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      一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊及伺服驅(qū)動(dòng)器的制造方法

      文檔序號(hào):7364823閱讀:511來(lái)源:國(guó)知局
      一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊及伺服驅(qū)動(dòng)器的制造方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其包括:用于輸入直流電壓的輸入模塊;主繞組、MOS管、與主繞組處于同一側(cè)的供電繞組、與主繞組處于不同側(cè)的多個(gè)輸出繞組、PWM控制芯片、三極管;供電繞組一端接地另一端連接至主繞組、MOS管漏極、三極管集電極以及PWM控制芯片電壓輸入端;PWM控制芯片輸出端連接至MOS管基極,電壓輸入端還與三極管發(fā)射極相連;三極管源極接入輸入模塊,本實(shí)用新型還包括包含有所述電源模塊的伺服驅(qū)動(dòng)器。本實(shí)用新型中,PWM控制芯片與MOS管構(gòu)成的控制模塊采用兩路供電的模式,使得控制模塊即使在輸入電壓減小或者斷開(kāi)后仍能保持對(duì)電路的控制。
      【專利說(shuō)明】—種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊及伺服驅(qū)動(dòng)器
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型屬于電氣【技術(shù)領(lǐng)域】,涉及一種伺服驅(qū)動(dòng)器,特別是涉及一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊及伺服驅(qū)動(dòng)器。
      【背景技術(shù)】
      [0002]隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,交流伺服控制技術(shù)達(dá)到廣泛的應(yīng)用?,F(xiàn)有的伺服控制器朝著體積小、功能多的方向發(fā)展,在伺服控制器內(nèi)部各種電路密集排布,對(duì)伺服控制器各類功能模塊的抗電磁干擾能力提出了新的要求。
      [0003]伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊是保證伺服驅(qū)動(dòng)器正常工作的重要模塊,若伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊輸出電流發(fā)生擾動(dòng)則使得整個(gè)伺服驅(qū)動(dòng)的其他功能模塊均發(fā)生擾動(dòng),同時(shí)伺服驅(qū)動(dòng)電源模塊還會(huì)產(chǎn)生大量電磁干擾,影響其他功能模塊的工作。因此,對(duì)伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊需做到電流輸出穩(wěn)定以及電磁干擾輸出盡量減小的要求。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0004]本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有的技術(shù)存在上述問(wèn)題,提出了一種電流輸出穩(wěn)定、輸出電磁干擾較小的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊。
      [0005]本實(shí)用新型的目的可通過(guò)下列技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其包括:用于輸入直流電壓的輸入模塊;主繞組、MOS管、與主繞組處于同一側(cè)的供電繞組、與主繞組處于不同側(cè)的多個(gè)輸出繞組、PWM控制芯片、三極管;供電繞組一端接地另一端連接至主繞組、MOS管漏極、三極管集電極以及PWM控制芯片電壓輸入端;PWM控制芯片輸出端連接至MOS管基極,電壓輸入端還與三極管發(fā)射極相連;三極管源極接入輸入模塊。
      [0006]直流電壓輸入時(shí),主繞組磁通量增加使得輸出繞組輸出直流電壓以給伺服驅(qū)動(dòng)器其他模塊供電,同時(shí)三極管基射極導(dǎo)通使得PWM控制芯片能夠通過(guò)調(diào)節(jié)占空比以調(diào)節(jié)MOS管的導(dǎo)通時(shí)間從而維持輸出繞組的輸出電壓穩(wěn)定;當(dāng)直流輸入電壓減小或斷開(kāi)時(shí),次繞組磁通量比供電繞組磁通量大使得供電繞組產(chǎn)生感應(yīng)電流供給PWM控制芯片和MOS管,維持PWM控制芯片和MOS管在工作狀態(tài)。
      [0007]進(jìn)一步地,還包括MOS管漏極電壓保護(hù)模塊,所述MOS管漏極電壓保護(hù)模塊與主繞組并聯(lián)且與MOS管串聯(lián);所述MOS管漏極電壓保護(hù)模塊包括第一電容、第一穩(wěn)壓二極管、多個(gè)串聯(lián)連接的第一電阻,第一二極管;所述第一電容、第一穩(wěn)壓二極管、第一電阻并聯(lián)連接后與第一二極管串聯(lián)連接;第一穩(wěn)壓二極管與第一二極管負(fù)極等電位設(shè)置,MOS管漏極與第一二極管正極相連。
      [0008]進(jìn)一步地,還包括濾波模塊,所述濾波模塊設(shè)置于輸入模塊與主繞組之間,所述濾波模塊包括三條并聯(lián)支路,第一并聯(lián)支路由第二電容構(gòu)成,第二并聯(lián)支路由第一電感和第二電感構(gòu)成,第三并聯(lián)支路由第三電阻和第四電阻構(gòu)成;導(dǎo)線一端設(shè)置于第一電感和第二電感之間,另一端設(shè)置于第三電阻和第四電阻之間。
      [0009]進(jìn)一步地,所述主繞組的電感值Lp、最大磁通密度Bp、磁芯氣隙長(zhǎng)度Lg、繞組匝數(shù)Tp通過(guò)如下公式確定:
      【權(quán)利要求】
      1.一種伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:包括:用于輸入直流電壓的輸入模塊;主繞組、MOS管、與主繞組處于同一側(cè)的供電繞組、與主繞組處于不同側(cè)的多個(gè)輸出繞組、PWM控制芯片、三極管;供電繞組一端接地另一端連接至主繞組、MOS管漏極、三極管集電極以及PWM控制芯片電壓輸入端;PWM控制芯片輸出端連接至MOS管基極,電壓輸入端還與三極管發(fā)射極相連;三極管源極接入輸入模塊。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:還包括MOS管漏極電壓保護(hù)模塊,所述MOS管漏極電壓保護(hù)模塊與主繞組并聯(lián)且與MOS管串聯(lián);所述MOS管漏極電壓保護(hù)模塊包括第一電容、第一穩(wěn)壓二極管、多個(gè)串聯(lián)連接的第一電阻,第一二極管;所述第一電容、第一穩(wěn)壓二極管、第一電阻并聯(lián)連接后與第一二極管串聯(lián)連接;第一穩(wěn)壓二極管與第一二極管負(fù)極等電位設(shè)置,MOS管漏極與第一二極管正極相連。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:還包括濾波模塊,所述濾波模塊設(shè)置于輸入模塊與主繞組之間,所述濾波模塊包括三條并聯(lián)支路,第一并聯(lián)支路由第二電容構(gòu)成,第二并聯(lián)支路由第一電感和第二電感構(gòu)成,第三并聯(lián)支路由第三電阻和第四電阻構(gòu)成;導(dǎo)線一端設(shè)置于第一電感和第二電感之間,另一端設(shè)置于第三電阻和第四電阻之間。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:所述主繞組的電感值Lp、最大磁通密度Bp、磁芯氣隙長(zhǎng)度Lg、繞組匝數(shù)Tp通過(guò)如下公式確定:
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:所述主繞組中,單根繞組線的寬度為0.3至1.5毫米,繞組線之間的間隙為0.2-0.5毫米。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊,其特征在于:所述第一電阻值為20-70歐姆,第一電容值為0.2至0.7微法,第二電容值為5-10皮法,第三電阻值為100-200歐姆,第四電阻值為50-70歐姆,第一電感值為0.5-1.5毫亨,第二電感值為10-25毫亨。
      7.一種伺服驅(qū)動(dòng)器,其特征在于:包括權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的伺服驅(qū)動(dòng)器電源模塊。
      【文檔編號(hào)】H02M1/32GK203554296SQ201320487222
      【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月7日
      【發(fā)明者】陳建波 申請(qǐng)人:寧波興泰機(jī)械有限公司
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