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      一種大電流電源防反接保護(hù)電路的制作方法

      文檔序號(hào):7353884閱讀:3541來源:國知局
      一種大電流電源防反接保護(hù)電路的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明公開了一種大電流電源防反接保護(hù)電路,包括相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管和CMOS管,所述CMOS管的柵極電壓由一分壓電路保護(hù)。本發(fā)明保護(hù)電路盡量少的自身功率消耗;保護(hù)電路能夠通過大電流;能夠抵抗高強(qiáng)度的浪涌干擾。
      【專利說明】一種大電流電源防反接保護(hù)電路
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及反接保護(hù)電路,特別涉及一種大電流電源防反接保護(hù)電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]目前,大部分的電源反接保護(hù)采用普通的二極管實(shí)現(xiàn),當(dāng)系統(tǒng)電流較大時(shí),二極管因發(fā)熱較嚴(yán)重,將常有二極管燒毀的現(xiàn)象,導(dǎo)致設(shè)備故障。圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)的電源反接保護(hù)電路的電路示意圖,其主要是將二極管Dl串接在電源與負(fù)載之間,存在的問題主要有:1) 二極管本身發(fā)熱;2)不能經(jīng)過較大電流;3) 二極管的功率要求比較大;4)浪涌干擾等級(jí)較低;5)占用PCB空間較大。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]有鑒于此,本發(fā)明提出一大電流電源防反接保護(hù)電路,以保護(hù)電路盡量少消耗自身功率,保護(hù)電路能夠通過大電流,并且能夠抵抗高強(qiáng)度的浪涌干擾。
      [0004]為達(dá)到上述目的,本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
      [0005]一種大電流電源防反接保護(hù)電路,其中,包括相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管和CMOS管,所述CMOS管的柵極電壓由一分壓電路保護(hù)。
      [0006]上述大電流電源防反接保護(hù)電路,其中,所述CMOS管為PMOS管,所述PMOS管的漏極接電源正極。
      [0007]上述大電流電源防反接保護(hù)電路,其中,所述穩(wěn)壓二極管為TVS。
      [0008]相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù),本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì):
      [0009]I)保護(hù)電路盡量少的自身功率消耗,減少系統(tǒng)發(fā)熱,提高可靠性;
      [0010]2)保護(hù)電路能夠通過大電流,實(shí)現(xiàn)大電流輸入;
      [0011]3)能夠抵抗高強(qiáng)度的浪涌干擾,實(shí)現(xiàn)四級(jí)浪涌干擾保護(hù)。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0012]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
      [0013]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中電源防反接保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0014]圖2為本發(fā)明大電流電源防反接保護(hù)電路的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0015]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
      [0016]需要說明的是,在不沖突的情況下,本發(fā)明中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
      [0017]本發(fā)明的基本思想在于:設(shè)計(jì)一種大電流電源防反接保護(hù)電路。
      [0018]下面結(jié)合附圖,對(duì)本發(fā)明的各優(yōu)選實(shí)施例作進(jìn)一步說明:
      [0019]參照?qǐng)D2,本發(fā)明實(shí)施例大電流電源防反接保護(hù)電路包括相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管和CMOS管,CMOS管的柵極電壓由一分壓電路R1、R2實(shí)現(xiàn)保護(hù)。CMOS管選用低導(dǎo)通內(nèi)阻、大功率PMOS管,PMOS管的漏極接電源正極。穩(wěn)壓二極管為TVS,并聯(lián)TVS管以增加電源防浪涌等級(jí),TVS (Transient Voltage Suppressor,瞬態(tài)電壓抑制器),是一種二極管形式的高效能保護(hù)器件,當(dāng)TVS 二極管的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10-12秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高阻抗變?yōu)榈妥杩?,吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率,使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值,有效地保護(hù)電子線路中的精密元器件,免受各種浪涌脈沖的損壞。
      [0020]參看圖2,當(dāng)電源極性接反時(shí),Ql和Zl均不導(dǎo)通,電路不能形成回路,系統(tǒng)不工作,反接保護(hù)功能實(shí)現(xiàn)。
      [0021]當(dāng)電源正常接入時(shí),二極管Zl先導(dǎo)通,然后通過Rl和R2分壓使Vgs電壓達(dá)到導(dǎo)通電壓,隨后Ql導(dǎo)通。Ql導(dǎo)通后,因?qū)▋?nèi)阻很低(小于0.01 Ω)Ζ1被短路,電路進(jìn)入正常工作模式,因?yàn)镼l為大功率器件,可以持續(xù)工作電流為90Α。
      [0022]Zl還有一個(gè)主要的作用,當(dāng)正浪涌2KV通過時(shí),系統(tǒng)直接通過,當(dāng)浪涌-2KV出現(xiàn)時(shí),Zl嵌位放電,保護(hù)Ql不被擊穿。Zl自身帶有的寄生二極管,當(dāng)源極和漏極之間的電壓太大時(shí),它被反向擊穿,起到鉗位保護(hù)作用。
      [0023]本發(fā)明具有以下優(yōu)勢(shì):
      [0024]I)保護(hù)電路盡量少的自身功率消耗,減少系統(tǒng)發(fā)熱,提高可靠性;
      [0025]2)保護(hù)電路能夠通過大電流,實(shí)現(xiàn)大電流輸入;
      [0026]3)能夠抵抗高強(qiáng)度的浪涌干擾,實(shí)現(xiàn)四級(jí)浪涌干擾保護(hù)。
      [0027]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種大電流電源防反接保護(hù)電路,其特征在于,包括相互并聯(lián)的穩(wěn)壓二極管和CMOS管,所述CMOS管的柵極電壓由一分壓電路保護(hù)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述大電流電源防反接保護(hù)電路,其特征在于,所述CMOS管為PMOS管,所述PMOS管的漏極接電源正極。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述大電流電源防反接保護(hù)電路,其特征在于,所述穩(wěn)壓二極管為TVS。
      【文檔編號(hào)】H02H11/00GK103441486SQ201310354973
      【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
      【發(fā)明者】鄧武倉, 張軍軍, 楊國勛 申請(qǐng)人:上海華興數(shù)字科技有限公司
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