專(zhuān)利名稱(chēng)：頻率抖動(dòng)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
頻率抖動(dòng)電路 技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及頻率抖動(dòng)電路，尤其涉及到開(kāi)關(guān)電源電路的頻率抖動(dòng)電路。
背景技術(shù)：
[0002]開(kāi)關(guān)電源電路的開(kāi)關(guān)頻率越來(lái)越高，導(dǎo)致電路產(chǎn)生電磁干擾越來(lái)越嚴(yán)重。為了控 制電磁干擾，規(guī)定了輻射能量的控制標(biāo)準(zhǔn)，采用電磁干擾技術(shù)，以保證各種儀器之間不會(huì)由 于相互干擾而影響正常工作。發(fā)明內(nèi)容[0003]本實(shí)用新型旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種可以較好地抑制電磁干擾的頻 率抖動(dòng)電路。[0004]頻率抖動(dòng)電路,包括譯碼電路、遲滯電路和振蕩電路[0005]所述譯碼電路對(duì)所述振蕩電路輸出的振蕩頻率信號(hào)控制所述譯碼電路產(chǎn)生若干 脈沖輸出信號(hào)；[0006]所述譯碼電路的另外一種實(shí)現(xiàn)方式是單獨(dú)一信號(hào)控制所述譯碼電路產(chǎn)生若干脈 沖輸出信號(hào)；[0007]所述單獨(dú)一信號(hào)是通過(guò)單獨(dú)設(shè)計(jì)個(gè)低頻振蕩器輸出的信號(hào)；[0008]所述遲滯電路是所述譯碼電路產(chǎn)生的若干脈沖輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)遲滯電路產(chǎn)生出遲 滯信號(hào);[0009]所述振蕩電路產(chǎn)生振蕩頻率輸出信號(hào)；所述振蕩頻率輸出信號(hào)就是頻率抖動(dòng)輸出 信號(hào)。[0010]所述譯碼電路包括計(jì)數(shù)器，所述振蕩電路輸出的振蕩頻率輸出信號(hào)連接計(jì)數(shù)器， 計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩頻率輸出信號(hào)進(jìn)行分頻，產(chǎn)生脈沖輸出信號(hào)；[0011]所述譯碼電路的輸入的另外一種實(shí)現(xiàn)方式是連接一個(gè)單獨(dú)設(shè)計(jì)的低頻振蕩器輸 出的信號(hào)；[0012]所述計(jì)數(shù)器由分頻器串接，后一分頻器對(duì)前一分頻器的輸出進(jìn)行分頻，各個(gè)分頻 器的輸出通過(guò)邏輯電路進(jìn)行組合后，產(chǎn)生若干脈沖輸出信號(hào)。[0013]所述遲滯電路包括N個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)和N個(gè)NMOS電流鏡組成；所述NMOS開(kāi)關(guān)的柵極 連接計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)，NMOS開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)同計(jì)數(shù)器輸出信號(hào)的個(gè)數(shù)一致；所述每個(gè)NMOS開(kāi) 關(guān)是由一個(gè)NMOS組成，NMOS的源極接地，漏極接NMOS電流鏡的源極，柵極接計(jì)數(shù)器的輸出； 所述NMOS電流鏡的漏極和柵極接在一起再連接到振蕩電路上，NMOS電流鏡的源極接NMOS 開(kāi)關(guān)的漏極。[0014]所述振蕩電路包括差分開(kāi)關(guān)、電容、遲滯比較器和PMOS電流源；差分開(kāi)關(guān)連接 PMOS電流源；遲滯比較器比較電容輸出的斜坡電壓是否達(dá)到充電基準(zhǔn)電壓或放電基準(zhǔn)電 壓，并根據(jù)比較結(jié)果翻轉(zhuǎn)輸出振蕩頻率輸出信號(hào)；振蕩頻率輸出信號(hào)反饋給差分開(kāi)關(guān)，差分 開(kāi)關(guān)控制電容的充電和放電。[0015]所述差分開(kāi)關(guān)包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第一 反向器，所述第一 PMOS管，第二 PMOS管的源極連接PMOS電流源，第一 PMOS管的漏極連接 第一 NMOS管的漏極，第二 PMOS管的漏極連接第二 NMOS管的漏極，第一 NMOS管的漏極連接 第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極，第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極接地，第二 NMOS管 的漏極和源極分別連接電容的兩端，遲滯比較器的輸入端連接電容，電容的另一端接地，遲 滯比較器輸出振蕩頻率輸出信號(hào)，振蕩頻率輸出信號(hào)反饋給第二 PMOS管的柵極，振蕩頻率 輸出信號(hào)經(jīng)第一反向器反向后反饋給第一 PMOS管的柵極。[0016]利用本實(shí)用新型提供的頻率抖動(dòng)電路、產(chǎn)生頻率抖動(dòng)得到的開(kāi)關(guān)頻率在一個(gè)寬的 頻率范圍，使電磁干擾設(shè)備測(cè)量到的電磁干擾能量擴(kuò)散到帶寬以外，開(kāi)關(guān)頻率來(lái)回的抖動(dòng) 使電磁干擾噪聲降低，同傳統(tǒng)的濾波方法實(shí)現(xiàn)的頻率抖動(dòng)相比降低了成本，同時(shí)減小了開(kāi) 關(guān)電源系統(tǒng)的體積。


[0017]圖1為本實(shí)用新型計(jì)數(shù)器有4位的頻率抖動(dòng)電路圖。[0018]圖2為本實(shí)用新型計(jì)數(shù)器有4位的另一種頻率抖動(dòng)電路圖。[0019]圖3為本實(shí)用新型圖1的頻率抖動(dòng)輸出信號(hào)的頻率變化圖。[0020]圖4為本實(shí)用新型圖2的頻率抖動(dòng)輸出信號(hào)的頻率變化圖。
具體實(shí)施方式
[0021]
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型內(nèi)容進(jìn)一步說(shuō)明。[0022]圖1為本實(shí)用新型的頻率抖動(dòng)電路圖，包括譯碼電路11、遲滯電路12和振蕩電路 13 [0023]所述譯碼電路11，對(duì)所述振蕩電路13輸出的振蕩頻率信號(hào)23控制所述譯碼電路 11產(chǎn)生若干脈沖輸出信號(hào)；[0024]所述譯碼電路11的另外一種實(shí)現(xiàn)方式是單獨(dú)一信號(hào)20控制所述譯碼電路11產(chǎn) 生若干脈沖輸出信號(hào)；[0025]所述單獨(dú)一信號(hào)20是通過(guò)單獨(dú)設(shè)計(jì)個(gè)低頻振蕩器輸出的信號(hào)；[0026]所述遲滯電路12，是所述譯碼電路11產(chǎn)生的若干脈沖輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)遲滯電路12 產(chǎn)生出遲滯信號(hào)；[0027]所述振蕩電路13產(chǎn)生振蕩頻率輸出信號(hào)23 ;所述振蕩頻率輸出信號(hào)23就是頻率 抖動(dòng)輸出信號(hào)。[0028]圖2為本實(shí)用新型的頻率抖動(dòng)電路的另一種電路圖。和圖1所不同的是所述單獨(dú) 一信號(hào)20是通過(guò)單獨(dú)設(shè)計(jì)個(gè)低頻振蕩器輸出的信號(hào)。[0029]以產(chǎn)生4位脈沖輸出信號(hào)為例進(jìn)行說(shuō)明，如圖1和圖2。[0030]如圖1所示[0031]所述譯碼電路11包括計(jì)數(shù)器，所述振蕩電路13輸出的振蕩頻率輸出信號(hào)23連接 計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩頻率輸出信號(hào)23進(jìn)行分頻，產(chǎn)生脈沖輸出信號(hào)；[0032]所述分頻器為四個(gè)，四個(gè)分頻器串接，后一分頻器對(duì)前一分頻器的輸出進(jìn)行分頻， 分別產(chǎn)生二分頻、四分頻、八分頻、十六分頻，產(chǎn)生四個(gè)脈沖輸出信號(hào)，分別為脈沖輸出信號(hào)Q0、Q1、Q2和Q3，Q0，Ql，Q2，Q3四個(gè)脈沖輸出信號(hào)的編碼按下列順序循環(huán)0000、0001、0010、 0011、0100、0101、0110、0111、1000、1001、1010、1011、1100、1101、1110、1111。[0033]所述遲滯電路12包括4個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)32、34、36、38和4個(gè)NMOS電流鏡31、33、35、 37組成；所述NMOS開(kāi)關(guān)32、34、36、38的柵極分別連接計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)Q3、Q2、Q1、Q0 ;所 述每個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)32、34、36、38分別是由一個(gè)NMOS管32、34、36、38組成，NMOS管32、34、 36,38的源極接地，漏極分別接NMOS電流鏡31、33、35、37的源極，柵極接計(jì)數(shù)器的輸出；所 述NMOS電流鏡31、33、35、37的漏極和柵極接在一起再連接到振蕩電路13上，NMOS電流鏡 31、33、35、37的源極分別接NMOS開(kāi)關(guān)32、34、36、38的漏極。[0034]所述振蕩電路13包括差分開(kāi)關(guān)、電容49、遲滯比較器48和PMOS電流源46 ;差分 開(kāi)關(guān)連接PMOS電流源46 ;遲滯比較器48比較電容輸出的斜坡電壓24是否達(dá)到充電基準(zhǔn) 電壓或放電基準(zhǔn)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果翻轉(zhuǎn)輸出振蕩頻率輸出信號(hào)23 ;振蕩頻率輸出信號(hào) 23反饋給差分開(kāi)關(guān)，差分開(kāi)關(guān)控制電容的充電和放電。[0035]所述差分開(kāi)關(guān)包括第一 PMOS管42、第二 PMOS管43、第一 NMOS管44、第二 NMOS 管45和第一反相器41，所述第一 PMOS管42、第二 PMOS管43的源極連接PMOS電流源46， 第一 PMOS管42的漏極連接第一 NMOS管44的漏極，第二 PMOS管43的漏極連接第二 NMOS 管45的漏極，第一 NMOS管44的漏極連接第一 NMOS管44和第二 NMOS管45的柵極，第一 NMOS管44和第二 NMOS管45的源極接地，第二 NMOS管45的漏極和源極分別連接電容的 兩端、遲滯比較器48的輸入端連接電容49，電容的另一端接地，遲滯比較器48輸出振蕩頻 率輸出信號(hào)23，振蕩頻率輸出信號(hào)23反饋給第二 PMOS管43的柵極，振蕩頻率輸出信號(hào)23 經(jīng)第一反相器41反相后反饋給第一 PMOS管42的柵極。[0036]圖3為本實(shí)用新型圖1的頻率抖動(dòng)輸出信號(hào)的頻率變化圖。[0037]圖2為本實(shí)用新型的頻率抖動(dòng)電路的另一種電路圖。所述譯碼電路11的輸入的 另外一種實(shí)現(xiàn)方式是連接一個(gè)單獨(dú)設(shè)計(jì)的低頻振蕩器輸出的信號(hào)20 ;和圖1所不同的是所 述單獨(dú)一信號(hào)20是通過(guò)單獨(dú)設(shè)計(jì)個(gè)低頻振蕩器輸出的信號(hào)。[0038]圖4為本實(shí)用新型圖2的頻率抖動(dòng)輸出信號(hào)的頻率變化圖。[0039]本實(shí)用新型公開(kāi)了頻率抖動(dòng)電路，并且參照附圖描述了本實(shí)用新型的具體實(shí)施方 式和效果。應(yīng)該理解到的是上述實(shí)施例只是對(duì)本實(shí)用新型的說(shuō)明，而不是對(duì)本實(shí)用新型的 限制，任何不超出本實(shí)用新型實(shí)質(zhì)精神范圍內(nèi)的發(fā)明創(chuàng)造，均落入本實(shí)用新型保護(hù)范圍之 內(nèi)。
權(quán)利要求1.頻率抖動(dòng)電路，其特征在于包括譯碼電路、遲滯電路和振蕩電路所述譯碼電路對(duì)所述振蕩電路輸出的振蕩頻率信號(hào)控制所述譯碼電路產(chǎn)生若干脈沖輸出信號(hào)；所述遲滯電路是所述譯碼電路產(chǎn)生的若干脈沖輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)遲滯電路產(chǎn)生出遲滯信號(hào);所述振蕩電路產(chǎn)生振蕩頻率輸出信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述頻率抖動(dòng)電路，其特征在于所述譯碼電路包括計(jì)數(shù)器，所述振蕩電路輸出的振蕩頻率輸出信號(hào)連接計(jì)數(shù)器，計(jì)數(shù)器對(duì)振蕩頻率輸出信號(hào)進(jìn)行分頻，產(chǎn)生脈沖輸出信號(hào)。
3.如權(quán)利要求1所述頻率抖動(dòng)電路，其特征在于所述遲滯電路包括N個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)和N個(gè)NMOS電流鏡組成；所述NMOS開(kāi)關(guān)的柵極連接計(jì)數(shù)器的輸出信號(hào)，NMOS開(kāi)關(guān)的個(gè)數(shù)同計(jì)數(shù)器輸出信號(hào)的個(gè)數(shù)一致；所述每個(gè)NMOS開(kāi)關(guān)是由一個(gè)NMOS組成，NMOS的源極接地，漏極接NMOS電流鏡的源極，柵極接計(jì)數(shù)器的輸出；所述NMOS電流鏡的漏極和柵極接在一起再連接到振蕩電路上，NMOS電流鏡的源極接NMOS開(kāi)關(guān)的漏極。
4.如權(quán)利要求1所述頻率抖動(dòng)電路，其特征在于所述振蕩電路包括差分開(kāi)關(guān)、電容、遲滯比較器和PMOS電流源；差分開(kāi)關(guān)連接PMOS電流源；遲滯比較器比較電容輸出的斜坡電壓是否達(dá)到充電基準(zhǔn)電壓或放電基準(zhǔn)電壓，并根據(jù)比較結(jié)果翻轉(zhuǎn)輸出振蕩頻率輸出信號(hào)；振蕩頻率輸出信號(hào)反饋給差分開(kāi)關(guān)，差分開(kāi)關(guān)控制電容的充電和放電。
5.如權(quán)利要求2所述頻率抖動(dòng)電路，其特征在于所述計(jì)數(shù)器由多個(gè)分頻器組成，各個(gè)分頻器串接，后一分頻器對(duì)前一分頻器的輸出進(jìn)行分頻，各個(gè)分頻器的輸出通過(guò)邏輯電路進(jìn)行組合后，產(chǎn)生若干脈沖輸出信號(hào)。
6.如權(quán)利要求4所述頻率抖動(dòng)電路，其特征在于所述差分開(kāi)關(guān)包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第一反向器，所述第一 PMOS管，第二 PMOS管的源極連接PMOS電流源，第一 PMOS管的漏極連接第一 NMOS管的漏極，第二 PMOS管的漏極連接第二NMOS管的漏極，第一 NMOS管的漏極連接第一 NMOS管和第二 NMOS管的柵極，第一 NMOS管和第二 NMOS管的源極接地，第二 NMOS管的漏極和源極分別連接電容的兩端，遲滯比較器的輸入端連接電容，電容的另一端接地，遲滯比較器輸出振蕩頻率輸出信號(hào)，振蕩頻率輸出信號(hào)反饋給第二 PMOS管的柵極，振蕩頻率輸出信號(hào)經(jīng)第一反向器反向后反饋給第一 PMOS管的柵極。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了頻率抖動(dòng)電路。頻率抖動(dòng)電路包括譯碼電路、遲滯電路和振蕩電路所述譯碼電路對(duì)所述振蕩電路輸出的振蕩頻率信號(hào)控制所述譯碼電路產(chǎn)生若干脈沖輸出信號(hào)；所述遲滯電路是所述譯碼電路產(chǎn)生的若干脈沖輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)遲滯電路產(chǎn)生出遲滯信號(hào)；所述振蕩電路產(chǎn)生振蕩頻率輸出信號(hào)；所述振蕩頻率輸出信號(hào)就是頻率抖動(dòng)輸出信號(hào)。利用本實(shí)用新型可以使電磁干擾噪聲減小，并有效地降低了成本和減小開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的體積。
文檔編號(hào)H02M1/44GK202840940SQ20122051274
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
發(fā)明者王文建, 樊志婷, 周宇坤, 齊盛, 姚明針, 張平, 章貴 申請(qǐng)人:浙江商業(yè)職業(yè)技術(shù)學(xué)院