專利名稱：一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種中頻變頻器，具體地說是一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路。
背景技術(shù)：
隨著對電網(wǎng)質(zhì)量要求的不斷提高，電網(wǎng)監(jiān)管部門對用電器引起的諧波及功率因數(shù)的監(jiān)控亦日趨嚴格。目前，大功率中頻感應加熱裝置，尤其是中頻感應熔煉裝置，一般采用兩個整流橋相并聯(lián)構(gòu)成整流器。橋并方式的整流器由于同一整流變壓器的兩個整流橋的電壓相等，而每一橋的電流是受控于各自相控角，故須設置各自獨立的電流調(diào)節(jié)器，以求橋間及套間電流平衡。實踐表明，按一般電路參數(shù)設計的多路電流調(diào)節(jié)器來實現(xiàn)多橋電流平衡是比較困難的。另外，熔煉設備的燒結(jié)(俗稱烘爐)、冷爐料階段，因負載阻抗很低，裝置表現(xiàn)為大電流、低電壓狀態(tài)，系統(tǒng)工作在截流區(qū)。即整流橋的相控角很大，網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)很低，裝置的效率隨之降低。一般，較大容量的中頻電源裝置需配置諧波吸收暨功率因數(shù)補償裝置，為了有效吸收特征諧波及非特征諧波，應滿足補償?shù)拓撦d阻抗時的功率因數(shù)。因此，其補償容量應按最低功率因數(shù)考量，而燒結(jié)作業(yè)并非每一工作循環(huán)所必有的，在其它區(qū)域無需這等補償裝置，因此，造成較大的功率因數(shù)補償裝置冗置容量。

實用新型內(nèi)容本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，不存在橋間均流問題，諧波很小，并且功率因數(shù)大為改善，降低了器件的成本。本實用新型為解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，包括兩組二相橋式整流電路和兩組串聯(lián)逆變電路，兩組二相橋式整流電路的輸入端各接有一組三相工頻交流電源，兩組三相橋式整流電路的輸出端相串接，串接后構(gòu)成的直流輸出端與串聯(lián)逆變電路的輸入端連接，所述的串聯(lián)逆變電路包括兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊，兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊均并接在兩組三相橋式整流電路串接后構(gòu)成的直流輸出端上，兩個補償電容的串聯(lián)節(jié)點和兩個可控硅模塊的串聯(lián)節(jié)點通過負載線圈連接，所述的可控硅模塊由兩條由同向的可控硅構(gòu)成的支路和一條由與可控硅反向的二極管構(gòu)成的支路組成，兩條可控硅構(gòu)成的支路和一條二極管構(gòu)成的支路相并接。所述的可控硅構(gòu)成的支路中，串接有兩個可控硅；所述的二極管構(gòu)成的支路中串接有兩個二極管。本實用新型的有益效果是:同一整流變壓器的兩個整流橋的電流相等，而每一橋的電壓是由各自整流變壓器的次級電壓決定的，故無須設置各自獨立的電流調(diào)節(jié)器進行電流平衡調(diào)節(jié)，兩橋中一橋為全電壓輸出，即工作在全開放狀態(tài)，輸出單橋額定電壓。因此，橋串整流器沒有橋間均流問題。串聯(lián)整流串聯(lián)逆變的方式功率因數(shù)一直保持不小于0.97，遠高于供電部門的要求，不用設置補償裝置，整流一直工作在最大狀態(tài)，又是12脈沖整流，諧波很小。

圖1是本實用新型的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
結(jié)合附圖具體說明本實用新型的實施方式。一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，包括兩組三相橋式整流電路和兩組串聯(lián)逆變電路。兩組三相橋式整流電路分別簡稱為橋1、橋2，如圖1所示，橋I由六臂晶閘管Zl—Z6組成，橋2由六臂晶閘管Tl—IAl組成。橋I和橋2的輸入端各接有一組三相工頻交流電源，圖中標示為Ul、V1、W1和U2、V2、W2。兩組三相橋式整流電路的輸出端相串接，串接后構(gòu)成的直流輸出端與串聯(lián)逆變電路的輸入端連接。所述的串聯(lián)逆變電路包括兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊，如圖1所示，相串聯(lián)的補償電容Cl、C2，以及串聯(lián)的可控硅模塊KP1、KP2構(gòu)成一組串聯(lián)逆變電路，相串聯(lián)的補償電容C3、C4，串聯(lián)的可控硅模塊KP3、KP4構(gòu)成另一組串聯(lián)逆變電路，兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊均并接在兩組三相橋式整流電路串接后構(gòu)成的直流輸出端上。兩個補償電容的串聯(lián)節(jié)點和兩個可控硅模塊的串聯(lián)節(jié)點通過負載線圈連接，圖中兩組串聯(lián)逆變電路的負載線圈分別表示為L1、L2。所述的可控硅模塊由兩條由同向的可控硅構(gòu)成的支路和一條由與可控硅反向的二極管構(gòu)成的支路組成，兩條可控硅構(gòu)成的支路和一條二極管構(gòu)成的支路相并接。所述的可控硅構(gòu)成的支路中，串接有兩個可控硅；所述的二極管構(gòu)成的支路中串接有兩個二極管。所述的兩組三相橋式整流電路串接后構(gòu)成的直流輸出端還并接有一個電容C。本技術(shù)方案中各元器件的參數(shù)根據(jù)實際需要結(jié)合本領域常規(guī)技術(shù)進行選定。
權(quán)利要求1.一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，包括兩組三相橋式整流電路和兩組串聯(lián)逆變電路，兩組三相橋式整流電路的輸入端各接有一組三相工頻交流電源，其特征在于:兩組三相橋式整流電路的輸出端相串接，串接后構(gòu)成的直流輸出端與串聯(lián)逆變電路的輸入端連接，所述的串聯(lián)逆變電路包括兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊，兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊均并接在兩組三相橋式整流電路串接后構(gòu)成的直流輸出端上，兩個補償電容的串聯(lián)節(jié)點和兩個可控硅模塊的串聯(lián)節(jié)點通過負載線圈連接，所述的可控硅模塊由兩條由同向的可控硅構(gòu)成的支路和一條由與可控硅反向的二極管構(gòu)成的支路組成，兩條可控硅構(gòu)成的支路和一條二極管構(gòu)成的支路相并接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，其特征在于:所述的可控硅構(gòu)成的支路中，串接有兩個可控硅；所述的二極管構(gòu)成的支路中串接有兩個二極管。
專利摘要一種12脈中頻變頻器的串聯(lián)整流串聯(lián)逆變電路，包括兩組三相橋式整流電路和兩組串聯(lián)逆變電路，兩組三相橋式整流電路的輸出端相串接，串聯(lián)逆變電路包括兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊，兩個串聯(lián)的補償電容和兩個串聯(lián)的可控硅模塊均并接在兩組三相橋式整流電路串接后構(gòu)成的直流輸出端上，兩個補償電容的串聯(lián)節(jié)點和兩個可控硅模塊的串聯(lián)節(jié)點通過負載線圈連接，可控硅模塊由兩條由同向的可控硅構(gòu)成的支路和一條由與可控硅反向的二極管構(gòu)成的支路組成，兩條可控硅構(gòu)成的支路和一條二極管構(gòu)成的支路相并接。橋串整流器沒有橋間均流問題，不用設置補償裝置，整流一直工作在最大狀態(tài)，諧波很小。
文檔編號H02M5/45GK203071825SQ20122072490
公開日2013年7月17日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者張成俊 申請人:洛陽泰陽電器有限公司