一種自激式降壓電路及燈具的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于燈具領(lǐng)域，尤其涉及一種自激式降壓電路及燈具。在本發(fā)明實施例中，本自激式降壓電路采用獨立式元器件構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡單可靠、低成本、工作穩(wěn)定，解決了現(xiàn)在的降壓電路存在壓差的問題，提高了降壓電路工作效率，適合為各種外界電源的電子產(chǎn)品做簡易的降壓電路。
【專利說明】一種自激式降壓電路及燈具
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于燈具領(lǐng)域，尤其涉及一種自激式降壓電路及燈具。
【背景技術(shù)】
[0002]降壓電路是一種基本的DC/DC變換器，廣泛應(yīng)用在各種供電電路中。
[0003]目前很多電路中需要用到降壓功能，但一般的模擬電路對于較大壓差的降壓電路不適應(yīng)，而且現(xiàn)在的降壓電路工作效率低，結(jié)構(gòu)復雜。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種自激式降壓電路，旨在解決現(xiàn)在的降壓電路存在壓差、效率低和結(jié)構(gòu)復雜的問題。
[0005]本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的，一種自激式降壓電路，所述自激式降壓電路包括:
[0006]電阻Rl、電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、儲能電容Cl、濾波電容C2、電感L1、二
極管D1、第一開關(guān)管、第二開關(guān)管和第三開關(guān)管；
[0007]所述第一開關(guān)管的高電位端為輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端接電感LI的第一端，所述電感LI的第二端為輸出端，所述第一開關(guān)管的高電位端通過所述電阻Rl接第三開關(guān)管的高電位端，所述第三開關(guān)管的低電位端接地，所述儲能電容Cl連接在所述第三開關(guān)管的高電位端和低電位端之間，所述第二開關(guān)管的高電位端通過所述電阻R2接第一開關(guān)管的控制端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的控制端接第三開關(guān)管的高電位端，所述二極管Dl的陰極接第一開關(guān)管的低電位端，所述二極管Dl的陽極接地，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4串接在所述電感LI的第二端與地之間，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4的公共連接端接第三開關(guān)管的控制端，所述濾波電容C2連接在電感LI的第二端和地之間。
[0008]本發(fā)明的另一目的在于提供一種燈具，所述燈具包括上述的自激式降壓電路。
[0009]在本發(fā)明中，本自激式降壓電路采用獨立式元器件構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡單可靠、低成本、工作穩(wěn)定，解決了現(xiàn)在的降壓電路存在壓差的問題，提高了降壓電路工作效率，適合為各種外界電源的電子產(chǎn)品做簡易的降壓電路。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明第一實施例提供的自激式降壓電路的結(jié)構(gòu)圖；
[0011]圖2是本發(fā)明第二實施例提供的自激式降壓電路的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0012]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。[0013]圖1示出了本發(fā)明第一實施例提供的自激式降壓電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，詳述如下。
[0014]一種自激式降壓電路，所述自激式降壓電路包括:
[0015]電阻Rl、電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、儲能電容Cl、濾波電容C2、電感L1、二極管D1、第一開關(guān)管100、第二開關(guān)管200和第三開關(guān)管300 ；
[0016]所述第一開關(guān)管100的高電位端為輸入端，所述第一開關(guān)管100的低電位端接電感LI的第一端，所述電感LI的第二端為輸出端，所述第一開關(guān)管100的高電位端通過所述電阻Rl接第三開關(guān)管300的高電位端，所述第三開關(guān)管300的低電位端接地，所述儲能電容Cl連接在所述第三開關(guān)管300的高電位端和低電位端之間，所述第二開關(guān)管200的高電位端通過所述電阻R2接第一開關(guān)管100的控制端，所述第二開關(guān)管200的低電位端接地，所述第二開關(guān)管200的控制端接第三開關(guān)管300的高電位端，所述二極管Dl的陰極接第一開關(guān)管100的低電位端，所述二極管Dl的陽極接地，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4串接在所述電感LI的第二端與地之間，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4的公共連接端接第三開關(guān)管300的控制端，所述濾波電容C2連接在電感LI的第二端和地之間。
[0017]作為本發(fā)明一實施例，所述第一開關(guān)管100采用PNP型三極管Ql，所述PNP型三極管Ql的基極為第一開關(guān)管100的控制端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為第一開關(guān)管100的高電位端，所述PNP型三極管Ql的集電極為第一開關(guān)管100的低電位端。
[0018]作為本發(fā)明一實施例，所述第二開關(guān)管200采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關(guān)管200的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關(guān)管200的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第二開關(guān)管200的低電位端。
[0019]作為本發(fā)明一實施例，所述第三開關(guān)管300采用NPN型三極管Q3，所述NPN型三極管Q3的基極為第三開關(guān)管300的控制端，所述NPN型三極管Q3的集電極為第三開關(guān)管300的高電位端，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極為第三開關(guān)管300的低電位端。
[0020]圖2示出了本發(fā)明第二實施例提供的自激式降壓電路的結(jié)構(gòu)，為了便于說明，僅示出了與本發(fā)明實施例相關(guān)的部分，詳述如下。
[0021]作為本發(fā)明一實施例，所述第一開關(guān)管100采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為第一開關(guān)管100的控制端，所述P型MOS管Q4的源極為第一開關(guān)管100的高電位端，所述P型MOS管Q4的漏極為第一開關(guān)管100的低電位端。
[0022]作為本發(fā)明一實施例，所述第二開關(guān)管200采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的柵極為第二開關(guān)管200的控制端，所述N型MOS管Q5的漏極為第二開關(guān)管200的高電位端，所述N型MOS管Q5的源極為第二開關(guān)管200的低電位端。
[0023]作為本發(fā)明一實施例，所述第三開關(guān)管300采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的柵極為第三開關(guān)管300的控制端，所述N型MOS管Q6的漏極為第三開關(guān)管300的高電位端，所述N型MOS管Q6的源極為第三開關(guān)管300的低電位端。
[0024]本發(fā)明一實施例還包括一種燈具，所述燈具包括上述的自激式降壓電路。
[0025]下面以第一開關(guān)管100采用PNP型三極管Ql、第二開關(guān)管200采用NPN型三極管Q2和第三開關(guān)管300采用NPN型三極管Q3為例，說明自激式降壓電路的工作原理:
[0026]1、當輸入端上電時，電壓經(jīng)過電阻Rl給儲能電容Cl充電，當充電至0.7V時，NPN型三極管Q2導通，將PNP型三極管Ql基極通過電阻R2拉低，從而使PNP型三極管Ql導通，降壓電路工作，在輸出端輸出低電壓；
[0027]2、輸出端經(jīng)過分壓電阻R3、分壓電阻R4分壓取樣(R3、R4取值設(shè)置時將根據(jù)公式:VL*R4/ (R3+R4) =0.7V)后反饋到NPN型三極管Q3基極，使NPN型三極管Q3飽和導通，使儲能電容Cl兩端放電至0.3V, NPN型三極管Q2趨于截止，NPN型三極管Q3也截止，降壓電路無輸出，輸出端為OV ；
[0028]3、當輸出端為OV時，NPN型三極管Q3又截止，輸入端通過電阻Rl給儲能電容Cl充電，重復第1-2步的動作循環(huán)，PNP型三極管Ql連續(xù)的開關(guān)，這樣在輸出端就出現(xiàn)高/低電平的方波，經(jīng)過濾波電容C2平滑濾波后成為所需的直流電壓。
[0029]在本發(fā)明實施例中，本自激式降壓電路采用獨立式元器件構(gòu)成，結(jié)構(gòu)簡單可靠、低成本、工作穩(wěn)定，解決了現(xiàn)在的降壓電路存在壓差的問題，提高了降壓電路工作效率，適合為各種外界電源的電子產(chǎn)品做簡易的降壓電路。
[0030]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種自激式降壓電路，其特征在于，所述自激式降壓電路包括: 電阻Rl、電阻R2、分壓電阻R3、分壓電阻R4、儲能電容Cl、濾波電容C2、電感L1、二極管D1、第一開關(guān)管、第二開關(guān)管和第三開關(guān)管； 所述第一開關(guān)管的高電位端為輸入端，所述第一開關(guān)管的低電位端接電感LI的第一端，所述電感LI的第二端為輸出端，所述第一開關(guān)管的高電位端通過所述電阻Rl接第三開關(guān)管的高電位端，所述第三開關(guān)管的低電位端接地，所述儲能電容Cl連接在所述第三開關(guān)管的高電位端和低電位端之間，所述第二開關(guān)管的高電位端通過所述電阻R2接第一開關(guān)管的控制端，所述第二開關(guān)管的低電位端接地，所述第二開關(guān)管的控制端接第三開關(guān)管的高電位端，所述二極管Dl的陰極接第一開關(guān)管的低電位端，所述二極管Dl的陽極接地，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4串接在所述電感LI的第二端與地之間，所述分壓電阻R3和分壓電阻R4的公共連接端接第三開關(guān)管的控制端，所述濾波電容C2連接在電感LI的第二端和地之間。
2.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用PNP型三極管Ql，所述PNP型三極管Ql的基極為第一開關(guān)管的控制端，所述PNP型三極管Ql的發(fā)射極為第一開關(guān)管的高電位端，所述PNP型三極管Ql的集電極為第一開關(guān)管的低電位端。
3.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第一開關(guān)管采用P型MOS管Q4，所述P型MOS管Q4的柵極為第一開關(guān)管的控制端，所述P型MOS管Q4的源極為第一開關(guān)管的高電位端，所述P型MOS管Q4的漏極為第一開關(guān)管的低電位端。
4.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用NPN型三極管Q2，所述NPN型三極管Q2的基極為第二開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q2的集電極為第二開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q2的發(fā)射極為第二開關(guān)管的低電位端。
5.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第二開關(guān)管采用N型MOS管Q5，所述N型MOS管Q5的柵極為第二開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q5的漏極為第二開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q5的源極為第二開關(guān)管的低電位端。
6.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第三開關(guān)管采用NPN型三極管Q3，所述NPN型三極管Q3的基極為第三開關(guān)管的控制端，所述NPN型三極管Q3的集電極為第三開關(guān)管的高電位端，所述NPN型三極管Q3的發(fā)射極為第三開關(guān)管的低電位端。
7.如權(quán)利要求1所述的自激式降壓電路，其特征在于，所述第三開關(guān)管采用N型MOS管Q6，所述N型MOS管Q6的柵極為第三開關(guān)管的控制端，所述N型MOS管Q6的漏極為第三開關(guān)管的高電位端，所述N型MOS管Q6的源極為第三開關(guān)管的低電位端。
8.一種燈具，其特征在于，所述燈具包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的自激式降壓電路。
【文檔編號】H02M3/155GK103904887SQ201210580486
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月28日
【發(fā)明者】周明杰, 管偉芳 申請人:深圳市海洋王照明工程有限公司, 海洋王照明科技股份有限公司