一種疊層母線排以及變頻器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種疊層母線排以及變頻器，變頻器包括疊層母線排，該疊層母線排包括正母排與負(fù)母排，以及安裝在正母排與負(fù)母排之間的絕緣板；負(fù)母排包括用于連接IGBT模塊的第一連接部，以及用于連接電容的第二連接部；負(fù)母排靠近IGBT模塊的一側(cè)和/或靠近電容的一側(cè)向背離正母排的方向彎折，對應(yīng)使得第一連接部和/或第二連接部與絕緣板之間形成有用于提高正母排與負(fù)母排之間爬電距離的間隙。實施本發(fā)明的有益效果是：所述疊層母線排采用負(fù)母排靠近IGBT模塊的一側(cè)和/或靠近電容的一側(cè)向背離正母排折彎的結(jié)構(gòu)，能夠提高正母排與負(fù)母排之間的爬電距離和電氣間隙。
【專利說明】一種疊層母線排以及變頻器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電氣設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種疊層母線排以及變頻器。
【背景技術(shù)】
[0002]疊層母線排是一種多層復(fù)合結(jié)構(gòu)連接排，與傳統(tǒng)的、笨重的、費時和麻煩的配線方法相比，使用復(fù)合母線排可以提供現(xiàn)代的、易于設(shè)計、安裝快速和結(jié)構(gòu)清晰的配電系統(tǒng)。疊層母線排具有可重復(fù)電氣性能、低阻抗、抗干擾、可靠性好、節(jié)省空間且裝配簡潔快捷等特點。
[0003]IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor絕緣柵型雙極晶體管)功率模塊是使用在變頻器等領(lǐng)域的常用功率模塊?，F(xiàn)有技術(shù)的變頻器中采用疊層母線排連接IGBT模塊與電容，在長時間使用過程中，環(huán)境中的灰塵容易積聚在疊層母線排內(nèi)，從而造成疊層母線排的腐蝕、耐壓降低、凝露、擊穿打火等現(xiàn)象，最終導(dǎo)致整機失效。此類問題尤其在諸如鋼鐵、化工、金屬加工等相對惡劣的環(huán)境中更為突出。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于，針對現(xiàn)有技術(shù)的上述變頻器中的疊層母線排在使用過程中容易出現(xiàn)整機失效的缺陷，提供一種能夠增強絕緣性能進(jìn)而提高使用可靠性的疊層母線排以及變頻器。
[0005]本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:構(gòu)造一種疊層母線排，包括分別用于連接IGBT模塊與電容并相互疊合設(shè)置的正母排與負(fù)母排，以及安裝在所述正母排與所述負(fù)母排之間的絕緣板；所述負(fù)母排包括用于連接所述IGBT模塊的第一連接部，以及用于連接所述電容的第二連接部；所述負(fù)母排靠近所述IGBT模塊的一側(cè)和/或靠近所述電容的一側(cè)向背離所述正母排的方向彎折，對應(yīng)使得所述第一連接部和/或所述第二連接部與所述絕緣板之間形成有用于提高所述正母排與負(fù)母排之間爬電距離的間隙。
[0006]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述疊層母線排還包括用于連接所述電容與所述負(fù)母排的第一連接件；所述正母排上開設(shè)有供所述第一連接件穿過的第一穿孔；所述絕緣板上開設(shè)有供所述第一連接件穿過并與所述第一穿孔位置相對的第二穿孔；所述負(fù)母排還包括與所述正母排相互疊合設(shè)置并位于所述第一連接部和所述第二連接部之間的第一疊置部；所述負(fù)母排靠近所述IGBT模塊的一側(cè)和靠近所述電容的一側(cè)分別向背離所述正母排的方向彎折形成第一彎折部；所述第一連接部和所述第二連接部分別設(shè)置在對應(yīng)的所述第一彎折部的末端；所述絕緣板靠近所述IGBT模塊的側(cè)邊緣在所述正母排上的投影和所述第二穿孔在所述正母排上的投影分別與所述第一疊置部在所述正母排上的投影相互分離。
[0007]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，每個所述第一彎折部包括由所述第一疊置部的側(cè)邊向背離所述正母排的方向彎折的第一彎折部分，以及由所述第一彎折部分的末端向背離所述第一疊置部的方向彎折的第二彎折部分。[0008]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述第一疊置部在所述正母排上的投影與所述第二穿孔在所述正母排上的投影的距離為2mm?4mm。
[0009]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述電容為多個；多個所述電容并成兩排、三排或多排設(shè)置；所述疊層母線排還包括連接多個所述電容的串并聯(lián)母排；所述疊層母線排還包括用于連接所述電容與所述串并聯(lián)母排的第二連接件；所述絕緣板位于所述正母排與所述串并聯(lián)母排之間，且所述絕緣板上還開設(shè)有供所述第二連接件穿過的第三穿孔；所述第三穿孔與所述第一穿孔的位置相對。
[0010]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述串并聯(lián)母排包括與所述正母排相互疊合設(shè)置的第二疊置部，以及分別設(shè)置在所述第二疊置部的兩側(cè)并用于連接多個所述電容的第三連接部與第四連接部；所述串并聯(lián)母排的兩側(cè)分別向背離所述正母排的方向彎折形成第二彎折部；所述第三連接部和所述第四連接部分別設(shè)置在對應(yīng)的所述第二彎折部的末端；所述第二疊置部在所述正母排上的投影與所述第三穿孔在所述正母排上的投影相互分離。
[0011]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，每個所述第二彎折部包括由所述第二疊置部的側(cè)邊向背離所述正母排的方向彎折的第三彎折部分，以及由所述第三彎折部分的末端向背離所述第二疊置部的方向彎折的第四彎折部分。
[0012]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述第二疊置部在所述正母排上的投影與所述第三穿孔在所述正母排上的投影的距離為2mm?4mm。
[0013]在本發(fā)明所述的疊層母線排中，所述正母排靠近所述IGBT模塊的一側(cè)邊還開設(shè)用于提高爬電距離的通槽。
[0014]本發(fā)明還構(gòu)造了一種變頻器，包括IGBT模塊、電容以及如上述技術(shù)方案任意一項所述的疊層母線排；所述疊層母線排用于連接所述IGBT模塊以及所述電容。
[0015]實施本發(fā)明的疊層母線排以及變頻器，具有以下有益效果:所述疊層母線排采用負(fù)母排靠近IGBT模塊的一側(cè)和/或靠近電容的一側(cè)向背離正母排的方向彎折的結(jié)構(gòu)，對應(yīng)使得第一連接部和/或第二連接部與絕緣板之間形成間隙，該間隙能夠提高正母排與負(fù)母排之間的爬電距離以及電氣間隙，既而增強了所述疊層母線排的絕緣性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0016]下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，附圖中:
[0017]圖1是本發(fā)明較佳實施例提供的疊層母線排連接IGBT模塊與電容時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2是本發(fā)明較佳實施例提供的疊層母線排連接IGBT模塊與電容時的另一立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖3是圖1所示的疊層母線排連接IGBT模塊與電容時的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖4是圖3中A部的放大圖；
[0021]圖5是圖3中B部的放大圖；
[0022]圖6是圖4中C部的放大圖；
[0023]圖7是圖5中D部的放大圖；
[0024]圖8是圖1所示的疊層母線排中的正母排、負(fù)母排以及串并聯(lián)母排疊合設(shè)置時的立體結(jié)構(gòu)示意圖；[0025]圖9是圖1所示的疊層母線排中的正母排的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖10是圖1所示的疊層母線排中的負(fù)母排的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖11是圖1所示的疊層母線排中的絕緣板的立體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖12是圖1所示的疊層母線排中的串并聯(lián)母排的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0029]為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解，現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的【具體實施方式】。
[0030]如圖1、圖2以及圖3所示，本發(fā)明的較佳實施例提供一種疊層母線排，其用于連接IGBT模塊I與電容2。該疊層母線排包括正母排3、負(fù)母排4、絕緣板5、串并聯(lián)母排6、第一連接件7、第二連接件8以及第三連接件9。
[0031]具體地，如圖1以及圖2所示，所述疊層母線排用于連接多個IGBT模塊I與多個電容2。本實施例中，IGBT模塊I呈片狀結(jié)構(gòu)，其數(shù)量為三個，且三個IGBT模塊I呈直線排列。電容2為直流電容，其呈圓柱狀結(jié)構(gòu)。該電容2的數(shù)量為八個，且八個電容2并成兩排設(shè)置，兩排電容2之間采用串并聯(lián)母排6進(jìn)行連接，八個電容2串并聯(lián)后提供約750V電壓給IGBT模塊I。該兩排電容2與多個IGBT模塊I平行設(shè)置。在本發(fā)明的其它實施例中，IGBT模塊I的數(shù)量亦可以有其它選擇，例如六個等。電容2的數(shù)量亦可以有其它選擇，多個電容2亦可以采用并成三排或多排設(shè)置。
[0032]如圖9并參閱圖3、圖4、圖5以及圖8所示，正母排3大致為方形的薄片狀結(jié)構(gòu)，其用于連接IGBT模塊I的正極(未標(biāo)號)與八個電容2串并聯(lián)之后形成的正極(未標(biāo)號),其中，正母排3的一側(cè)設(shè)置有用于連接IGBT模塊I的正極的第一端子33，正母排3的另一側(cè)設(shè)置有用于連接八個電容2串并聯(lián)之后形成的正極的第二端子34，且該正母排3與負(fù)母排4相互疊合設(shè)置。本實施例中，第一端子33與第二端子34分別由正母排3的兩側(cè)彎折形成，第二端子34通過第三連接件9與八個電容2串并聯(lián)之后形成的正極連接。正母排3上開設(shè)有供第一連接件7以及第二連接件8穿過的第一穿孔31，該第一連接件7用于連接電容2與負(fù)母排4，該第二連接件8用于連接電容2與串并聯(lián)母排6。相應(yīng)地，請參閱圖11所示，絕緣板5上開設(shè)有供第一連接件7穿過的第二穿孔51，以及供第二連接件8穿過的第三穿孔52。負(fù)母排4與串并聯(lián)母排6并排設(shè)置，且負(fù)母排4與串并聯(lián)母排6安裝在絕緣板5的一側(cè)，正母排3安裝在絕緣板5的另一側(cè)，既而使得絕緣板5安裝在正母排3與負(fù)母排4以及串并聯(lián)母排6之間。該實施例中，第一連接件7、第二連接件8以及第三連接件9均采用螺釘?shù)慕Y(jié)構(gòu)，且三者結(jié)構(gòu)相同。
[0033]本實施例中，第一穿孔31大致為腰形結(jié)構(gòu)，該第一穿孔31設(shè)置有四個，四個第一穿孔31分別對應(yīng)與一對串聯(lián)連接的電容2相對設(shè)置。第二穿孔51與第三穿孔52為圓形通孔結(jié)構(gòu)，兩者結(jié)構(gòu)相同。優(yōu)選地，正母排3靠近IGBT模塊I的一側(cè)邊開設(shè)有通槽32，該通槽32用于提高正母排3與負(fù)母排4之間的爬電距離，從而能夠有效地隔離正母排3與負(fù)母排4，進(jìn)而提高所述疊層母線排的絕緣性能。
[0034]如圖10并參閱圖3、圖4以及圖5所示，負(fù)母排4大致為方形的薄片狀結(jié)構(gòu)，其用于連接IGBT模塊I的負(fù)極(未標(biāo)號)與八個電容2串并聯(lián)之后形成的負(fù)極(未標(biāo)號)。該負(fù)母排4包括第一疊置部41、第一連接部42、第二連接部43以及第一彎折部44。具體地，第一疊置部41與正母排3相互疊合設(shè)置，第一連接部42設(shè)置在第一疊置部41的一側(cè)并用于連接IGBT模塊I的負(fù)極，第二連接部43設(shè)置在第一疊置部41的另一側(cè)并用于連接電容2的負(fù)極。第一彎折部44設(shè)置有兩個，其中一個第一彎折部44由第一疊置部41靠近IGBT模塊I的一側(cè)邊緣向遠(yuǎn)離正母排3的方向延伸，另一個第一彎折部44由第一疊置部41靠近電容2的一側(cè)邊緣向遠(yuǎn)離正母排3的方向延伸。也即，負(fù)母排4靠近IGBT模塊I的一側(cè)和靠近電容2的一側(cè)分別向背離正母排3的方向彎折形成第一彎折部44。請參閱圖4以及圖6所示，本實施例中，第一疊置部41在正母排3上的投影分別與絕緣板5靠近IGBT模塊I的側(cè)邊緣在正母排3上的投影和第二穿孔51在正母排3上的投影相互分離，此時，正母排3與負(fù)母排4之間的爬電距離大致如圖6箭頭方向所示，與現(xiàn)有技術(shù)相比，采用第一彎折部44的結(jié)構(gòu)，使得第一連接部42和第二連接部43分別與絕緣板5之間形成間隙，該間隙能夠提高正母排3與負(fù)母排4之間的爬電距離，既而增強了所述疊層母線排的絕緣性能。
[0035]本實施例中，負(fù)母排4的兩側(cè)均彎折形成有第一彎折部44。在本發(fā)明的其它實施例中，負(fù)母排4中僅僅一側(cè)彎折形成有第一彎折部44，該一側(cè)可以為靠近IGBT模塊I的一偵牝亦可以為靠近電容2的一側(cè)。也即，負(fù)母排4靠近IGBT模塊I的一側(cè)或靠近電容2的一側(cè)向背離正母排3的方向彎折，對應(yīng)使得第一連接部42或第二連接部43與絕緣板5之間形成間隙，且對應(yīng)使得絕緣板5靠近IGBT模塊I的側(cè)邊緣在正母排3上的投影或第二穿孔51在正母排3上的投影與第一疊置部41在正母排3上的投影相互分離。采用負(fù)母排4中僅僅一側(cè)彎折形成有第一彎折部44的結(jié)構(gòu)，同樣能夠提高正母排3與負(fù)母排4之間的爬電距離，進(jìn)而提高所述疊層母線排的絕緣性能。
[0036]優(yōu)選地，如圖6并參閱圖5所示，上述第一彎折部44包括第一彎折部分441以及第二彎折部分442，也即第一彎折部44經(jīng)過兩次彎折形成。其中，第一彎折部分441由第一疊置部41的側(cè)邊向背離正母排3的方向彎折，該第一彎折部分441大致與第一疊置部41相互垂直。第二彎折部分442由第一彎折部分441的末端向背離第一疊置部41的方向彎折，該第二彎折部分442大致與第一彎折部分441相互垂直，使得第一連接部42以及第二連接部43分別與第一疊置部41相互平行。在本發(fā)明的其它實施例中，第一彎折部44亦可以通過多次彎折形成，例如第一彎折部44采用三次彎折形成。本實施例中，為了保證正母排3與負(fù)母排4之間具有足夠的爬電距離，以提高所述疊層母線排的絕緣性能，第一疊置部41在正母排3上的投影與第二穿孔51在正母排3上的投影的距離為2mm?4mm。第一連接部42與第二連接部43分別與絕緣板5的距離為3mm?4mm。
[0037]如圖12并參閱圖3、圖4以及圖5所示，串并聯(lián)母排6大致為方形的薄片狀結(jié)構(gòu)，其用于連接兩排電容2，以實現(xiàn)兩排電容2的串并聯(lián)。該串并聯(lián)母排6包括第二疊置部61、第三連接部62、第四連接部63以及第二彎折部64。具體地，第二疊置部61與正母排3相互疊合設(shè)置，第三連接部62設(shè)置在第二疊置部61的一側(cè)并用于連接IGBT模塊I的負(fù)極，第四連接部63設(shè)置在第二疊置部61的另一側(cè)并用于連接電容2的負(fù)極。第二彎折部64設(shè)置有兩個，其中一個第二彎折部64由第二疊置部61靠近IGBT模塊I的一側(cè)邊緣向遠(yuǎn)離正母排3的方向延伸，另一個第二彎折部64由第二疊置部61靠近電容2的一側(cè)邊緣向遠(yuǎn)離正母排3的方向延伸。也即，串并聯(lián)母排6靠近IGBT模塊I的一側(cè)和靠近電容2的一側(cè)分別向背離正母排3的方向彎折形成第二彎折部64。請參閱圖5以及圖7所示，本實施例中，第二疊置部61在正母排3上的投影與第三穿孔52在正母排3上的投影相互分離，從而能夠提高正母排3與串并聯(lián)母排6之間的爬電距離和電氣間隙，既而進(jìn)一步增強所述疊層母線排的絕緣性能。
[0038]本實施例中，串并聯(lián)母排6的兩側(cè)均彎折形成有第二彎折部64。在本發(fā)明的其它實施例中，串并聯(lián)母排6中僅僅一側(cè)彎折形成有第二彎折部64，該一側(cè)可以為靠近IGBT模塊I的一側(cè)，亦可以為遠(yuǎn)離IGBT模塊I的一側(cè)。也即，串并聯(lián)母排6靠近IGBT模塊I的一側(cè)或遠(yuǎn)離IGBT模塊I的一側(cè)向背離正母排3的方向彎折，對應(yīng)使得第三連接部62或第四連接部63與絕緣板5之間形成間隙，且對應(yīng)使得第二疊置部61在正母排3上的投影與第三穿孔52在正母排3上的投影相互分離。采用串并聯(lián)母排6中僅僅一側(cè)彎折形成有第二彎折部64的結(jié)構(gòu)，同樣能夠提高正母排3與串并聯(lián)母排6之間的爬電距離，進(jìn)而提高所述疊層母線排的絕緣性能。
[0039]優(yōu)選地，如圖7并參閱圖5所示，上述第二彎折部64包括第三彎折部分641以及第四彎折部分642，也即第二彎折部64經(jīng)過兩次彎折形成。其中，第三彎折部分641由第二疊置部61的側(cè)邊向背離正母排3的方向彎折，該第三彎折部分641大致與第二疊置部61相互垂直。第四彎折部分642由第三彎折部分641的末端向背離第二疊置部61的方向彎折，該第四彎折部分642大致與第三彎折部分641相互垂直，使得第三連接部62以及第四連接部63分別與第二疊置部61相互平行。在本發(fā)明的其它實施例中，第二彎折部64亦可以通過多次彎折形成，例如第二彎折部64采用三次彎折形成。本實施例中，為了保證正母排3與串并聯(lián)母排6之間具有足夠的爬電距離，以提高所述疊層母線排的絕緣性能，第二疊置部61在正母排3上的投影與第三穿孔52在正母排3上的投影的距離為2mm?4mm。第三連接部62與第四連接部63分別與絕緣板5的距離為3mm?4mm。
[0040]基于上述疊層母線排的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還構(gòu)造了一種變頻器，包括IGBT模塊1、電容2以及如上實施例所述的疊層母線排。由于所述疊層母線排采用負(fù)母排3靠近IGBT模塊I的一側(cè)和靠近電容2的一側(cè)向背離正母排3的方向彎折的結(jié)構(gòu)，對應(yīng)使得第一連接部42和第二連接部43與絕緣板5之間形成間隙，且對應(yīng)使得絕緣板5靠近IGBT模塊I的側(cè)邊緣在正母排3上的投影和第二穿孔51在正母排3上的投影與第一疊置部41在正母排3上的投影相互分離，從而提高正母排3與負(fù)母排4之間的爬電距離和電氣間隙，既而增強了所述疊層母線排的絕緣性能。再者，串并聯(lián)母排6采用第二彎折部64的結(jié)構(gòu)，能夠提高正母排3與串并聯(lián)母排6之間的爬電距離和電氣間隙，既而能夠進(jìn)一步增強所述疊層母線排的絕緣性能。
[0041]上面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進(jìn)行了描述，但是本發(fā)明并不局限于上述的【具體實施方式】，上述的【具體實施方式】僅僅是示意性的，而不是限制性的，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明的啟示下，在不脫離本發(fā)明宗旨和權(quán)利要求所保護的范圍情況下，還可做出很多形式，這些均屬于本發(fā)明的保護之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種疊層母線排，包括分別用于連接IGBT模塊(I)與電容(2)并相互疊合設(shè)置的正母排(3)與負(fù)母排(4)，以及安裝在所述正母排(3)與所述負(fù)母排(4)之間的絕緣板(5);所述負(fù)母排(4)包括用于連接所述IGBT模塊(I)的第一連接部(42 )，以及用于連接所述電容(2)的第二連接部(43);其特征在于:所述負(fù)母排(4)靠近所述IGBT模塊(I)的一側(cè)和/或靠近所述電容(2)的一側(cè)向背離所述正母排(3)的方向彎折，對應(yīng)使得所述第一連接部(42 )和/或所述第二連接部(43 )與所述絕緣板(5 )之間形成有用于提高所述正母排(3 )與負(fù)母排(4)之間爬電距離的間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層母線排，其特征在于:所述疊層母線排還包括用于連接所述電容(2)與所述負(fù)母排(4)的第一連接件(7);所述正母排(3)上開設(shè)有供所述第一連接件(7)穿過的第一穿孔(31);所述絕緣板(5)上開設(shè)有供所述第一連接件(7)穿過并與所述第一穿孔(31)位置相對的第二穿孔(51);所述負(fù)母排(4)還包括與所述正母排(3)相互疊合設(shè)置并位于所述第一連接部(42)和所述第二連接部(43)之間的第一疊置部(41)；所述負(fù)母排(4)靠近所述IGBT模塊(I)的一側(cè)和靠近所述電容(2)的一側(cè)分別向背離所述正母排(3)的方向彎折形成第一彎折部(44);所述第一連接部(42)和所述第二連接部(43)分別設(shè)置在對應(yīng)的所述第一彎折部(44)的末端；所述絕緣板(5)靠近所述IGBT模塊(I)的側(cè)邊緣在所述正母排(3)上的投影和所述第二穿孔(51)在所述正母排(3)上的投影分別與所述第一疊置部(41)在所述正母排(3)上的投影相互分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層母線排，其特征在于:每個所述第一彎折部(44)包括由所述第一疊置部(41)的側(cè)邊向背離所述正母排(3)的方向彎折的第一彎折部分(441)，以及由所述第一彎折部分(441)的末端向背離所述第一疊置部(41)的方向彎折的第二彎折部分(442)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層母線排，其特征在于:所述第一疊置部(41)在所述正母排(3)上的投影與所述第二穿孔(51)在所述正母排(3)上的投影的距離為2mm~4mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的疊層母線排，其特征在于:所述電容(2)為多個；多個所述電容(2)并成兩排、三排或多排設(shè)置；所述疊層母線排還包括連接多個所述電容(2)的串并聯(lián)母排(6 );所述疊層母線排還包括用于連接所述電容(2 )與所述串并聯(lián)母排(6 )的第二連接件(8);所述絕緣板(5)位于所述正母排(3)與所述串并聯(lián)母排(6)之間，且所述絕緣板(5)上還開設(shè)有供所述第二連接件(8)穿過的第三穿孔(52);所述第三穿孔(52)與所述第一穿孔(31)的位置相對。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的疊層母線排，其特征在于:所述串并聯(lián)母排(6)包括與所述正母排(3)相互疊合設(shè)置的第二疊置部(61)，以及分別設(shè)置在所述第二疊置部(61)的兩側(cè)并用于連接多個所述電容(2)的第三連接部(62)與第四連接部(63);所述串并聯(lián)母排(6)的兩側(cè)分別向背離所述正母排(3)的方向彎折形成第二彎折部(64);所述第三連接部(62)和所述第四連接部(63)分別設(shè)置在對應(yīng)的所述第二彎折部(64)的末端；所述第二疊置部(61)在所述正母排(3)上的投影與所述第三穿孔(52)在所述正母排(3)上的投影相互分離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層母線排，其特征在于:每個所述第二彎折部(64)包括由所述第二疊置部(61)的側(cè)邊向背離所述正母排(3)的方向彎折的第三彎折部分(641)，以及由所述第三彎折部分(641)的末端向背離所述第二疊置部(61)的方向彎折的第四彎折部分(642)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層母線排，其特征在于:所述第二疊置部(61)在所述正母排(3)上的投影與所述第三穿孔(51)在所述正母排(3)上的投影的距離為2mm~4mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8任意一項所述的疊層母線排，其特征在于:所述正母排(3)靠近所述IGBT模塊(I)的一側(cè)邊還開設(shè)有多個用于提高爬電距離的通槽(32)。
10.一種變頻器，包括IGBT模塊(I)以及電容(2);其特征在于:所述變頻器還包括如權(quán)利要求1~8任意一項所述的疊層母線排；所述疊層母線排用于連接所述IGBT模塊(I)以及所述 電容(2)。
【文檔編號】H02M1/00GK103701300SQ201310664722
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月10日
【發(fā)明者】張榮亮, 鄭延 申請人:深圳市正弦電氣股份有限公司