一種高可靠性的靜電防護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，它包括場(chǎng)效應(yīng)管MOS1和場(chǎng)效應(yīng)管MOS2，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極連接在場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的源極上，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極和源極之間連接有電容C1，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極和漏極之間連接有電阻R1，場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極和源極之間連接有電容C2，場(chǎng)效應(yīng)管MOS2的柵極和漏極之間連接電阻R2，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的柵極連接在三極管T1的集電極上，三極管T1的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R4且三極管T1的發(fā)射極接地，場(chǎng)效應(yīng)管MOS1的源極通過(guò)電阻R3連接在二級(jí)靜電泄放電路上。其優(yōu)點(diǎn)是：采用兩級(jí)靜電泄放，可對(duì)靜電進(jìn)行有效泄放，其可靠性高。
【專利說(shuō)明】—種高可靠性的靜電防護(hù)電路【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路領(lǐng)域，更具體的說(shuō)是涉及一種高可靠性的靜電防護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]靜電是一種處于靜止?fàn)顟B(tài)的電荷，當(dāng)電荷聚集在某個(gè)物體上或表面時(shí)就形成了靜電，而靜電也分為正靜電和負(fù)靜電。在干燥和多風(fēng)的冬季，最易產(chǎn)生靜電。在對(duì)靜電進(jìn)行泄放時(shí)，在電子設(shè)備領(lǐng)域，由于電子設(shè)備內(nèi)部有集成電路，其集成電路內(nèi)有太多的電子元器件。人在地毯沙發(fā)上的靜電電壓可高達(dá)一萬(wàn)多伏，其對(duì)電子設(shè)備的破壞力極強(qiáng)。尤其對(duì)于手持設(shè)備，經(jīng)常與人接觸的電子設(shè)備。在電子設(shè)備上一般都會(huì)連接靜電泄放電路，其利用接地來(lái)對(duì)靜電進(jìn)行泄放，其對(duì)靜電的泄放不完全。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明提供一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，其采用兩級(jí)靜電泄放，可對(duì)靜電進(jìn)行有效泄放，其可靠性高。
[0004]為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，它包括場(chǎng)效應(yīng)管MOSl和場(chǎng)效應(yīng)管M0S2,所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極連接在場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和源極之間連接有電容Cl，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和漏極之間連接有電阻Rl，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和源極之間連接有電容C2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和漏極之間連接電阻R2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極連接在三極管Tl的集電極上，所述的三極管Tl的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R4且三極管Tl的發(fā)射極接地，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極通過(guò)電阻R3同時(shí)連接在三極管T3的基極和三極管T2的基極上，所述的三極管T3的發(fā)射極連接在電源上，所述的三極管T2的發(fā)射極接地，所述的三極管T3的集電極連接在三極管T2的集電極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl為P型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2為N型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的三極管T3為PNP型三極管，所述的三極管T2和三極管Tl為NPN型三極管。
[0005]更進(jìn)一步的技術(shù)方案是:
作為優(yōu)選，所述的電阻Rl和電阻R2的阻值相等。
[0006]進(jìn)一步的，所述的電阻R3的阻值為2千歐姆-3千歐姆。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是:
本發(fā)明的電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，根據(jù)靜電電性提供多條泄放通道，且對(duì)靜電進(jìn)行兩級(jí)泄放，有效的保證了對(duì)靜電的完全泄放，可靠性高。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0009]圖1為本發(fā)明的電路圖。【具體實(shí)施方式】
[0010]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說(shuō)明。本發(fā)明的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。
[0011][實(shí)施例]
如圖1所不的一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，它包括場(chǎng)效應(yīng)管MOSl和場(chǎng)效應(yīng)管M0S2,所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極連接在場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和源極之間連接有電容Cl，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和漏極之間連接有電阻Rl，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和源極之間連接有電容C2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和漏極之間連接電阻R2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極連接在三極管Tl的集電極上，所述的三極管Tl的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R4且三極管Tl的發(fā)射極接地，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極通過(guò)電阻R3同時(shí)連接在三極管T3的基極和三極管T2的基極上，所述的三極管T3的發(fā)射極連接在電源上，所述的三極管T2的發(fā)射極接地，所述的三極管T3的集電極連接在三極管T2的集電極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl為P型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2為N型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的三極管T3為PNP型三極管，所述的三極管T2和三極管Tl為NPN型三極管。在使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極連接在設(shè)備的外部接口上，三極管T3的集電極連接在設(shè)備的內(nèi)部電路上。在本發(fā)明中，當(dāng)靜電作用于外部接口時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管M0S1、場(chǎng)效應(yīng)管M0S2和三極管Tl根據(jù)靜電的電性提供多條泄放通路。若靜電電性為負(fù)電荷，則經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)管M0S1、三極管Tl進(jìn)行泄放，若靜電電性為正電荷，則經(jīng)場(chǎng)效應(yīng)管M0S2進(jìn)行泄放。此為一級(jí)泄放通路，若靜電未泄放完全，三極管T2和三極管T3再次對(duì)靜電進(jìn)行泄放。此為二級(jí)泄放通路，可保證對(duì)靜電泄放的可靠性。電阻R4為三極管提供導(dǎo)通電壓，保證其正常工作，為靜電泄放提供可靠通道。
[0012]所述的電阻Rl和電阻R2的阻值相等。電阻Rl和電阻R2分別為場(chǎng)效應(yīng)管MOSl和場(chǎng)效應(yīng)管M0S2提供導(dǎo)通壓降，電阻成上下對(duì)稱分布，為了使其性能更優(yōu)越，所述的電阻Rl和電阻R2的阻值相等。
[0013]所述的電阻R3的阻值為2千歐姆-3千歐姆。電阻R3起限流作用，避免電流過(guò)大對(duì)設(shè)備內(nèi)部電子元器件造成破壞，即其至少也應(yīng)該在2千歐姆，但是為了使得其不對(duì)外接端口的設(shè)備信號(hào)傳輸時(shí)造成影響，電阻R3的阻值不應(yīng)超過(guò)3千歐姆。
[0014]如上所述即為本發(fā)明的實(shí)施例。本發(fā)明不局限于上述實(shí)施方式，任何人應(yīng)該得知在本發(fā)明的啟示下做出的結(jié)構(gòu)變化，凡是與本發(fā)明具有相同或相近的技術(shù)方案，均落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，其特征在于:它包括場(chǎng)效應(yīng)管MOSl和場(chǎng)效應(yīng)管M0S2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極連接在場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的源極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和源極之間連接有電容Cl，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極和漏極之間連接有電阻R1，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和源極之間連接有電容C2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2的柵極和漏極之間連接電阻R2，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的柵極連接在三極管Tl的集電極上，所述的三極管Tl的基極和發(fā)射極之間連接有電阻R4且三極管Tl的發(fā)射極接地，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl的源極通過(guò)電阻R3同時(shí)連接在三極管T3的基極和三極管T2的基極上，所述的三極管T3的發(fā)射極連接在電源上，所述的三極管T2的發(fā)射極接地，所述的三極管T3的集電極連接在三極管T2的集電極上，所述的場(chǎng)效應(yīng)管MOSl為P型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的場(chǎng)效應(yīng)管M0S2為N型場(chǎng)效應(yīng)管，所述的三極管T3為PNP型三極管，所述的三極管T2和三極管Tl為NPN型三極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，其特征在于:所述的電阻Rl和電阻R2的阻值相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高可靠性的靜電防護(hù)電路，其特征在于:所述的電阻R3的阻值為2千歐姆-3千歐姆。
【文檔編號(hào)】H02H9/04GK103683257SQ201310613026
【公開(kāi)日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月28日
【發(fā)明者】黃友華 申請(qǐng)人:成都市宏山科技有限公司