電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路和相關(guān)的邏輯重生電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提出一種電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路和相關(guān)的邏輯重生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含邏輯重生電路、第一開關(guān)、第二開關(guān)、以及電感裝置。電感裝置耦接于第一開關(guān)和第二開關(guān)之間的節(jié)點。邏輯重生電路利用上橋控制信號和下橋控制信號來分別控制第一開關(guān)和第二開關(guān)?？刂菩盘柈a(chǎn)生電路包含：控制電路用于產(chǎn)生第一信號；第一邏輯電路，用于依據(jù)第一信號產(chǎn)生第二信號；第一傳輸裝置，用于依據(jù)第二信號以及參考信號產(chǎn)生第一控制信號，其中，參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的電壓。第一傳輸裝置形成一等效電容，且邏輯重生電路依據(jù)至少第一控制信號來產(chǎn)生上橋控制信號和下橋控制信號。藉由第一傳輸裝置的設(shè)置，可避免控制信號產(chǎn)生電路遭受到高壓信號的破壞。
【專利說明】電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路和相關(guān)的邏輯重生電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明有關(guān)電源轉(zhuǎn)換電路（power converter)，尤指一種電源轉(zhuǎn)換電路的控制信 號產(chǎn)生電路和相關(guān)的邏輯重生電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 在工業(yè)級的應(yīng)用中，電源轉(zhuǎn)換電路的輸入電壓比一般日常用電的伏特數(shù)高出許 多，例如，1000伏特，甚至高達1200伏特。傳統(tǒng)電源轉(zhuǎn)換電路中的控制信號產(chǎn)生電路通常無 法承受如此高的電壓值，因此，若電源轉(zhuǎn)換電路的輸入電壓逆流至控制信號產(chǎn)生電路，便會 使控制信號產(chǎn)生電路受損，進而導(dǎo)致電源轉(zhuǎn)換電路發(fā)生故障。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，如何提升電源轉(zhuǎn)換電路內(nèi)部的控制信號產(chǎn)生電路的抗高壓能力，實為 業(yè)界有待解決的問題。
[0004] 本說明書提供一種電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一邏 輯重生電路、一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，該電感裝置耦接于該第一開關(guān)和 該第二開關(guān)之間的一節(jié)點，且該邏輯重生電路利用一上橋控制信號和一下橋控制信號來分 別控制該第一開關(guān)和該第二開關(guān)，該控制信號產(chǎn)生電路包含：一控制電路，設(shè)置成產(chǎn)生一第 一信號；一第一邏輯電路，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一信號產(chǎn)生一第二信號； 以及一第一傳輸裝置，耦接于該第一邏輯電路，且設(shè)置成依據(jù)該第二信號以及一參考信號 產(chǎn)生一第一控制信號，其中，該參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的一電壓；其中，該第一傳輸裝置 形成一第一等效電容，且該邏輯重生電路依據(jù)至少該第一控制信號來產(chǎn)生該上橋控制信號 和該下橋控制信號。
[0005] 本說明書另提供一種電源轉(zhuǎn)換電路的邏輯重生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一控制 信號產(chǎn)生電路、一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，該電感裝置耦接于該第一開關(guān) 和該第二開關(guān)之間的一節(jié)點，該邏輯重生電路包含：一第一傳輸裝置，當(dāng)耦接于該控制信 號產(chǎn)生電路時，該第一傳輸裝置依據(jù)該控制信號產(chǎn)生電路產(chǎn)生的一第二信號以及一參考信 號，產(chǎn)生一第一控制信號，其中，該參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的一電壓；一第二邏輯電路， 耦接于該第一傳輸裝置，且設(shè)置成依據(jù)至少該第一控制信號產(chǎn)生一設(shè)置信號以及一重置信 號；一正反器，耦接于該第二邏輯電路，且設(shè)置成依據(jù)該設(shè)置信號以及該重置信號產(chǎn)生一上 橋控制信號，以控制該第一開關(guān)的導(dǎo)通時間；以及一第三邏輯電路，耦接于該正反器，且設(shè) 置成依據(jù)該上橋控制信號產(chǎn)生一下橋控制信號，以控制該第二開關(guān)的導(dǎo)通時間；其中，該第 一傳輸裝置形成一第一等效電容。
[0006] 本說明書另提供一種電源轉(zhuǎn)換電路的控制電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一邏輯重生 電路、一第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，該電感裝置耦接于該第一開關(guān)和該第二 開關(guān)之間的一節(jié)點，且該邏輯重生電路利用一上橋控制信號和一下橋控制信號來分別控制 該第一開關(guān)和該第二開關(guān)，該控制電路包含：一控制電路，設(shè)置成產(chǎn)生差動式的一第一信號 以及一第一反相信號；以及一第一傳輸裝置，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一信號 以及一參考信號產(chǎn)生一第三控制信號，其中，該參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的一電壓；其中， 該第一傳輸裝置形成一第一等效電容，且該邏輯重生電路依據(jù)至少該第三控制信號來產(chǎn)生 該上橋控制信號和該下橋控制信號。
[0007] 上述實施例的優(yōu)點之一，是可避免電源轉(zhuǎn)換電路內(nèi)部的控制信號產(chǎn)生電路遭受到 高壓信號的破壞。
[0008] 上述實施例的另一優(yōu)點，是可提升電源轉(zhuǎn)換電路的抗噪聲能力。
[0009] 本發(fā)明的其他優(yōu)點將藉由以下的說明和附圖進行更詳細的解說。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 此處所說明的附圖用來提供對本申請的進一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申 請的示意性實施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。
[0011] 圖1為本發(fā)明一實施例的電源轉(zhuǎn)換電路簡化后的功能方塊圖。
[0012] 圖2為圖1的電源轉(zhuǎn)換電路的一運作實施例簡化后的時序圖。
[0013] 圖3為圖1中的第一傳輸裝置的第一實施例簡化后的示意圖。
[0014] 圖4為圖3中的第一傳輸裝置沿著A-A'方向簡化后的剖面示意圖。
[0015] 圖5為圖1中的第一傳輸裝置的第二實施例簡化后的示意圖。
[0016] 圖6為圖5中的第一傳輸裝置沿著B-B'方向簡化后的剖面不意圖。
[0017] 圖7為圖1中的第一傳輸裝置的第三實施例簡化后的示意圖。
[0018] 圖8為圖7中的第一傳輸裝置沿著C-C'方向簡化后的剖面示意圖。
[0019] 圖9為圖1中的第一傳輸裝置的第四實施例簡化后的示意圖。
[0020] 圖10為圖9中的第一傳輸裝置沿著D-D'方向簡化后的剖面示意圖。
[0021] 圖11為本發(fā)明另一實施例的電源轉(zhuǎn)換電路簡化后的功能方塊圖。

【具體實施方式】
[0022] 以下將配合相關(guān)附圖來說明本發(fā)明的實施例。在附圖中，相同的標(biāo)號表示相同或 類似的元件或流程步驟。
[0023] 圖1為本發(fā)明一實施例的電源轉(zhuǎn)換電路100簡化后的功能方塊圖。電源轉(zhuǎn)換電 路100包含控制信號產(chǎn)生電路（control signal generating circuit) 110、邏輯重生電路 (logic regeneration circuit) 130、第一開關(guān) 150、第二開關(guān) 170、以及電感裝置 190?？刂?信號產(chǎn)生電路110設(shè)置成產(chǎn)生第一控制信號HS1及第二控制信號HS2。邏輯重生電路130 耦接于控制信號產(chǎn)生電路110,且設(shè)置成依據(jù)第一控制信號HS1及第二控制信號HS2,產(chǎn)生 上橋控制信號UG及下橋控制信號LG。第一開關(guān)150的第一端稱接于一輸入電壓HV，第一 開關(guān)150的第二端耦接于節(jié)點LX，且第一開關(guān)150的控制端耦接于邏輯重生電路130。第 二開關(guān)170的第一端耦接于節(jié)點LX，第二開關(guān)170的第二端耦接于一固定電位端（例如，接 地端），且第二開關(guān)170的控制端耦接于邏輯重生電路130。電感裝置190的一端耦接于第 一開關(guān)150和第二開關(guān)170之間的節(jié)點LX。在工業(yè)級的應(yīng)用中，前述的輸入電壓HV可以是 1000伏特、1200伏特，甚至是更高伏特數(shù)的高壓信號。
[0024] 邏輯重生電路130會利用上橋控制信號UG來設(shè)置第一開關(guān)150的導(dǎo)通時間，并會 利用下橋控制信號LG來設(shè)置第二開關(guān)170的導(dǎo)通時間。電感裝置190用于依據(jù)節(jié)點LX上 的電壓產(chǎn)生后級電路所需的輸出電壓信號。
[0025] 實作上，第一開關(guān)150與第二開關(guān)170可用控制邏輯相同的兩晶體管來實現(xiàn)，也可 分別采用控制邏輯相反的兩晶體管來實現(xiàn)。
[0026] 為了圖面簡明而便于說明，電源轉(zhuǎn)換電路100中的其他元件與連接關(guān)系并未繪示 于圖1中。
[0027] 在圖1的實施例中，控制信號產(chǎn)生電路110包含有控制電路111、第一邏輯電路 113、第一傳輸裝置115、以及第二傳輸裝置117?？刂齐娐?11設(shè)置成產(chǎn)生一對差動式的第 一信號S1以及第一反相信號Sib。第一邏輯電路113耦接于控制電路111，且設(shè)置成依據(jù) 第一信號S1產(chǎn)生不完全同步于第一反相信號Sib的第二信號S2。在本實施例中，第二信號 S2與第一反相信號Sib不同步的時間長度，是上橋控制信號UG或下橋控制信號LG處于有 效狀態(tài)的時間長度的至少20%。第一傳輸裝置115耦接于第一邏輯電路113,且設(shè)置成依據(jù) 第二信號S2以及參考信號REF產(chǎn)生第一控制信號HS1。前述的參考信號REF對應(yīng)于前述節(jié) 點LX上的電壓大小。第二傳輸裝置117耦接于控制電路111，且設(shè)置成依據(jù)第一反相信號 Sib以及參考信號REF產(chǎn)生第二控制信號HS2。在本實施例中，第一傳輸裝置115會形成一 第一等效電容，第二傳輸裝置117會形成一第二等效電容，且第一等效電容和第二等效電 容皆具有足夠高的電容值。
[0028] 實作上，控制電路111可用各種PWM信號產(chǎn)生器或PFM信號產(chǎn)生器來實現(xiàn)。例如， 控制電路111可用正反器、閂鎖器、或是其他邏輯電路的組合實現(xiàn)。
[0029] 第一傳輸裝置115的等效電容值愈高，第一傳輸裝置115承受高壓信號沖擊的能 力會愈強。同樣地，第二傳輸裝置117的等效電容值愈高，第二傳輸裝置117承受高壓信號 沖擊的能力也會愈強。在電源轉(zhuǎn)換電路100運作的過程中，倘若輸入電壓HV逆流至控制信 號產(chǎn)生電路110,則可利用第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置117的高等效電容值，來吸收 輸入電壓HV的高壓沖擊，以避免輸入電壓HV的高壓成分直接沖擊到控制信號產(chǎn)生電路110 中的第一邏輯電路113和控制電路111。換言之，藉由第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置 117的設(shè)置，可有效避免電源轉(zhuǎn)換電路100中的控制信號產(chǎn)生電路110受到輸入電壓HV的 商壓破壞。
[0030] 前述第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置117所耦接的參考信號REF，可以是一外 部預(yù)設(shè)信號或是電源轉(zhuǎn)換電路100內(nèi)部的信號。例如，控制信號產(chǎn)生電路110可直接利用 節(jié)點LX上的電壓信號來作為參考信號REF?；蛘?，控制信號產(chǎn)生電路110也可以將節(jié)點LX 上的電壓信號進行降壓，以產(chǎn)生與節(jié)點LX上的電壓信號具有比例關(guān)系的降壓信號，再利用 該降壓信號作為參考信號REF。當(dāng)利用節(jié)點LX上的電壓信號來作為參考信號REF時，能有 效降低第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置117所承受的電壓差，故可提升第一傳輸裝置115 和第二傳輸裝置117承受輸入電壓HV的能力。
[0031] 接著，邏輯重生電路130會依據(jù)第一控制信號HS1以及第二控制信號HS2,產(chǎn)生上 橋控制信號UG以及下橋控制信號LG，以分別控制第一開關(guān)150以及第二開關(guān)170的導(dǎo)通時 間。
[0032] 在本實施例中，邏輯重生電路130包含有第二邏輯電路131、正反器133、以及第三 邏輯電路135。當(dāng)?shù)诙壿嬰娐?31耦接于第一傳輸裝置115以及第二傳輸裝置117時，第 二邏輯電路131會產(chǎn)生設(shè)置信號Set以及重置信號Reset。正反器133耦接于第二邏輯電 路131，且設(shè)置成依據(jù)設(shè)置信號Set以及重置信號Reset產(chǎn)生上橋控制信號UG，以控制第一 開關(guān)150的導(dǎo)通時間。第三邏輯電路135耦接于正反器133,且設(shè)置成依據(jù)上橋控制信號 UG產(chǎn)生下橋控制信號LG，以控制第二開關(guān)170的導(dǎo)通時間。
[0033] 前述電源轉(zhuǎn)換電路100中的不同功能方塊可分別用不同的電路來實現(xiàn)，也可整合 在一單一電路芯片中。例如，可將第一開關(guān)150以及第二開關(guān)170整合到邏輯重生電路130 中。
[0034] 圖2為圖1的電源轉(zhuǎn)換電路100中的一運作實施例簡化后的時序圖。為方便說明 起見，在此系假設(shè)控制信號產(chǎn)生電路110的控制電路111是用PWM信號產(chǎn)生器來實現(xiàn)。在 圖2的實施例中，控制電路111的內(nèi)部元件所產(chǎn)生的脈寬調(diào)變信號PWM，會在時間T1時由低 準(zhǔn)位切換至高準(zhǔn)位，且在時間T2時由高準(zhǔn)位切換至低準(zhǔn)位。為方便說明起見，在此假設(shè)脈 寬調(diào)變信號PWM、上橋控制信號UG、和下橋控制信號LG皆為高電平有效信號。
[0035] 控制電路111會產(chǎn)生與脈寬調(diào)變信號PWM的邊緣相對應(yīng)的一對差動式的第一信號 S1和第一反相信號Sib。如前所述，第一邏輯電路113會依據(jù)第一信號S1產(chǎn)生不完全同步 于第一反相信號Sib的第二信號S2。如圖2所不，第一邏輯電路113會在第二信號S2中加 入一段額外的有效脈波，以形成一保護窗（protection window) 210,使得第二信號S2與第 一反相信號Sib不同步的時段為一保護時段P1。在一實施例中，前述的保護時段P1占了 T1?T2時段的至少20%。亦即，保護時段P1的時間長度，相當(dāng)于是脈寬調(diào)變信號PWM處于 有效狀態(tài)的時間長度的至少20%。
[0036] 第一傳輸裝置115會依據(jù)第二信號S2產(chǎn)生相對應(yīng)的第一控制信號HS1。第二傳輸 裝置117會依據(jù)第一反相信號Sib產(chǎn)生相對應(yīng)的第二控制信號HS2。由于第二信號S2與第 一反相信號Sib不完全同步，故第一控制信號HS1也不完全同步于第二控制信號HS2。在對 應(yīng)于第二信號S2中的保護窗210的信號邊緣的時間點，第一傳輸裝置115所產(chǎn)生的第一控 制信號HS1中，會出現(xiàn)相對應(yīng)的第一指示脈波220以及第二指示脈波230。
[0037] 如圖2所示，當(dāng)邏輯重生電路130中的第二邏輯電路131第一次偵測到第一控制 信號HS1與第二控制信號HS2開始呈現(xiàn)差動式信號的變化態(tài)樣時，第二邏輯電路131會將 設(shè)置信號Set切換至有效狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙壿嬰娐?31將設(shè)置信號Set切換至有效狀態(tài)時， 正反器133會受到設(shè)置信號Set的邊緣觸發(fā)，而將上橋控制信號UG切換至有效狀態(tài)，以導(dǎo) 通第一開關(guān)150。此時，第三邏輯電路135會依據(jù)上橋控制信號UG將下橋控制信號LG切換 至無效狀態(tài)，以截止第二開關(guān)170。
[0038] 在本實施例中，第二邏輯電路131不會一直藉由比較第一控制信號HS1與第二控 制信號HS2間的相位關(guān)系，來決定設(shè)置信號Set的準(zhǔn)位。相反地，第二邏輯電路131會在經(jīng) 過預(yù)定數(shù)量的工作時脈周期時，例如，在圖2中的時間T3,便忽略第一控制信號HS1與第二 控制信號HS2間的相位關(guān)系，并將設(shè)置信號Set切換至無效狀態(tài)。此時，后級的正反器133 的輸出信號不會受到影響，因此，上橋控制信號UG仍會維持在有效狀態(tài)，而下橋控制信號 LG仍會維持在無效狀態(tài)。如此一來，如圖2所示，即使之后第一控制信號HS1與第二控制信 號HS2中有噪聲出現(xiàn)，也不會影響到上橋控制信號UG和下橋控制信號LG的狀態(tài)。換言之， 前述第二邏輯電路131產(chǎn)生設(shè)置信號Set的方式，可提升電源轉(zhuǎn)換電路100的抗噪聲能力。
[0039] 第二邏輯電路131可藉由偵測第一控制信號HS1中的第一指示脈波220和第二指 示脈波230的方式，來辨識出前述保護窗210所對應(yīng)的保護時段P1的所在時間。在保護時 段P1中，第二邏輯電路131會無視于第二控制信號HS2的變化，以避免因第二控制信號HS2 中的噪聲而誤觸發(fā)重置信號Reset的情況發(fā)生。換言之，前述第一邏輯電路113在第二信 號S2中所設(shè)置的保護窗210,可降低第二邏輯電路131因第二控制信號HS2中的噪聲而發(fā) 生誤作動的情況，故能提升電源轉(zhuǎn)換電路100的抗噪聲能力。
[0040] 在保護時段P1結(jié)束之后，若第二邏輯電路131偵測到第一控制信號HS1與第二控 制信號HS2又再次呈現(xiàn)差動式信號的變化態(tài)樣，則第二邏輯電路131會將重置信號Reset 切換至有效狀態(tài)。當(dāng)?shù)诙壿嬰娐?31將重置信號Reset切換至有效狀態(tài)時，正反器133 會受到重置信號Reset的邊緣觸發(fā)，而將上橋控制信號UG切換至無效狀態(tài)，以截止第一開 關(guān)150。此時，第三邏輯電路135會依據(jù)上橋控制信號UG將下橋控制信號LG切換至有效狀 態(tài)，以導(dǎo)通第二開關(guān)170。
[0041] 同樣地，第二邏輯電路131會在經(jīng)過預(yù)定數(shù)量的工作時脈周期時，例如，在圖2中 的時間T4,便忽略第一控制信號HS1與第二控制信號HS2間的相位關(guān)系，并將重置信號 Reset切換至無效狀態(tài)。此時，后級的正反器133的輸出信號不會受到影響，因此，上橋控制 信號UG仍會維持在無效狀態(tài)，而下橋控制信號LG仍會維持在有效狀態(tài)。如此一來，即使之 后第一控制信號HS1與第二控制信號HS2中有噪聲出現(xiàn)，也不會影響到上橋控制信號UG和 下橋控制信號LG的狀態(tài)。換言之，前述第二邏輯電路131產(chǎn)生重置信號Reset的方式，可 提升電源轉(zhuǎn)換電路100的抗噪聲能力。
[0042] 由上述的說明可知，邏輯重生電路130會依據(jù)控制信號產(chǎn)生電路110輸出的第一 控制信號HS1與第二控制信號HS2,來產(chǎn)生與脈寬調(diào)變信號PWM相對應(yīng)的上橋控制信號UG 和下橋控制信號LG，且上橋控制信號UG和下橋控制信號LG和邊緣會對應(yīng)于脈寬調(diào)變信號 PWM的邊緣。因此，前述第二信號S2與第一反相信號Sib不同步的時間長度，亦即保護時段 P1的時間長度，會相當(dāng)于是上橋控制信號UG和下橋控制信號LG的其中之一處于有效狀態(tài) 的時間長度的至少20%。例如，在前述圖2的實施例中，前述第二信號S2與第一反相信號 Sib不同步的時間長度，會相當(dāng)于是上橋控制信號UG處于有效狀態(tài)的時間長度的至少20%。
[0043] 以下將搭配圖3至圖10來進一步說明前述的第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置 117的實施方式。
[0044] 請參考圖3及圖4。圖3為圖1中的第一傳輸裝置115的第一實施例簡化后的示 意圖。圖4為圖3中的第一傳輸裝置115沿著A-A'方向簡化后的剖面示意圖。第一傳輸 裝置115包含有基底310、第一介電層320、第二介電層330、第一蜿蜓狀（meandering)金屬 體340、以及第二蜿蜒狀金屬體350?；?10的第二表面314耦接于參考信號REF。第一 介電層320位于基底310上。第二介電層330位于第一介電層320上。第一蜿蜓狀金屬體 340位于第二介電層330中，且垂直于基底310的第一表面312。第二蜿蜓狀金屬體350位 于第二介電層330中，且垂直于基底310的第一表面312。換言之，第一蜿蜓狀金屬體340 與第二蜿蜒狀金屬體350兩者皆垂直于基底310。
[0045] 在本實施例中，第一蜿蜒狀金屬體340與第二蜿蜒狀金屬體350彼此相鄰但不接 觸，使得第一蜿蜒狀金屬體340與第二蜿蜒狀金屬體350間形成具有高電容值的等效電容， 可避免輸入電壓HV經(jīng)由信號傳遞路徑，逆流回控制信號產(chǎn)生電路110而損壞控制信號產(chǎn)生 電路110中的電路。
[0046] 如圖4所不，基底310的第一表面312與第二表面314間會形成第一寄生電容410。 基底310與第二介電層330間則會形成第二寄生電容420。前述的第一寄生電容410與第 二寄生電容420會形成串聯(lián)組態(tài)，并可等效成一等效寄生電容。藉由電容的串聯(lián)效應(yīng)，上述 等效寄生電容的電容值，會小于第一寄生電容410以及第二寄生電容420的個別電容值。因 此，基底310中的第一寄生電容410,以及第一介電層320中的第二寄生電容420不會影響 到第一控制信號HS1的傳輸質(zhì)量。換言之，采用圖3和圖4架構(gòu)的第一傳輸裝置115,并不 會影響到邏輯重生電路130所產(chǎn)生的上橋控制信號UG以及下橋控制信號LG的信號質(zhì)量。
[0047] 第二傳輸裝置117與第一傳輸裝置115的架構(gòu)相同，因此，有關(guān)前述圖3與圖4中 的第一傳輸裝置115的實施方式、運作方式、以及優(yōu)點的說明，也適用于第二傳輸裝置117。 為簡明起見，在此不重復(fù)敘述。
[0048] 由前述說明可知，藉由第一傳輸裝置115和第二傳輸裝置117的設(shè)置，可有效避免 電源轉(zhuǎn)換電路100中的控制信號產(chǎn)生電路110受到輸入電壓HV的高壓破壞，且不會影響到 第一控制信號HS1和第二控制信號HS2的傳輸質(zhì)量。另外，前述控制信號產(chǎn)生電路110中的 第一邏輯電路113產(chǎn)生第二信號S2的方式，可降低邏輯重生電路130因第二控制信號HS2 中的噪聲而發(fā)生誤作動的情況，故能提升電源轉(zhuǎn)換電路100的抗噪聲能力。再者，前述邏輯 重生電路130中的第二邏輯電路131產(chǎn)生設(shè)置信號Set和重置信號Reset的方式，也可降 低邏輯重生電路130因第一控制信號HS1和第二控制信號HS2中的噪聲而發(fā)生誤作動的情 況，同樣能提升電源轉(zhuǎn)換電路100的抗噪聲能力。
[0049] 請參考圖5及圖6。圖5為圖1中的第一傳輸裝置115的第二實施例簡化后的示 意圖。圖6為圖5中的第一傳輸裝置115沿著B-B'方向簡化后的剖面示意圖。第一傳輸 裝置115包含有基底510、第一介電層520、第二介電層530、第三介電層540、第一蜿蜓狀金 屬體550、以及第二蜿蜓狀金屬體560。第一介電層520位于基底510上。第二介電層530 位于第一介電層520上。第三介電層540的第一表面542直接連接于基底510,且第三介電 層540的第二表面544稱接于參考信號REF。第一蜿蜓狀金屬體550位于第二介電層530 中，且垂直于第三介電層540的第一表面542。第二蜿蜒狀金屬體560位于第二介電層530 中，且垂直于第三介電層540的第一表面542。換言之，第一蜿蜒狀金屬體550與第二蜿蜒 狀金屬體560兩者皆垂直于基底510。
[0050] 在本實施例中，第一蜿蜒狀金屬體550與第二蜿蜒狀金屬體560彼此相鄰但不接 觸，使得第一蜿蜒狀金屬體550與第二蜿蜒狀金屬體560間形成具有高電容值的等效電容， 可避免輸入電壓HV經(jīng)由信號傳遞路徑，逆流回控制信號產(chǎn)生電路110而損壞控制信號產(chǎn)生 電路110中的電路。
[0051] 如圖6所不，第一介電層520與第三介電層540間會形成第一寄生電容610。基 底510與第二介電層530間會形成第二寄生電容620。第三介電層540的第一表面542與 第二表面544間會形成第三寄生電容640。前述的第一寄生電容610、第二寄生電容620、以 及第三寄生電容640會形成串聯(lián)組態(tài)，并可等效成一等效寄生電容。藉由電容的串聯(lián)效應(yīng)， 上述等效寄生電容的電容值，會小于第一寄生電容610的電容值、第二寄生電容620的電容 值、以及第三寄生電容640的電容值。因此，基底510中的第一寄生電容610、第一介電層 520中的第二寄生電容620、以及第三介電層540中的第三寄生電容640不會影響到第一控 制信號HS1的傳輸質(zhì)量。換言之，采用圖5和圖6架構(gòu)的第一傳輸裝置115,并不會影響到 邏輯重生電路130所產(chǎn)生的上橋控制信號UG以及下橋控制信號LG的信號質(zhì)量。
[0052] 請參考圖7及圖8。圖7為圖1中的第一傳輸裝置115的第三實施例簡化后的示 意圖。圖8為圖7中的第一傳輸裝置115沿著C-C'方向簡化后的剖面示意圖。第一傳輸裝 置115包含有基底710、第一介電層720、第二介電層730、導(dǎo)孔層740、第三介電層750、第一 蜿蜒狀金屬體760、以及第二蜿蜒狀金屬體770?；?10的第二表面714耦接于參考信號 REF。第一介電層720位于基底710上。第二介電層730位于第一介電層720上。導(dǎo)孔層 740位于第二介電層730上。第三介電層750位于導(dǎo)孔層740上。第一蜿蜒狀金屬體760 垂直于基底710的第一表面712。第一蜿蜒狀金屬體760的第一部份位于第三介電層750 中，第一蜿蜒狀金屬體760的第二部份位于第二介電層730中，且第一蜿蜒狀金屬體760的 第一部份和第二部份藉由導(dǎo)孔層740相耦接。第二蜿蜒狀金屬體770垂直于基底710的第 一表面712。第二蜿蜒狀金屬體770的第一部份位于第三介電層750中，第二蜿蜒狀金屬 體770的第二部份位于第二介電層730中，且第二蜿蜒狀金屬體770的第一部份和第二部 份藉由導(dǎo)孔層740相耦接。換言之，第一蜿蜒狀金屬體760與第二蜿蜒狀金屬體770兩者 皆垂直于基底710。
[0053] 在本實施例中，第一蜿蜒狀金屬體760與第二蜿蜒狀金屬體770彼此相鄰但不接 觸，使得第一蜿蜒狀金屬體760與第二蜿蜒狀金屬體770間形成具有高電容值的等效電容， 可避免輸入電壓HV經(jīng)由信號傳遞路徑，逆流回控制信號產(chǎn)生電路110而損壞控制信號產(chǎn)生 電路110中的電路。
[0054] 如圖8所不，基底710的第一表面712與第二表面714間會形成第一寄生電容810。 基底710與第二介電層730間會形成第二寄生電容820。前述的第一寄生電容810與第二 寄生電容820會形成串聯(lián)組態(tài)，并可等效成一等效寄生電容。藉由電容的串聯(lián)效應(yīng)，上述等 效寄生電容的電容值，會小于第一寄生電容810的電容值以及第二寄生電容820的電容值。 因此，基底710中的第一寄生電容810,以及第一介電層720中的第二寄生電容820不會影 響到第一控制信號HS1的傳輸質(zhì)量。換言之，采用圖7和圖8架構(gòu)的第一傳輸裝置115,并 不會影響到邏輯重生電路130所產(chǎn)生的上橋控制信號UG以及下橋控制信號LG的信號質(zhì) 量。
[0055] 請參考圖9及圖10。圖9為圖1中的第一傳輸裝置115的第四實施例簡化后的示 意圖。圖10為圖9中的第一傳輸裝置115沿著D-D'方向簡化后的剖面示意圖。第一傳輸 裝置115包含有基底910、阻隔區(qū)920、連接區(qū)930、第一蜿蜒狀金屬體940、以及第二蜿蜒狀 金屬體950?；?10的第二表面914耦接于參考信號REF。阻隔區(qū)920包含有至少一阻 隔區(qū)介電層922,且每一阻隔區(qū)介電層922上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層924。連接區(qū)930包含 有至少三個連接區(qū)介電層932,且每兩個連接區(qū)介電層932間設(shè)置有一連接區(qū)導(dǎo)孔層934。 第一蜿蜒狀金屬體940包含至少一第一金屬區(qū)段942以及多個第二金屬區(qū)段944。第二蜿 蜒狀金屬體950包含至少一第三金屬區(qū)段952以及多個第四金屬區(qū)段954。
[0056] 如圖10所不，各第一金屬區(qū)段942、各第二金屬區(qū)段944、各第三金屬區(qū)段952、以 及各第四金屬區(qū)段954皆垂直于基底910的第一表面912。換言之，第一蜿蜒狀金屬體940 與第二蜿蜒狀金屬體950兩者皆垂直于基底910。
[0057] 各第一金屬區(qū)段942的至少一部份位于阻隔區(qū)920的至少一阻隔區(qū)介電層922， 各第一金屬區(qū)段942中的多個部份分別位于多個連接區(qū)介電層932,且各第一金屬區(qū)段942 中的不同部份藉由至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層924和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層934相耦接。另外，各第 二金屬區(qū)段944中的多個部份分別位于多個連接區(qū)介電層932，且各第二金屬區(qū)段944中的 不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層934相耦接。
[0058] 各第三金屬區(qū)段952的至少一部份位于阻隔區(qū)920的至少一阻隔區(qū)介電層922,各 第三金屬區(qū)段952中的多個部份分別位于多個連接區(qū)介電層932，且第三金屬區(qū)段952中的 不同部份藉由至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層924和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層934相耦接。此外，各第四金 屬區(qū)段954中的多個部份分別位于多個連接區(qū)介電層932,且各第四金屬區(qū)段954中的不同 部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層934相耦接。
[0059] 藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層934耦接第一蜿蜒狀金屬體940中的多個部分金屬體，以 及耦接第二蜿蜒狀金屬體950中的多個部分金屬體，可增加第一蜿蜒狀金屬體940與第二 蜿蜒狀金屬體950相鄰交錯但不接觸的面積，故可在有限的空間中形成具有更高電容值的 等效電容，以避免輸入電壓HV經(jīng)由信號傳遞路徑，逆流回控制信號產(chǎn)生電路110而損壞控 制信號產(chǎn)生電路110中的電路。
[0060] 上述的第一金屬區(qū)段942以及第三金屬區(qū)段952的金屬體積，大于各第二金屬區(qū) 段944以及各第四金屬區(qū)段954的金屬體積，故可利用第一金屬區(qū)段942以及第三金屬區(qū) 段952來避免各第二金屬區(qū)段944以及各第四金屬區(qū)段954受到外部的噪聲干擾。
[0061] 如圖10所不，基底910的第一表面912與第二表面914間會形成第一寄生電容 1010。基底910與連接區(qū)930之間形成第二寄生電容1020。前述的第一寄生電容1010與 第二寄生電容1020,會形成串聯(lián)組態(tài)，并可等效成一等效寄生電容。藉由電容的串聯(lián)效應(yīng)， 上述等效寄生電容的電容值，會小于第一寄生電容1010的電容值以及第二寄生電容1020 的電容值。因此，第一寄生電容1010以及第二寄生電容1020不會影響到第一控制信號HS1 的傳輸質(zhì)量。換言之，采用圖9和圖10架構(gòu)的第一傳輸裝置115,并不會影響到邏輯重生電 路130所產(chǎn)生的上橋控制信號UG以及下橋控制信號LG的信號質(zhì)量。
[0062] 第二傳輸裝置117與第一傳輸裝置115的架構(gòu)相同，因此，有關(guān)前述圖5至圖10中 的第一傳輸裝置115的實施方式、運作方式、以及優(yōu)點的說明，也適用于第二傳輸裝置117。 為簡明起見，在此不重復(fù)敘述。
[0063] 圖11為本發(fā)明另一實施例的電源轉(zhuǎn)換電路1100簡化后的功能方塊圖。電源轉(zhuǎn)換 電路1100包含有控制信號產(chǎn)生電路1110、邏輯重生電路130、第一開關(guān)150、第二開關(guān)170、 以及電感裝置190。圖11的實施例與圖1的實施例相似，主要差別在于電源轉(zhuǎn)換電路1100 中的控制信號產(chǎn)生電路1110,省略了前述控制信號產(chǎn)生電路110中的第一邏輯電路113,以 精簡電路的架構(gòu)。
[0064] 在圖11的實施例中，第一傳輸裝置115會直接依據(jù)第一信號S1以及參考信號REF 產(chǎn)生第三控制信號HS3。由于第一信號S1與第一反相信號Sib為同步的差動式信號，故第 三控制信號HS3也會同步于第二傳輸裝置117產(chǎn)生的第二控制信號HS2。
[0065] 前述實施例中的邏輯重生電路130、第一開關(guān)150、第二開關(guān)170、以及電感裝置 190等元件的實施方式、運作方式、以及相關(guān)優(yōu)點的說明，也適用于圖11的實施例中，為簡 明起見，在此不重復(fù)敘述。
[0066] 實作上，可將前述控制信號產(chǎn)生電路110或控制信號產(chǎn)生電路1110中的傳輸裝置 117省略，以進一步簡化電路架構(gòu)。此時，邏輯重生電路130可單獨依據(jù)第一控制信號HS1 或第三控制信號HS3來產(chǎn)生上橋控制信號UG以及下橋控制信號LG，進而降低電路的復(fù)雜 度。
[0067] 在上述的實施例中，每一個功能方塊都能夠以多個電路元件的方式實施，或者多 個功能方塊皆能夠適當(dāng)?shù)慕Y(jié)合為單一個電路元件。例如，亦可將前述的第一傳輸裝置115 以及第二傳輸裝置117改整合到邏輯重生電路130中。
[0068] 請注意，在說明書及申請專利范圍中使用的「電壓信號」一詞在實作上可用電流形 式來表達，而在說明書及申請專利范圍中使用的「電流信號」一詞在實作上也可用電壓形式 來表達。
[0069] 在說明書及申請專利范圍中使用了某些詞匯來指稱特定的元件。然而，所屬技術(shù) 領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)可理解，同樣的元件可能會用不同的名詞來稱呼。說明書及申請專利范 圍并不以名稱的差異作為區(qū)分元件的方式，而是以元件在功能上的差異來作為區(qū)分的基 準(zhǔn)。在說明書及申請專利范圍所提及的「包含」為開放式的用語，故應(yīng)解釋成「包含但不限 定于」。另外，「耦接」在此包含任何直接及間接的連接手段。因此，若文中描述第一元件耦 接于第二元件，則代表第一元件可通過電性連接或無線傳輸、光學(xué)傳輸?shù)刃盘栠B接方式而 直接地連接于第二元件，或者通過其他元件或連接手段間接地電性或信號連接至該第二元 件。
[0070] 在此所使用的「及/或」的描述方式，包含所列舉的其中之一或多個項目的任意組 合。另外，除非說明書中特別指明，否則任何單數(shù)格的用語都同時包含復(fù)數(shù)格的涵義。
[0071] 在說明書及申請專利范圍當(dāng)中所提及的「元件」（element) -詞，包含了構(gòu)件 (component)、層構(gòu)造（layer)、或區(qū)域（region)的概念。
[0072] 附圖的某些元件的尺寸及相對大小會被加以放大，或者某些元件的形狀會被簡 化，以便能更清楚地表達實施例的內(nèi)容。因此，除非 申請人:有特別指明，附圖中各元件的形 狀、尺寸、相對大小及相對位置等僅是便于說明，而不應(yīng)被用來限縮本發(fā)明的專利范圍。此 夕卜，本發(fā)明可用許多不同的形式來體現(xiàn)，在解釋本發(fā)明時，不應(yīng)僅局限于本說明書所提出的 實施例態(tài)樣。
[0073] 為了說明上的方便，說明書中可能會使用一些與空間中的相對位置有關(guān)的敘述， 對附圖中某元件的功能或是該元件與其他元件間的相對空間關(guān)系進行描述。例如，「于… 上」、「在…上方」、「于…下」、「在…下方」、「高于…」、「低于…」、「向上」、「向下」等等。所屬

【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)可理解，這些與空間中的相對位置有關(guān)的敘述，不僅包含所描述的 元件在附圖中的指向關(guān)系（orientation)，也包含所描述的元件在使用、運作、或組裝時的 各種不同指向關(guān)系。例如，若將附圖上下顛倒過來，則原先用「于…上」來描述的元件，就會 變成「于…下」。因此，在說明書中所使用的「于…上」的描述方式，解釋上包含了「于…下」 以及「于…上」兩種不同的指向關(guān)系。同理，在此所使用的「向上」一詞，解釋上包含了「向 上」以及「向下」兩種不同的指向關(guān)系。
[0074] 在說明書及申請專利范圍中，若描述第一元件位于第二元件上、在第二元件上方、 連接、接合、耦接于第二元件或與第二元件相接，則表示第一元件可直接位在第二元件上、 直接連接、直接接合、直接耦接于第二元件，亦可表示第一元件與第二元件間存在其他元 件。相對之下，若描述第一元件直接位在第二元件上、直接連接、直接接合、直接耦接、或直 接相接于第二元件，則代表第一元件與第二元件間不存在其他元件。
[0075]以上僅為本發(fā)明的較佳實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆 應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一邏輯重生電路、一 第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，其中，該電感裝置耦接于該第一開關(guān)和該第二開 關(guān)之間的一節(jié)點，且該邏輯重生電路利用一上橋控制信號和一下橋控制信號來分別控制該 第一開關(guān)和該第二開關(guān)，其特征在于，該控制信號產(chǎn)生電路包含： 一控制電路，設(shè)置成產(chǎn)生一第一信號； 一第一邏輯電路，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一信號產(chǎn)生一第二信號；以及 一第一傳輸裝置，耦接于該第一邏輯電路，且設(shè)置成依據(jù)該第二信號以及一參考信號 產(chǎn)生一第一控制信號，其中，該參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的一電壓； 其中，該第一傳輸裝置形成一第一等效電容，且該邏輯重生電路依據(jù)至少該第一控制 信號來產(chǎn)生該上橋控制信號和該下橋控制信號。
2. 如權(quán)利要求1的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
3. 如權(quán)利要求2的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成 一第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與 該第二寄生電容串聯(lián)。
4. 如權(quán)利要求1的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
5. 如權(quán)利要求4的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層間 形成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面與 該第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三寄 生電容彼此串聯(lián)。
6. 如權(quán)利要求1的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
7. 如權(quán)利要求6的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成 一第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電 容與該第二寄生電容串聯(lián)。
8. 如權(quán)利要求1的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
9. 如權(quán)利要求8的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成 一第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與該 第二寄生電容串聯(lián)。
10. 如權(quán)利要求1的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該控制電路還會產(chǎn)生一第一反相 信號，且該控制信號產(chǎn)生電路另包含： 一第二傳輸裝置，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一反相信號以及該參考信號 產(chǎn)生一第二控制信號； 其中，該第二傳輸裝置形成一第二等效電容，該第一邏輯電路產(chǎn)生的該第二信號并非 完全同步于該第一反相信號，該第二信號與該第一反相信號不同步的時間長度，是該上橋 控制信號或該下橋控制信號處于有效狀態(tài)的時間長度的至少20%，且該邏輯重生電路依據(jù) 該第一控制信號及該第二控制信號，來產(chǎn)生該上橋控制信號以及該下橋控制信號。
11. 如權(quán)利要求10的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
12. 如權(quán)利要求11的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容 與該第二寄生電容串聯(lián)。
13. 如權(quán)利要求10的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜓狀金屬體間形成該第二等效電容。
14. 如權(quán)利要求13的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層 間形成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面 與該第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三 寄生電容彼此串聯(lián)。
15. 如權(quán)利要求10的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
16. 如權(quán)利要求15的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生 電容與該第二寄生電容串聯(lián)。
17. 如權(quán)利要求10的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
18. 如權(quán)利要求17的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與 該第二寄生電容串聯(lián)。
19. 一種電源轉(zhuǎn)換電路的邏輯重生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一控制信號產(chǎn)生電路、一 第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，其中，該電感裝置耦接于該第一開關(guān)和該第二開 關(guān)之間的一節(jié)點，其特征在于，該邏輯重生電路包含： 一第一傳輸裝置，當(dāng)耦接于該控制信號產(chǎn)生電路時，該第一傳輸裝置依據(jù)該控制信號 產(chǎn)生電路產(chǎn)生的一第二信號以及一參考信號，產(chǎn)生一第一控制信號，其中，該參考信號對應(yīng) 于該節(jié)點上的一電壓； 一第二邏輯電路，耦接于該第一傳輸裝置，且設(shè)置成依據(jù)至少該第一控制信號產(chǎn)生一 設(shè)置信號以及一重置信號； 一正反器，耦接于該第二邏輯電路，且設(shè)置成依據(jù)該設(shè)置信號以及該重置信號產(chǎn)生一 上橋控制信號，以控制該第一開關(guān)的導(dǎo)通時間；以及 一第三邏輯電路，耦接于該正反器，且設(shè)置成依據(jù)該上橋控制信號產(chǎn)生一下橋控制信 號，以控制該第二開關(guān)的導(dǎo)通時間； 其中，該第一傳輸裝置形成一第一等效電容。
20. 如權(quán)利要求19的邏輯重生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
21. 如權(quán)利要求20的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與該 第二寄生電容串聯(lián)。
22. 如權(quán)利要求19的邏輯重生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
23. 如權(quán)利要求22的邏輯重生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層間形 成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面與該 第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三寄生 電容彼此串聯(lián)。
24. 如權(quán)利要求19的邏輯重生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
25. 如權(quán)利要求24的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容 與該第二寄生電容串聯(lián)。
26. 如權(quán)利要求19的邏輯重生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
27. 如權(quán)利要求26的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與該第 _寄生電容串聯(lián)。
28. 如權(quán)利要求19的邏輯重生電路，其特征在于，另包含： 一第二傳輸裝置，當(dāng)耦接于該控制信號產(chǎn)生電路時，該第二傳輸裝置依據(jù)該控制信號 產(chǎn)生電路產(chǎn)生的一第一反相信號以及該參考信號，產(chǎn)生一第二控制信號； 其中，該第二傳輸裝置形成一第二等效電容，且該第二邏輯電路依據(jù)該第一控制信號 以及該第二控制信號產(chǎn)生該設(shè)置信號以及該重置信號。
29. 如權(quán)利要求28的邏輯重生電路，其特征在于，該第二信號并非完全同步于該第一 反相信號，且該第二信號與該第一反相信號不同步的時間長度，是該上橋控制信號或該下 橋控制信號處于有效狀態(tài)的時間長度的至少20%。
30. 如權(quán)利要求28的邏輯重生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
31. 如權(quán)利要求30的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與該 第二寄生電容串聯(lián)。
32. 如權(quán)利要求28的邏輯重生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
33. 如權(quán)利要求32的邏輯重生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層間形 成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面與該 第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三寄生 電容彼此串聯(lián)。
34. 如權(quán)利要求28的邏輯重生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
35. 如權(quán)利要求34的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容 與該第二寄生電容串聯(lián)。
36. 如權(quán)利要求28的邏輯重生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
37. 如權(quán)利要求36的邏輯重生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形成一 第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與該第 _寄生電容串聯(lián)。
38. -種電源轉(zhuǎn)換電路的控制信號產(chǎn)生電路，該電源轉(zhuǎn)換電路包含一邏輯重生電路、一 第一開關(guān)、一第二開關(guān)、以及一電感裝置，其中，該電感裝置耦接于該第一開關(guān)和該第二開 關(guān)之間的一節(jié)點，且該邏輯重生電路利用一上橋控制信號和一下橋控制信號來分別控制該 第一開關(guān)和該第二開關(guān)，其特征在于，該控制信號產(chǎn)生電路包含： 一控制電路，設(shè)置成產(chǎn)生一第一信號；以及 一第一傳輸裝置，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一信號以及一參考信號產(chǎn)生 一第三控制信號，其中，該參考信號對應(yīng)于該節(jié)點上的一電壓； 其中，該第一傳輸裝置形成一第一等效電容，且該邏輯重生電路依據(jù)至少該第三控制 信號來產(chǎn)生該上橋控制信號和該下橋控制信號。
39. 如權(quán)利要求38的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
40. 如權(quán)利要求39的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容 與該第二寄生電容串聯(lián)。
41. 如權(quán)利要求38的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
42. 如權(quán)利要求41的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層 間形成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面 與該第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三 寄生電容彼此串聯(lián)。
43. 如權(quán)利要求38的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容。
44. 如權(quán)利要求43的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生 電容與該第二寄生電容串聯(lián)。
45. 如權(quán)利要求38的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第一等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
46. 如權(quán)利要求45的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該參考信號耦接于該節(jié)點，且于 該第一表面與該第二表面間形成一第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生 電容，其中，該第一寄生電容與該第二寄生電容串聯(lián)。
47. 如權(quán)利要求38的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該控制電路還會產(chǎn)生一第一反 相信號，且該控制信號產(chǎn)生電路另包含： 一第二傳輸裝置，耦接于該控制電路，且設(shè)置成依據(jù)該第一反相信號以及該參考信號 產(chǎn)生一第二控制信號； 其中，該第二傳輸裝置形成一第二等效電容，且該邏輯重生電路依據(jù)該第三控制信號 及該第二控制信號，來產(chǎn)生該上橋控制信號以及該下橋控制信號。
48. 如權(quán)利要求47的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該基底的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
49. 如權(quán)利要求48的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容 與該第二寄生電容串聯(lián)。
50. 如權(quán)利要求47的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一第三介電層，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第一表面直接連接于該基 底，且該第二表面耦接于該參考信號； 一第一蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面；以 及 一第二蜿蜒狀金屬體，位于該第二介電層中，且垂直于該第三介電層的該第一表面； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
51. 如權(quán)利要求50的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一介電層與該第三介電層 間形成一第一寄生電容、該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，以及該第一表面 與該第二表面間形成一第三寄生電容，其中，該第一寄生電容、該第二寄生電容以及該第三 寄生電容彼此串聯(lián)。
52. 如權(quán)利要求47的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一第一介電層，位于該基底上； 一第二介電層，位于該第一介電層上； 一導(dǎo)孔層，位于該第二介電層上； 一第三介電層，位于該導(dǎo)孔層上； 一第一蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第一蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第一蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，垂直于該基底的該第一表面，其中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第 一部份位于該第三介電層中，該第二蜿蜒狀金屬體的一第二部份位于該第二介電層中，且 該第二蜿蜒狀金屬體的該第一部份和該第二部份藉由該導(dǎo)孔層相耦接； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容。
53. 如權(quán)利要求52的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，以及該基底與該第二介電層間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生 電容與該第二寄生電容串聯(lián)。
54. 如權(quán)利要求47的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第二傳輸裝置另包含： 一基底，包含有一第一表面以及一第二表面，其中，該第二表面稱接于該參考信號； 一阻隔區(qū)，包含有至少一阻隔區(qū)介電層，且每一阻隔區(qū)介電層上設(shè)置有一阻隔區(qū)導(dǎo)孔 層； 一連接區(qū)，包含有至少三個連接區(qū)介電層，且每兩個連接區(qū)介電層間設(shè)置有一連接區(qū) 導(dǎo)孔層； 一第一蜿蜒狀金屬體，包含至少一第一金屬區(qū)段以及多個第二金屬區(qū)段；以及 一第二蜿蜒狀金屬體，包含至少一第三金屬區(qū)段以及多個第四金屬區(qū)段； 其中，該第一蜿蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體彼此相鄰但不接觸，使得該第一蜿 蜒狀金屬體與該第二蜿蜒狀金屬體間形成該第二等效電容，且各第一金屬區(qū)段、各第二金 屬區(qū)段、各第三金屬區(qū)段、以及各第四金屬區(qū)段皆垂直于該基底的該第一表面； 其中，各第一金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第一金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第一金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第二金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第二金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接； 其中，各第三金屬區(qū)段的至少一部份位于該阻隔區(qū)的至少一阻隔區(qū)介電層，各第三金 屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第三金屬區(qū)段中的不同部份藉由 至少一阻隔區(qū)導(dǎo)孔層和多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接；以及 其中，各第四金屬區(qū)段中的多個部份分別位于該多個連接區(qū)介電層，且各第四金屬區(qū) 段中的不同部份藉由多個連接區(qū)導(dǎo)孔層相耦接。
55. 如權(quán)利要求54的控制信號產(chǎn)生電路，其特征在于，該第一表面與該第二表面間形 成一第一寄生電容，該基底與該連接區(qū)之間形成一第二寄生電容，其中，該第一寄生電容與 該第二寄生電容串聯(lián)。
【文檔編號】H02M1/32GK104143903SQ201310162604
【公開日】2014年11月12日 申請日期:2013年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月6日
【發(fā)明者】曾培凱, 唐健夫, 陳曜洲, 吳雅慈, 蘇宏德 申請人:立锜科技股份有限公司