專利名稱：用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及ー種RC電路，特別是ー種用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路。
背景技術(shù)：
大功率電子器件通常面臨的工作狀況是對高電壓、大電流進行快速切換。由于器件、電路的非理想特性，其電路和元件里經(jīng)常產(chǎn)生寄生電容和雜散電感，使電子器件的開關(guān)過程偏離理想狀態(tài)，有時會造成器件的損壞。相反的，在接通電源時低電壓供電系統(tǒng)不允許大電流超調(diào)，也要求避免該瞬態(tài)超調(diào)。因此，在開關(guān)電路中增加緩沖電路是相當必要的。吸收電路又稱緩沖電路或者慢啟動電路，是ー種開關(guān)輔助電路，很早就被用來改善功率開關(guān)元件瞬態(tài)エ況。傳統(tǒng)吸收電路的作用主要是抑制過高的浪涌沖擊，確保電子器 件工作在安全工作區(qū)域，在一定程度上降低開關(guān)瞬態(tài)功耗，緩解EM I情況、或過調(diào)情況。如圖I所示，是ー個常用的RC吸收電路的電路圖。該電路是由電阻R與電容C串聯(lián)形成的一種電路，同時電阻R、電容C均與開關(guān)并聯(lián)連接。若開關(guān)斷開，蓄積在寄生電感中的能量對開關(guān)的寄生電容充電的同時，也會通過吸收電阻對吸收電容充電。這樣，由于吸收電阻的作用，其阻抗將變大，那么，吸收電容也就等效地增加了開關(guān)的并聯(lián)電容的容量，從而抑制開關(guān)斷開的電壓浪涌。而在開關(guān)接通時，吸收電容又通過開關(guān)放電，此時，其放電電流將被吸收電阻所限制，抑制開關(guān)接通的電流浪涌。在某些情況下，比如在Xcvr模塊中，RC吸收電路的電阻值R特別大，一般為幾十千歐姆，甚至更高。單個電容性能或絕緣電阻較低，電容很容易被損壞，導致吸收電路不能エ作，從而不能起到保護作用，將損壞電子元器件。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)存在的上述問題，提供一種用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案為用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，該電路包括第ー電容、與第一電容串聯(lián)連接的電阻，該電路還包括至少ー個第二電容，所述第二電容與第一電容依次串聯(lián)連接。采用第一電容和第二電容代替單個電容，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，第ー電容性能或絕緣電阻較低時，第二電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。作為本實用新型的優(yōu)選方案，所述第一電容與第二電容為不同容值的電容。不同容值電容的使用確保了任何供應商的不同批次或不同批次代碼的散裝電容都可以用于生產(chǎn)。綜上所述，由于采用了上述技術(shù)方案，本實用新型的有益效果是 I、本實用新型用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，采用第二電容電容，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，第一電容性能或絕緣電阻較低時，第二電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。2、串聯(lián)的第一電容與第二電容的容值不同，確保了任何供應商的不同批次或不同批次代碼的散裝電容都可以用于生產(chǎn)。

圖I是傳統(tǒng)的吸收電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實用新型實施例I的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實用新型實施例2的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本實用新型實施例3的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖，對本實用新型作詳細的說明。為了使本實用新型的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，
以下結(jié)合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。實施例I如圖2所示，本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，該電路包括電容Cl、電容C2、電阻R、二極管和三極管，所述電容Cl和第二電容C2為不同容值的電容，電容Cl與電容C2依次串聯(lián)連接，電容Cl與電阻R串聯(lián)連接，所述二極管正極端與三極管發(fā)射極連接，所述二極管負極端與三極管集電極連接；二極管正極端與電容C2另一端連接，二極管負極端與電阻R另一端連接，即電容Cl、電容C2、電阻R均與二極管并聯(lián)連接。本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，單個電容性能或絕緣電阻較低時，另一個電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。實施例2如圖3所示，本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，包括電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電阻R、二極管和三極管，所述電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4分別為不同容值的電容，電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4依次串聯(lián)連接，電容Cl與電阻R串聯(lián)連接，所述二極管正極端與三極管發(fā)射極連接，所述二極管負極端與三極管集電極連接；二極管正極端與電容C4另一端連接，二極管負極端與電阻R另一端連接，即電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4、電阻R均與二極管并聯(lián)連接。本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，采用不同容值的電容，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4中的一個或兩個或三個電容性能或絕緣電阻較低時，其余的電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。而且電容Cl、電容C2、電容C3、電容C4的容值分別不同，確保了任何供應商的不同批次或不同批次代碼的散裝電容都可以用于生產(chǎn)。實施例3如圖4所示，本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，包括電容C5、電容C6、電阻R，電容C5、電容C6分別為不同容值的電容，電容C5、電容C6、電阻R依次串聯(lián)連接，電阻R —端接地，電阻R的另一端連接DMOS管的柵極，DMOS管的漏極連接電源輸入端，電容C5 —端連接電源輸入端。本實施例列舉的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，電容C5、電容C6中的某一個電容性能或絕緣電阻較低時，另一個電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。電容C5、電容C6的容值不同，確保了任何供應商的不同批次或不同批次代碼的散裝電容都可以用于生產(chǎn)。 以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，該電路包括第一電容及與第一電容串聯(lián)的電阻，其特征在于，該電路還包括至少ー個第二電容，所述第一電容與第二電容依次串聯(lián)連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，其特征在干，所述第一電容與第二電容為不同容值的電容。
專利摘要本實用新型涉及RC電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路。該電路包括第一電容及與第一電容串聯(lián)的電阻，該電路還包括至少一個第二電容，所述第一電容與第二電容依次串聯(lián)連接。本實用新型用于避免電容絕緣電阻故障的電容串聯(lián)電路，采用不同容值的至少兩個電容，即便是在高電阻值的電阻電容串聯(lián)電路中，單個電容性能或絕緣電阻較低時，其他電容也能將高串聯(lián)電阻保持在高水平工作狀態(tài)，實現(xiàn)浪涌抑制功能。而且，不同容值電容的使用還確保了任何供應商的不同批次或不同批次代碼的散裝電容都可以用于生產(chǎn)。
文檔編號H02H9/04GK202513567SQ201220163940
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月18日
發(fā)明者克瑞斯·勞鮑特 申請人:索爾思光電(成都)有限公司