專利名稱：電磁抑制結(jié)構(gòu)和柜體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
電磁抑制結(jié)構(gòu)和柜體技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型公開的實(shí)施方式涉及抑制結(jié)構(gòu)，特別涉及一種改進(jìn)的電磁抑制結(jié)構(gòu)和 柜體。
背景技術(shù)：
[0002]通常被用來執(zhí)行能量變換操作的變流器(Converter)，尤其是多電平變流器，例 如，三電平變流器等，由于其較好的輸出波形品質(zhì)以及較高的耐壓能力，在很多工業(yè)領(lǐng)域取 得逐漸廣泛的應(yīng)用。例如，多電平變流器已經(jīng)被應(yīng)用在機(jī)車或者泵等裝置中，其被用來執(zhí)行 直流能量到交流能量的轉(zhuǎn)換操作，以給負(fù)載，例如，給交流電機(jī)提供單相或者多相的交流輸 出電壓。另外，多電平變流器還被應(yīng)用在能源發(fā)電裝置中，例如，應(yīng)用在風(fēng)力發(fā)電裝置和太 陽能發(fā)電裝置中，其被用來執(zhí)行直流能量到交流能量的轉(zhuǎn)換操作，以提供單相或者多相的 交流電壓，以供電網(wǎng)傳輸和配送。[0003]一般而言，多電平變流器包括多個開關(guān)元件/器件，例如，絕緣柵雙極型晶體管 (Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBT)和集成門極換流晶閘管(Integrated Gate Commutated Thyristors, IGCT)等,這些開關(guān)元件/器件可以在特定樣式或序列的脈沖信 號的作用下進(jìn)行開啟和閉合的動作，以執(zhí)行能量變換的操作，并提供單相或者多相輸出信 號，例如交流電流輸出。在實(shí)際的運(yùn)作過程中，通常期望該單相或者多相交流電流輸出信號 具有較好的波形品質(zhì)，例如完美的正弦波形。然而，由于變流器中開關(guān)器件總是要執(zhí)行一 定的開關(guān)動作，其輸出信號不可避免地會產(chǎn)生一個或者多個諧波信號，該一個或者多個諧 波信號疊加在基波信號之上。當(dāng)該基波信號和諧波信號通過一條或者多條傳導(dǎo)線路時，例 如通過導(dǎo)電條(Bus-bar)傳輸給負(fù)載時,該傳導(dǎo)線路會向外發(fā)射/福射電磁信號或者電磁 波，該電磁信號或者電磁波在空間傳播并散播到周圍環(huán)境可能會對一個或者多個其他電子 元件構(gòu)成電磁干擾。為了滿足一些工業(yè)安全標(biāo)準(zhǔn)或者規(guī)范，以使得特定裝置向外輻射的電 磁波量在允許的輻射量之下，一種通常的做法是構(gòu)建一種例如由鐵材料制成的箱體或者柜 體，該箱體或者柜體可以對其內(nèi)部產(chǎn)生的電磁輻射信號進(jìn)行抑制，使得對外輻射的電磁波 量在可以接收的標(biāo)準(zhǔn)量級之下。一般而言，鐵材料制成的箱體或者柜體在接收到內(nèi)部產(chǎn)生 的電磁輻射時，會感應(yīng)出渦電流(Eddy Current)，該渦電流會在箱體或者柜體內(nèi)流動時產(chǎn) 生熱能，從而至少將部分電磁輻射能轉(zhuǎn)換成熱能，以實(shí)現(xiàn)電磁抑制。另外，由于存在趨膚效 應(yīng)(Skin Effect),當(dāng)電磁福射的頻率增加時,感應(yīng)潤電流傾向于集中在箱體或者柜體的內(nèi) 表面，由此會造成感應(yīng)渦電流在箱體或者柜體處產(chǎn)生更多的熱損耗，從而使箱體或者柜體 的溫度顯著升高。當(dāng)現(xiàn)有的散熱系統(tǒng)的不具有足夠的散熱性能時，被指派去對箱體或者柜 體內(nèi)的一個或者多個元件執(zhí)行特定操作的人員，可能被熱的箱體或者柜體燙傷。此外，在一 些場合下，變流器可能被要求提供高輸出電流，該高輸出電流會產(chǎn)生強(qiáng)度更大的電磁輻射， 從而使得渦電流和因此而在箱體或者柜體產(chǎn)生的熱損耗變得更大。[0004]因此，迫切有必要提供一種改進(jìn)的電磁抑制結(jié)構(gòu)和柜體來解決上述現(xiàn)有的電磁抑 制結(jié)構(gòu)和柜體存在的技術(shù)問題。實(shí)用新型內(nèi)容[0005]有鑒于上文提及之技術(shù)問題，本實(shí)用新型提出如下各種基于總的發(fā)明構(gòu)思的具有 一個或者多個具有特定技術(shù)特征/技術(shù)手段的技術(shù)方案。本實(shí)用新型的一個技術(shù)方案在于 提供一種電磁抑制結(jié)構(gòu)，其被配置成抑制至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的至少一部分電磁輻射 信號。該電磁抑制結(jié)構(gòu)包括第一電磁抑制兀件、第二電磁抑制兀件。該第一電磁抑制兀件被 設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第一位置處，該第二電磁抑制元件通過固定元件與該 第一電磁抑制元件機(jī)械連接，該第二電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的 第二位置處，并且在該第一電磁抑制元件和該第二電磁抑制元件之間形成預(yù)設(shè)的間隔。該 第一電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，且 該第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號穿過該第二電磁抑制元件以及該預(yù)設(shè)的間隔。該第二電 磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。[0006]在一些實(shí)施方式中，在該提供的電磁抑制結(jié)構(gòu)中，該第一電磁抑制元件包括鐵材 料。[0007]在一些實(shí)施方式中，在該提供的電磁抑制結(jié)構(gòu)中，該第一電磁抑制元件與該柜體 的一個側(cè)邊一體形成。[0008]在一些實(shí)施方式中，在該提供的電磁抑制結(jié)構(gòu)中，該第二電磁抑制元件包括選自 于由銅材料和鋁材料構(gòu)成的群組中的一種。[0009]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種電磁抑制結(jié)構(gòu)，其被配置成抑制 至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的至少一部分電磁輻射信號。該電磁抑制結(jié)構(gòu)包括具有平板狀結(jié) 構(gòu)的第一電磁抑制兀件和具有平板狀結(jié)構(gòu)的第二電磁抑制兀件，該第一電磁抑制兀件被設(shè) 置在相距該至少一個電磁輻射源的第一位置處，該第二電磁抑制元件通過第一凸出長條和 第二凸出長條與該第一電磁抑制元件機(jī)械連接。該第二電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少 一個電磁輻射源的第二位置處，并且在該第一電磁抑制元件和該第二電磁抑制元件之間形 成預(yù)設(shè)的間隔。該第一電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的 電磁輻射信號，且該第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號穿過該第二電磁抑制元件以及該預(yù)設(shè) 的間隔。該第二電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻 射信號。[0010]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供一種柜體，其被配置成至少將變流器收容 于其內(nèi)。該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件，該至 少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個銅電磁抑制件，該銅電磁抑制件與該至少一個側(cè)邊 之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距。該至少一個鐵材料電磁抑制元件被配置成至少吸收與該變流器操 作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。該銅電磁 抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第 二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。[0011]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種柜體，其被配置成至少將變流器 收容于其內(nèi)。該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件， 該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個鋁電磁抑制件，該鋁電磁抑制件與該至少一個 側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距。該至少一個鐵材料電磁抑制元件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。該鋁 電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值 在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。[0012]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種柜體，其被配置成至少將變流器 和控制器收容于其內(nèi)。該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁 抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個銅電磁抑制件，該銅電磁抑制件與 該至少一個鐵材料側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距。該至少一個鐵材料側(cè)邊被配置成至少吸收 與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射 信號。該銅電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生 的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。該柜體還收容有罩體，該罩體被配置成至少 將該控制器收容于其內(nèi)，該罩體設(shè)置有鐵抑制材料和銅抑制材料，以用于避免該至少一個 電磁福射源產(chǎn)生的電磁福射信號對該控制器進(jìn)行電磁干擾。[0013]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種柜體，其被配置成至少將變流器 和控制器收容于其內(nèi)。該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁 抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個鋁電磁抑制件，該鋁電磁抑制件與 該至少一個鐵材料側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距。該至少一個鐵材料側(cè)邊被配置成至少吸收 與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍的電磁輻射信 號。該鋁電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的 頻率值在第二頻率范圍的電磁輻射信號。該柜體還收容有罩體，該罩體被配置成至少將該 控制器收容于其內(nèi)，該罩體設(shè)置有鐵抑制材料和鋁抑制材料，以用于避免該至少一個電磁 福射源產(chǎn)生的電磁福射信號對該控制器進(jìn)行電磁干擾。[0014]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種柜體，其被配置成至少將變流器 收容于其內(nèi)。該柜體包括至少前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)，該前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)順序連接以 至少部分構(gòu)成一個收容體，該收容體將該變流器收容于其內(nèi)。該前側(cè)包括第一邊門和第二 邊門，該第一邊門和該第二邊門可以閉合或者開啟以使該變流器可見或者不可見。該第一 邊門一體設(shè)置有第一鐵材料電磁抑制元件，該第二邊門一體設(shè)置有第二鐵材料電磁抑制元 件，該第一邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第一邊門相隔預(yù)定距離的第一銅材料電磁抑制元件， 該第二邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第二邊門相隔預(yù)定距離的第二銅材料電磁抑制元件。該第 一鐵材料電磁抑制元件和該第二鐵材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān) 的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍的電磁輻射信號。該第一銅材料電磁抑制元件 和該第二銅材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻 率值在第二頻率范圍的電磁輻射信號。[0015]本實(shí)用新型的另一個技術(shù)方案在于提供另外一種柜體，其被配置成至少將變流器 收容于其內(nèi)。該柜體包括至少前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)，該前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)順序連接以 至少部分構(gòu)成一個收容體，該收容體將該變流器收容于其內(nèi)，該前側(cè)包括第一邊門和第二 邊門，該第一邊門和該第二邊門可以閉合或者開啟以使該變流器可見或者不可見。該第一 邊門一體設(shè)置有第一鐵材料電磁抑制元件，該第二邊門一體設(shè)置有第二鐵材料電磁抑制元 件，該第一邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第一邊門相隔預(yù)定距離的第一鋁材料電磁抑制元件， 該第二邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第二邊門相隔預(yù)定距離的第二鋁材料電磁抑制元件。該第一鐵材料電磁抑制元件和該第二鐵材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān) 的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍的電磁輻射信號。該第一鋁材料電磁抑制元件 和該第二鋁材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻 率值在第二頻率范圍的電磁輻射信號。[0016]本實(shí)用新型上述各種技術(shù)方案提供的電磁抑制結(jié)構(gòu)和柜體，至少通過雙層電磁抑 制結(jié)構(gòu)對柜體內(nèi)一個或者多個電磁福射源所產(chǎn)生的電磁福射信號進(jìn)行抑制，使得柜體對外 產(chǎn)生的電磁輻射量可以滿足規(guī)定的要求，也即取得了可以有效抑制電磁輻射的有益技術(shù)效 果；此外,通過不同材質(zhì)的電磁抑制材料,例如,通過具有高電導(dǎo)率、低磁導(dǎo)率的電磁抑制材 料對頻率較高的電磁輻射信號進(jìn)行抑制，而用一般的鐵材料對頻率較低的電磁輻射信號進(jìn) 行抑制，不僅可以使得在較寬頻譜范圍內(nèi)的電磁輻射信號均可以得到有效的抑制，還可以 使得柜體因電磁輻射而引起的熱損耗得到顯著的降低，并可以避免柜體溫度過高而對特定 人員造成熱損傷，解決了現(xiàn)有技術(shù)尚無法克服的技術(shù)問題。


[0017]通過結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的實(shí)施方式進(jìn)行描述，可以更好地理解本實(shí)用新型， 在附圖中[0018]圖1所示為系統(tǒng)的一種實(shí)施方式的模塊示意圖；[0019]圖2所示為電磁抑制結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式的立體示意圖；[0020]圖3所示為電磁抑制結(jié)構(gòu)的另一種實(shí)施方式的俯示圖；[0021]圖4所示為采用圖3所示的電磁抑制結(jié)構(gòu)的柜體對低頻電磁輻射信號進(jìn)行抑制而 在其內(nèi)部和外部的磁場強(qiáng)度(H)實(shí)驗(yàn)曲線圖；[0022]圖5所示為采用圖3所示的電磁抑制結(jié)構(gòu)的柜體對第一高頻電磁輻射信號進(jìn)行抑 制而在其內(nèi)部和外部的磁場強(qiáng)度(H)實(shí)驗(yàn)曲線圖；[0023]圖6所示為采用圖3所示的電磁抑制結(jié)構(gòu)的柜體對第二高頻電磁輻射信號進(jìn)行抑 制而在其內(nèi)部和外部的磁場強(qiáng)度(H)實(shí)驗(yàn)曲線圖；[0024]圖7所示為采用不同材料的電磁抑制結(jié)構(gòu)對多種頻率的電磁輻射信號進(jìn)行電磁 抑制而在柜體的一個側(cè)邊所產(chǎn)生的熱損耗的實(shí)驗(yàn)曲線圖；以及[0025]圖8所示為方法的一種實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施方式
[0026]首先，在此揭露的實(shí)施方式涉及用于功率變流器，或者簡稱為變流器的改進(jìn)電磁 抑制結(jié)構(gòu)，以用于對電磁輻射信號進(jìn)行抑制?；径裕緦?shí)用新型所提供的改進(jìn)電磁抑 制結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用在許多涉及變流器的技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)，以對由變流器運(yùn)作而引起的一個或者多 個電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射信號進(jìn)行抑制。舉例而言，該改進(jìn)的電磁抑制結(jié)構(gòu)可以與 用于驅(qū)動恒速或者變速交流電機(jī)運(yùn)作的變流器應(yīng)用在一起，以對相關(guān)的電磁輻射源所產(chǎn)生 的電磁輻射信號進(jìn)行抑制；該改進(jìn)的電磁抑制結(jié)構(gòu)還可以與用于向電網(wǎng)提供交流電能或者 直流電能輸出的變流器應(yīng)用在一起，以對相關(guān)的電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射信號進(jìn)行抑 制。具體言之，本實(shí)用新型提供的改進(jìn)的電磁抑制結(jié)構(gòu)可以與傳統(tǒng)的將變流器等器件收容 在其內(nèi)部的柜體結(jié)合或者集成在一起，從而使得使得該柜體至少實(shí)現(xiàn)兩種功能其一，收容變流器等器件；其二，抑制柜體內(nèi)的一個或者多個電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射信號。在下 文所作的詳細(xì)描述中，在此提及的“抑制”表示使用合適的電磁抑制材料以至少部分吸收一 個或者多個電磁福射源所產(chǎn)生的電磁福射或者電磁波的能量、或者表不使用合適的電磁抑 制材料以至少部分反射一個或者多個電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射或者電磁波的能量、或 者表不使用合適的電磁抑制材料以至少部分抵消一個或者多個電磁福射源所產(chǎn)生的電磁 輻射或者電磁波的能量，甚或通過任何其他機(jī)制來降低一個或者多個電磁輻射源所產(chǎn)生的 電磁輻射或者電磁波的強(qiáng)度或者幅值。[0027]其次，在一些實(shí)施方式中，本實(shí)用新型特別提出使用一種以雙層，疊層或者復(fù)合層 方式設(shè)置的電磁抑制結(jié)構(gòu)，該電磁抑制結(jié)構(gòu)可以對電磁輻射源所產(chǎn)生的頻率值在較寬頻譜 范圍的電磁輻射信號進(jìn)行抑制。在此提及的“雙層”、“疊層”以及“復(fù)合層”電磁抑制結(jié)構(gòu) 不應(yīng)當(dāng)被解釋成該電磁抑制結(jié)構(gòu)僅包含兩種不同材質(zhì)的電磁抑制材料，相反地，該電磁抑 制結(jié)構(gòu)應(yīng)當(dāng)被解釋成包括至少兩層不同材質(zhì)的電磁抑制材料，或者具有多層不同材質(zhì)的電 磁抑制材料，以對電磁輻射信號進(jìn)行良好地抑制。以下為簡化描述，將該雙層，疊層或者復(fù) 合層方式設(shè)置的電磁抑制結(jié)構(gòu)簡稱為雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)。在一些特定的實(shí)施方式中，該雙 層電磁抑制結(jié)構(gòu)可以包括第一電磁抑制兀件或者第一電磁抑制材料，該第一電磁抑制兀件 /材料可以使用第一種金屬抑制材料，例如鐵材料，以對與變流器相關(guān)的一個或者多個電磁 輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射中的第一頻率范圍內(nèi)的信號或者較低頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信 號進(jìn)行抑制；該雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)還可以包括第二電磁抑制元件或者第二電磁抑制材料， 該第二電磁抑制元件/材料可以使用第二種金屬抑制材料，例如銅、鋁以及由銅和鋁復(fù)合 形成的材料，以對與變流器相關(guān)的一個或者多個電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射中的第二頻 率范圍內(nèi)的信號或者較高頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號進(jìn)行抑制。[0028]再次，在一些實(shí)施方式中，該第一電磁抑制元件/材料和該第二電磁抑制元件/材 料可以通過一個或者多個固定元件以可拆卸的方式固設(shè)在一起。通過此種可拆卸方式的配 置，可以使得本實(shí)用新型可以根據(jù)實(shí)際的需要提供更加靈活的抑制方案。例如，當(dāng)柜體內(nèi) 的電磁輻射僅僅包括低頻輻射分量時(例如，柜體內(nèi)的變流器可能被要求提供低頻率信號 給交流電機(jī)，以使電機(jī)在低轉(zhuǎn)速下運(yùn)行)，在此情形下，可以將該第二電磁抑制元件/材料 拆除。在另外的情形下，例如，當(dāng)柜體內(nèi)的電磁輻射既包括高頻輻射分量和低頻輻射分離 時(例如，柜體內(nèi)的變流器可能被要求提供高頻信號給交流電機(jī)，以使電機(jī)在高轉(zhuǎn)速下運(yùn) 行)，此時，可以將該第一電磁抑制元件/材料和該第二電磁抑制元件/材料與柜體組裝在 一起。在一些實(shí)施方式中，在組裝該第一電磁抑制兀件/材料和該第二電磁抑制兀件/材料 時，可以在該兩個抑制元件之間留有預(yù)設(shè)的間距，因此，可以將第二電磁抑制元件/材料設(shè) 置成相對電磁輻射源較近的位置，以首先對電磁輻射源所產(chǎn)生的電磁輻射信號進(jìn)行抑制。[0029]再次，在一些實(shí)施方式中，除了使用該雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)對柜體內(nèi)產(chǎn)生的電磁輻 射進(jìn)行抑制，以避免過多的電磁輻射信號從柜體內(nèi)部傳輸?shù)焦耋w外部，此外，還可以使用該 雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)對電磁福射信號進(jìn)行抑制，以避免過多的電磁福射信號傳輸給柜體內(nèi)的 其他電子元件，以防止對其他電子元件造成電磁干擾。例如，該雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)可以結(jié)合 或者集成在保護(hù)殼體或者罩體上，該保護(hù)殼體或者罩體用于將電子元件，例如處理器以及 控制器罩設(shè)于其內(nèi)部，以此，可以防止電磁輻射信號進(jìn)入保護(hù)殼體或者罩體內(nèi)部，對處理器 或者控制器構(gòu)成電磁干擾，從而可以避免處理器和控制器因?yàn)殡姶鸥蓴_而被損壞或者無法正常工作。[0030]使用本實(shí)用新型提供的電磁抑制結(jié)構(gòu)可以取得多個有益的技術(shù)效果或者技術(shù)優(yōu) 點(diǎn)，其中一個有益技術(shù)效果或者技術(shù)優(yōu)點(diǎn)為在較寬頻譜范圍內(nèi)的電磁輻射信號可以被較好 地抑制，從而使得系統(tǒng)可以通過相關(guān)的電磁輻射標(biāo)準(zhǔn)或者規(guī)定；另外一個有益技術(shù)效果或 者技術(shù)優(yōu)點(diǎn)為，用于抑制電磁輻射的柜體的至少一個側(cè)邊可以被維持在較低的溫度，即便 在變流器的輸出包含高頻電磁輻射分量以及高電流時，也可以避免特定人員因?yàn)楣耋w溫度 過高而造成熱損傷。對于本領(lǐng)域具有一般知識的技術(shù)人員來講，通過參考下文的詳細(xì)說明 以及相關(guān)的附圖，應(yīng)當(dāng)容易認(rèn)識或者理解到本實(shí)用新型的其他技術(shù)效果或者技術(shù)優(yōu)點(diǎn)。[0031]以下將描述本實(shí)用新型的一個或者多個具體實(shí)施方式
。首先要指出的是，在這些 實(shí)施方式的具體描述過程中，為了進(jìn)行簡明扼要的描述，本說明書不可能對實(shí)際的實(shí)施方 式的所有特征均作詳盡的描述。應(yīng)當(dāng)可以理解的是，在任意一種實(shí)施方式的實(shí)際實(shí)施過程 中，正如在任意一個工程項(xiàng)目或者設(shè)計(jì)項(xiàng)目的開發(fā)過程中，為了實(shí)現(xiàn)開發(fā)者的具體目標(biāo)，或 者為了滿足系統(tǒng)相關(guān)的或者商業(yè)相關(guān)的限制，常常會做出各種各樣的具體決策，而這也會 從一種實(shí)施方式到另一種實(shí)施方式之間發(fā)生改變。此外，還可以理解的是，雖然在這種開發(fā) 過程中所作出的努力可能是復(fù)雜并且冗長的，然而對于與本實(shí)用新型公開的內(nèi)容相關(guān)的本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，在本公開揭露的技術(shù)內(nèi)容的基礎(chǔ)上進(jìn)行的一些設(shè)計(jì)，制造或者 生產(chǎn)等變更只是常規(guī)的技術(shù)手段，不應(yīng)當(dāng)理解為本實(shí)用新型公開的內(nèi)容不充分。[0032]除非另作定義，在本說明書和權(quán)利要求書中使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)解 釋成本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本說明書以及權(quán) 利要求書中使用的“第一”或者“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要 性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！耙粋€”或者“一”等類似詞語并不表示數(shù)量限制，而 只是表示存在至少一個?！盎蛘摺卑ㄋ信e的項(xiàng)目中的任意一者或者全部?！鞍ā被蛘?“包含”等類似的詞語意指出現(xiàn)在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在“包 括”或者“包含”后面列舉的元件或者物件及其等同元件，并不排除其他元件或者物件?！斑B 接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連 接，不管是直接的還是間接的。此外，“電路”或者“電路系統(tǒng)”以及“控制器”等可以包括單 一組件或者由多個主動元件或者被動元件直接或者間接相連的集合，例如一個或者多個集 成電路芯片，以提供所對應(yīng)描述的功能。[0033]圖1所示為本實(shí)用新型一種系統(tǒng)10的一種實(shí)施方式的模塊示意圖?；径?，圖1所示的系統(tǒng)10可以包括任何以變流器為主要部件的系統(tǒng)，該系統(tǒng)10可以被配置成在許多 技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)執(zhí)行能量轉(zhuǎn)換操作，例如，機(jī)車，泵，風(fēng)力發(fā)電機(jī)，太陽能面板，風(fēng)扇，壓縮機(jī)，攪 拌機(jī)，傳送機(jī)等。作為一個非限制性的例子，該系統(tǒng)10可以為一個中壓驅(qū)動系統(tǒng)，其被配置 成驅(qū)動一個或者多個交流電機(jī)以恒速或者變速方式運(yùn)作。[0034]如圖1所示，該系統(tǒng)10包括變流器126，該變流器126被收容或者收納在箱體或 者柜體100內(nèi)部。概略而言，該變流器126被配置成將從上游能量源122處提供的第一能 量124轉(zhuǎn)換成第二能量128，該第二能量128可以提供給下游能量節(jié)點(diǎn)136。該第一能量 124和第二能量128中的每一者既可以包括直流電能，也可以包括交流電能。在此提及的 “直流”是指這樣一種電參數(shù)，其具有基本恒定的數(shù)值或者電平，或者一種電參數(shù)，其在恒定 數(shù)值或者電平信號基礎(chǔ)上還疊加有微小的噪聲信號或者波動信號。在此提及的“交流”是指一種電參數(shù)，其數(shù)值隨時間作周期性的變化，并且其可以包含基波分量以及疊加在基波 分量上的一個或者多個諧波分量。在一種實(shí)施方式中，該變流器126可以包括直流-交流 變流器，例如多電平逆變器，其可以被配置成將直流形式的第一電能124轉(zhuǎn)換成具有交流 形式的第二電能128。在另外一種實(shí)施方式中，該變流器126也可以包括直流-直流變流 器，例如單有源橋式變流器(single-active-bridge converter)或者雙有源橋式變流器 (dual-active-bridge converter),其可以被配置成將直流形式的第一電能124轉(zhuǎn)換成仍 然為直流形式的第二電能128。在另外一種實(shí)施方式中，該變流器126也可以包括交流-直 流變流器，例如多電平整流器，其可以被配置成將交流形式的第一電能124轉(zhuǎn)換成直流形 式的第二電能128。在另外一種實(shí)施方式中，該變流器也可以包括交流-交流變流器，例如 矩陣式變流器(matrix converter),其可以被配置成將交流形式的第一電能124轉(zhuǎn)換成仍 為交流形式的第二電能128。在一種實(shí)施方式中，該上游能量源122可以包括至少一部分 電網(wǎng)，以向該變流器126提供交流電能或者直流電能。在其他實(shí)施方式中，該上游能量源 122也可以包括能量產(chǎn)生裝置，例如風(fēng)力發(fā)電機(jī)或者太陽能面板，以向該變流器126提供交 流電能或者直流電能。在一種實(shí)施方式中，該第二電能128可以直接提供給下游能量節(jié)點(diǎn) 136，也可以通過變壓器等器件作電壓變換，再提供給下游能量節(jié)點(diǎn)136，該下游能量節(jié)點(diǎn) 136可以為傳輸和分配電能的電網(wǎng)，也可以為負(fù)載裝置，例如可以被該第二電能128驅(qū)動而 運(yùn)作的交流電機(jī)。[0035]請繼續(xù)參閱圖1，該變流器126可以和控制器102進(jìn)行通信連接，以接收該控制 器102提供的一個或者多個控制信號104。該變流器126在該控制信號104的作用下， 被控制成執(zhí)行能量轉(zhuǎn)換操作，以提供具有期望參數(shù)，例如電壓、電流、頻率、相位等的輸 出信號。該控制器40可以包括任何合適的可編程電路或者裝置，包括數(shù)字信號處理器 (Digital Signal Processor,DSP)、現(xiàn)場可編程門陣列(Field Programmable Gate Array, FPGA)、可編程邏輯控制器(Programmable Logic Controller, PLC)以及專用集成電路 (Application Specific Integrated Circuit, ASIC)等。該變流器 126 可以包括多個任 意合適的基于半導(dǎo)體的開關(guān)器件，包括但不限于，絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistors, IGBT)以及集成門極換流晶閘管(Integrated Gate Commutated Thyristors, IGCT)等,該等開關(guān)器件可以通過多種拓?fù)浼軜?gòu)連接在一起,該等拓?fù)浼軜?gòu)包 括但不限于，二極管箝位拓?fù)浼軜?gòu)、飛跨電容拓?fù)浼軜?gòu)以及H橋拓?fù)浼軜?gòu)等，并且，該等開 關(guān)器件可以在控制器102提供的具有特定樣式或者序列的控制信號104，例如脈沖信號或 者門極驅(qū)動信號的作用下，進(jìn)行開啟和閉合的開關(guān)動作，以執(zhí)行相應(yīng)的能量轉(zhuǎn)換操作。[0036]請繼續(xù)參閱圖1，在正常運(yùn)作過程中，由于該變流器126中多個開關(guān)器件以一定的 頻率執(zhí)行開關(guān)動作，使得該系統(tǒng)100存在一個或者多個與該變流器126相關(guān)的電磁輻射源， 其可以對外產(chǎn)生具有特定頻率或者頻率范圍的電磁輻射信號或者電磁波。如圖1所示，在 一種實(shí)施方式中，將變流器126和下游能量節(jié)點(diǎn)136電連接在一起的一個或者多個傳導(dǎo)線 路被用來傳送第二電能128，該一個或者多個傳導(dǎo)線路可以成為一個或者多個電磁輻射源。 在一種實(shí)施方式中，為了傳輸大電流信號，可以使用一個或者多個導(dǎo)電條作為傳導(dǎo)線路。當(dāng) 從變流器126輸出的交流電流及其諧波分量在該一個或者多個導(dǎo)電條傳導(dǎo)線路上傳輸時， 該交流電流及其諧波分量即會通過該一個或者多個導(dǎo)電條傳導(dǎo)線路向外輻射電磁波。在一 些實(shí)施方式中，當(dāng)該變流器126被要求提供大電流或者高頻率的輸出信號時，從該一個或者多個導(dǎo)電條傳導(dǎo)線路產(chǎn)生的電磁輻射信號的強(qiáng)度即會變得比較大。例如，當(dāng)負(fù)載例如交流電機(jī)被要求在高速狀態(tài)下運(yùn)行時，從該變流器126輸出的交流電流的頻率可能具有數(shù)百赫茲、電流可能具有數(shù)千安培。作為一個非限制性的例子，該變流器126可能被要求提供頻率為467Hz、電流幅值大約為1000安培的交流輸出電流。在一種實(shí)施方式中，為了防止從一個或者多個電磁輻射源產(chǎn)生的電磁輻射信號被傳輸?shù)焦耋w100的外部空間，以滿足至少一些電磁輻射相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或者規(guī)范，該柜體100的至少一個側(cè)邊可以設(shè)置本實(shí)用新型提出的電磁抑制結(jié)構(gòu)，以抑制電磁福射信號。[0037]請繼續(xù)參閱圖1，在一些實(shí)施方式中，該柜體100至少包括前側(cè)112、左側(cè)114、后側(cè) 118、右側(cè)116，該四個側(cè)邊112、114、118、116順序連接構(gòu)成一個收容體，以至少將該變流器 126收容于其內(nèi)部。如圖1所示，該柜體100還可以將其他器件，例如控制器102以及變壓器 132等器件收容于其內(nèi)部。在一種實(shí)施方式中，可以在該四個側(cè)邊112、114、116、118都設(shè)置相應(yīng)的電磁抑制結(jié)構(gòu)，以抑制柜體100內(nèi)產(chǎn)生的電磁輻射信號。在其他實(shí)施方式中，也可以使用單一的抑制結(jié)構(gòu)，并將該單一的抑制結(jié)構(gòu)與柜體100的四個側(cè)邊112、114、116、118結(jié)合在一起，以抑制電磁福射信號。在一些實(shí)施方式中，一個或者多個抑制結(jié)構(gòu)可以特別地被設(shè)置在柜體100特定的側(cè)邊，且該側(cè)邊比其他側(cè)邊更靠近柜體100內(nèi)的一個或者多個電磁輻射源。換言之，對于遠(yuǎn)離一個或者多個電磁輻射源的側(cè)邊而言，由于從電磁輻射源產(chǎn)生的電磁輻射信號在傳播到該相對應(yīng)的側(cè)邊時，其幅值可能已經(jīng)被衰減到可被接收的水平，因此，可以在該相對應(yīng)的側(cè)邊不設(shè)置電磁抑制結(jié)構(gòu)。從電磁輻射源產(chǎn)生的電磁輻射信號可以通過如下公式表示艽⑵=4(0) . e—i · e~n ,⑴，Hy(z) = Hy(O) · e—I · e—片，(2),其中公式(I)表不電磁波福射信號中電場強(qiáng)度在空間中的傳播規(guī)律，公式(2)表不電磁福射信號中磁場強(qiáng)度在空間中的傳播規(guī)律，左x(0)表不福射源位置處的電場，(O) 表示輻射源位置處的磁場，Z表示電磁波可以在空間中傳播到的任意一點(diǎn)位置，δ表示趨膚深度。由公 式(2)可知，在空間位置“處的磁場強(qiáng)度的幅值可以表示為如下的公式j(luò)Hy(z = td)f = |Hy(z = 0)| · e」免(3),從公式⑶可以看出，當(dāng)空間任意一點(diǎn)距電磁輻射源的位置td大于3 δ時，該點(diǎn)磁場強(qiáng)度基本被衰減為零。[0038]在一種實(shí)施方式中，如圖1所示，該電磁抑制結(jié)構(gòu)140可以被特別設(shè)置在該柜體 100的前側(cè)112。在一些實(shí)施方式中，該前側(cè)112可以被設(shè)置成可被開啟和關(guān)閉的門結(jié)構(gòu)， 以方便特定人員可以訪問柜體100內(nèi)的一個或者多個元件，例如變流器126等。正如即將在下文所作之詳細(xì)描述，在柜體100的前側(cè)設(shè)置電磁抑制結(jié)構(gòu)有其特別的優(yōu)點(diǎn)，其不僅可以有效地抑制電磁輻射信號，還可以將前側(cè)112的溫度維持在較低的數(shù)值。因此，當(dāng)操作人員20被分配去對柜體100內(nèi)的一個或者多個元件執(zhí)行相關(guān)操作時，可以避免因?yàn)榍皞?cè)112 溫度過高而造成的熱損傷，從而有效地保護(hù)了人員的安全。關(guān)于該電磁抑制結(jié)構(gòu)的一種實(shí)施方式將結(jié)合圖2作詳細(xì)描述。[0039]接下來請參閱圖2，其所示為本實(shí)用新型一種電磁抑制結(jié)構(gòu)150 —種實(shí)施方式的立體示意圖。該電磁抑制結(jié)構(gòu)150可以作為圖1所示的電磁抑制結(jié)構(gòu)140而被應(yīng)用在柜體 100的前側(cè)112。在一種實(shí)施方式中，該電磁抑制結(jié)構(gòu)150被構(gòu)建成具有雙層、疊層或者復(fù)合層結(jié)構(gòu)。例如，在一種實(shí)施方式中，該電磁抑制結(jié)構(gòu)150可以包括至少第一電磁抑制兀件或者第一電磁抑制材料152。在一種實(shí)施方式中，該第一電磁抑制兀件/材料152可以一體設(shè)置在圖1所示的前側(cè)112，以用于至少將變流器126收容于其內(nèi)。在其他實(shí)施方式中，該 第一電磁抑制元件/材料152也可以與柜體100的前側(cè)112分離設(shè)置，并通過一個或者多 個固定元件與柜體100的前側(cè)112固設(shè)在一起。在圖示的實(shí)施方式中，該第一電磁抑制元 件/材料152被設(shè)置成平板狀結(jié)構(gòu)，并具有一定的厚度。在其他實(shí)施方式中，該第一電磁抑 制元件/材料152也可以被設(shè)置成具有其他的形狀。例如，該第一電磁抑制元件/材料152 可以開設(shè)有多個具有合適形狀的通孔或者開口，例如具有圓形、橢圓形、方形、矩形、多邊形 等形狀的通孔或者開口，以構(gòu)成網(wǎng)狀的電磁抑制結(jié)構(gòu)。該網(wǎng)狀的電磁抑制結(jié)構(gòu)有利于在維 持第一電磁抑制元件/材料152自身電磁抑制功能的同時，還可以方便將在前側(cè)112或者 柜體100產(chǎn)生的熱能/熱量散發(fā)到周圍環(huán)境中。在一種實(shí)施方式中，該第一電磁抑制兀件 /材料152可以由第一種金屬抑制材料制成，例如鐵材料制成，以至少有效地抑制頻率值在 第一頻率范圍內(nèi)的電磁福射信號。在一種實(shí)施方式中，該第一頻率范圍可以為大約O赫茲 到100赫茲。在其他實(shí)施方式中，該第一電磁抑制元件/材料152可以使用任意合適的在 商業(yè)上可以獲得的電磁抑制材料或者在未來開發(fā)出來的其他電磁抑制材料，這些電磁抑制 材料具有與鐵材料類似的電磁抑制特性，例如具有類似的趨膚深度參數(shù)，電導(dǎo)率參數(shù)，磁導(dǎo) 率參數(shù)等，以對低頻率范圍的電磁輻射信號進(jìn)行抑制。[0040]請繼續(xù)參閱圖2，在一種實(shí)施方式中，該雙層電磁抑制結(jié)構(gòu)150還包括第二電磁抑 制兀件/材料154。在一種實(shí)施方式中，該第二電磁抑制兀件/材料154被設(shè)置成與第一 電磁抑制元件/材料152相類似的結(jié)構(gòu)，例如，具有基本呈平板狀的結(jié)構(gòu)，并具有預(yù)定的厚 度。該第二電磁抑制元件/材料154的整體尺寸小于第一電磁抑制元件/材料152的尺寸， 以用于與該第一電磁抑制兀件/材料152組裝在一起。在其他實(shí)施方式中，與第一電磁抑 制元件/材料152相類似，該第二電磁抑制元件/材料154也可以被設(shè)置成具有其他結(jié)構(gòu)。 例如，該第二電磁抑制元件/材料154也可以開設(shè)有多個具有合適形狀的通孔或者開口，例 如具有圓形、橢圓形、方形、矩形、多邊形等形狀的通孔或者開口，以構(gòu)成網(wǎng)狀的電磁抑制結(jié) 構(gòu)。同樣類似的，該網(wǎng)狀的電磁抑制結(jié)構(gòu)可以方便散熱而不犧牲該第二電磁抑制元件/材 料154自身的電磁抑制功能。在一種實(shí)施方式中，該第二電磁抑制兀件/材料154可以由 第二種金屬材料制成，例如，其可以由銅材料或者鋁材料制成，以用于有效地抑制頻率值位 于第二頻率范圍或者高頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。在一個特別的實(shí)施方式中，該第二頻 率范圍可以為大約100赫茲到大約1000赫茲。在其他實(shí)施方式中，該第二電磁抑制元件/ 材料154也可以使用任意合適的在商業(yè)上可以獲得的電磁抑制材料或者在未來開發(fā)出來 的其他電磁抑制材料，這些電磁抑制材料具有與銅材料或者鋁材料類似的電磁抑制特性， 例如具有類似的趨膚深度參數(shù)，電導(dǎo)率參數(shù)，磁導(dǎo)率參數(shù)等，以對高頻率范圍的電磁輻射信 號進(jìn)行抑制。[0041]請繼續(xù)參閱圖2，在一種實(shí)施方式中，該第一電磁抑制元件/材料152以可拆卸方 式或者可移除方式與該第二電磁抑制元件/材料154機(jī)械地連接在一起。該可拆卸式或者 可移除式連接方式有利于選擇性地將該第二電磁抑制元件/材料154與該第一電磁抑制元 件/材料152分離。在一些實(shí)施方式中，通過將該第二電磁抑制元件/材料154移除，可以 替換新的第二電磁抑制元件/材料，或者具有不同物理參數(shù)，例如尺寸、形狀以及厚度等第 二電磁抑制兀件/材料。再具體言之，在一種實(shí)施方式中，該第一電磁抑制兀件/材料152 的一邊或者其內(nèi)側(cè)邊153設(shè)置至少一個連接元件，以通過該連接元件將該第一電磁抑制元件/材料152與該第二電磁抑制元件/材料154連接在一起。在一種實(shí)施方式中，可以在第一電磁抑制兀件/材料152的內(nèi)側(cè)邊153設(shè)置兩個連接兀件155、156,以將該第一電磁抑制元件/材料152與該第二電磁抑制元件/材料154固設(shè)在一起。該第一連接元件155 和該第二元件156呈長條狀，其分別被設(shè)置在靠近該第一電磁抑制元件材料152的內(nèi)側(cè)邊 153的上邊緣和下邊緣。該第一連接元件155和該第二元件156可以本別開設(shè)有一個或者多個開孔或者開口，以通過固設(shè)元件，例如螺釘157，將該第一電磁抑制元件/材料152與該第二電磁抑制元件/材料154固設(shè)在一起。在其他實(shí)施方式中，該第一電磁抑制元件/材料152與該第二電磁抑制元件/材料154也可以通過其他方式連接在一起，例如，通過焊接方式固接在一起。[0042]請繼續(xù)參閱圖2，在一種實(shí)施方式中，設(shè)置在該第一電磁抑制元件/材料152的該第一連接元件155和該第二連接元件156被特別設(shè)置成具有一定的高度，因此，當(dāng)該第一電磁抑制元件/材料152與該第二電磁抑制元件/材料154通過該第一連接元件155和該第二連接兀件156固設(shè)在一起時,在該第一電磁抑制兀件/材料152與該第二電磁抑制兀件 /材料154之間形成一定的間距、間隙或者中間夾層。在一種實(shí)施方式中，如圖2所示，該間距、間隙或者中間夾層可以通過空氣來填充。在其他實(shí)施方式中，該間距、間隙或者中間夾層也可以填充其他類型的絕緣材料。通過此間距、間隙或者中間夾層結(jié)構(gòu)，可以使得第二電磁抑制元件/材料154被設(shè)置成更加靠近柜體100內(nèi)部的一個或者多個電磁輻射源，也即第一電磁抑制元件/材料152相對遠(yuǎn)離電磁輻射源。通過這種結(jié)構(gòu)設(shè)置，當(dāng)一個或者多個電磁福射源發(fā)射出的電磁福射被該電磁抑制結(jié)構(gòu)150接收時，由于該第二電磁抑制兀件 /材料154距離電磁輻射源較近，可以優(yōu)先對電磁輻射信號進(jìn)行抑制，并且由于該第二電磁抑制元件/材料154被特別設(shè)置成對高頻的電磁輻射信號進(jìn)行抑制，可以避免高頻電磁輻射信號被第一電磁抑制兀件/材料154抑制而產(chǎn)生較多的熱損耗。[0043]已知，用于進(jìn)行電磁抑制的材料的趨膚深度可以通過如下的公式來描述[0044]δ = I f 2 , (4),λΙ 2πισμ0μΓ ' J·[0045]其中δ為趨膚深度，f為電磁輻射信號的頻率，σ為抑制材料的電導(dǎo)率，μ C1為空間的磁導(dǎo)系數(shù)，μ ^為抑制材料的相對磁導(dǎo)系數(shù)。由公式(4)可知，由于銅材料或者鋁材料相對鐵材料而言，具有較小的磁導(dǎo)系數(shù)，因此，由銅材料或者鋁材料制成的該第二電磁抑制元件/材料154具有相對較大的趨膚深度。與使用鐵材料的電磁抑制材料進(jìn)行電磁抑制而言，使用趨膚深度較大的銅材料或者鋁材料制成的該第二電磁抑制元件/材料154可以產(chǎn)生較小的熱損耗。因此，該柜體100的前側(cè)112可以被維持在相對較低的溫度。表-1列出了銅、鋁、鐵材料在不同頻率的電磁輻射信號作用下所表現(xiàn)出來的趨膚深度數(shù)據(jù)。[0046]表-1鋁、銅、鐵趨膚深度[0047]
權(quán)利要求1.一種電磁抑制結(jié)構(gòu),其被配置成抑制至少一個電磁福射源產(chǎn)生的至少一部分電磁福射信號，其特征在于該電磁抑制結(jié)構(gòu)包括第一電磁抑制兀件、第二電磁抑制兀件，該第一電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第一位置處，該第二電磁抑制元件通過固定元件與該第一電磁抑制元件機(jī)械連接，該第二電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第二位置處，并且在該第一電磁抑制元件和該第二電磁抑制元件之間形成預(yù)設(shè)的間隔，該第一電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，且該第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號穿過該第二電磁抑制元件以及該預(yù)設(shè)的間隔，該第二電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于該第一電磁抑制元件包括鐵材料。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁抑制結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二電磁抑制元件包括選自于由銅材料和鋁材料構(gòu)成的群組中的任意一種。
4.一種電磁抑制結(jié)構(gòu),其被配置成抑制至少一個電磁福射源產(chǎn)生的至少一部分電磁福射信號，其特征在于該電磁抑制結(jié)構(gòu)包括具有平板狀結(jié)構(gòu)的第一電磁抑制元件和具有平板狀結(jié)構(gòu)的第二電磁抑制兀件，該第一電磁抑制兀件被設(shè)置在相距該至少一個電磁福射源的第一位置處，該第二電磁抑制兀件通過第一凸出長條和第二凸出長條與該第一電磁抑制元件機(jī)械連接，該第二電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第二位置處，并且在該第一電磁抑制元件和該第二電磁抑制元件之間形成預(yù)設(shè)的間隔，該第一電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，且該第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號穿過該第二電磁抑制元件以及該預(yù)設(shè)的間隔，該第二電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
5.一種柜體，其被配置成至少將變流器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個銅電磁抑制件，該銅電磁抑制件與該至少一個側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距，該至少一個鐵材料電磁抑制元件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該銅電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
6.一種柜體，其被配置成至少將變流器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個鋁電磁抑制件，該鋁電磁抑制件與該至少一個側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距，該至少一個鐵材料電磁抑制元件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該鋁電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
7.—種柜體，其被配置成至少將變流器和控制器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個銅電磁抑制件，該銅電磁抑制件與該至少一個鐵材料側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距，該至少一個鐵材料側(cè)邊被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該銅電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該柜體還收容有罩體，該罩體被配置成至少將該控制器收容于其內(nèi)，該罩體設(shè)置有鐵抑制材料和銅抑制材料，以用于避免該至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的電磁輻射信號對該控制器進(jìn)行電磁干擾。
8.—種柜體，其被配置成至少將變流器和控制器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少一個側(cè)邊，該至少一個側(cè)邊一體設(shè)置有鐵材料電磁抑制元件，該至少一個鐵材料側(cè)邊的內(nèi)側(cè)連接至少一個鋁電磁抑制件，該鋁電磁抑制件與該至少一個鐵材料側(cè)邊之間設(shè)置有預(yù)設(shè)的間距，該至少一個鐵材料側(cè)邊被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該鋁電磁抑制件被配置成至少吸收與該變流器操作相關(guān)的至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該柜體還收容有罩體，該罩體被配置成至少將該控制器收容于其內(nèi)，該罩體設(shè)置有鐵抑制材料和鋁抑制材料，以用于避免該至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的電磁輻射信號對該控制器進(jìn)行電磁干擾。
9.一種柜體，其被配置成至少將變流器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少前偵U、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)，該前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)順序連接以至少部分構(gòu)成一個收容體，該收容體將該變流器收容于其內(nèi)，該前側(cè)包括第一邊門和第二邊門，該第一邊門和該第二邊門可以閉合或者開啟以使該變流器可見或者不可見，該第一邊門一體設(shè)置有第一鐵材料電磁抑制元件，該第二邊門一體設(shè)置有第二鐵材料電磁抑制元件，該第一邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第一邊門相隔預(yù)定距離的第一銅材料電磁抑制元件，該第二邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第二邊門相隔預(yù)定距離的第二銅材料電磁抑制元件，該第一鐵材料電磁抑制元件和該第二鐵材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁福射信號，該第一銅材料電磁抑制兀件和該第二銅材料電磁抑制兀件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
10.一種柜體，其被配置成至少將變流器收容于其內(nèi)，其特征在于該柜體包括至少前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)，該前側(cè)、左側(cè)、后側(cè)、右側(cè)順序連接以至少部分構(gòu)成一個收容體，該收容體將該變流器收容于其內(nèi)，該前側(cè)包括第一邊門和第二邊門，該第一邊門和該第二邊門可以閉合或者開啟以使該變流器可見或者不可見，該第一邊門一體設(shè)置有第一鐵材料電磁抑制元件，該第二邊門一體設(shè)置有第二鐵材料電磁抑制元件，該第一邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第一邊門相隔預(yù)定距離的第一鋁材料電磁抑制元件，該第二邊門的內(nèi)側(cè)還連接有與該第二邊門相隔預(yù)定距離的第二鋁材料電磁抑制元件，該第一鐵材料電磁抑制元件和該第二鐵材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，該第一鋁材料電磁抑制元件和該第二鋁材料電磁抑制元件被配置成抑制與該變流器操作相關(guān)的電磁輻射源產(chǎn)生的頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
專利摘要本實(shí)用新型至少揭示一種電磁抑制結(jié)構(gòu)和柜體，該電磁抑制結(jié)構(gòu)被配置成抑制至少一個電磁輻射源產(chǎn)生的至少一部分電磁輻射信號。該電磁抑制結(jié)構(gòu)包括第一電磁抑制元件、第二電磁抑制元件，第一電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第一位置處，第二電磁抑制元件通過固定元件與該第一電磁抑制元件機(jī)械連接，第二電磁抑制元件被設(shè)置在相距該至少一個電磁輻射源的第二位置處，并且在該第一電磁抑制元件和該第二電磁抑制元件之間形成預(yù)設(shè)的間隔。第一電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號，且該第一頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號穿過該第二電磁抑制元件以及該預(yù)設(shè)的間隔。第二電磁抑制元件被配置成抑制至少一部分頻率值在第二頻率范圍內(nèi)的電磁輻射信號。
文檔編號H02M1/00GK202856615SQ20122043003
公開日2013年4月3日 申請日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者沈捷, 汪鋆, S.施勒德, 張帆 申請人:通用電氣公司