一種電力機(jī)車用變流器的igbt驅(qū)動電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，該IGBT驅(qū)動電路能夠通過電源電壓隔離、控制信號隔離和狀態(tài)反饋信號隔離實現(xiàn)高壓側(cè)與低壓側(cè)的完全隔離，并采用IGBT過壓過流保護(hù)電路、正電壓保護(hù)電路、負(fù)電壓保護(hù)電路和門極保護(hù)電路實施進(jìn)一步的線路保護(hù)，從而不僅能夠保障IGBT變流器安全可靠地運行，而且能夠良好適應(yīng)電力機(jī)車上的復(fù)雜環(huán)境。同時，該IGBT驅(qū)動電路能夠?qū)Ψ€(wěn)壓二極管、雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管和四雪崩二極管進(jìn)行靈活選型，從而靈活適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對線路保護(hù)能力的需求；還能夠?qū)Φ诙m配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4和第一適配板電容CA1進(jìn)行靈活選型，從而靈活適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對IGBT驅(qū)動能力的需求。
【專利說明】—種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電力機(jī)車領(lǐng)域，尤其涉及一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，我國所生產(chǎn)的HXD1、HXD2、HXD1B、HXD2B等型號的重載交流傳動電力機(jī)車都是采用基于IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)的變流器(本申請文件中稱為IGBT變流器)。IGBT驅(qū)動電路是配合IGBT應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)，它的性能直接決定了 IGBT變流器的整體性能，因此在應(yīng)用IGBT變流器的電力機(jī)車上，IGBT驅(qū)動電路的性能直接關(guān)系到整個電力機(jī)車的安全性和可靠性。
[0003]在電壓為3300V甚至更高的電力機(jī)車上，由于電壓過高，因此需要使用大功率IGBT來構(gòu)建IGBT變流器；為了保證這種IGBT變流器能夠安全可靠地運行，配合大功率IGBT使用的IGBT驅(qū)動電路不僅需要具有良好的驅(qū)動能力，而且需要在電力機(jī)車的復(fù)雜惡劣環(huán)境中保持極強(qiáng)的安全性和可靠性。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，廣泛使用的IGBT驅(qū)動電路是可以通過商業(yè)手段獲得的獨立集成驅(qū)動芯片；這種集成驅(qū)動芯片不僅驅(qū)動能力有限，而且很難實現(xiàn)對線路中的參數(shù)進(jìn)行靈活調(diào)節(jié)，因此這種獨立集成驅(qū)動芯片無法滿足電力機(jī)車在不同應(yīng)用場景下對IGBT驅(qū)動電路的驅(qū)動能力和線路保護(hù)能力進(jìn)行靈活調(diào)節(jié)的需求；另一方面，由于電力機(jī)車上的電磁環(huán)境十分惡劣，而獨立集成驅(qū)動芯片很容易會受到電磁干擾發(fā)生故障，因此現(xiàn)有技術(shù)中的獨立集成驅(qū)動芯片無法在電力機(jī)車的復(fù)雜環(huán)境下保證IGBT變流器能夠安全可靠運行。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明的主要目的是提供一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，不僅能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，而且能夠保障IGBT變流器安全可靠地運行，同時還能夠在電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景靈活調(diào)節(jié)驅(qū)動能力和線路保護(hù)能力，因而有力地保證了電力機(jī)車的安全性和可靠性。
[0006]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)的:
[0007]—種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，連接在電力機(jī)車主控單元與變流器的絕緣柵雙極型晶體管IGBT之間，包括:電源電路、控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路、主控邏輯電路、驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路；
[0008]電源電路包括第一脈沖變壓器Tl和電源整流電路；第一脈沖變壓器Tl的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的24V方波脈沖；第一脈沖變壓器Tl的輸出端與電源整流電路電連接，并通過電源整流電路的第一低壓側(cè)電源輸出端VYl和第二低壓側(cè)電源輸出端VY2輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的電源電壓，同時通過電源整流電路的第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+、第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和第三高壓側(cè)電源輸出端VC2輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的電源電壓，從而實現(xiàn)了電源供電在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；電源整流電路分別與控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路和主控邏輯電路電連接；
[0009]控制信號隔離電路包括控制信號隔離電路低壓側(cè)和控制信號隔離電路高壓側(cè)；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸出端通過光纖與控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸入端電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給控制信號隔離電路高壓側(cè)，從而實現(xiàn)了控制信號在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸出端與主控邏輯電路電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給主控邏輯電路；
[0010]狀態(tài)反饋隔離電路包括狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)和狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸入端與主控邏輯電路電連接，并接收主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸出端通過光纖與狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)的輸入端電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)，從而實現(xiàn)了狀態(tài)反饋信號在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)與電力機(jī)車主控單元電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給電力機(jī)車主控單元；
[0011]保護(hù)電路包括IGBT過壓過流保護(hù)電路、正電壓保護(hù)電路和負(fù)電壓保護(hù)電路；IGBT過壓過流保護(hù)電路分別與IGBT的集電極C和主控邏輯電路電連接，并在IGBT的集電極C出現(xiàn)過壓或短路時，向主控邏輯電路發(fā)送IGBT過壓過流故障信號；正電壓保護(hù)電路分別與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+和主控邏輯電路電連接，并在第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送正電壓故障信號；負(fù)電壓保護(hù)電路分別與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和主控邏輯電路電連接，并在第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送負(fù)電壓故障信號；
[0012]主控邏輯電路與驅(qū)動放大電路電連接，驅(qū)動放大電路通過門極保護(hù)電路與IGBT的門極G電連接；主控邏輯電路輸出的控制信號依次通過驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路后進(jìn)入到IGBT的門極G ；IGBT的發(fā)射極E接地。
[0013]優(yōu)選地，所述的IGBT過壓`過流保護(hù)電路包括:第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32、第二六電阻R26、第三一穩(wěn)壓二極管V31、第二七電阻R27、第三零三極管V30、第二四電阻R24、第二五電阻R25、第三三二極管V33、第二九電阻R29、第三零電阻R30和第一^b 電容 C17 ；
[0014]IGBT的集電極C與第三四雪崩二極管V34的陰極電連接，第三四雪崩二極管V34的陽極與第三二雪崩二極管V32的陰極電連接，第三二雪崩二極管V32的陽極通過第二六電阻R26與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接，第三一穩(wěn)壓二極管V31的陽極通過第二七電阻R27與第三零三極管V30的基極電連接，第三零三極管V30的集電極與主控邏輯電路的IGBT過壓短路保護(hù)輸入端電連接，第三零三極管V30的發(fā)射極接地；
[0015]第二四電阻R24的一端與第三零三極管V30的集電極電連接，其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接；
[0016]第二五電阻R25的一端與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接,其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接；
[0017]第三三二極管V33的陽極接地，第三三二極管V33的陰極與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接；
[0018]第二九電阻R29的一端接地，其另一端與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陽極電連接；
[0019]第三零電阻R30與第一七電容C17相并聯(lián)，從而形成兩個并聯(lián)節(jié)點，其中一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管V30的發(fā)射極電連接，另一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管V30的基極電連接。
[0020]優(yōu)選地，所述的正電壓保護(hù)電路包括:第三八三極管V38、第三九穩(wěn)壓二極管V39、第三六電阻R36、第三三電阻R33和第三七電阻R37 ；
[0021]第三八三極管V38的集電極與主控邏輯電路的正電壓保護(hù)輸入端電連接，第三八三極管V38的發(fā)射極與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，第三八三極管V38的基極與第三九穩(wěn)壓二極管V39的陰極電連接，第三九穩(wěn)壓二極管V39的陽極通過第三六電阻R36接地；
[0022]第三三電阻R33的一端接地，其另一端與第三八三極管V38的集電極電連接；
[0023]第三七電阻R37的一端與第三八三極管V38的發(fā)射極電連接，另一端與第三八三極管V38的基極電連接。
[0024]優(yōu)選地，所述的負(fù)電壓保護(hù)電路包括:第三五三極管V35、第三六穩(wěn)壓二極管V36、第三四電阻R34、第三二電阻R32、第三一電阻R31、第三七二極管V37和第三五電阻R35 ；
[0025]第三五三極管V35的發(fā)射極與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第三五三極管V35的基極與第三六穩(wěn)壓二極管V36的陽極電連接，第三六穩(wěn)壓二極管V36的陰極通過第三四電阻R34接地，第三五三極管V35的集電極通過第三二電阻R32與主控邏輯電路的負(fù)電壓保護(hù)輸入端電連接；
[0026]第三一電阻R31的一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，其另一端通過第三二電阻R32與第三五三極管V35的集電極電連接；
[0027]第三七二極管V37的陽極接地，第三七二極管V37的陰極通過第三二電阻R32與第三五三極管V35的集電極電連接；
[0028]第三五電阻R35的一端與第三五三極管V35的基極電連接，其另一端與第三五三極管V35的發(fā)射極電連接。
[0029]優(yōu)選地，所述的驅(qū)動放大電路包括:第三MOS管驅(qū)動芯片U3、第一八電容C18、第四零二極管V40、第三八電阻R38、第四一電阻R41、第四一 PMOS管V41、第四MOS管驅(qū)動芯片U4、第一九電容C19、第四零電阻R40、第四二穩(wěn)壓二極管V42、第四三二極管V43、第四二電阻R42、第四三電阻R43、第四四NMOS管V44、第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4、第一適配板電阻RAl和第一適配板電容CAl ；
[0030]第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳均接地；第三MOS管驅(qū)動芯片U3的電源電壓輸入引腳與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+和第一八電容C18的一端電連接，第一八電容C18的另一端接地；
[0031]第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸入引腳與主控邏輯電路的控制信號輸出端電連接，第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸出引腳與第四零二極管V40的陽極電連接，第四零二極管V40的陰極通過第三八電阻R38與第四一 PMOS管V41的柵極電連接，第四一PMOS管V41的源極與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，第四一 PMOS管V41的漏極與第二適配板電阻RA2的一端電連接；[0032]第四一電阻R41的一端與第四零二極管V40的陽極電連接，其另一端與第四一PMOS管V41的柵極電連接；
[0033]第四MOS管驅(qū)動芯片U4的電源電壓輸入引腳接地；第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳并聯(lián)后，與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和第一九電容C19的一端電連接，第一九電容C19的另一端接地；
[0034]第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第二信號輸入引腳分別與第四零電阻R40的一端和第四二穩(wěn)壓二極管V42的陽極電連接，第四零電阻R40的另一端與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第四二穩(wěn)壓二極管V42的陰極與第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸出引腳電連接；第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第二信號輸出引腳與第四三二極管V43的陰極電連接，第四三二極管V43的陽極通過第四二電阻R42與第四四NMOS管V44的柵極電連接，第四四NMOS管V44的源極與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第四四NMOS管V44的漏極與第四適配板電阻RA4的一端電連接；
[0035]第四三電阻R43的一端與第四三二極管V43的陰極電連接，其另一端與第四四NMOS管V44的柵極電連接；
[0036]第二適配板電阻RA2的另一端與第四適配板電阻RA4的另一端電連接，并且在與第一適配板電阻RAl的一端和第一適配板電容CAl的一端電連接后,作為驅(qū)動放大電路的IGBT門極驅(qū)動線輸出；
[0037]第一適配板電阻RAl的另一端和第一適配板電容CAl的另一端電連接，并且在接地后，作為驅(qū)動放大電路的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線輸出。
[0038]優(yōu)選地，所述的門極保護(hù)電路包括雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl ;該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl并聯(lián)在驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線和IGBT發(fā)射極驅(qū)動線之間；
[0039]驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl的一端電連接后，與IGBT的門極G電連接；
[0040]驅(qū)動放大電路輸出的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl的另一端電連接后，與IGBT的發(fā)射極E電連接。
[0041]優(yōu)選地，所述的門極保護(hù)電路以及驅(qū)動放大電路的第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4、第一適配板電阻RAl和第一適配板電容CAl均設(shè)置于驅(qū)動適配板上；
[0042]所述的驅(qū)動放大電路包括由第一接線端子X1-1、第二接線端子Π-2和第三接線端子X1-3構(gòu)成的驅(qū)動適配板接口 ；
[0043]第一接線端子Π-1與第四一 PMOS管V41的漏極電連接；第二接線端子Π-2與第四四NMOS管V44的漏極電連接；第三接線端子Π-3接地；
[0044]在驅(qū)動適配板上，對應(yīng)第一接線端子Π-1的接口線與第二適配板電阻RA2的一端電連接，對應(yīng)第二接線端子Π-2的接口線與第四適配板電阻RA4的一端電連接，對應(yīng)第三接線端子Π-3的接口線與第一適配板電阻RAl的接地一端和第一適配板電容CAl的接地
一端電連接。
[0045]由上述本發(fā)明提供的技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例所提供的電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路通過電源電壓隔離、控制信號隔離和狀態(tài)反饋信號隔離實現(xiàn)了該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)的完全隔離，并且設(shè)置了 IGBT過壓過流保護(hù)電路、正電壓保護(hù)電路、負(fù)電壓保護(hù)電路和門極保護(hù)電路，從而使該IGBT驅(qū)動電路能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，并能保障IGBT變流器安全可靠地運行。同時，該IGBT驅(qū)動電路能夠?qū)Φ谌欧€(wěn)壓二極管V39、第三六穩(wěn)壓二極管V36、雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl、第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32和第三一穩(wěn)壓二極管V31進(jìn)行靈活選型，從而使該IGBT驅(qū)動電路能夠適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對線路保護(hù)能力的需求；該IGBT驅(qū)動電路還能夠?qū)Φ诙m配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4和第一適配板電容CAl進(jìn)行靈活選型，從而使該IGBT驅(qū)動電路能夠適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對IGBT驅(qū)動能力的需求。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0046]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他附圖。
[0047]圖1為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0048]圖2為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0049]圖3為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)不意圖二 ；
[0050]圖4為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0051]圖5為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖五；
[0052]圖6為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖六；
[0053]圖7為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖七；
[0054]圖8為本發(fā)明實施例提供的IGBT驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)示意圖八。
【具體實施方式】
[0055]下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0056]首先需要說明的是，本發(fā)明所提供的電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路主要適用于電壓為3300V甚至更高的電力機(jī)車。下面開始對該IGBT驅(qū)動電路進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0057]如圖1至圖8所示，一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，連接在電力機(jī)車主控單元與變流器的IGBT之間，其具體結(jié)構(gòu)可以包括:電源電路、控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路、主控邏輯電路、驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路；
[0058]電力機(jī)車主控單元輸出的控制信號依次經(jīng)過控制信號隔離電路、主控邏輯電路、驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路后，進(jìn)入到IGBT的門極G ；IGBT的發(fā)射極E接地；IGBT的集電極C通過保護(hù)電路與主控邏輯電路電連接；主控邏輯電路的狀態(tài)反饋信號通過狀態(tài)反饋隔離電路反饋給電力機(jī)車主控單元；電源電路電源整流電路分別與控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路和主控邏輯電路電連接。
[0059]具體地，該IGBT驅(qū)動電路的各組成部件的具體實施方案可以包括:
[0060](I)電源電路:如圖2所示，該電源電路可以包括第一脈沖變壓器Tl和電源整流電路；第一脈沖變壓器Tl的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的24V方波脈沖(該方波脈沖的頻率通常為35kHz);第一脈沖變壓器Tl的輸出端與電源整流電路電連接，并通過電源整流電路的第一低壓側(cè)電源輸出端VYl和第二低壓側(cè)電源輸出端VY2輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的電源電壓，同時通過電源整流電路的第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+、第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和第三高壓側(cè)電源輸出端VC2輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的電源電壓，從而實現(xiàn)了電源供電在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；電源整流電路分別與控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路和主控邏輯電路電連接。
[0061]其中，第一脈沖變壓器Tl可以采用一個三繞組脈沖變壓器，能夠?qū)㈦娏C(jī)車主控單兀發(fā)送的24V方波脈沖轉(zhuǎn)換成三路電源輸出；每一路電源輸出對應(yīng)第一脈沖變壓器Tl上的兩個電源輸出引腳，例如:在圖2中，第一脈沖變壓器Tl的第8、9引腳對應(yīng)第一路電源輸出，第一脈沖變壓器Tl的第4、6引腳對應(yīng)第二路電源輸出，第一脈沖變壓器Tl的第3、5引腳對應(yīng)第三路電源輸出。
[0062]電源整流電路可以包括低壓側(cè)電源整流電路、第一高壓側(cè)電源整流電路和第二高壓側(cè)電源整流電路；低壓側(cè)電源整流電路可以與第一脈沖變壓器Tl的第一路電源輸出電連接，并提供第一低壓側(cè)電源輸出端VYl和第二低壓側(cè)電源輸出端VY2來輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的電源電壓；第一高壓側(cè)電源整流電路可以與第一脈沖變壓器Tl的第二路電源輸出電連接，并提供第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+和第三高壓側(cè)電源輸出端VC2來輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的電源電壓；第二高壓側(cè)電源整流電路可以與第一脈沖變壓器Tl的第三路電源輸出電連接，并提供第三高壓側(cè)電源輸出端VC2來輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的電源電壓；這幾個電源輸出端可以輸出如下的電源電壓:
[0063]第一低壓側(cè)電源輸出端VYl輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的+15V電源電壓；
[0064]第二低壓側(cè)電源輸出端VY2輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的+5V電源電壓；
[0065]第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的+15V電源電壓；
[0066]第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的-15V電源電壓；
[0067]第三高壓側(cè)電源輸出端VC2輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的5V電源電壓。
[0068]在實際應(yīng)用中，第三高壓側(cè)電源輸出端VC2主要用于為該IGBT驅(qū)動電路中的半導(dǎo)體器件及邏輯門器件提供電源，由于這屬于本領(lǐng)域的公知常識，因此本申請文件的附圖中省略相關(guān)部分，文字說明中也不再贅述。低壓側(cè)電源整流電路、第一高壓側(cè)電源整流電路和第二高壓側(cè)電源整流電路可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的本領(lǐng)域公知的整流電路，也可以采用如圖2中所示的電路，但最好采用如圖2中所示的電路，以保障電源整流電路具有良好的整流能力、抗干擾能力和安全可靠的運行能力。
[0069]由此可見，電力機(jī)車主控單元發(fā)送的24V方波脈沖通過第一脈沖變壓器Tl和不同的整流電路實現(xiàn)了電源供電在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間有效隔離，因此IGBT(或該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè))產(chǎn)生的大電壓、大電流不會通過供電線路干擾到該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)以及與該IGBT驅(qū)動電路連接的電力機(jī)車主控單元，從而有效避免了對電力機(jī)車主控單元造成損傷，有力地保障了電力機(jī)車主控部分能夠不受IGBT大電流、大電壓的干擾而安全可靠運行。
[0070](2)控制信號隔離電路:如圖3和圖5所示，該控制信號隔離電路可以包括控制信號隔離電路低壓側(cè)和控制信號隔離電路高壓側(cè)；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸出端通過光纖與控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸入端電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給控制信號隔離電路高壓側(cè)，從而實現(xiàn)了控制信號在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸出端與主控邏輯電路電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給主控邏輯電路。
[0071]其中，控制信號隔離電路低壓側(cè)可以包括第一光纖發(fā)射器V4 ;控制信號隔離電路高壓側(cè)可以包括第一光纖接收器V6 ;第一光纖發(fā)射器V4可以通過光纖將控制信號發(fā)送給第一光纖接收器V6，這不僅能夠保障控制信號正常傳輸，而且使IGBT (或該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè))產(chǎn)生的大電壓、大電流不會通過控制信號傳輸線路干擾到該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)以及與該IGBT驅(qū)動電路連接的電力機(jī)車主控單元，從而有效避免了對電力機(jī)車主控單元造成損傷，有力地保障了電力機(jī)車主控部分能夠不受IGBT大電流、大電壓的干擾而安全可靠運行。
[0072]在實際應(yīng)用中，控制信號隔離電路低壓側(cè)和控制信號隔離電路高壓側(cè)可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的本領(lǐng)域公知的光纖發(fā)送接收電路，也可以采用如圖3和圖5中所示的電路，但最好采用如圖3和圖5中所示的電路，以保障該控制信號隔離電路具有良好的信號傳輸能力、抗干擾能力和安全可靠的運行能力。
[0073](3)狀態(tài)反饋隔離電路:如圖4和圖5所示，該狀態(tài)反饋隔離電路可以包括狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)和狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸入端與主控邏輯電路電連接，并接收主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸出端通過光纖與狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)的輸入端電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)，從而實現(xiàn)了狀態(tài)反饋信號在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)與電力機(jī)車主控單元電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給電力機(jī)車主控單元。
[0074]其中，狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)可以包括第二光纖發(fā)射器V15 ;狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)可以包括第二光纖接收器V2 ;第二光纖發(fā)射器V15通過光纖將狀態(tài)反饋信號發(fā)送給第二光纖接收器V2，這不僅能夠保障狀態(tài)反饋信號正常傳輸，而且能夠使IGBT (或該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè))產(chǎn)生的大電壓、大電流不會通過狀態(tài)反饋信號傳輸線路干擾到該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)以及與該IGBT驅(qū)動電路連接的電力機(jī)車主控單元，從而有效避免了對電力機(jī)車主控單元造成損傷，有力地保障了電力機(jī)車主控部分能夠不受IGBT大電流、大電壓的干擾而安全可靠運行。
[0075]在實際應(yīng)用中，狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)和狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)可以采用現(xiàn)有技術(shù)中的本領(lǐng)域公知的光纖發(fā)送接收電路，也可以采用如圖4和圖5中所示的電路，但最好采用如圖4和圖5中所示的電路，以保障該狀態(tài)反饋隔離電路具有良好的信號傳輸能力、抗干擾能力和安全可靠的運行能力。
[0076]( 4 )主控邏輯電路:該主控邏輯電路可以與驅(qū)動放大電路電連接，驅(qū)動放大電路通過門極保護(hù)電路與IGBT的門極G電連接；主控邏輯電路輸出的控制信號依次通過驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路后進(jìn)入到IGBT的門極G ；IGBT的發(fā)射極E接地。
[0077]其中，主控邏輯電路可以采用現(xiàn)有技術(shù)中電力機(jī)車上的IGBT驅(qū)動電路所使用的主控邏輯電路，例如:可以采用以安森美(ON)的與非門MC14093和MC14023為核心搭建的邏輯門電路；由于這部分電路為現(xiàn)有技術(shù)內(nèi)容，并且不是本發(fā)明的發(fā)明點，因此本申請文件中不做贅述。
[0078](5)保護(hù)電路:如圖6所示，該保護(hù)電路可以包括:IGBT過壓過流保護(hù)電路、正電壓保護(hù)電路和負(fù)電壓保護(hù)電路；IGBT過壓過流保護(hù)電路分別與IGBT的集電極C和主控邏輯電路電連接，并在IGBT的集電極C出現(xiàn)過壓或短路時，向主控邏輯電路發(fā)送IGBT過壓過流故障信號；正電壓保護(hù)電路分別與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+和主控邏輯電路電連接，并在第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送正電壓故障信號；負(fù)電壓保護(hù)電路分別與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和主控邏輯電路電連接，并在第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送負(fù)電壓故障信號。
[0079]其中，這三個保護(hù)電路的具體實施方案可以包括:
[0080]①正電壓保護(hù)電路:該正電壓保護(hù)電路可以包括:第三八三極管V38、第三九穩(wěn)壓二極管V39、第三六電阻R36、第三三電阻R33和第三七電阻R37 ;第三八三極管V38的集電極與主控邏輯電路的正電壓保護(hù)輸入端電連接，第三八三極管V38的發(fā)射極與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，第三八三極管V38的基極與第三九穩(wěn)壓二極管V39的陰極電連接，第三九穩(wěn)壓二極管V39的陽極通過第三六電阻R36接地；第三三電阻R33的一端接地，其另一端與第三八三極管V38的集電極電連接；第三七電阻R37的一端與第三八三極管V38的發(fā)射極電連接，另一端與第三八三極管V38的基極電連接。
[0081]具體而言，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷對于IGBT的門極G的電壓有明確的要求，如果電壓不符合要求可能造成IGBT損壞；該正電壓保護(hù)電路主要以第三八三極管V38和第三九穩(wěn)壓二極管V39為核心搭建而成；正常情況下，第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+輸出的電源電壓會使第三九穩(wěn)壓二極管V39兩端的電壓差低于第三九穩(wěn)壓二極管V39的反向?qū)ㄩy值，第三九穩(wěn)壓二極管V39處于正向?qū)顟B(tài)，第三八三極管V38處于截止?fàn)顟B(tài)，該正電壓保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的是低電平；當(dāng)?shù)谝桓邏簜?cè)電源輸出端V2P+輸出的電源電壓使第三九穩(wěn)壓二極管V39兩端的電壓差高于第三九穩(wěn)壓二極管V39的反向?qū)ㄩy值時，第三九穩(wěn)壓二極管V39反向?qū)ǎ谌巳龢O管V38導(dǎo)通，該正電壓保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的變?yōu)楦唠娖?；主控邏輯電路的正電壓保護(hù)輸入端將高電平作為正電壓故障信號，主控邏輯電路對該正電壓故障信號進(jìn)行處理，并通過狀態(tài)反饋隔離電路反饋到電力機(jī)車主控單元，從而使IGBT和該IGBT驅(qū)動電路不會受到正電壓過高的影響，保障了 IGBT變流器能夠不受正電壓過高影響而安全可靠運行。由此可見，第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+輸出的電源電壓是否會使正電壓保護(hù)電路輸出高電平，主要取決于第三九穩(wěn)壓二極管V39的閥值，因此通過將第三九穩(wěn)壓二極管V39更換成不同閥值的穩(wěn)壓二極管，可以使該正電壓保護(hù)電路具有不同級別的正電壓保護(hù)能力，從而可以使該IGBT驅(qū)動電路適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對正電壓保護(hù)的需求。
[0082]②負(fù)電壓保護(hù)電路:該負(fù)電壓保護(hù)電路可以包括:第三五三極管V35、第三六穩(wěn)壓二極管V36、第三四電阻R34、第三二電阻R32、第三一電阻R31、第三七二極管V37和第三五電阻R35 ;第三五三極管V35的發(fā)射極與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第三五三極管V35的基極與第三六穩(wěn)壓二極管V36的陽極電連接，第三六穩(wěn)壓二極管V36的陰極通過第三四電阻R34接地，第三五三極管V35的集電極通過第三二電阻R32與主控邏輯電路的負(fù)電壓保護(hù)輸入端電連接；第三一電阻R31的一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，其另一端通過第三二電阻R32與第三五三極管V35的集電極電連接；第三七二極管V37的陽極接地，第三七二極管V37的陰極通過第三二電阻R32與第三五三極管V35的集電極電連接；第三五電阻R35的一端與第三五三極管V35的基極電連接，其另一端與第三五三極管V35的發(fā)射極電連接。
[0083]具體而言，IGBT的導(dǎo)通和關(guān)斷對于IGBT的門極G的電壓有明確的要求，如果電壓不符合要求可能造成IGBT損壞；該負(fù)電壓保護(hù)電路主要以第三五三極管V35和第三六穩(wěn)壓二極管V36為核心搭建而成；正常情況下，第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-輸出的電源電壓會使第三六穩(wěn)壓二極管V36兩端的電壓差低于第三六穩(wěn)壓二極管V36的反向?qū)ㄩy值，第三五三極管V35處于截止?fàn)顟B(tài)，該負(fù)電壓保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的是高電平；當(dāng)?shù)诙邏簜?cè)電源輸出端V2P-輸出的電源電壓使第三六穩(wěn)壓二極管V36兩端的電壓差高于第三六穩(wěn)壓二極管V36的反向?qū)ㄩy值時，第三六穩(wěn)壓二極管V36反向?qū)ǎ谌迦龢O管V35導(dǎo)通，該負(fù)電壓保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的變?yōu)榈碗娖剑恢骺剡壿嬰娐返呢?fù)電壓保護(hù)輸入端將低電平作為負(fù)電壓故障信號，主控邏輯電路對該負(fù)電壓故障信號進(jìn)行處理，并通過狀態(tài)反饋隔離電路反饋到電力機(jī)車主控單元，從而使IGBT和該IGBT驅(qū)動電路不會受到負(fù)電壓過低的影響，保障了 IGBT變流器能夠不受負(fù)電壓過高影響而安全可靠運行。由此可見，第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-輸出的電源電壓是否會使負(fù)電壓保護(hù)電路輸出低電平，主要取決于第三六穩(wěn)壓二極管V36的閥值，因此通過將第三六穩(wěn)壓二極管V36更換成不同閥值的穩(wěn)壓二極管，可以使該負(fù)電壓保護(hù)電路具有不同級別的負(fù)電壓保護(hù)能力，從而可以使該IGBT驅(qū)動電路適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對負(fù)電壓保護(hù)的需求。
[0084]③IGBT過壓過流保護(hù)電路:該IGBT過壓過流保護(hù)電路可以包括:第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32、第二六電阻R26、第三一穩(wěn)壓二極管V31、第二七電阻R27、第三零三極管V30、第二四電阻R24、第二五電阻R25、第三三二極管V33、第二九電阻R29、第三零電阻R30和第一七電容C17 ；IGBT的集電極C與第三四雪崩二極管V34的陰極電連接，第三四雪崩二極管V34的陽極與第三二雪崩二極管V32的陰極電連接，第三二雪崩二極管V32的陽極通過第二六電阻R26與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接，第三一穩(wěn)壓二極管V31的陽極通過第二七電阻R27與第三零三極管V30的基極電連接，第三零三極管V30的集電極與主控邏輯電路的IGBT過壓短路保護(hù)輸入端電連接，第三零三極管V30的發(fā)射極接地；第二四電阻R24的一端與第三零三極管V30的集電極電連接，其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接；第二五電阻R25的一端與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接，其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接；第三三二極管V33的陽極接地，第三三二極管V33的陰極與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陰極電連接；第二九電阻R29的一端接地，其另一端與第三一穩(wěn)壓二極管V31的陽極電連接；第三零電阻R30與第一七電容C17相并聯(lián)，從而形成兩個并聯(lián)節(jié)點，其中一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管V30的發(fā)射極電連接，另一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管V30的基極電連接。
[0085]具體而言，該IGBT過壓過流保護(hù)電路主要以第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32、第二六電阻R26、第三一穩(wěn)壓二極管V31和第三零三極管V30為核心搭建而成；通過對第三四雪崩二極管V34和第三二雪崩二極管V32進(jìn)行選型可以調(diào)整該保護(hù)電路的過壓保護(hù)閥值，通過對第二六電阻R26和第三一穩(wěn)壓二極管V31進(jìn)行選型可以調(diào)整該保護(hù)電路的短路保護(hù)閥值。正常情況下，第三零三極管V30處于截止?fàn)顟B(tài)，該IGBT過壓過流保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的是高電平；當(dāng)IGBT的集電極C的電壓過高擊穿第三四雪崩二極管V34和第三二雪崩二極管V32時，或者當(dāng)IGBT因短路而出現(xiàn)“退飽和”現(xiàn)象，并使IGBT的集電極C和發(fā)射極E之間的電壓變化到設(shè)定短路保護(hù)閥值時，第三零三極管V30導(dǎo)通，該IGBT過壓過流保護(hù)電路輸出給主控邏輯電路的是低電平；主控邏輯電路的IGBT過壓短路保護(hù)輸入端將低電平作為IGBT過壓過流故障信號，主控邏輯電路根據(jù)該IGBT過壓過流故障信號封鎖IGBT的觸發(fā)脈沖，并通過狀態(tài)反饋隔離電路反饋到電力機(jī)車主控單元，從而使IGBT進(jìn)入關(guān)斷狀態(tài)，以保障IGBT不會受到IGBT過壓或短路的影響而損壞，進(jìn)而提升了電力機(jī)車用IGBT變流器的安全性和可靠性。由此可見，通過對第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32、第二六電阻R26和第三一穩(wěn)壓二極管V31進(jìn)行選型可以使該IGBT過壓過流保護(hù)電路具備不同級別的過壓保護(hù)和短路保護(hù)能力，因此可以使該IGBT驅(qū)動電路適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對IGBT過壓保護(hù)和短路保護(hù)的需求。
[0086](6)驅(qū)動放大電路:如圖7和圖8所示，該驅(qū)動放大電路可以包括:第三MOS管驅(qū)動芯片U3、第一八電容C18、第四零二極管V40、第三八電阻R38、第四一電阻R41、第四一 PMOS管V41、第四MOS管驅(qū)動芯片U4、第一九電容C19、第四零電阻R40、第四二穩(wěn)壓二極管V42、第四三二極管V43、第四二電阻R42、第四三電阻R43、第四四NMOS管V44、第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4、第一適配板電阻RAl和第一適配板電容CAl ；
[0087]第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳均接地；第三MOS管驅(qū)動芯片U3的電源電壓輸入引腳與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+和第一八電容C18的一端電連接，第一八電容C18的另一端接地；第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸入引腳與主控邏輯電路的控制信號輸出端電連接，第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸出引腳與第四零二極管V40的陽極電連接，第四零二極管V40的陰極通過第三八電阻R38與第四一 PMOS管V41的柵極電連接，第四一 PMOS管V41的源極與第一高壓側(cè)電源輸出端V2P+電連接，第四一 PMOS管V41的漏極與第二適配板電阻RA2的一端電連接；第四一電阻R41的一端與第四零二極管V40的陽極電連接，其另一端與第四一 PMOS管V41的柵極電連接；
[0088]第四MOS管驅(qū)動芯片U4的電源電壓輸入引腳接地；第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳并聯(lián)后，與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-和第一九電容C19的一端電連接，第一九電容C19的另一端接地；第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第二信號輸入引腳分別與第四零電阻R40的一端和第四二穩(wěn)壓二極管V42的陽極電連接，第四零電阻R40的另一端與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第四二穩(wěn)壓二極管V42的陰極與第三MOS管驅(qū)動芯片U3的第二信號輸出引腳電連接；第四MOS管驅(qū)動芯片U4的第二信號輸出引腳與第四三二極管V43的陰極電連接，第四三二極管V43的陽極通過第四二電阻R42與第四四NMOS管V44的柵極電連接，第四四NMOS管V44的源極與第二高壓側(cè)電源輸出端V2P-電連接，第四四NMOS管V44的漏極與第四適配板電阻RA4的一端電連接；第四三電阻R43的一端與第四三二極管V43的陰極電連接，其另一端與第四四NMOS管V44的柵極電連接；
[0089]第二適配板電阻RA2的另一端與第四適配板電阻RA4的另一端電連接，并且在與第一適配板電阻RAl的一端和第一適配板電容CAl的一端電連接后，作為驅(qū)動放大電路的IGBT門極驅(qū)動線輸出；第一適配板電阻RAl的另一端和第一適配板電容CAl的另一端電連接，并且在接地后，作為驅(qū)動放大電路的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線輸出。
[0090]其中，主控邏輯電路輸出的控制信號通過第三MOS管驅(qū)動芯片U3和第四一 PMOS管V41后放大成為+15V的導(dǎo)通電壓，同時通過第四MOS管驅(qū)動芯片U4和第四四NMOS管V44后放大成為-15V的關(guān)斷電壓；+15V的導(dǎo)通電壓流經(jīng)第二適配板電阻RA2，-15V的關(guān)斷電壓流經(jīng)第四適配板電阻RA4，通過改變第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4和第一適配板電容CAl的參數(shù)條件可以調(diào)整該驅(qū)動放大電路所輸出驅(qū)動脈沖的di/dt (di/dt是指單位時間內(nèi)電流變化的多少，即電流變化率)和dv/dt (dv/dt是指單位時間內(nèi)電壓變化的多少，即電壓變化率)，從而使IGBT驅(qū)動電路能夠靈活適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景的驅(qū)動能力需求；第一適配板電阻RAl能夠使IGBT的門極G所積累的電荷得到釋放，從而保證IGBT能夠安全可靠的運行。
[0091](7)門極保護(hù)電路:如圖8所示，該門極保護(hù)電路可以包括雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl ;該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl并聯(lián)在驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線和IGBT發(fā)射極驅(qū)動線之間；驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl的一端電連接后，與IGBT的門極G電連接；驅(qū)動放大電路輸出的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl的另一端電連接后，與IGBT的發(fā)射極E電連接。
[0092]其中，該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl能夠有效防止IGBT的門極G的電壓尖峰損壞IGBT，從而提高了 IGBT運行的安全性和可靠性；該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl的參數(shù)條件不同，對IGBT的門極G的保護(hù)能力也有所不同，因此可以根據(jù)該IGBT驅(qū)動電路的實際應(yīng)用場景對該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl進(jìn)行靈活選型，從而使IGBT驅(qū)動電路能夠靈活適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對IGBT門極G的電壓保護(hù)需求。
[0093](8)驅(qū)動適配板:如圖7和圖8所示，門極保護(hù)電路以及驅(qū)動放大電路的第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4、第一適配板電阻RAl和第一適配板電容CAl均設(shè)置于驅(qū)動適配板上；驅(qū)動放大電路可以包括由第一接線端子Π-1、第二接線端子Π-2和第三接線端子Π-3構(gòu)成的驅(qū)動適配板接口 ；第一接線端子Π-1與第四一PMOS管V41的漏極電連接；第二接線端子Π-2與第四四NMOS管V44的漏極電連接；第三接線端子Π-3接地；在驅(qū)動適配板上，對應(yīng)第一接線端子Π-1的接口線與第二適配板電阻RA2的一端電連接，對應(yīng)第二接線端子Π-2的接口線與第四適配板電阻RA4的一端電連接，對應(yīng)第三接線端子Π-3的接口線與第一適配板電阻RAl的接地一端和第一適配板電容CAl的接地一端電連接。
[0094]其中，驅(qū)動適配板的一端可以通過雙絞線與驅(qū)動適配板接口電連接，而另一端可以通過螺栓直接與IGBT連接，這樣可以有效防止IGBT的電磁干擾和溫升對該IGBT驅(qū)動電路的其他部分產(chǎn)生影響，從而可以保證該IGBT驅(qū)動電路能夠安全可靠的運行。
[0095]需要說明的是，本發(fā)明所提供的電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路中采用的二極管、三極管、NMOS管、PMOS管、電阻、電容、雪崩二極管、穩(wěn)壓二極管、變壓器、穩(wěn)壓器、光纖發(fā)射器、光纖接收器等元器件均采用非集成的獨立元器件，由于獨立元器件的抗電磁干擾能力要遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于集成芯片，因此本發(fā)明所述技術(shù)方案的抗電磁干擾能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于現(xiàn)有技術(shù)，這使得該IGBT驅(qū)動電路能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，從而有力地保證了電力機(jī)車能夠安全可靠運行。[0096]進(jìn)一步地，該IGBT驅(qū)動電路通過電源電壓隔離、控制信號隔離和狀態(tài)反饋信號隔離實現(xiàn)了該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)的完全隔離，保證了高壓側(cè)的大電壓、大電流不會干擾到與該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)連接的電力機(jī)車主控單元；正電壓保護(hù)電路和負(fù)電壓保護(hù)電路能夠使IGBT門級驅(qū)動導(dǎo)通和關(guān)斷電壓穩(wěn)定且滿足要求，保障了該IGBT驅(qū)動電路能夠安全可靠運行；IGBT過壓過流保護(hù)電路能夠及時發(fā)現(xiàn)IGBT出現(xiàn)過壓或短路現(xiàn)象，并通過主控邏輯電路迅速封鎖IGBT的門極G的觸發(fā)脈沖，從而有效避免了 IGBT的損壞；門極保護(hù)電路能夠有效防止IGBT的門極G的電壓尖峰損壞IGBT，從而進(jìn)一步提高了 IGBT運行的安全性和可靠性；驅(qū)動適配板可以將IGBT與絕大部分IGBT驅(qū)動電路相隔離，從而可以有效防止IGBT的電磁干擾和溫升對大部分IGBT驅(qū)動電路產(chǎn)生不良影響，保障了該IGBT驅(qū)動電路能夠安全可靠運行；由此可見，該IGBT驅(qū)動電路不僅能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，而且能夠保障IGBT變流器安全可靠地運行。
[0097]此外，在本發(fā)明實施例所提供的IGBT驅(qū)動電路中，通過對正電壓保護(hù)電路中的第三九穩(wěn)壓二極管V39、負(fù)電壓保護(hù)電路中的第三六穩(wěn)壓二極管V36、門極保護(hù)電路中的雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAUIGBT過壓過流保護(hù)電路中的第三四雪崩二極管V34、第三二雪崩二極管V32、第二六電阻R26和第三一穩(wěn)壓二極管V31進(jìn)行靈活選型，可以使該IGBT驅(qū)動電路具有不同的線路保護(hù)能力，從而能夠適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對線路保護(hù)能力的需求；通過對驅(qū)動放大電路的第二適配板電阻RA2、第四適配板電阻RA4和第一適配板電容CAl進(jìn)行靈活選型，可以使該IGBT驅(qū)動電路具有不同的IGBT驅(qū)動能力，從而能夠適應(yīng)電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景對IGBT驅(qū)動能力的需求。
[0098]綜上可見，本發(fā)明實施例的實施不僅能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，而且能夠保障IGBT變流器安全可靠地運行，同時還能夠在電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景靈活調(diào)節(jié)驅(qū)動能力和線路保護(hù)能力，因而有力地保證了電力機(jī)車的安全性和可靠性。
[0099]為使本發(fā)明所提供技術(shù)方案的內(nèi)容、目的和有益效果更加清楚，下面通過具體實例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0100]實施例一
[0101]如圖1至圖8所示，一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，連接在電力機(jī)車主控單元與變流器的IGBT之間，其具體結(jié)構(gòu)可以采用上述技術(shù)方案。
[0102]其中，上述技術(shù)方案中所使用的元器件可以采用如下的具體實施方案:
[0103](I)在圖2所示的電路中，第一脈沖變壓器Tl可以采用3個1:1繞組的變壓器，隔離電壓AC1000V，電感值在IOkHZ下約300uH，每個繞組的電阻值小于IOOm歐姆，工作頻率為 35kHz ο
[0104](2)在圖2所示的電路中，第一穩(wěn)壓電源片Al、第二穩(wěn)壓電源片A2和第三穩(wěn)壓電源片A3可以采用意法(ST)的LD1086V，并通過搭建外圍電路來獲取所需的+15V和-15V電壓。第一四二極管V14和第二一穩(wěn)壓二極管V21可以采用仙童(FAIRCHILD)的IN4733，并通過搭建外圍電路來獲取所需的5V電壓。
[0105](3)在圖3、圖4和圖5所示的電路中，第一光纖發(fā)射器V4和第二光纖發(fā)射器V15可以采用安華高(AVAGO)的SH1756V，第一光纖接收器V6和第二光纖接收器V2可以采用安華高(AVAGO)的SH1551/1-1V，連接光纖發(fā)射器和光纖接收器的光纖可以采用2.2mmP0F光纖，第一 MOS驅(qū)動芯片Ul可以采用TELCOM半導(dǎo)體的MOS驅(qū)動芯片TC428。[0106](4)在圖6所示的電路中，主控邏輯電路可以采用安森美(ON)的與非門MC14093和MC14023進(jìn)行搭建；第三四雪崩二極管V34和第三二雪崩二極管V32可以采用西門康(SEMIKR0N)的 SKa3-17。
[0107](5)在圖7所示的電路中，第三MOS管驅(qū)動芯片U3和第四MOS管驅(qū)動芯片U4為第一級驅(qū)動放大，可以采用TELCOM半導(dǎo)體的MOS驅(qū)動芯片TC428 ;第四一 PMOS管V41和第四四NMOS管V44為第二級驅(qū)動放大，第四一 PMOS管V41可以采用P型功率MOS管IRF9530，第四四NMOS管V44可以采用N型功率MOS管IRF530。
[0108](6)在圖8所示的電路中，雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管VAl可采用DIODES的1.5KE18CA。
[0109]具體地，該IGBT驅(qū)動電路采用TG170C的FR4板材進(jìn)行電路板布線，敷銅厚度約為50um，并采用4層板進(jìn)行PCB設(shè)計，以使與該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)電連接的地和與該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)電連接的地相隔離，從而取得更好的線路保護(hù)效果。
[0110]可見，本發(fā)明實施例的實施不僅能夠良好地適應(yīng)電力機(jī)車上復(fù)雜惡劣的運行環(huán)境，而且能夠保障IGBT變流器安全可靠地運行，同時還能夠在電力機(jī)車的不同應(yīng)用場景靈活調(diào)節(jié)驅(qū)動能力和線路保護(hù)能力，因而有力地保證了電力機(jī)車的安全性和可靠性。
[0111]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種電力機(jī)車用變流器的IGBT驅(qū)動電路，連接在電力機(jī)車主控單元與變流器的絕緣柵雙極型晶體管IGBT之間，其特征在于，包括:電源電路、控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路、主控邏輯電路、驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路； 電源電路包括第一脈沖變壓器(Tl)和電源整流電路；第一脈沖變壓器(Tl)的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的24V方波脈沖；第一脈沖變壓器(Tl)的輸出端與電源整流電路電連接，并通過電源整流電路的第一低壓側(cè)電源輸出端(VYl)和第二低壓側(cè)電源輸出端(VY2)輸出該IGBT驅(qū)動電路的低壓側(cè)使用的電源電壓，同時通過電源整流電路的第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)、第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)和第三高壓側(cè)電源輸出端(VC2)輸出該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)使用的電源電壓，從而實現(xiàn)了電源供電在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；電源整流電路分別與控制信號隔離電路、狀態(tài)反饋隔離電路、保護(hù)電路和主控邏輯電路電連接； 控制信號隔離電路包括控制信號隔離電路低壓側(cè)和控制信號隔離電路高壓側(cè)；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸入端與電力機(jī)車主控單元電連接，并接收電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號；控制信號隔離電路低壓側(cè)的輸出端通過光纖與控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸入端電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給控制信號隔離電路高壓側(cè)，從而實現(xiàn)了控制信號在該IGBT驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；控制信號隔離電路高壓側(cè)的輸出端與主控邏輯電路電連接，并將電力機(jī)車主控單元發(fā)送的控制信號傳輸給主控邏輯電路； 狀態(tài)反饋隔離電路包括狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)和狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸入端與主控邏輯電路電連接，并接收主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號；狀態(tài)反饋隔離電路高壓側(cè)的輸出端通過光纖與狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)的輸入端電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)，從而實現(xiàn)了狀態(tài)反饋信號在該IGBT 驅(qū)動電路的高壓側(cè)與低壓側(cè)之間相隔離；狀態(tài)反饋隔離電路低壓側(cè)與電力機(jī)車主控單元電連接，并將主控邏輯電路發(fā)送的狀態(tài)反饋信號傳輸給電力機(jī)車主控單元； 保護(hù)電路包括IGBT過壓過流保護(hù)電路、正電壓保護(hù)電路和負(fù)電壓保護(hù)電路；IGBT過壓過流保護(hù)電路分別與IGBT的集電極(C)和主控邏輯電路電連接，并在IGBT的集電極(C)出現(xiàn)過壓或短路時，向主控邏輯電路發(fā)送IGBT過壓過流故障信號；正電壓保護(hù)電路分別與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)和主控邏輯電路電連接，并在第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送正電壓故障信號；負(fù)電壓保護(hù)電路分別與第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)和主控邏輯電路電連接，并在第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)的輸出電壓出現(xiàn)故障時，向主控邏輯電路發(fā)送負(fù)電壓故障信號； 主控邏輯電路與驅(qū)動放大電路電連接，驅(qū)動放大電路通過門極保護(hù)電路與IGBT的門極(G)電連接；主控邏輯電路輸出的控制信號依次通過驅(qū)動放大電路和門極保護(hù)電路后進(jìn)入到IGBT的門極(G) ；IGBT的發(fā)射極(E)接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的IGBT過壓過流保護(hù)電路包括:第三四雪崩二極管(V34)、第三二雪崩二極管(V32)、第二六電阻(R26)、第三一穩(wěn)壓二極管(V31)、第二七電阻(R27)、第三零三極管(V30)、第二四電阻(R24)、第二五電阻(R25)、第三三二極管(V33)、第二九電阻(R29)、第三零電阻(R30)和第一^b電容(C17)；IGBT的集電極(C)與第三四雪崩二極管(V34)的陰極電連接，第三四雪崩二極管(V34)的陽極與第三二雪崩二極管(V32)的陰極電連接，第三二雪崩二極管(V32)的陽極通過第二六電阻(R26)與第三一穩(wěn)壓二極管(V31)的陰極電連接，第三一穩(wěn)壓二極管(V31)的陽極通過第二七電阻(R27 )與第三零三極管(V30 )的基極電連接，第三零三極管(V30 )的集電極與主控邏輯電路的IGBT過壓短路保護(hù)輸入端電連接，第三零三極管(V30)的發(fā)射極接地；第二四電阻(R24)的一端與第三零三極管(V30)的集電極電連接，其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)電連接； 第二五電阻(R25)的一端與第三一穩(wěn)壓二極管(V31)的陰極電連接，其另一端與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)電連接； 第三三二極管(V33)的陽極接地，第三三二極管(V33)的陰極與第三一穩(wěn)壓二極管(V31)的陰極電連接； 第二九電阻(R29)的一端接地，其另一端與第三一穩(wěn)壓二極管(V31)的陽極電連接；第三零電阻(R30)與第一七電容(C17)相并聯(lián)，從而形成兩個并聯(lián)節(jié)點，其中一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管(V30)的發(fā)射極電連接，另一個并聯(lián)節(jié)點與第三零三極管(V30)的基極電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的正電壓保護(hù)電路包括:第三八三極管(V38)、第三九穩(wěn)壓二極管(V39)、第三六電阻(R36)、第三三電阻(R33)和第三七電阻(R37)； 第三八三極管(V38)的集電極與主控邏輯電路的正電壓保護(hù)輸入端電連接，第三八三極管(V38)的發(fā)射極與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)電連接，第三八三極管(V38)的基極與第三九穩(wěn)壓二極管(V 39)的陰極電連接，第三九穩(wěn)壓二極管(V39)的陽極通過第三六電阻(R36)接地； 第三三電阻(R33)的一端接地，其另一端與第三八三極管(V38)的集電極電連接； 第三七電阻(R37)的一端與第三八三極管(V38)的發(fā)射極電連接，另一端與第三八三極管(V38)的基極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的負(fù)電壓保護(hù)電路包括:第三五三極管(V35)、第三六穩(wěn)壓二極管(V36)、第三四電阻(R34)、第三二電阻(R32)、第三一電阻(R31)、第三七二極管(V37)和第三五電阻(R35)； 第三五三極管(V35)的發(fā)射極與第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)電連接，第三五三極管(V35)的基極與第三六穩(wěn)壓二極管(V36)的陽極電連接，第三六穩(wěn)壓二極管(V36)的陰極通過第三四電阻(R34)接地，第三五三極管(V35)的集電極通過第三二電阻(R32)與主控邏輯電路的負(fù)電壓保護(hù)輸入端電連接； 第三一電阻(R31)的一端與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)電連接，其另一端通過第三二電阻(R32)與第三五三極管(V35)的集電極電連接； 第三七二極管(V37)的陽極接地，第三七二極管(V37)的陰極通過第三二電阻(R32)與第三五三極管(V35)的集電極電連接； 第三五電阻(R35)的一端與第三五三極管(V35)的基極電連接，其另一端與第三五三極管(V35)的發(fā)射極電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的驅(qū)動放大電路包括:第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)、第一八電容(C18)、第四零二極管(V40)、第三八電阻(R38)、第四一電阻(R41)、第四一 PMOS管(V41)、第四MOS管驅(qū)動芯片(U4)、第一九電容(C19)、第四零電阻(R40)、第四二穩(wěn)壓二極管(V42)、第四三二極管(V43)、第四二電阻(R42)、第四三電阻(R43)、第四四NMOS管(V44)、第二適配板電阻(RA2)、第四適配板電阻(RA4)、第一適配板電阻(RAl)和第一適配板電容(CAl)； 第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳均接地；第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)的電源電壓輸入引腳與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)和第一八電容(C18)的一端電連接，第一八電容(C18)的另一端接地； 第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)的第二信號輸入引腳與主控邏輯電路的控制信號輸出端電連接，第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)的第二信號輸出引腳與第四零二極管(V40)的陽極電連接，第四零二極管(V40)的陰極通過第三八電阻(R38)與第四一 PMOS管(V41)的柵極電連接，第四一 PMOS管(V41)的源極與第一高壓側(cè)電源輸出端(V2P+)電連接，第四一 PMOS管(V41)的漏極與第二適配板電阻(RA2)的一端電連接； 第四一電阻(R41)的一端與第四零二極管(V40)的陽極電連接，其另一端與第四一PMOS管(V41)的柵極電連接； 第四MOS管驅(qū)動芯片(U4)的電源電壓輸入引腳接地；第四MOS管驅(qū)動芯片(U4)的第一信號輸入引腳和接地輸入引腳并聯(lián)后，與第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)和第一九電容(C19)的一端電連接，第一九電容(C19)的另一端接地； 第四MOS管驅(qū)動芯片(U4)的第二信號輸入引腳分別與第四零電阻(R40)的一端和第四二穩(wěn)壓二極管(V42)的陽極電連接，第四零電阻(R40)的另一端與第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)電連接，第四二穩(wěn)壓二極管(V42)的陰極與第三MOS管驅(qū)動芯片(U3)的第二信號輸出引腳電連接；第四MOS管驅(qū)動芯片(U4)的第二信號輸出引腳與第四三二極管(V43)的陰極電連接，第四三二極管(V43)的陽極通過第四二電阻(R42)與第四四NMOS管(V44)的柵極電連接，第四四NMOS管(V44)的源極與第二高壓側(cè)電源輸出端(V2P-)電連接，第四四NMOS管(V44)的漏極與第四適配板電阻(RA4)的一端電連接； 第四三電阻(R43)的一端與第四三二極管(V43)的陰極電連接，其另一端與第四四NMOS管(V44)的柵極電連接； 第二適配板電阻(RA2)的另一端與第四適配板電阻(RA4)的另一端電連接，并且在與第一適配板電阻(RAl)的一端和第一適配板電容(CAl)的一端電連接后，作為驅(qū)動放大電路的IGBT門極驅(qū)動線輸出； 第一適配板電阻(RAl)的另一端和第一適配板電容(CAl)的另一端電連接，并且在接地后，作為驅(qū)動放大電路的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線輸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的門極保護(hù)電路包括雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(VAl);該雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(VAl)并聯(lián)在驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線和IGBT發(fā)射極驅(qū)動線之間； 驅(qū)動放大電路輸出的IGBT門極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(VAl)的一端電連接后，與IGBT的門極(G)電連接； 驅(qū)動放大電路輸出的IGBT發(fā)射極驅(qū)動線在與雙向瞬態(tài)電壓抑制二極管(VAl)的另一端電連接后，與IGBT的發(fā)射極(E)電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的驅(qū)動電路，其特征在于，所述的門極保護(hù)電路以及驅(qū)動放大電路的第二適配板電阻(RA2)、第四適配板電阻(RA4)、第一適配板電阻(RAl)和第一適配板電容(CAl)均設(shè)置于驅(qū)動適配板上； 所述的驅(qū)動放大電路包括由第一接線端子(X1-1)、第二接線端子(X1-2)和第三接線端子(X1-3)構(gòu)成的驅(qū)動適配板接口 ； 第一接線端子(Xl-1)與第四一 PMOS管(V41)的漏極電連接；第二接線端子(X1-2)與第四四NMOS管(V44)的漏極電連接；第三接線端子(X1-3)接地； 在驅(qū)動適配板上，對應(yīng)第一接線端子(Xl-1)的接口線與第二適配板電阻(RA2)的一端電連接，對應(yīng)第二接線端子(X1-2)的接口線與第四適配板電阻(RA4)的一端電連接，對應(yīng)第三接線端子(X1-3)的接口線與第一適配板電阻(RAl)的接地一端和第一適配板電容(CAl)的接地一端電連 接。
【文檔編號】H02M1/08GK103595225SQ201310505266
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】賀覓知, 徐玉峰, 王傳芳 申請人:北京賽德高科鐵道電氣科技有限責(zé)任公司