專利名稱：一種直流升壓電路的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種直流升壓電路。
背景技術：
目前，一般通過Boost電路(開關直流升壓電路)實現直流-直流的升壓變換，結構如圖I所示。其中，在充電過程中，開關管Q’(三極管或者MOS管)導通，輸入電壓流過電感。二極管D’防止電容C’對地放電。由于輸入電壓Vin’是直流電，所以電感L’上的電流以一定的比率線性增加，這個比率跟電感大小有關。隨著電感電流增加，電感L’里儲存了一些能量；放電過程中，開關管Q’截止，由于電感L’的電流保持特性，流經電感L’的電流不會馬上變?yōu)?，而是緩慢的由充電完畢時的值變?yōu)镺。而原來的電路已斷開，于是電感L’只能通過新電路放電，即開始給電容C’充電，電容C’兩端電壓升高，此時輸出電壓V-’已 經高于輸入電壓Vin’，升壓完畢。但是，在升壓時，很容易損壞部件，一旦某個部件損壞，只能停止運行。并且，二極管D’和開關管Q’都有相應的開關損耗，尤其是開關管Q’，制約著功率和效率。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于克服現有技術的缺陷而提供一種高功率和高效率的直流升壓電路，它具有兩套相互獨立的升壓電路，可以同時工作也可以輪流工作，并且在其中一套損壞的時候整體還能正常工作，延長了電路的使用時間。實現上述目的的技術方案是一種直流升壓電路，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一 MOSFET (金屬-氧化層-半導體-場效晶體管)、第二 M0SFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中所述第一電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第一二極管的正極和所述第一 MOSFET的漏極；所述第二電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第二二極管的正極和所述第二 MOSFET的漏極；所述電容的一端分別連接所述第一二極管的負極和所述第二二極管的負極，另一端分別連接所述第一 MOSFET的源極和所述第二 MOSFET的源極；所述電容與第一二極管以及第二二極管的相接端輸出輸出電壓；所述電容與第一 MOSFET以及第二 MOSFET的相接端接地。上述的直流升壓電路，其中，所述第一 MOSFET和第二 MOSFET均為N型M0SFET。本實用新型的有益效果是本實用新型具有兩套相互獨立的升壓電路，它們可以同時工作也可以輪流工作，實現高功率和高效率的直流電壓升壓。并且當其中一套損壞的時候整體還能正常工作，延長了電路的使用時間。同時本實用新型結構簡單，易于實現。

[0013]圖I是現有的Boost電路的電路圖；圖2是本實用新型的直流升壓電路的電路圖。
具體實施方式
下面將結合附圖對本實用新型作進一步說明。請參閱圖2，本實用新型的直流升壓電路，包括斷路器K、第一電感LI、第二電感L2、第一 MOSFET Ql、第二 MOSFET Q2、第一二極管Dl、第二二極管D2和電容C，其中斷路器K防止電壓過大，起到保護電路的作用；第一電感LI的一端連接斷路器K并且通過該斷路器K接收輸入電壓Vin，另一端 分別連接第一二極管Dl的正極和第一 MOSFET Ql的漏極；第二電感L2的一端連接斷路器K并且通過該斷路器K接收輸入電壓Vin，另一端分別連接第二二極管D2的正極和第二 MOSFET Q2的漏極；電容C的一端分別連接第一二極管Dl的負極和第二二極管D2的負極，另一端分別連接第一 MOSFET Ql的源極和第二 MOSFET Q2的源極；電容C與第一二極管Dl以及第二二極管D2的相接端輸出輸出電壓Vwt ；電容C與第一 MOSFET Ql以及第二 MOSFET Q2的相接端接地。本實用新型的工作原理第一 MOSFET Ql閉合時第一電感LI儲存電能，第一MOSFET Ql斷開時，第一電感LI通過第一二極管Dl向電容C充電，實現升壓；第二 MOSFETQ2閉合時第二電感L2儲存電能，第二 MOSFET Q2斷開時，第二電感L2通過第二二極管D2向電容C充電，實現升壓；第一MOSFET Ql和第二MOSFET Q2可以交替工作也可以同時工作，從而減少第一 MOSFET Q1、第二 MOSFET Q2、第一二極管Dl和第二二極管D2的開關損耗，并且提高升壓的功率和效率。并且即使某一部件損壞時，整個電路還是能夠正常運行，從而大大延長了電路的使用時間和減少了因為故障帶來的影響。本實施例中，第一 MOSFET Ql和第二 MOSFET Q2均為N型MOSFET。以上實施例僅供說明本實用新型之用，而非對本實用新型的限制，有關技術領域的技術人員，在不脫離本實用新型的精神和范圍的情況下，還可以作出各種變換或變型，因此所有等同的技術方案也應該屬于本實用新型的范疇，應由各權利要求所限定。
權利要求1.一種直流升壓電路，其特征在于，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一 MOSFET、第二 M0SFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中 所述第一電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第一二極管的正極和所述第一 MOSFET的漏極； 所述第二電感的一端連接所述斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接所述第二二極管的正極和所述第二 MOSFET的漏極； 所述電容的一端分別連接所述第一二極管的負極和所述第二二極管的負極，另一端分別連接所述第一 MOSFET的源極和所述第二 MOSFET的源極； 所述電容與第一二極管以及第二二極管的相接端輸出輸出電壓； 所述電容與第一 MOSFET以及第二 MOSFET的相接端接地。
2.根據權利要求I所述的直流升壓電路，其特征在于，所述第一MOSFET和第二 MOSFET均為N型MOSFET。
專利摘要本實用新型公開了一種直流升壓電路，包括斷路器、第一電感、第二電感、第一MOSFET、第二MOSFET、第一二極管、第二二極管和電容，其中第一電感的一端連接斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接第一二極管的正極和第一MOSFET的漏極；第二電感的一端連接斷路器并且通過該斷路器接收輸入電壓，另一端分別連接第二二極管的正極和第二MOSFET的漏極；電容的一端分別連接第一二極管的負極和第二二極管的負極，另一端分別連接第一MOSFET的源極和第二MOSFET的源極。本實用新型具有兩套相互獨立的升壓電路，可以同時工作也可以輪流工作，并且在其中一套損壞的時候整體還能正常工作，延長了電路的使用時間。
文檔編號H02M1/32GK202713149SQ20122029454
公開日2013年1月30日 申請日期2012年6月21日 優(yōu)先權日2012年6月21日
發(fā)明者姚建歆, 周曞昕, 鄭季偉, 徐劍, 顧臨峰, 李志龍, 王國友, 倪東海, 程正敏, 唐海強, 王飆, 徐剛, 周靜 申請人:上海市電力公司