功率型倍壓驅(qū)動電路及使用該功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中需要采用大體積電容來實現(xiàn)電壓倍增的缺陷，提供一種能夠克服該缺陷的功率型倍壓驅(qū)動電路，其中：交流電源J1、單向?qū)ㄔ﨑1和電荷存儲元件C相互串聯(lián)，構(gòu)成給電荷存儲元件C充電的充電電路；電荷存儲元件C與單向?qū)ㄔ﨑3所構(gòu)成的并聯(lián)電路與交流電源J1、負(fù)載R和開關(guān)元件SCR相互串聯(lián)，構(gòu)成對負(fù)載R倍壓驅(qū)動的負(fù)載驅(qū)動電路；控制單元KZ檢測交流電源J1的電壓并基于檢測到的電壓控制開關(guān)元件SCR的導(dǎo)通與關(guān)斷，以便在經(jīng)由單向?qū)ㄔ﨑1對電荷存儲元件C充電之后，通過控制單元KZ、交流電源J1、電荷存儲元件C與開關(guān)元件SCR的相互配合對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動，其中對負(fù)載R進行驅(qū)動的電壓在交流電源J1峰值電壓的1至2倍之間調(diào)整。
【專利說明】功率型倍壓驅(qū)動電路及使用該功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電力電子領(lǐng)域，尤其涉及一種功率型倍壓驅(qū)動電路及使用該功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍。
【背景技術(shù)】
[0002]在某些需要采用比交流電源電壓高的電壓對電器進行快速脈動驅(qū)動的場合(如電磁鐵、電磁閥)中，人們往往采用電容倍壓技術(shù)來獲得所需的驅(qū)動電壓。
[0003]常規(guī)的電容倍壓電路主要是利用交流或脈動電源通過整流元件等與電容組相組合，從而利用交流或脈動電源對電容組進行充電，以此形成電容組上的幾倍于交流或脈動電源峰值電壓的直流電壓以對負(fù)載進行驅(qū)動。
[0004]然而，在這種常規(guī)的電容倍壓電路中，儲能電容組中電容的個數(shù)大于倍壓的倍數(shù)，電容的耐壓等級需大于交流電源電壓峰值的2倍，因此，在需要較大驅(qū)動功率的場合中就需要很大體積的電容來滿足倍壓電路的要求。這樣，一方面常規(guī)電容倍壓電路中的電容體積會增大，從而常規(guī)電容倍壓電路的體積也隨之增大，另一方面造成電容倍壓電路成本的增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中常規(guī)電容倍壓電路需要采用大體積電容來實現(xiàn)電壓倍增的缺陷，提供一種能夠克服該缺陷的功率型倍壓驅(qū)動電路及使用該功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍。
[0006]本發(fā)明提供一種功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于:
[0007]交流電源Jl、單向?qū)ㄔ﨑l和電荷存儲元件C相互串聯(lián)，構(gòu)成用于給電荷存儲元件C充電的充電電路；
[0008]電荷存儲元件C與單向?qū)ㄔ﨑3所構(gòu)成的并聯(lián)電路與交流電源J1、負(fù)載R和開關(guān)元件SCR相互串聯(lián)，構(gòu)成對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動的負(fù)載驅(qū)動電路；以及
[0009]控制單元KZ，用于檢測交流電源Jl的電壓并基于檢測到的電壓來控制開關(guān)元件SCR的導(dǎo)通與關(guān)斷，以便在經(jīng)由單向?qū)ㄔ﨑l對電荷存儲元件C充電之后，通過控制單元KZ、交流電源J1、電荷存儲元件C與開關(guān)元件SCR的相互配合對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動，其中對負(fù)載R進行驅(qū)動的電壓能夠在交流電源Jl峰值電壓的I至2倍之間調(diào)整。
[0010]本發(fā)明還提供一種采用上述功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍。
[0011]由于根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路能夠在交流電源Jl的正(或負(fù))半周期中對電荷存儲元件C進行充電并在隨后的負(fù)(或正)半周期中利用交流電源Jl的電壓和電荷存儲元件C上的電壓之和來驅(qū)動負(fù)載R，所以大大降低了電荷存儲元件C的耐壓等級，使得所采用的電荷存儲元件C的體積大大減小，并從而降低了根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路和電釘槍的成本和尺寸。【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]附圖是用來提供對本發(fā)明的進一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0013]圖1是根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的功率型倍壓驅(qū)動電路的電路圖；
[0014]圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的功率型倍壓驅(qū)動電路的電路圖；
[0015]圖3是采用120V交流電在不采用根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路的情況下對電釘槍進行驅(qū)動時的電源電壓、線圈工作電壓和線圈工作電流的曲線圖；以及
[0016]圖4是采用120V交流電采用本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路對電釘槍進行驅(qū)動時的電源電壓、線圈工作電壓和線圈工作電流的曲線圖。
【具體實施方式】
[0017]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0018]需要指出的是，除非特別說明，當(dāng)下文中提及時，術(shù)語“控制單元”為任意能夠根據(jù)設(shè)定的條件或者設(shè)定的時刻輸出控制指令(例如，脈沖波形)從而控制與其連接的開關(guān)元件相應(yīng)地導(dǎo)通或關(guān)斷的控制器，例如可以為PLC、單片機、可調(diào)阻容延時控制器等；當(dāng)下文中提及時，術(shù)語“開關(guān)元件”指的是可以通過電信號實現(xiàn)通斷控制或者根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的開關(guān)，既可以是單向開關(guān)，例如由雙向開關(guān)與二極管串聯(lián)構(gòu)成的可單向?qū)ǖ拈_關(guān)，也可以是雙向開關(guān)，例如金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal OxideSemiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)或帶有反并續(xù)流二極管的 IGBT 或可控硅開關(guān)器件；當(dāng)下文中提及時，術(shù)語“單向?qū)ㄔ敝傅氖强梢酝ㄟ^電信號實現(xiàn)通斷控制或者根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制以使得電流在其中僅能夠單向流動的半導(dǎo)體元件；當(dāng)下文中提及時，術(shù)語“電荷存儲元件”指任意一種可以實現(xiàn)電荷存儲的裝置，例如可以為電容器等。
[0019]圖1為根據(jù)本發(fā)明一種實施方式的功率型倍壓驅(qū)動電路的電路示意圖。如圖1所示，在根據(jù)該實施方式的功率型倍壓驅(qū)動電路中，交流電源J1、單向?qū)ㄔ﨑l和電荷存儲元件C相互串聯(lián)，構(gòu)成用于對電荷存儲元件C進行充電的充電電路；電荷存儲元件C與單向?qū)ㄔ﨑3所構(gòu)成的并聯(lián)電路與交流電源J1、開關(guān)元件SCR和負(fù)載R相互串聯(lián)，構(gòu)成對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動的負(fù)載驅(qū)動電路；以及控制單元KZ用于檢測交流電源Jl的電壓并基于檢測到的電壓來控制開關(guān)元件SCR的導(dǎo)通與關(guān)斷，以便在經(jīng)由單向?qū)ㄔ﨑l對電荷存儲元件C充電之后，通過控制單元KZ、交流電源Jl、電荷存儲元件C與開關(guān)元件SCR的相互配合對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動，其中對負(fù)載R進行驅(qū)動的電壓能夠在交流電源Jl峰值電壓的I至2倍之間調(diào)整。
[0020]其中，單向?qū)ㄔ﨑l和單向?qū)ㄔ﨑3可以為根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ缍O管，也可以為通過電信號實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ?，例如娃單向開關(guān)(SUS, Silicon UnidirectionalSwitch),還可以為通過電信號實現(xiàn)通斷控制以使得電流僅能夠在其中單向流動的元件，例如MOSFET等。而且在單向?qū)ㄔ﨑l和D3為通過電信號實現(xiàn)通斷控制的開關(guān)元件(例如硅單向開關(guān)、MOSFET等)時，可以通過控制單元KZ來控制它的通斷。開關(guān)元件SCR可以為可控硅開關(guān)器件、MOSFET、IGBT等中的任意一種。電荷存儲兀件C可以為任意一種能夠存儲電荷的電容器,例如電解電容器。控制單元KZ可以為單片機、PLC、可調(diào)阻容延時控制器等。
[0021]圖1所示的功率型倍壓驅(qū)動電路的工作原理如下:當(dāng)交流電源Jl在負(fù)半周期中對電荷存儲元件C充電時，單向?qū)ㄔ﨑l導(dǎo)通，控制單元KZ對開關(guān)元件SCR進行控制以使開關(guān)元件SCR處于關(guān)斷狀態(tài)，此時負(fù)載R中沒有電流流過；在控制單元KZ根據(jù)外部的控制指令或者根據(jù)該控制單元KZ的內(nèi)部設(shè)置而在交流電源Jl接下來的某一正半周期中的某一電壓Uk處控制開關(guān)元件SCR導(dǎo)通的情況下，施加在負(fù)載R上的電壓就等于電荷存儲元件C上的電壓與交流電源Jl的電壓Uk之和。
[0022]從上述的工作原理分析可知，根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路中的電荷存儲元件C的耐壓等級能夠被減小到常規(guī)電容倍壓驅(qū)動技術(shù)中電容器耐壓等級的一半，因此理論上同等作用的電荷存儲元件C的體積只有常規(guī)電容倍壓驅(qū)動技術(shù)中所使用的電容器體積的1/4，這樣就大大減小了根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路中的電荷存儲元件C的體積，降低了根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路的成本和尺寸，增加了根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路的便攜性。
[0023]另外，通過控制單元KZ與開關(guān)元件SCR的組合，能夠使負(fù)載R的驅(qū)動電壓在I?2倍的交流電源Jl峰值電壓之間任意調(diào)整，即首先在控制單元KZ內(nèi)對控制單元KZ使開關(guān)元件SCR導(dǎo)通時的交流電源Jl的電壓進行設(shè)置，然后當(dāng)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路工作時，控制單元KZ會檢測交流電源Jl的電壓，當(dāng)檢測到的電壓等于控制單元KZ內(nèi)的設(shè)置值時，控制單元KZ控制開關(guān)元件SCR導(dǎo)通，從而實現(xiàn)對負(fù)載R的驅(qū)動。若控制單元KZ被設(shè)置成在交流電源Jl的峰值電壓處控制開關(guān)元件SCR導(dǎo)通，則在開關(guān)元件SCR導(dǎo)通時施加在負(fù)載R上的瞬間電壓就等于交流電源Jl的峰值電壓的2倍。
[0024]還需要說明的一點是，由于眾所周知，有極性的電解電容器的反向介電性能極差，當(dāng)其被反向充電時會被反向電壓和電流所擊穿而造成該電解電容器的損壞。因此，當(dāng)圖1中的電荷存儲元件C為有極性的電解電容器時，單向?qū)ㄔ﨑3會在電荷存儲元件C上的電荷尚未釋放完之前關(guān)斷并在電荷存儲元件C上的電荷釋放完之后導(dǎo)通以避免交流電源Jl對電荷存儲元件C的反向充電和擊穿。
[0025]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施方式的功率型倍壓驅(qū)動電路的電路圖。如圖2所示，該實施方式在圖1所示的實施方式的基礎(chǔ)上增加了單向?qū)ㄔ﨑2，其中單向?qū)ㄔ﨑2與電荷存儲元件C所構(gòu)成的串聯(lián)電路與單向?qū)ㄔ﨑3并聯(lián)，單向?qū)ㄔ﨑2是與單向?qū)ㄔ﨑3完全相同的元件，以平衡單向?qū)ㄔ﨑3正向?qū)ǖ碾妷航?，從而防止電荷存儲元件C被反向充電和擊穿。
[0026]圖2中的單向?qū)ㄔ﨑2可以為根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ?，例如二極管，也可以為通過電信號實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ?，例如硅單向開關(guān)，還可以為通過電信號實現(xiàn)通斷控制以使得電流僅能夠在其中單向流動的元件，例如MOSFET等。而且在單向?qū)ㄔ﨑2為通過電信號實現(xiàn)通斷控制的開關(guān)元件(例如，硅單向開關(guān)、MOSFET等)時，可以通過控制單元KZ來控制單向?qū)ㄔ﨑2的通斷。
[0027]圖2所示的功率型倍壓驅(qū)動電路的工作原理如下:
[0028]當(dāng)交流電源Jl在負(fù)半周期中單向?qū)ㄔ﨑l導(dǎo)通，對電荷存儲元件C充電時，控制單元KZ對開關(guān)元件SCR進行控制以使開關(guān)元件SCR處于關(guān)斷狀態(tài)，此時負(fù)載R中沒有電流流過，因此單向?qū)ㄔ﨑2、單向?qū)ㄔ﨑3也是關(guān)斷的；
[0029]在控制單元KZ根據(jù)外部的控制指令或者根據(jù)該控制單元KZ的內(nèi)部設(shè)置而在交流電源Jl接下來的正半周期中的某一電壓Uk處控制開關(guān)元件SCR導(dǎo)通的情況下，此時若電荷存儲元件C上的電荷尚未釋放完,則單向?qū)ㄔ﨑3是關(guān)斷的，電荷存儲元件C通過由單向?qū)ㄔ﨑2、交流電源Jl、開關(guān)元件SCR、負(fù)載R和電荷存儲元件C所構(gòu)成的回路向負(fù)載R釋放電荷；若電荷存儲元件C上的電荷釋放完畢，則單向?qū)ㄔ﨑3導(dǎo)通，此時由于單向?qū)ㄔ﨑2與D3分別均與負(fù)載R串聯(lián)，所以交流電源Jl通過單向?qū)ㄔ﨑3向負(fù)載R提供電能，與此同時交流電源Jl還通過由單向?qū)ㄔ﨑2、交流電源J1、開關(guān)元件SCR、負(fù)載R和電荷存儲元件C所構(gòu)成的回路向負(fù)載R提供電能，但是此時由于單向?qū)ㄔ﨑2與D3的等壓降特性，所以電荷存儲元件C并不會被反向充電，這樣就起到了保護和延長電荷存儲元件C的使用壽命的作用；另外，在單向?qū)ㄔ﨑2、D3是二極管時，可以根據(jù)自身的元器件特性而在該半周期中導(dǎo)通，如果單向?qū)ㄔ﨑2、單向?qū)ㄔ﨑3是通過電信號實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ瑒t可由控制單元KZ或其他控制單元(未示出)對其通斷進行控制，以實現(xiàn)單向?qū)ㄔ﨑2、單向?qū)ㄔ﨑3與開關(guān)元件SCR的同時導(dǎo)通從而對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動；此時施加在負(fù)載R上的電壓就等于電荷存儲元件C上的電壓與交流電源Jl的電壓Uk之和，同樣實現(xiàn)了對負(fù)載R的倍壓驅(qū)動。
[0030]另外，眾所周知，有極性的電解電容器的反向介電性能極差，當(dāng)其被反向充電時會被反向電壓和電流所擊穿而造成該電解電容器的損壞。因此，從上面對圖2工作原理的分析可知，當(dāng)電荷存儲元件C為有極性的電解電容器時，單向?qū)ㄔ﨑2和單向?qū)ㄔ﨑3所構(gòu)成的電路可避免交流電源Jl對電荷存儲元件C的反向擊穿。
[0031]以圖2所示的單向?qū)ㄔ﨑2和單向?qū)ㄔ﨑3均是二極管為例對圖2的電路圖進行進一步的詳細(xì)描述。當(dāng)交流電源Jl的端子2的電位高于交流電源Jl的端子I的電位時，電荷存儲元件C被充電，控制單元KZ對開關(guān)元件SCR進行控制以使開關(guān)元件SCR處于關(guān)斷狀態(tài)；而當(dāng)交流電源Jl的端子2的電位低于端子I的電位時，在控制單元KZ根據(jù)外部控制指令或者根據(jù)該控制單元KZ的內(nèi)部設(shè)置而在交流電源Jl處于相應(yīng)的電壓處時控制開關(guān)元件SCR導(dǎo)通從而對負(fù)載R進行驅(qū)動期間，單向?qū)ㄔ﨑2是導(dǎo)通的(其中，在電荷存儲元件C上的電荷尚未釋放完之前,單向?qū)ㄔ﨑3是關(guān)斷的),在這期間,若電荷存儲元件C在之前的半周期中所充的電荷已經(jīng)釋放完，則由于單向?qū)ㄔ﨑3的旁路作用和單向?qū)ㄔ﨑2與D3的等壓降特性，使得雖然此時交流電源Jl的端子2的電位低于端子I的電位，電荷存儲元件C也不會被反向擊穿,這樣就起到了保護和延長電荷存儲元件C的使用壽命的作用，這在電荷存儲元件C是容量與體積之比較大的有極性電解電容器時是非常重要的；有極性電解電容器與無極性電荷存儲元件相比，可以減小體積、降低成本。
[0032]另外，如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路還可以包括串聯(lián)在所述充電電路中的電阻器R1，以在對電荷存儲元件C進行充電時實現(xiàn)限流的目的。
[0033]另外，雖然圖1和圖2中所示的負(fù)載R為電阻器，但是應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路除可以驅(qū)動電阻性負(fù)載之外，還可以用于驅(qū)動其他負(fù)載，例如電感性負(fù)載、電弧性負(fù)載及電阻電容電感的組合型負(fù)載等，以驅(qū)動電磁閥、電磁鐵、瞬時加熱裝置等。
[0034]另外，需要說明的是，雖然附圖中所示的各個單向?qū)ㄔ﨑1、D2、D3均為二極管，但本領(lǐng)域技術(shù)人員可以預(yù)見，只要時序控制合適，亦可以采用雙向開關(guān)來實現(xiàn)本發(fā)明的目的。以單向?qū)ㄔ﨑l為能夠?qū)崿F(xiàn)雙向?qū)ǖ腗OSFET晶體管為例，只要采用適當(dāng)?shù)臅r序?qū)ζ溥M行控制，使得MOSFET在交流電源Jl的負(fù)(或正)半周期中導(dǎo)通并在正(或負(fù))半周期中關(guān)斷，仍然能夠?qū)崿F(xiàn)在交流電源Jl的負(fù)(或正)半周期中對電荷存儲元件C進行充電并在正(或負(fù))半周期中利用電荷存儲元件C上的電壓與交流電源Jl的電壓之和對負(fù)載R進行驅(qū)動的目的。
[0035]下面以在杠桿電磁釘槍上的應(yīng)用來說明根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路的有益效果。
[0036]杠桿電磁釘槍在工作時其線圈需要較高的線圈工作電壓進行驅(qū)動(例如，220V)，才能獲得較大的線圈工作電流(大于70A)。當(dāng)采用120V電源驅(qū)動杠桿電磁釘槍時，電源的驅(qū)動能力就顯得不足了，線圈工作電流只能達(dá)到50A，請見圖3的實測曲線所示。
[0037]但是，當(dāng)將根據(jù)本發(fā)明的功率型倍壓驅(qū)動電路應(yīng)用于杠桿電磁釘槍時，在采用120V交流電源的情況下，同樣能夠獲得70A的線圈工作電流，請見圖4的實測曲線所示，其中，圖4中的驅(qū)動電壓峰值是圖3中的驅(qū)動電壓峰值的大約一倍，驅(qū)動電流是圖3中的驅(qū)動電流的大約1.5倍。另外，還需要說明的是，圖3和圖4中的電源電壓是電釘槍接入電源端處的實測電壓，由于其受到了電釘槍本身工作的干擾，所以并不是理論上的正弦形。
[0038]以上僅結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明進行了詳細(xì)描述，但是在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種變形和修改。
【權(quán)利要求】
1.一種功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于: 交流電源Jl、單向?qū)ㄔ﨑l和電荷存儲元件C相互串聯(lián),構(gòu)成用于給電荷存儲元件C充電的充電電路； 電荷存儲元件C與單向?qū)ㄔ﨑3所構(gòu)成的并聯(lián)電路與交流電源J1、負(fù)載R和開關(guān)元件SCR相互串聯(lián)，構(gòu)成對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動的負(fù)載驅(qū)動電路；以及 控制單元KZ，用于檢測交流電源Jl的電壓并基于檢測到的電壓來控制開關(guān)元件SCR的導(dǎo)通與關(guān)斷，以便在經(jīng)由單向?qū)ㄔ﨑l對電荷存儲元件C充電之后，通過控制單元KZ、交流電源Jl、電荷存儲元件C與開關(guān)元件SCR的相互配合對負(fù)載R進行倍壓驅(qū)動，其中對負(fù)載R進行驅(qū)動的電壓能夠在交流電源Jl峰值電壓的I至2倍之間調(diào)整。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，所述單向?qū)ㄔ﨑l和單向?qū)ㄔ﨑3為根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ蛘咄ㄟ^電信號控制其通斷的開關(guān)元件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，該功率型倍壓驅(qū)動電路還包括串聯(lián)在所述充電電路中的電阻器Rl，以對充電電流進行限流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，開關(guān)元件SCR為可控硅開關(guān)器件、MOSFET、IGBT中的任意一者。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，所述控制單元KZ為任意能夠根據(jù)設(shè)定的條件或者設(shè)定的時刻輸出控制指令從而控制所述開關(guān)元件SCR相應(yīng)地導(dǎo)通或關(guān)斷的控制器。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，所述控制單元KZ為PLC、單片機、可調(diào)阻容延時控制器中的任意一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，所述電荷存儲元件C是任意一種能夠存儲電荷的電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項權(quán)利要求所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，該功率型倍壓驅(qū)動電路還包括單向?qū)ㄔ﨑2,該單向?qū)ㄔ﨑2與電荷存儲元件C所構(gòu)成的串聯(lián)電路與單向?qū)ㄔ﨑3并聯(lián)，從而能夠在電荷存儲元件C為有極性的電解電容器時防止電荷存儲元件C被反向充電和擊穿。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的功率型倍壓驅(qū)動電路，其特征在于，所述單向?qū)ㄔ﨑2為根據(jù)元器件自身的特性實現(xiàn)通斷控制的單向?qū)ㄔ蛘咄ㄟ^電信號控制其通斷的開關(guān)元件。
10.一種采用權(quán)利要求1至9中任一項權(quán)利要求所述的功率型倍壓驅(qū)動電路的電釘槍。
【文檔編號】H02M7/12GK103944419SQ201310017935
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月17日
【發(fā)明者】廖志文, 范悅, 馮澤舟 申請人:北京大風(fēng)時代科技有限責(zé)任公司