵極和源極均被短路(即，V柵極-V源極=1.2V)，這保證了 PM0SFET345是關(guān)斷的。節(jié)點(diǎn)325處的電壓(VPOS)被泵上至4.0V,并且電容器355 (Cdchg)被預(yù)充電至4.0V。具體地，電容器355的一個(gè)端子在O伏特，而另一端子在4.0伏特。為了啟動(dòng)放電模式，連接到節(jié)點(diǎn)325的電壓源被關(guān)斷。高電壓開關(guān)310通過(guò)HVsw提供邏輯高信號(hào)到pMOSFET 315，這關(guān)斷了 pMOSFET 315，并且通過(guò)HVswb提供邏輯低信號(hào)至Ij pMOSFET 320。此時(shí)，兩個(gè)節(jié)點(diǎn)330和325仍然在4.0伏特，所以pMOSFET 345仍然是關(guān)斷的，而PM0SFET320是導(dǎo)通的。放電電流源375接下來(lái)被導(dǎo)通。此外，因?yàn)閜MOSFET 345構(gòu)成源極跟隨器器件，隨著節(jié)點(diǎn)330通過(guò)電流源375放電，VPOS將跟隨節(jié)點(diǎn)330的放電。雖然在圖3中示出的電路300的實(shí)施方式被描述為使用MOSFET器件，電路300并不局限于MOSFET器件。即，電路300的各種其它實(shí)施方式可以使用其它類型的開關(guān)、開關(guān)器件、和/或晶體管器件(例如，雙極面結(jié)型晶體管器件、結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、絕緣柵雙極型晶體管器件等等)。參考圖4，圖4是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的電路400的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖。至少在示出的實(shí)施方式中，電路400被配置為釋放正高電壓。電路400包括高電壓開關(guān)410，該開關(guān)410包括耦合到(pMOSFET) 415的輸出端(HVsw)和耦合到pMOSFET 420的輸出端(HVswb)。具體地，HVsw被耦合到pMOSFET 415的柵極，而HVswb被耦合到pM0SFET420的柵極。HVsw和HVswb被配置為分別為pMOSFET 415的柵極和pMOSFET 420的柵極提供邏輯輸入。pMOSFET 415的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)425，節(jié)點(diǎn)425被耦合到VP0S，其位于電路400中的最高位置。pMOSFET 415的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)430，而pMOSFET 415的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 415中沒有源極-漏極正向偏壓。節(jié)點(diǎn)425被耦合到表示為電容器435的電壓源、負(fù)載(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件。在各種實(shí)施方式中，表不為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括在大約1.2伏特到大約4.0伏特范圍內(nèi)的電壓(VP0S)。在一個(gè)實(shí)施方式中，表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件包括大約為3.0伏特的電壓。pMOSFET 420的漏極被耦合到節(jié)點(diǎn)440，該節(jié)點(diǎn)440被耦合到VPWR，而pMOSFET420的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 420中沒有源極-漏極正向偏壓。pMOSFET 420的源極被耦合到作為源極跟隨器(例如，共漏極放大器)的pMOSFET 445的漏極。pMOSFET 445的塊體被耦合到VPOS以確保在pMOSFET 445中沒有源極-漏極正向偏壓。pMOSFET 445的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)425，而pM0SFET445的柵極被耦合到節(jié)點(diǎn)450，該節(jié)點(diǎn)450被耦合到電阻器455 (例如，低通濾波器)。電阻器455可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意電阻器件。在各種實(shí)施方式中，電阻器455可以包括范圍為大約50k Ω到大約500k Ω的阻抗。電阻器455還被耦合到電容器460，該電容器460被耦合到節(jié)點(diǎn)465。電容器460被配置為使表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。例如，電容器435可以代表存儲(chǔ)器件陣列，而電容器460被配置為在編程和擦除操作期間使存儲(chǔ)器件陣列放電。電容器460被耦合到節(jié)點(diǎn)465，該節(jié)點(diǎn)465被耦合到節(jié)點(diǎn)440和nMOSFET 470的柵極。
nMOSFET 470的源極被耦合到節(jié)點(diǎn)430。nMOSFET 470的漏極被耦合到電流源475(Idchg)，該電流源475 (Idchg)被耦合到地并被配置為使電容器460放電。nMOSFET 470的塊體被耦合到地以確保在PM0SFET470中沒有源極-漏極正向偏壓。電流源475可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的任意類型的電流源。在一個(gè)實(shí)施方式中，電流源475是與nMOSFET 470的漏極串聯(lián)耦合的電阻器。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電流源475是晶體管(例如，nMOSFET)。在各種實(shí)施方式中，電路400被配置為在預(yù)充電模式和放電模式中操作。在預(yù)充電模式中，電路400被配置為使表示為被耦合(例如，通過(guò)節(jié)點(diǎn)425)到電路400的電容器435的電壓源、(C負(fù)載)、和/或其它電容型器件通過(guò)電容器460放電。在放電模式中，電路400被配置為通過(guò)電流源475使電容器460放電。在各種實(shí)施方式中，電容器460使表不為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電的規(guī)模和/或速率(例如，速度)可以是重要的。具體地，電容器460包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被既不太快也不太慢地放電。例如，不太快速地使表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而避免或者至少減少被稱為“雙極快速反回”的現(xiàn)象。此外，不太緩慢地使表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電可以是重要的，從而表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件的性能不會(huì)受到不利影響。換言之，電容器460包括的充電規(guī)模和/或速率可以使得表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件在預(yù)定時(shí)間量?jī)?nèi)被放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，表不為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件被放電的預(yù)定時(shí)間量在大約5μ s到大約50 μ s的范圍內(nèi)。即，在一個(gè)實(shí)施方式中，電容器460被配置為花費(fèi)至少5μ s但是不多于大約50 μ s來(lái)使表示為電容器435的電壓源、C負(fù)載、和/或其它電容型器件放電。此外，在各種實(shí)施方式中，電容器460包括在大約2pF到大約5pF范圍內(nèi)的電容。以下對(duì)電路400的操作的解釋可以有助于理解電路400。然而，電路400的各種實(shí)施方式并不局限于以下解釋。為了啟動(dòng)預(yù)充電模式，高電壓開關(guān)410通過(guò)HVsw提供邏輯低信號(hào)(或者O伏特信號(hào))到pMOSFET 415，并通過(guò)HVswb提供邏輯高信號(hào)(或者1.2伏特信號(hào))到pMOSFET 420。邏輯低信號(hào)導(dǎo)通pMOSFET 415，而電流源475被關(guān)斷。耦合到節(jié)點(diǎn)425的電壓泵(參見圖5中的電壓泵520)施加正電壓(VPOS)到電路400，而節(jié)點(diǎn)430將遵循這個(gè)電壓增并保持pMOSFET445關(guān)斷。節(jié)點(diǎn)470將充電至在VPWR (1.2伏特)以下的一個(gè)pMOSFET閾值電壓左右的電壓。此時(shí)，nMOSFET 470被偏置在操作的截止區(qū)中。在pMOSFET 415導(dǎo)通且pMOSFET 445關(guān)斷的情況下，節(jié)點(diǎn)430處的電壓在VP0S，而電容器455被“預(yù)充電”。換言之，nMOSFET 470總是被導(dǎo)通，因而在預(yù)充電模式中，放電電流源475 (Idchg)被關(guān)斷。nMOSFET 470的源極將使電流源475放電，直到它達(dá)到在VPWR以下的nMOSFET閾值電壓。此時(shí)，nMOSFET 470的V柵極-V源極大于nMOSFET 470的閾值電壓，這關(guān)斷了nMOSFET 470。pMOSFET 445關(guān)斷是由于pMOSFET 415導(dǎo)通，并且pMOSFET 445的柵極和源極均被短路(即，V柵極-V源極=1.2V)，這保證了 PM0SFET445是關(guān)斷的。節(jié)點(diǎn)425處的電壓(VPOS)被泵上至4.0V，并且電容器455 (Cdchg)被預(yù)充電至4.0V。具體地，電容器455的一個(gè)端子在O伏特，而另一端子在4.0伏特。為了啟動(dòng)放電模式，連接到節(jié)點(diǎn)425的電壓源被關(guān)斷。高電壓開關(guān)410通過(guò)HVsw提供邏輯高信號(hào)到pMOSFET 415，這關(guān)斷了 pMOSFET 415，并且通過(guò)HVswb提供邏輯低信號(hào)至Ij pMOSFET 420。此時(shí)，兩個(gè)節(jié)點(diǎn)430和425仍然在4.0伏特，所以pMOSFET 445仍然是關(guān)斷的，而PM0SFET420被導(dǎo)通。放電電流源475接下來(lái)被導(dǎo)通。此外，因?yàn)閜MOSFET 445構(gòu)成源極跟隨器器件，隨著節(jié)點(diǎn)430通過(guò)電流源475放電，VPOS將跟隨節(jié)點(diǎn)430的放電。雖然在圖4中示出的電路400的實(shí)施方式被描述為使用MOSFET器件，電路400并不局限于MOSFET器件。S卩，電路400的各種其它實(shí)施方式可以使用其它類型的開關(guān)、開關(guān)器件、和/或晶體管器件(例如，雙極面結(jié)型晶體管器件、結(jié)型柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件、絕緣柵雙極型晶體管器件等等)。圖5是存儲(chǔ)器系統(tǒng)500的一個(gè)實(shí)施方式的方框圖。至少在不出的實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器系統(tǒng)500包括耦合到放電電路530的存儲(chǔ)器510和電壓泵520，根據(jù)在存儲(chǔ)器系統(tǒng)500的應(yīng)用和/或存儲(chǔ)器510上使用的電壓，該放電電路530可以是電路100、電路200、電路300或者電路400中的任意一個(gè)。存儲(chǔ)器510可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的包括存儲(chǔ)器件5120的陣列5110的任意存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器件的陣列5110可以包括適用于存儲(chǔ)器系統(tǒng)500的所期望的應(yīng)用的任何數(shù)量的存儲(chǔ)器件5120。在一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器510包括在大約-4.5伏特到大約-3.0伏特范圍內(nèi)的電壓。在另一個(gè)實(shí)施方式中，存儲(chǔ)器510包括在大約1.2伏特到大約4.0伏特范圍內(nèi)的電壓。存儲(chǔ)器510被配置為在三個(gè)操作模式中進(jìn)行操作。具體地,存儲(chǔ)器510被配置為在程序模式、擦除模式和讀取模式中進(jìn)行操作。電壓泵520可以是本領(lǐng)域中已知的或者在未來(lái)開發(fā)出的能夠提供電壓(例如，VPWR)到放電電路520的任意電壓泵。在一個(gè)實(shí)施方式中，電壓泵520被配置為提供1.2伏特到放電電路530。在一個(gè)實(shí)施方式中，放電電路530被配置為確定存儲(chǔ)器510當(dāng)前在哪個(gè)操作模式下進(jìn)行操作。當(dāng)放電電路530確定存儲(chǔ)器510在程序模式或者在擦除模式下進(jìn)行操作時(shí)，放電電路530被配置為啟動(dòng)預(yù)充電模式來(lái)從存儲(chǔ)器件5120的陣列5110釋放電流，如以上參考電路100、電路200、電路300和電路400所描述的。換言之，存儲(chǔ)器件5120的陣列5110在上述電路100、電路200、電路330和電路400中分別被表示為電容器135、235、335和435，所述電路在預(yù)充電模式操作期間使存儲(chǔ)器件5120的陣列5110放電。當(dāng)放電電路530時(shí)確定存儲(chǔ)器510在讀取模式下進(jìn)行操作時(shí)，放電電路530被配置為關(guān)斷(例如，不使存儲(chǔ)器件5120的陣列5110和/或存儲(chǔ)器510放電)?？蛇x擇地，當(dāng)存儲(chǔ)器510確定存儲(chǔ)器510在讀取模式下進(jìn)行操作時(shí),放電電路530被配置為在放電模式下操作來(lái)使其內(nèi)部電容器(例如，電容器160、電容器260、電容器360和電容器460 )放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，放電電路530被配置為在預(yù)定的時(shí)間范圍內(nèi)使存儲(chǔ)器件5120的陣列5110放電。S卩，放電電路530被配置為使存儲(chǔ)器件5120的陣列5110放電，使得存儲(chǔ)器件5120的陣列5110如以上所討論地既不太快速也不太緩慢地被放電，以分別避免“雙極快速反回”和性能問(wèn)題?，F(xiàn)在參考圖6，圖6是用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的方法600的一個(gè)實(shí)施方式的流程圖。至少在示出的實(shí)施方式中，方法600由確定存儲(chǔ)器(例如，存儲(chǔ)器510)的操作模式(例如,程序模式、擦除模式和讀取模式)開始(塊610)。方法600還包括確定存儲(chǔ)器是否在程序模式下進(jìn)行操作(塊620)。如果存儲(chǔ)器在程序模式下進(jìn)行操作，方法600包括啟動(dòng)預(yù)充電模式(塊630 )。如果存儲(chǔ)器不是在程序模式下進(jìn)行操作，方法600包括確定存儲(chǔ)器是否在擦除模式下進(jìn)行操作(塊640)。如果存儲(chǔ)器在擦除模式下進(jìn)行操作，方法600包括啟動(dòng)預(yù)充電模式(塊630 )。在一個(gè)實(shí)施方式中，預(yù)充電模式包括在預(yù)定的時(shí)間范圍內(nèi)通過(guò)電容器(例如，電容器160、電容器260、電容器360和電容器460)使存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)器件陣列放電，使得存儲(chǔ)器件陣列如以上所討論地既不太快速也不太緩慢地被放電，以分別避免“雙極快速反回”和性能問(wèn)題。在另一個(gè)實(shí)施方式中，預(yù)充電模式包括通過(guò)電容器(例如，電容器160、電容器260、電容器360和電容器460)從存儲(chǔ)器釋放在大約-4.5伏特到大約-3.0伏特范圍內(nèi)的負(fù)高電壓。在又一另外的實(shí)施方式中，預(yù)充電模式包括通過(guò)電容器(例如，電容器160、電容器260、電容器360和電容器460)從存儲(chǔ)器釋放在大約1.2伏特到大約4.0伏特范圍內(nèi)的正高電壓。方法600還包括啟動(dòng)放電模式來(lái)使電容器(塊650)放電。在一個(gè)實(shí)施方式中，電容器通過(guò)電流源(例如，電流源175、電流源275、電流源375和電流源475)被放電。在另一個(gè)實(shí)施方式中，電容器通過(guò)耦合到低通濾波器(例如，電阻器260和電阻器460)的電流源(例如，電流源275和電流源475)被放電。如果存儲(chǔ)器不是在擦除模式下進(jìn)行操作，方法600包括確定存儲(chǔ)器在讀取模式下進(jìn)行操作并關(guān)閉預(yù)充電模式(塊660)。方法600還包括在塊650的放電模式后以及在預(yù)充電模式被關(guān)閉后再次確定存儲(chǔ)器的操作模式(塊670)。然而在本發(fā)明的前述詳細(xì)描述中示出了至少一個(gè)示范性實(shí)施方式，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到存在大量的變化。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到示范性實(shí)施方式或者數(shù)個(gè)示范性實(shí)施方式僅僅是示例，并且并不意在以任意方式限制本發(fā)明的范圍、適用性或者配置。然而，前述詳細(xì)的實(shí)施方式將為本領(lǐng)域中那些技術(shù)人員提供執(zhí)行本發(fā)明示范性實(shí)施方式的便捷的方法路徑，理解到可以對(duì)示例性實(shí)施方式中所描述的元件的功能和布置進(jìn)行多種變化，而不偏離如在所附權(quán)利要求和其合法等同物中所闡述的本發(fā)明的范圍。如本領(lǐng)域中一名普通技術(shù)人員將理解到的，本發(fā)明的方面可以被具體化為裝置、系統(tǒng)或者方法。因此，本發(fā)明的方面可以采取完全的硬件實(shí)施方式或者硬件和軟件方面相結(jié)合的實(shí)施方式的形式，其在此均可以通常被指為“電路”、“模塊”或者“系統(tǒng)”。以上通過(guò)參考根據(jù)多種實(shí)施方式的方法、裝置和系統(tǒng)的流程示和/或方框圖來(lái)對(duì)本發(fā)明各方面進(jìn)行描述。將理解到流程示和/或方框圖中的每個(gè)塊以及流程示和/或方框圖中塊的組合可以由計(jì)算機(jī)程序指令來(lái)實(shí)現(xiàn)。這些計(jì)算機(jī)程序指令可以被提供到通用計(jì)算機(jī)、專用計(jì)算機(jī)或者其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器來(lái)產(chǎn)生一種機(jī)構(gòu)，使得通過(guò)計(jì)算機(jī)或者其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置的處理器執(zhí)行的指令產(chǎn)生用于執(zhí)行在流程圖和/或方框圖塊或者數(shù)個(gè)方框圖塊中規(guī)定的功能/動(dòng)作的手段。這些計(jì)算機(jī)程序指令還可以被存放在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中，其可指導(dǎo)計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或者其它器件以特定方式運(yùn)作，使得存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中的指令產(chǎn)生包括實(shí)現(xiàn)在流程圖和/或方框圖塊或者數(shù)個(gè)方框圖塊中規(guī)定的功能/動(dòng)作的指令的制品。計(jì)算機(jī)程序指令還可以被裝載到計(jì)算機(jī)、其它可編程數(shù)據(jù)處理裝置、或者其它器件上，從而致使一系列操作步驟在計(jì)算機(jī)、其它可編程裝置或者其它器件上被執(zhí)行，以產(chǎn)生計(jì)算機(jī)實(shí)現(xiàn)過(guò)程，使得在計(jì)算機(jī)或者其它可編程裝置上執(zhí)行的指令提供用于執(zhí)行在流程圖和/或方框圖塊或者數(shù)個(gè)方框圖塊中規(guī)定的功能/動(dòng)作的過(guò)程。在以上圖中的流程圖和方框圖示出了根據(jù)多種實(shí)施方式的裝置、系統(tǒng)和方法的可能的實(shí)施的架構(gòu)、功能和操作。就這一點(diǎn)而言，流程圖或者方框圖中的每個(gè)塊可以代表代碼的模塊、段或者部分，其包括用于執(zhí)行指定邏輯功能的一個(gè)或者多個(gè)可執(zhí)行的指令。還應(yīng)該注意到在一些可選的實(shí)施方式中，塊中記錄的功能可以不按照?qǐng)D中所記錄的順序來(lái)發(fā)生。例如，事實(shí)上，根據(jù)涉及的功能，連續(xù)示出的兩個(gè)塊可以大體同時(shí)被執(zhí)行，或者有時(shí)塊可以以反轉(zhuǎn)順序被執(zhí)行。還將注意到方框圖和/或流程示中的每個(gè)塊、以及在方框圖和/或流程示中塊的組合可以由執(zhí)行指定功能或者動(dòng)作的基于專用硬件的系統(tǒng)或者專用硬件和計(jì)算機(jī)指令的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。雖然詳細(xì)地示出了一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施方式，本領(lǐng)域中的一個(gè)普通技能人員將認(rèn)識(shí)至IJ，可以對(duì)那些實(shí)施方式進(jìn)行改進(jìn)和調(diào)整，而不偏離以下權(quán)利要求中所闡述的各種實(shí)施方式范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于釋放電壓的電路，包括: 節(jié)點(diǎn)，其被配置為耦合到電壓源； 電容器，其被配置為使所述電壓源放電； 共漏極放大器器件，其被耦合在所述節(jié)點(diǎn)和所述電容器之間，所述共漏極放大器被配置為可切換地將所述電容器耦合到所述節(jié)點(diǎn)；以及 電流源，其被耦合到所述電容器，并被配置為使所述電容器放電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述電容器在大約2pF到大約5pF的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，還包括串聯(lián)地耦合在所述電容器和所述共漏極放大器之間的電阻器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其中所述系統(tǒng)被配置為在預(yù)充電模式和放電模式下進(jìn)行操作。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電路，其中，在所述預(yù)充電模式中，所述電容器通過(guò)所述源極跟隨器器件被耦合到所述節(jié)點(diǎn)，并使所述電壓源放電。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其中，在所述放電模式中，所述電容器通過(guò)所述源極跟隨器器件從所述節(jié)點(diǎn)被去耦合，并且所述電流源使所述電容器放電。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電路，還包括開關(guān)器件，該開關(guān)器件被配置為在所述預(yù)充電模式和所述放電模式之間切換所述系統(tǒng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，其中所述開關(guān)器件是高電壓開關(guān)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路，還包括: 第一開關(guān)，其被耦合在所述節(jié)點(diǎn)和所述電容器之間，所述第一開關(guān)由所述開關(guān)器件控制；以及 第二開關(guān)，其被耦合在電流跟隨器器件和所述電容器的輸出端之間，所述第二開關(guān)由所述開關(guān)器件控制。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電路，還包括被耦合在所述節(jié)點(diǎn)和所述電流源之間的第三開關(guān)，所述第三開關(guān)由所述電容器的所述輸出端控制。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中: 所述第一開關(guān)、所述第二開關(guān)、和所述源極跟隨器器件每個(gè)都是η溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及 所述第三開關(guān)是P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電路，其中: 所述電壓源處的電壓在大約-4.5伏特到大約-3.0伏特的范圍內(nèi)；以及 所述開關(guān)器件被配置為提供在大約O伏特到大約1.2伏特范圍內(nèi)的電壓給所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)以控制所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電路，其中: 所述第一開關(guān)、所述第二開關(guān)、和所述源極跟隨器器件每個(gè)都是P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管；以及 所述第三開關(guān)是η溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電路，其中: 所述電壓源處的電壓在大約1.2伏特到大約4.0伏特的范圍內(nèi)；以及所述開關(guān)器件被配置為提供在大約O伏特到大約1.2伏特范圍內(nèi)的電壓給所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)以控制所述第一開關(guān)和所述第二開關(guān)。
15.—種存儲(chǔ)器系統(tǒng),包括: 存儲(chǔ)器件陣列，所述存儲(chǔ)器件陣列包括高電壓；以及 放電電路，其被耦合到所述存儲(chǔ)器件陣列，所述放電電路包括: 高電壓節(jié)點(diǎn)，其被耦合到所述存儲(chǔ)器件陣列， 電容器， 共漏極放大器，其被耦合在所述高電壓節(jié)點(diǎn)和所述電容器之間，該共漏極放大器被配置為可切換地將所述電容器耦合到所述高電壓節(jié)點(diǎn)，以及 電流源，其被耦合到所述電容器，并且被配置為使所述電容器放電，其中: 所述放電電路被配置為在預(yù)充電模式下操作以通過(guò)所述電容器使所述存儲(chǔ)器件陣列放電，以及在放電模式下操作以通過(guò)所述電流源使所述電容器放電。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其中所述放電電路被配置為從所述存儲(chǔ)器件陣列釋放負(fù)高電壓和正高電壓中的一個(gè)。
17.一種用于使存儲(chǔ)器件放電的方法，包括: 通過(guò)耦合到所述存儲(chǔ)器件的電容器從所述存儲(chǔ)器件釋放高電壓；以及通過(guò)耦合到所述電容器的電流源從所述電容器釋放所述高電壓，其中所述電容器被配置為在預(yù)定時(shí)間范圍內(nèi)釋放所述高電壓。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中從所述存儲(chǔ)器件釋放所述高電壓發(fā)生在大約5μ S到大約50 μ S的時(shí)間量范圍內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中: 從所述存儲(chǔ)器件釋放所述高電壓包括從所述存儲(chǔ)器件釋放負(fù)高電壓和正電壓中的一個(gè)；以及 從所述電容器釋放所述高電壓包括從所述電容器釋放所述負(fù)高電壓和所述正電壓中的一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中從所述存儲(chǔ)器件釋放所述高電壓包括: 確定所述存儲(chǔ)器件在程序模式和擦除模式中的一個(gè)下進(jìn)行操作；以及 在所述存儲(chǔ)器件在所述程序模式和所述擦除模式中的一個(gè)下進(jìn)行操作時(shí)釋放所述高電壓。
全文摘要
用于從負(fù)載電容電路釋放電壓的系統(tǒng)和方法。提出了用于使負(fù)載放電的電路、系統(tǒng)和方法。一種電路包括耦合到電壓源的節(jié)點(diǎn)、電容器、耦合在節(jié)點(diǎn)和電容器之間的源極跟隨器器件、以及耦合到電容器的電流源。源極跟隨器器件被配置為可切換地將電容器耦合到節(jié)點(diǎn)，從而使電壓源放電，而所述電流源被配置為使電容器放電。一種系統(tǒng)包括耦合到存儲(chǔ)器件的上述電路，使得電路被配置為從存儲(chǔ)器件釋放電壓。一種方法包括通過(guò)耦合到存儲(chǔ)器件的電容器從存儲(chǔ)器件釋放高電壓，以及通過(guò)耦合到電容器的電流源從電容器釋放高電壓。電容器被配置為在預(yù)定時(shí)間范圍內(nèi)釋放高電壓。
文檔編號(hào)H02H9/04GK103138248SQ20121050878
公開日2013年6月5日 申請(qǐng)日期2012年12月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月2日
發(fā)明者約翰·W·蒂埃德, 加里·莫斯卡魯克 申請(qǐng)人:賽普拉斯半導(dǎo)體公司