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      一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及其短路過流保護(hù)電路的制作方法

      文檔序號(hào):7356155閱讀:303來源:國(guó)知局
      一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及其短路過流保護(hù)電路的制作方法
      【專利摘要】本發(fā)明屬于短路過流保護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】,提供了一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及其短路過流保護(hù)電路。本發(fā)明通過采用包括開關(guān)模塊、微處理器、短路保護(hù)模塊及電流檢測(cè)模塊的短路過流保護(hù)電路,當(dāng)被測(cè)單元出現(xiàn)短路時(shí),短路保護(hù)模塊根據(jù)電流檢測(cè)模塊的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將開關(guān)模塊的輸出電流引至直流電源的接地端,當(dāng)被測(cè)單元的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),電流檢測(cè)模塊根據(jù)被測(cè)單元的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)驅(qū)動(dòng)微處理器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制開關(guān)模塊快速切斷電流通路,從而在測(cè)試過程中對(duì)被測(cè)單元和測(cè)試電路實(shí)現(xiàn)了快速的短路過流保護(hù),保證被測(cè)單元和測(cè)試電路不受損壞并進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率。
      【專利說明】一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及其短路過流保護(hù)電路
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明屬于短路過流保護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備及其短路過流保護(hù)電路。
      【背景技術(shù)】
      [0002]在對(duì)IC芯片或電源系統(tǒng)進(jìn)行批量生產(chǎn)過程中,需要采用測(cè)試設(shè)備對(duì)IC芯片或電源系統(tǒng)等被測(cè)單元進(jìn)行測(cè)試以確定是否達(dá)到各項(xiàng)指標(biāo),現(xiàn)有的測(cè)試設(shè)備經(jīng)常缺少短路過流保護(hù)功能或者僅具備單一的硬件保護(hù)功能或軟件保護(hù)功能,當(dāng)遇到被測(cè)單元出現(xiàn)短路或過流時(shí)會(huì)出現(xiàn)因響應(yīng)速度慢而無法快速對(duì)測(cè)試電路和被測(cè)單元實(shí)施短路過流保護(hù),從而使測(cè)試電路和被測(cè)單元受到損壞,并降低了生產(chǎn)效率。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明的目的在于提供一種短路過流保護(hù)電路,旨在解決現(xiàn)有技術(shù)在被測(cè)單元出現(xiàn)短路或過流時(shí)因響應(yīng)速度慢而無法對(duì)測(cè)試電路和被測(cè)單元實(shí)施快速短路過流保護(hù),從而使測(cè)試電路和被測(cè)單元受到損壞并降低生產(chǎn)效率的問題。
      [0004]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的,一種短路過流保護(hù)電路,與直流電源、被測(cè)單元及測(cè)試電路連接,所述被測(cè)單元的輸入端和回路端與測(cè)試電路連接以進(jìn)行測(cè)試;
      [0005]所述短路過流保護(hù)電路包括:
      [0006]開關(guān)模塊、微處理器、短路保護(hù)模塊及電流檢測(cè)模塊;
      [0007]所述開關(guān)模塊的輸入端連接所述直流電源的輸出端,所述短路保護(hù)模塊的輸入端與所述電流檢測(cè)模塊的輸入端共接于所述開關(guān)模塊的輸出端,所述電流檢測(cè)模塊的輸出端和回路輸入端分別連接所述被測(cè)單元的輸入端和回路端,所述短路保護(hù)模塊的電壓采樣端連接所述電流檢測(cè)模塊的回路輸出端,所述短路保護(hù)模塊的回路端連接所述直流電源的接地端,所述微處理器連接所述電流檢測(cè)模塊的第一過流反饋端和第二過流反饋端,所述微處理器還與所述測(cè)試電路及所述開關(guān)模塊的控制端連接;
      [0008]在所述測(cè)試電路開始對(duì)所述被測(cè)單元進(jìn)行測(cè)試時(shí),由所述微處理器根據(jù)所述測(cè)試電路的工作狀態(tài)發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)控制所述開關(guān)模塊保持導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)所述被測(cè)單元出現(xiàn)短路時(shí),所述短路保護(hù)模塊根據(jù)所述電流檢測(cè)模塊的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將所述開關(guān)模塊的輸出端的輸出電流引至所述直流電源的接地端;當(dāng)所述被測(cè)單元的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),所述電流檢測(cè)模塊根據(jù)所述被測(cè)單元的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)至所述微處理器,再由所述微處理器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制所述開關(guān)模塊切斷電流通路。
      [0009]本發(fā)明的另一目的還在于提供一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備,所述量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備包括測(cè)試電路和上述的短路過流保護(hù)電路。
      [0010]本發(fā)明通過采用包括開關(guān)模塊、微處理器、短路保護(hù)模塊及電流檢測(cè)模塊的短路過流保護(hù)電路,當(dāng)被測(cè)單元出現(xiàn)短路時(shí),短路保護(hù)模塊根據(jù)電流檢測(cè)模塊的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將開關(guān)模塊的輸出電流引至直流電源的接地端,當(dāng)被測(cè)單元的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),電流檢測(cè)模塊根據(jù)被測(cè)單元的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)驅(qū)動(dòng)微處理器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制開關(guān)模塊快速切斷電流通路,從而在測(cè)試過程中對(duì)被測(cè)單元和測(cè)試電路實(shí)現(xiàn)了快速的短路過流保護(hù),保證被測(cè)單元和測(cè)試電路不受損壞并進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0011]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的短路過流保護(hù)電路的模塊結(jié)構(gòu)圖;
      [0012]圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的短路過流保護(hù)電路的示例電路結(jié)構(gòu)圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0013]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
      [0014]本發(fā)明通過采用包括開關(guān)模塊、微處理器、短路保護(hù)模塊及電流檢測(cè)模塊的短路過流保護(hù)電路,在測(cè)試過程中對(duì)測(cè)試電路和被測(cè)單元實(shí)現(xiàn)了快速的短路過流保護(hù),保證測(cè)試電路和被測(cè)單元不受損壞并進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率。
      [0015]圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的短路過流保護(hù)電路的模塊結(jié)構(gòu),為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分,詳述如下:
      [0016]短路過流保護(hù)電路100與直流電源200、被測(cè)單元300及測(cè)試電路400連接,被測(cè)單元300的輸入端和回路端與測(cè)試電路400連接以進(jìn)行測(cè)試。
      [0017]短路過流保護(hù)電路100包括開關(guān)模塊101、微處理器102、短路保護(hù)模塊103及電流檢測(cè)模塊104。
      [0018]開關(guān)模塊101的輸入端連接直流電源200的輸出端,短路保護(hù)模塊103的輸入端與電流檢測(cè)模塊104的輸入端共接于開關(guān)模塊101的輸出端,電流檢測(cè)模塊104的輸出端和回路輸入端分別連接被測(cè)單元300的輸入端和回路端,短路保護(hù)模塊103的電壓采樣端連接電流檢測(cè)模塊104的回路輸出端,短路保護(hù)模塊103的回路端連接直流電源200的接地端,微處理器102連接電流檢測(cè)模塊104的第一過流反饋端和第二過流反饋端,微處理器102還與測(cè)試電路400以及開關(guān)模塊101的控制端連接。
      [0019]在測(cè)試電路400開始對(duì)被測(cè)單元300進(jìn)行測(cè)試時(shí),由微處理器102根據(jù)測(cè)試電路400的工作狀態(tài)發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)控制開關(guān)模塊101保持導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)被測(cè)單元300出現(xiàn)短路時(shí),短路保護(hù)模塊103根據(jù)電流檢測(cè)模塊104的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將開關(guān)模塊101的輸出端的輸出電流引至直流電源200的接地端,當(dāng)被測(cè)單元300的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),電流檢測(cè)模塊104根據(jù)被測(cè)單元300的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)至微處理器102,再由微處理器102發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制開關(guān)模塊101切斷電流通路。
      [0020]因此,在上述的短路過流保護(hù)電路100中,短路保護(hù)模塊103可以在被測(cè)單元300出現(xiàn)短路時(shí)根據(jù)電流檢測(cè)模塊104的回路輸出端的電壓將開關(guān)模塊101的輸出電流強(qiáng)行拉至直流電源200的接地端(直流電源200的接地端接地)以實(shí)現(xiàn)短路異常保護(hù);另外,由開關(guān)模塊101、微處理器102及電流檢測(cè)模塊104組成的過流保護(hù)電路也可以在被測(cè)單元300的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),根據(jù)被測(cè)單元300的輸入端和/或回路端的電流,通過微處理器102(其內(nèi)部嵌入有軟件程序)發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制開關(guān)模塊101切斷其內(nèi)部的電流通路以實(shí)現(xiàn)過流保護(hù),從而能夠在測(cè)試過程中對(duì)被測(cè)單元300和測(cè)試電路400實(shí)現(xiàn)軟硬件相結(jié)合的短路過流保護(hù),且響應(yīng)速度快,有利于快速實(shí)現(xiàn)短路過流保護(hù)動(dòng)作,從而保證被測(cè)單元300和測(cè)試電路400和不受損壞。
      [0021]圖2示出了本發(fā)明實(shí)施例提供的短路過流保護(hù)電路的示例電路結(jié)構(gòu),為了便于說明,僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分,詳述如下:
      [0022]作為本發(fā)明一實(shí)施例,開關(guān)模塊101包括第一二極管Dl和繼電器K1,第一二極管Dl的陽極與繼電器Kl的第一控制觸點(diǎn)的共接點(diǎn)為開關(guān)模塊101的控制端,第一二極管Dl的陰極與繼電器Kl的第二控制觸點(diǎn)共接并接入+5V電壓,繼電器Kl的開關(guān)觸點(diǎn)和常開觸點(diǎn)分別為開關(guān)模塊101的輸入端和輸出端,或者繼電器Kl的常開觸點(diǎn)和開關(guān)觸點(diǎn)分別為開關(guān)模塊101的輸入端和輸出端(圖2中未不出)。
      [0023]作為本發(fā)明一實(shí)施例,微處理器102為單片機(jī)、ARM處理器或者其他具備數(shù)據(jù)邏輯處理能力的可編程控制器件。
      [0024]作為本發(fā)明一實(shí)施例,短路保護(hù)模塊103包括:
      [0025]第一電阻R1、第二電阻R2、第二二極管D2、第三電阻R3、第一開關(guān)管1031、第四電阻R4、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極管ZD2、第五電阻R5以及第二開關(guān)管1032 ;
      [0026]第一電阻Rl的第一端為短路保護(hù)模塊103的輸入端,第一電阻Rl的第二端與第二電阻R2的第一端及第二二極管D2的陰極共接于第一開關(guān)管1031的輸入端,第一開關(guān)管1031的輸出端為短路保護(hù)模塊103的回路端,第一開關(guān)管1031的控制端與第四電阻R4的第一端、第一穩(wěn)壓二極管ZDl的陰極共接于第三電阻R3的第一端,第二電阻R2的第二端與第二二極管D2的陽極、第二穩(wěn)壓二極管ZD2的陰極以及第五電阻R5的第一端共接于第二開關(guān)管1032的控制端,第三電阻R3的第二端為短路保護(hù)模塊103的電壓采樣端,第二開關(guān)管1032的輸入端連接第三電阻R3的第二端,第四電阻R4的第二端、第一穩(wěn)壓二極管ZDl的陽極、第二穩(wěn)壓二極管ZD2的陽極、第五電阻R5的第二端以及第二開關(guān)管1032的輸出端共接于第一開關(guān)管1031的輸出端。
      [0027]其中,第一電阻Rl與第三電阻R3優(yōu)選為相等的阻值,則第一電阻Rl與第二電阻R2的阻值之和大于第三電阻R3的阻值;第一開關(guān)管1031和第二開關(guān)管1032可以是三極管、MOS管或者其他具備開關(guān)特性的半導(dǎo)體器件,且第一開關(guān)管1031和第二開關(guān)管1032為同一類型的開關(guān)管,如圖2所示,當(dāng)?shù)谝婚_關(guān)管1031和第二開關(guān)管1032分別為第一 NMOS管Ql和第二 NMOS管Q2時(shí),第一 NMOS管Ql的漏極、源極和柵極分別為第一開關(guān)管1031的輸入端、輸出端和控制端,第二 NMOS管Q2的漏極、源極和柵極分別為第二開關(guān)管1032的輸入端、輸出端和控制端。
      [0028]另外,第一穩(wěn)壓二極管ZDl和第二穩(wěn)壓二極管ZD2分別為第一開關(guān)管1031和第二開關(guān)管1032提供穩(wěn)壓保護(hù)功能,第四電阻R4和第五電阻R5分別是為第一穩(wěn)壓二極管ZDl和第二穩(wěn)壓二極管ZD2提供過流保護(hù)的分流電阻。
      [0029]作為本發(fā)明一實(shí)施例,電流檢測(cè)模塊104包括:
      [0030]第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第一電容Cl、第一光稱Ul、第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第二電容C2以及第二光耦U2 ;
      [0031]第六電阻R6的第一端、第八電阻R8的第一端及第一電容Cl的第一端所形成的共接點(diǎn)為電流檢測(cè)模塊104的輸入端,第八電阻R8的第二端和第一電容Cl的第二端共接于第一光耦Ul的發(fā)光二極管的陽極,第六電阻R6的第二端和第一光耦Ul的發(fā)光二極管的陰極共接于第七電阻R7的第一端,第七電阻R7的第二端為電流檢測(cè)模塊104的輸出端,第一光耦Ul的光敏三極管的漏極與第九電阻R9的第一端的共接點(diǎn)為電流檢測(cè)模塊104的第一過流反饋端,第九電阻R9的第二端接入+5V電壓,第一光耦Ul的光敏三極管的源極接信號(hào)地(信號(hào)地是指與微處理器102的低電平信號(hào)相同的低電位),第十一電阻Rll的第一端為電流檢測(cè)模塊104的回路輸入端,第十電阻RlO的第一端與第十一電阻Rll的第二端共接于第二光耦U2的發(fā)光二極管的陽極,第十電阻RlO的第二端、第十二電阻R12的第一端及第二電容C2的第一端所形成的共接點(diǎn)為電流檢測(cè)模塊104的回路輸出端,第十二電阻R12的第二端和第二電容C2的第二端共接于第二光耦U2的發(fā)光二極管的陰極,第二光耦U2的光敏三極管的漏極與第十三電阻R13的第一端的共接點(diǎn)為電流檢測(cè)模塊104的第二過流反饋端,第十三電阻R13的第二端接入+5V電壓,第二光耦U2的光敏三極管的源極接信號(hào)地。
      [0032]以下結(jié)合工作原理對(duì)上述的短路過流保護(hù)電路100作進(jìn)一步說明:
      [0033]對(duì)于短路保護(hù)模塊103,在正常情況下,當(dāng)電路上電時(shí),繼電器Kl在微處理器102的控制下閉合導(dǎo)通,由于被測(cè)單元300處于啟動(dòng)階段(等效于開路狀態(tài)),此時(shí)在直流電源200的輸出電壓的作用下,通過第一電阻Rl和第二電阻R2后對(duì)第二 NMOS管Q2的柵源極寄生電容進(jìn)行充電,使第二 NMOS管Q2的柵極電壓快速上升至其導(dǎo)通電壓,則第二 NMOS管Q2導(dǎo)通,且其漏極電壓被拉低,并通過第三電阻R3控制第一 NMOS管Ql保持關(guān)斷狀態(tài)。所以,此時(shí)測(cè)試電路400正常工作直至測(cè)試工作完成,然后由微處理器102發(fā)出關(guān)斷信號(hào)斷開繼電器K1,并等待進(jìn)行下一次測(cè)試。在被測(cè)單元300出現(xiàn)短路異常狀況時(shí),當(dāng)電路上電時(shí),繼電器Kl在微處理器102的 控制下閉合導(dǎo)通,由于被測(cè)單元300處于短路狀態(tài),由于短路時(shí),被測(cè)單元300的輸入端和回路端幾乎短接,則電流采樣模塊104的回路輸出端輸出的電壓會(huì)快速升高,由于第一電阻Rl與第二電阻R2的阻值之和大于第三電阻R3的阻值,第三電阻R3采樣的電壓升高,先使第一 NMOS管Ql的柵極電壓升高,從而使第一 NMOS管Ql導(dǎo)通(主電流回路變?yōu)閺牡谝浑娮鑂l通過第一 NMOS管Ql回流至直流電源200的接地端),則第一 NMOS管Ql的漏極電壓被強(qiáng)制拉低至地(與直流電源200的接地端連接),進(jìn)而通過第二二極管D2將第二 NMOS管Q2的柵極快速拉低以關(guān)閉測(cè)試回路中第二 NMOS管Q2處的電流通路,從而起到快速保護(hù)測(cè)試電路的目的。
      [0034]對(duì)于由開關(guān)模塊101、微處理器102及電流檢測(cè)模塊104構(gòu)成的過流保護(hù)電路,將第七電阻R7和第十一電阻Rll作為功率電阻串接到測(cè)試回路中進(jìn)行電流采樣,當(dāng)流經(jīng)第六電阻R6和/或第十電阻RlO的電流大于設(shè)定電流時(shí),第一光稱Ul的發(fā)光二極管和/或第二光稱U2的發(fā)光二極管會(huì)導(dǎo)通,則第一光稱Ul的光敏三極管和/或第二光稱U2的光敏三極管也會(huì)隨之導(dǎo)通,相應(yīng)地,第一光耦Ul的光敏三極管的漏極電壓和/或第二光耦U2的光敏三極管的漏極電壓會(huì)被拉低,所以電流檢測(cè)模塊104的第一過流反饋端和/或第二過流反饋端會(huì)從高電平變?yōu)榈碗娖?即第一過流反饋端的低電平為前述的輸入端異常信號(hào),第二過流反饋端的低電平為前述的回路端異常信號(hào)),微處理器102對(duì)電流檢測(cè)模塊104的第一過流反饋端和第二過流反饋端進(jìn)行實(shí)時(shí)采樣,當(dāng)所采樣到的信號(hào)為低電平時(shí),則判定被測(cè)單元的測(cè)試回路出現(xiàn)過流異常,此時(shí)微處理器102發(fā)出5V電平信號(hào)(即為關(guān)斷信號(hào))控制繼電器Kl關(guān)斷以切斷電流通路,從而達(dá)到保護(hù)被測(cè)單元300和測(cè)試電路400的目的。
      [0035]本發(fā)明實(shí)施例的另一目的還在于提供一種包括上述短路過流保護(hù)電路100的量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備,其包括上述的測(cè)試電路。
      [0036]本發(fā)明實(shí)施例通過采用包括開關(guān)模塊101、微處理器102、短路保護(hù)模塊103及電流檢測(cè)模塊104的短路過流保護(hù)電路100,當(dāng)被測(cè)單元300出現(xiàn)短路時(shí),短路保護(hù)模塊103根據(jù)電流檢測(cè)模塊104的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將開關(guān)模塊101的輸出電流引至直流電源200的接地端,當(dāng)被測(cè)單元300的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),電流檢測(cè)模塊104根據(jù)被測(cè)單元300的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)驅(qū)動(dòng)微處理器102發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制開關(guān)模塊101快速切斷電流通路,從而在測(cè)試過程中對(duì)被測(cè)單元300和測(cè)試電路400實(shí)現(xiàn)了快速的短路過流保護(hù),保證被測(cè)單元300和測(cè)試電路400不受損壞并進(jìn)一步提升了生產(chǎn)效率。
      [0037]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      【權(quán)利要求】
      1.一種短路過流保護(hù)電路,與直流電源、被測(cè)單元及測(cè)試電路連接,所述被測(cè)單元的輸入端和回路端與測(cè)試電路連接以進(jìn)行測(cè)試;其特征在于,所述短路過流保護(hù)電路包括: 開關(guān)模塊、微處理器、短路保護(hù)模塊及電流檢測(cè)模塊; 所述開關(guān)模塊的輸入端連接所述直流電源的輸出端,所述短路保護(hù)模塊的輸入端與所述電流檢測(cè)模塊的輸入端共接于所述開關(guān)模塊的輸出端,所述電流檢測(cè)模塊的輸出端和回路輸入端分別連接所述被測(cè)單元的輸入端和回路端,所述短路保護(hù)模塊的電壓采樣端連接所述電流檢測(cè)模塊的回路輸出端,所述短路保護(hù)模塊的回路端連接所述直流電源的接地端,所述微處理器連接所述電流檢測(cè)模塊的第一過流反饋端和第二過流反饋端,所述微處理器還與所述測(cè)試電路及所述開關(guān)模塊的控制端連接; 在所述測(cè)試電路開始對(duì)所述被測(cè)單元進(jìn)行測(cè)試時(shí),由所述微處理器根據(jù)所述測(cè)試電路的工作狀態(tài)發(fā)出導(dǎo)通信號(hào)控制所述開關(guān)模塊保持導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)所述被測(cè)單元出現(xiàn)短路時(shí),所述短路保護(hù)模塊根據(jù)所述電流檢測(cè)模塊的回路輸出端的電壓相應(yīng)地將所述開關(guān)模塊的輸出端的輸出電流引至所述直流電源的接地端;當(dāng)所述被測(cè)單元的測(cè)試回路出現(xiàn)過流時(shí),所述電流檢測(cè)模塊根據(jù)所述被測(cè)單元的輸入端和/或回路端的電流相應(yīng)地輸出輸入端異常信號(hào)和/或回路端異常信號(hào)至所述微處理器,再由所述微處理器發(fā)出關(guān)斷信號(hào)控制所述開關(guān)模塊切斷電流通路。
      2.如權(quán)利要求1所述的短路過流保護(hù)電路,其特征在于,所述開關(guān)模塊包括第一二極管Dl和繼電器,所述第一二極管Dl的陽極與所述繼電器Kl的第一控制觸點(diǎn)的共接點(diǎn)為所述開關(guān)模塊的控制端,所述第一二極管Dl的陰極與所述繼電器的第二控制觸點(diǎn)共接并接入+5V電壓,所述繼電器的開關(guān)觸點(diǎn)和常開觸點(diǎn)分別為所述開關(guān)模塊的輸入端和輸出端,或者所述繼電器的常開觸點(diǎn)和開關(guān)觸點(diǎn)分別為所述開關(guān)模塊的輸入端和輸出端。
      3.如權(quán)利要求1所述的短路過流保護(hù)電路,其特征在于,所述短路保護(hù)模塊包括: 第一電阻R1、第二電阻R2、第二二極管D2、第三電阻R3、第一開關(guān)管、第四電阻R4、第一穩(wěn)壓二極管ZD1、第二穩(wěn)壓二極 管ZD2、第五電阻R5以及第二開關(guān)管; 所述第一電阻Rl的第一端為所述短路保護(hù)模塊的輸入端,所述第一電阻Rl的第二端與所述第二電阻R2的第一端及所述第二二極管D2的陰極共接于所述第一開關(guān)管的輸入端,所述第一開關(guān)管的輸出端為所述短路保護(hù)模塊的回路端,所述第一開關(guān)管的控制端與所述第四電阻R4的第一端、所述第一穩(wěn)壓二極管ZDl的陰極共接于所述第三電阻R3的第一端,所述第二電阻R2的第二端與所述第二二極管D2的陽極、所述第二穩(wěn)壓二極管ZD2的陰極以及所述第五電阻R5的第一端共接于所述第二開關(guān)管的控制端,所述第三電阻R3的第二端為所述短路保護(hù)模塊的電壓采樣端,所述第二開關(guān)管的輸入端連接所述第三電阻R3的第二端,所述第四電阻R4的第二端、所述第一穩(wěn)壓二極管ZDl的陽極、所述第二穩(wěn)壓二極管ZD2的陽極、所述第五電阻R5的第二端以及所述第二開關(guān)管的輸出端共接于所述第一開關(guān)管的輸出端。
      4.如權(quán)利要求3所述的短路過流保護(hù)電路,其特征在于,所述第一開關(guān)管和第二開關(guān)管分別為第一 NMOS管和第二 NMOS管,所述第一 NMOS管的漏極、源極和柵極分別為所述第一開關(guān)管的輸入端、輸出端和控制端,所述第二 NMOS管的漏極、源極和柵極分別為所述第二開關(guān)管的輸入端、輸出端和控制端。
      5.如權(quán)利要求1所述的短路過流保護(hù)電路,其特征在于,所述電流檢測(cè)模塊包括:第六電阻R6、第七電阻R7、第八電阻R8、第九電阻R9、第一電容Cl、第一光稱、第十電阻R10、第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十三電阻R13、第二電容C2以及第二光耦; 所述第六電阻R6的第一端、所述第八電阻R8的第一端及所述第一電容Cl的第一端所形成的共接點(diǎn)為所述電流檢測(cè)模塊的輸入端,所述第八電阻R8的第二端和所述第一電容Cl的第二端共接于所述第一光耦的發(fā)光二極管的陽極,所述第六電阻R6的第二端和所述第一光耦的發(fā)光二極管的陰極共接于所述第七電阻R7的第一端,所述第七電阻R7的第二端為所述電流檢測(cè)模塊的輸出端,所述第一光耦的光敏三極管的漏極與所述第九電阻R9的第一端的共接點(diǎn)為所述電流檢測(cè)模塊的第一過流反饋端,所述第九電阻R9的第二端接A+5V電壓,所述第一光耦的光敏三極管的源極接信號(hào)地,所述第十一電阻Rll的第一端為所述電流檢測(cè)模塊的回路輸入端,所述第十電阻RlO的第一端與所述第十一電阻Rll的第二端共接于所述第二光耦的發(fā)光二極管的陽極,所述第十電阻RlO的第二端、所述第十二電阻R12的第一端及所述第二電容C2的第一端所形成的共接點(diǎn)為所述電流檢測(cè)模塊的回路輸出端,所述第十二電阻R12的第二端和所述第二電容C2的第二端共接于所述第二光耦的發(fā)光二極管的陰極,所述第二光耦的光敏三極管的漏極與所述第十三電阻R13的第一端的共接點(diǎn)為所述電流檢測(cè)模塊的第二過流反饋端,所述第十三電阻R13的第二端接入+5V電壓,所述第二光耦的光敏三極管的源極接信號(hào)地。
      6.一種量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備,包括測(cè)試電路,其特征在于,所述量產(chǎn)測(cè)試設(shè)備還包括如權(quán)利要求I至5任一項(xiàng)所述的短路過流保`護(hù)電路。
      【文檔編號(hào)】H02H3/08GK103490374SQ201310443351
      【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
      【發(fā)明者】粟繁忠, 鐘永輝, 宋湘南, 古力, 何焦, 肖海蓮, 鄒勇 申請(qǐng)人:山東貞明光電科技有限公司
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