反激增壓保護(hù)電路的制作方法
【專利摘要】一種反激增壓保護(hù)電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開(kāi)關(guān)模塊、控制模塊和反饋模塊，在電路中添加第一穩(wěn)壓管，且將第一穩(wěn)壓管與光耦回路串聯(lián)，通過(guò)設(shè)定合理的第一穩(wěn)壓參數(shù)，能大大拓展光耦回路中控制芯片TL431的極限使用電壓，當(dāng)使用電壓大于控制芯片TL431的極限使用電壓時(shí)，串聯(lián)一個(gè)電壓值為使用電壓與控制芯片極限使用電壓的差值的第一穩(wěn)壓管，即可使電路的使用電壓達(dá)到要求，電路簡(jiǎn)單可靠，且成本低。
【專利說(shuō)明】反激增壓保護(hù)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電路保護(hù)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種反激增壓保護(hù)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]反激電路是指電路主開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，二次側(cè)二極管關(guān)斷，變壓器儲(chǔ)能；主開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)，二次側(cè)二極管導(dǎo)通，變壓器儲(chǔ)能向負(fù)載釋放的電路。
[0003]目前，常用脈寬調(diào)制方式進(jìn)行電源過(guò)壓保護(hù)，電路中后級(jí)電路的電壓反饋到脈寬調(diào)制芯片的電壓反饋端，再由脈寬調(diào)制芯片將反饋的電壓信號(hào)與內(nèi)部的基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后，由脈寬調(diào)制芯片控制MOS管的導(dǎo)通與斷開(kāi)。
[0004]后級(jí)電路中設(shè)置的控制芯片TL431有相應(yīng)的極限電壓，在反饋模塊中會(huì)檢測(cè)到不同的電壓值，當(dāng)遇到檢測(cè)到的電壓值大于控制芯片TL431的極限電壓時(shí)，通常會(huì)采用單獨(dú)的電源給TL431供電，以使TL431的電壓滿足被檢測(cè)電壓的要求。
[0005]但是，采用單獨(dú)的電源給TL431供電增加了電路的復(fù)雜程度，增加了成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]基于此，本實(shí)用新型在于克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，提供一種電路簡(jiǎn)單可靠、成本低的反激增壓保護(hù)電路。
[0007]其技術(shù)方案如下:
[0008]一種反激增壓保護(hù)電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開(kāi)關(guān)模塊、控制模塊和反饋模塊，所述變壓模塊包括輸入繞組和輸出繞組，且所述輸入繞組和輸出繞組相互感應(yīng)；所述輸入繞組的同名端與所述電源模塊的輸出端連接、所述輸入繞組的異名端與所述開(kāi)關(guān)模塊的輸入端連接，所述控制模塊的輸入端與所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端連接，所述控制模塊的輸出端與開(kāi)關(guān)模塊的控制端連接，且所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端接地；所述輸出繞組的異名端與所述直流整流濾波模塊連接，所述輸出繞組的同名端接地；所述反饋模塊的輸入端連接所述直流整流濾波模塊，所述反饋模塊的輸出端與所述控制模塊連接；所述控制模塊包括脈寬調(diào)制芯片、采樣電阻、定時(shí)電阻和定時(shí)電容，所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端和所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端均連接所述采樣電阻的一端，所述采樣電阻的另一端接地；所述定時(shí)電阻和定時(shí)電容串聯(lián)連接，所述脈寬調(diào)制芯片的定時(shí)端與所述定時(shí)電阻和定時(shí)電容的公共端連接，所述定時(shí)電阻的另一端與所述脈寬調(diào)制芯片的基準(zhǔn)電壓端連接，所述定時(shí)電容的另一端接地，所述脈寬調(diào)制芯片的接地端接地；所述脈寬調(diào)制芯片的輸出端與所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端連接，所述脈寬調(diào)制芯片的電源端與所述電源模塊的輸出端連接；所述反饋模塊包括第一穩(wěn)壓管和光耦回路，所述第一穩(wěn)壓管與所述光耦回路串聯(lián)，所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述光耦回路的一端均與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第一穩(wěn)壓管的陽(yáng)極與所述光耦回路的另一端鏈接，且所述光耦回路接地。
[0009]下面對(duì)進(jìn)一步技術(shù)方案進(jìn)行說(shuō)明:
[0010]所述光耦回路包括光耦、控制芯片、第一限流電阻、第一分壓電阻和第二分壓電阻；所述光耦包括發(fā)射器和接收器，所述發(fā)射器的輸入端與所述第一限流電阻一端連接，所述第一限流電阻的另一端與所述第一穩(wěn)壓管的陽(yáng)極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述發(fā)射器的輸出端與所述控制芯片的輸入端連接；所述接收器的輸入端與所述脈寬調(diào)制芯片的頻率補(bǔ)償端連接，所述接收器的輸出端接地；所述第一分壓電阻和第二分壓電阻串聯(lián)連接，所述控制芯片的控制端與所述第一分壓電阻和第二分壓電阻的公共端連接，所述第一分壓電阻的另一端與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第二分壓電阻的另一端接地，所述控制芯片的輸出端接地；所述控制芯片在直流輸出電壓高于其電壓閾值時(shí)導(dǎo)通。
[0011]所述光耦回路還包括補(bǔ)償電容和第一濾波電容；所述補(bǔ)償電容的兩端分別與所述控制芯片的輸入端和控制端連接，所述第一濾波電容與所述第二分壓電阻并聯(lián)連接。
[0012]還包括第一偏置電阻和第二偏置電阻，所述第一偏置電阻的兩端分別連接所述脈寬調(diào)制芯片的基準(zhǔn)電壓端和電壓采樣端；所述第二偏置電阻的兩端分別連接所述電源模塊的輸出端和所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端。
[0013]所述變壓模塊還包括反饋繞組、第一電阻、第一二極管、第一電容和第二穩(wěn)壓管，所述反饋繞組感應(yīng)所述輸出繞組的電壓，所述反饋繞組的異名端與所述第一二極管的正極連接，所述第一二極管的負(fù)極與所述第一電阻的一端連接，所述反饋繞組的同名端接地，所述第一電阻的另一端和所述第一電容的一端的公共端與所述第二穩(wěn)壓管的陰極和所述脈寬調(diào)制芯片的電源端連接，所述第一電容的另一端與所述反饋繞組的同名端連接，所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端與所述第二偏置電阻的公共端連接所述第二穩(wěn)壓管的陽(yáng)極。
[0014]所述直流整流濾波模塊包括第二二極管和第二濾波電容，所述第二二極管的正極與所述輸出繞組的異名端連接，所述第二二極管的負(fù)極為所述直流整流濾波模塊的輸出端，所述第二濾波電容一端與所述第二二極管的負(fù)極連接，所述第二濾波電容另一端接地。
[0015]所述直流整流濾波模塊還包括第二電阻、第三濾波電容、第一濾波電感、第四濾波電容和第三電阻；所述第二電阻的兩端分別與所述第二二極管的正極和所述第三濾波電容的一端連接，所述第三濾波電容的另一端與所述第二二極管的負(fù)極連接；所述第一濾波電感的兩端分別與所述第二濾波電容的正極和所述第四濾波電容的一端連接，所述第四濾波電容的另一端與所述第二濾波電容的負(fù)極連接；所述第三電阻與所述第四濾波電容并聯(lián)。
[0016]所述開(kāi)關(guān)模塊包括N溝道MOSFET、第三偏置電阻、第二限流電阻和第五濾波電容，所述N溝道MOSFET的漏極為所述開(kāi)關(guān)模塊的輸入端，所述N溝道MOSFET的源極為所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端，所述N溝道MOSFET的柵極為所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端，且所述N溝道MOSFET的柵極通過(guò)所述第二限流電阻與所述脈寬調(diào)制芯片的輸出端連接，所述第三偏置電阻連接在所述N溝道MOSFET的柵極和源極之間；所述第五濾波電容的兩端分別與所述N溝道MOSFET的漏極和源極連接。
[0017]所述控制模塊包括濾波單元，所述濾波單元包括濾波電阻和第六濾波電容，所述濾波電阻的兩端分別連接所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端和所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端；所述第六濾波電容的一端連接所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端，另一端接地。
[0018]所述電源模塊包括第七濾波電容、第八濾波電容、第二濾波電感、第三二極管、第四二極管、第四電阻、第五電阻和三極管；所述第七濾波電容一端與電壓輸入端連接，另一端接地；所述第二濾波電感輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與所述第八濾波電容一端連接，所述第八濾波電容另一端接地；所述第三二極管、第四二極管和第四電阻串聯(lián)連接，且與所述第八濾波電容并聯(lián)連接，所述第三二極管的正極與所述第八濾波電容一端連接，所述第四電阻一端與所述第八濾波電容另一端連接；所述第五電阻一端與所述第三二極管的正極連接，另一端與所述三極管的發(fā)射極連接，所述三極管的基極與所述第四二極管的負(fù)極連接，所述三極管的集電極與所述第二穩(wěn)壓管的陰極及所述脈寬調(diào)制芯片的電源端連接。
[0019]下面對(duì)前述技術(shù)方案的原理、效果等進(jìn)行說(shuō)明:
[0020]在電路中添加第一穩(wěn)壓管，且將第一穩(wěn)壓管與光耦回路串聯(lián)，通過(guò)設(shè)定合理的第一穩(wěn)壓參數(shù)，能大大拓展光耦回路中控制芯片TL431的極限使用電壓，當(dāng)使用電壓大于控制芯片TL431的極限使用電壓時(shí)，串聯(lián)一個(gè)電壓值為使用電壓與控制芯片極限使用電壓的差值的第一穩(wěn)壓管，即可使電路的使用電壓達(dá)到要求，電路簡(jiǎn)單可靠，且成本低。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本實(shí)用新型反激增壓保護(hù)電路的電路原理圖；
[0022]圖2是脈寬調(diào)制芯片UC3843的內(nèi)部原理框圖。
[0023]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0024]100.反激增壓保護(hù)電路，110.電源模塊，120.變壓模塊，140.開(kāi)關(guān)模塊，130.直流整流濾波模塊，150.反饋模塊，160.控制模塊，162.濾波單元，210.誤差放大器，220.比較器，230.PWM鎖存器。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明:
[0026]如圖1所示，一種反激增壓保護(hù)電路100，包括電源模塊110 ;變壓模塊120，用于對(duì)電源模塊110輸出的整流濾波電壓進(jìn)行降壓；直流整流濾波模塊130，用于對(duì)降壓后的整流濾波電壓進(jìn)行整流濾波、且從直流整流濾波模塊130的輸出端輸出直流輸出電壓；開(kāi)關(guān)模塊140，用于對(duì)整流濾波模塊進(jìn)行開(kāi)關(guān)控制，從而獲取穩(wěn)定的電壓值；反饋模塊150，用于采集直流輸出電壓；以及控制模塊160。變壓模塊120包括輸入繞組TIAa-b和輸出繞組TIAe-f，且輸入繞組TIAa-b和輸出繞組TlAe_f相互感應(yīng)；輸入繞組TlAa_b的同名端TlAa與電源模塊110的輸出端連接、輸入繞組TIAa-b的異名端TlAb與開(kāi)關(guān)模塊140的輸入端連接，控制模塊160的輸入端與開(kāi)關(guān)模塊140的輸出端連接，控制模塊160的輸出端與開(kāi)關(guān)模塊140的控制端連接，且開(kāi)關(guān)模塊140的輸出端接地；輸出繞組TIAe-f的異名端TlAe與直流整流濾波模塊130連接，輸出繞組TIAe-f的同名端TlAf接地。反饋模塊150的輸入端連接直流整流濾波模塊130，反饋模塊150的輸出端與控制模塊160連接，反饋模塊150在直流輸出電壓高于電壓閾值時(shí)發(fā)送反饋信號(hào)，使頻率補(bǔ)償端COMP的電位被拉低?？刂颇K160包括脈寬調(diào)制芯片Ul、采樣電阻R5、定時(shí)電阻Rll和定時(shí)電容C4，如圖2所示，脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓米樣端Ics和開(kāi)關(guān)模塊140的輸出端均連接米樣電阻R5的一端,米樣電阻R5的另一端接地；定時(shí)電阻Rll和定時(shí)電容C4串聯(lián)連接，脈寬調(diào)制芯片UI的定時(shí)端RT/CT與定時(shí)電阻Rl I和定時(shí)電容C4的公共端連接，定時(shí)電阻Rl I的另一端與脈寬調(diào)制芯片Ul的基準(zhǔn)電壓端Verf連接，定時(shí)電容C4的另一端接地，脈寬調(diào)制芯片Ul的接地端Gnd接地；脈寬調(diào)制芯片Ul的輸出端Output與開(kāi)關(guān)模塊140的控制端連接，脈寬調(diào)制芯片Ul的電源端Vcc與電源模塊110的輸出端連接。本實(shí)施例中的脈寬調(diào)制芯片Ul的型號(hào)為UC3843。
[0027]所述反饋模塊150包括第一穩(wěn)壓管ZE2和光耦回路，所述第一穩(wěn)壓管ZE2與所述光耦回路串聯(lián)，所述第一穩(wěn)壓管ZE2的陰極和所述光耦回路的一端均與所述直流整流濾波模塊130的輸出端連接，所述第一穩(wěn)壓管ZE2的陽(yáng)極與所述光耦回路的另一端鏈接，且所述光耦回路接地。
[0028]在電路中添加第一穩(wěn)壓管ZE2，且將第一穩(wěn)壓管ZE2與光耦回路串聯(lián)，通過(guò)設(shè)定合理的第一穩(wěn)壓參數(shù)，能大大拓展光耦回路中控制芯片TL431的極限使用電壓，當(dāng)使用電壓大于控制芯片TL431的極限使用電壓時(shí)，串聯(lián)一個(gè)電壓值為使用電壓與控制芯片極限使用電壓的差值的第一穩(wěn)壓管ZE2，即可使電路的使用電壓達(dá)到要求，電路簡(jiǎn)單可靠，且成本低。
[0029]當(dāng)控制芯片TL431的極限電壓是40V，如果需要檢測(cè)大于40V的電壓時(shí)，就不能直接使用了 ；如:控制芯片TL431的極限使用電壓為40V，串聯(lián)一個(gè)15V的第一穩(wěn)壓管ZE2，那么控制芯片TL431的使用電壓就能達(dá)到55V，如果串聯(lián)一個(gè)100V的第一穩(wěn)壓管ZE2，那么控制芯片TL431的使用電壓就能達(dá)到140V。
[0030]如圖1所示，在其中一個(gè)實(shí)施例中，光耦回路包括光耦U3、控制芯片U2、第一限流電阻R8、第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4。本實(shí)施例中控制芯片U2采用TL431芯片，控制芯片U2的參考端為控制開(kāi)關(guān)的控制端，控制芯片U2的陰極為控制開(kāi)關(guān)的輸入端，控制芯片U2的陽(yáng)極為控制開(kāi)關(guān)的輸出端。光耦U3包括發(fā)射器U3A和接收器U3B，所述發(fā)射器U3A的輸入端與所述第一限流電阻R8—端連接，所述第一限流電阻R8的另一端與所述第一穩(wěn)壓管ZE2的陽(yáng)極連接，所述第一穩(wěn)壓管ZE2的陰極與所述直流整流濾波模塊130的輸出端連接；發(fā)射器U3A的輸出端與控制芯片U2的輸入端連接，接收器U3B的輸入端與脈寬調(diào)制芯片Ul的頻率補(bǔ)償端COMP連接，接收器U3B的輸出端接地；第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4串聯(lián)連接，控制芯片U2的控制端與第一分壓電阻R7和第二分壓電阻R4的公共端連接，第一分壓電阻R7的另一端與直流整流濾波模塊的輸出端連接，第二分壓電阻R4的另一端接地，控制芯片U2的輸出端接地；控制芯片U2在直流輸出電壓高于其電壓閾值時(shí)導(dǎo)通。
[0031]在其中一個(gè)實(shí)施例中，光耦回路還包括補(bǔ)償電容C22和第一濾波電容CR4 ;補(bǔ)償電容C22的兩端分別與控制芯片U2的輸入端和控制端連接，第一濾波電容CR4與第二分壓電阻R4并聯(lián)連接。
[0032]本實(shí)施例中脈寬調(diào)制芯片Ul的頻率補(bǔ)償端COMP可直接通過(guò)接收器接地，即接收器與補(bǔ)償端COMP之間、接收器與地線之間不連接電阻等其它元器件，當(dāng)接收器導(dǎo)通后使得頻率補(bǔ)償端COMP電位能夠快速拉低，使過(guò)流保護(hù)反應(yīng)更加靈敏。
[0033]如圖1所不，在其中一個(gè)實(shí)施例中，還包括第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6,第一偏置電阻R9的兩端分別連接脈寬調(diào)制芯片Ul的基準(zhǔn)電壓端Verf和電壓采樣端Ics，第二偏置電阻R6的兩端分別連接電源模塊110的輸出端和脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics0在電路中添加第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6，用于為脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics提供額外的電流偏置；第一偏置電阻R9從脈寬調(diào)制芯片Ul的基準(zhǔn)電壓端Verf引進(jìn)電源，電流經(jīng)第一偏置電阻R9流經(jīng)脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics、再經(jīng)濾波電阻R13和采樣電阻R5流向大地；第二偏置電阻R6從電源模塊110的輸出端引進(jìn)電源，電流經(jīng)第二偏置電阻R6流經(jīng)脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics、再經(jīng)濾波電阻R13和采樣電阻R5流向大地；從電源模塊110輸出端輸出的流經(jīng)開(kāi)關(guān)模塊140的電流也經(jīng)采樣電阻R5流向大地。濾波電阻R13的阻值一般在1ΚΩ左右，只需要零點(diǎn)幾毫安就可使濾波電阻R13的電壓達(dá)到零點(diǎn)幾伏，所以，可以調(diào)整第一偏置電阻R9和第二偏置電阻R6的阻值來(lái)設(shè)定通過(guò)濾波電阻R13的電流。在保證能穩(wěn)定觸發(fā)脈寬調(diào)制芯片Ul檢測(cè)門限值的條件下，采樣電阻R5所需提供的電壓會(huì)因?yàn)V波電阻R13的電壓提供而降低，于是，采樣電阻R5的功率損耗也相應(yīng)降低，提聞了廣品的轉(zhuǎn)換效率。
[0034]如圖1所示，變壓模塊120還包括反饋繞組TIBc-d、第一電阻R10、第一二極管D4、第一電容C9和第二穩(wěn)壓管ZE1，反饋繞組TIBc-d感應(yīng)輸出繞組TIAe-f的電壓，反饋繞組TIBc-d的異名端TlBc與第一二極管D4的正極連接，第一二極管D4的負(fù)極與第一電阻RlO的一端連接，反饋繞組TIBc-d的同名端TlBd接地，第一電阻RlO的另一端和第一電容C9的一端的公共端與第二穩(wěn)壓管ZEl的陰極和脈寬調(diào)制芯片Ul的電源端Vcc連接，第一電容C9的另一端與反饋繞組TIBc-d的同名端TlBd連接，脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics與第二偏置電阻的公共端連接第二穩(wěn)壓管ZEl的陽(yáng)極。反饋繞組TIBc-d中感應(yīng)的電壓經(jīng)過(guò)第一電阻R10、第一二極管D4和第一電容C9的作用后接到脈寬調(diào)制芯片Ul的電源端Ncc為脈寬調(diào)制芯片Ul提供工作電壓。
[0035]在電路中添加第二穩(wěn)壓管ZE1，用于主動(dòng)輸出的過(guò)壓保護(hù)；電路中反饋繞組TIBc-d正比于輸出繞組TIAe-f，當(dāng)電路的輸出電壓升高時(shí)，反饋繞組TlBc_d能感應(yīng)到輸出繞組TIAe-f輸出電壓的抬升，于是，反饋繞組TIBc-d異名端TlBc的電壓就會(huì)升高；即第二穩(wěn)壓管ZEl陰極與反饋繞組TIBc-d的異名端TlBc連接，所以，第二穩(wěn)壓管ZEl的陰極電壓升高。通過(guò)選定合理的第二穩(wěn)壓管ZEl的穩(wěn)壓參數(shù)，能確保在一定的電壓時(shí)擊穿第二穩(wěn)壓管ZE1，電流從第二穩(wěn)壓管ZEl的陰極流往第二穩(wěn)壓管ZEl的陽(yáng)極，并經(jīng)過(guò)濾波電阻和采樣電阻R5接地；當(dāng)?shù)诙€(wěn)壓管ZEl被擊穿之后，會(huì)保持電壓不變，從第二穩(wěn)壓管ZEl過(guò)來(lái)的電流抬升了濾波電阻和采樣電阻R5的電壓，即脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics的電位上升；脈寬調(diào)制芯片Ul將電壓采樣端Ics采樣得到的信號(hào)和頻率補(bǔ)償端COMP的電壓分別輸入內(nèi)部的比較器220進(jìn)行比較，并將比較結(jié)果輸入內(nèi)部的PWM鎖存器230，輸出PWM信號(hào)并由脈寬調(diào)制芯片Ul的輸出端Output輸出，最終促使脈寬調(diào)制芯片Ul的輸出端Output關(guān)閉電壓輸出，從而關(guān)斷變壓器的輸入繞組TIAa-b的電壓輸入，變壓器失去了原邊的能量輸入，自然就抑制了輸出電壓的進(jìn)一步上升從而達(dá)到保護(hù)后級(jí)電路的目的。其中，誤差放大器210—端與脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓反饋端FB連接，且脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓反饋端FB接地。
[0036]如圖1所示，在其中一個(gè)實(shí)施例中，直流整流濾波模塊130包括第二二極管Dl和第二濾波電容Cl I，第二二極管Dl的正極與輸出繞組TIAe-f的異名端TlAe連接，第二二極管Dl的負(fù)極為直流整流濾波模塊130的輸出端，第二濾波電容Cll 一端與第二二極管Dl的負(fù)極連接，第二濾波電容Cll另一端接地。經(jīng)直流整流濾波模塊130整流、濾波后的電流，可將正負(fù)變化的交流電壓變?yōu)閱蜗蛎}動(dòng)電壓，使電源的波動(dòng)顯著性減小，滿足電流穩(wěn)恒的用電器的用電要求。
[0037]在其中一個(gè)實(shí)施例中，直流整流濾波模塊130還包括第二電阻R15、第三濾波電容CS、第一濾波電感L1、第四濾波電容C12和第三電阻RD;第二電阻R15的兩端分別與第二二極管Dl的正極和第三濾波電容C8的一端連接，第三濾波電容C8的另一端與第二二極管Dl的負(fù)極連接；第一濾波電感LI的兩端分別與第二濾波電容Cll的正極和第四濾波電容C12的一端連接，第四濾波電容C12的另一端與第二濾波電容Cll的負(fù)極連接；第三電阻RD與第四濾波電容C12并聯(lián)；進(jìn)一步保證交流電壓變?yōu)閱蜗蛎}動(dòng)電壓和電源的波動(dòng)減小。
[0038]如圖1所示，在其中一個(gè)實(shí)施例中，開(kāi)關(guān)模塊140包括N溝道MOSFET TRl、第三偏置電阻R12、第二限流電阻R3和第五濾波電容C10，N溝道MOSFET TRl的漏極為開(kāi)關(guān)模塊140的輸入端，N溝道MOSFET TRl的源極為開(kāi)關(guān)模塊140的輸出端，N溝道MOSFET TRl的柵極為開(kāi)關(guān)模塊140的控制端，且N溝道MOSFET TRl的柵極通過(guò)第二限流電阻R3與脈寬調(diào)制芯片Ul的輸出端Output連接，第三偏置電阻R12連接在N溝道MOSFET的柵極和源極之間，第五濾波電容ClO的兩端分別與N溝道MOSFET TRl的漏極和源極連接。脈寬調(diào)制芯片Ul的輸出端Output輸出PWM信號(hào)控制N溝道MOSFET TRl的導(dǎo)通和關(guān)斷，從而控制變壓器的通斷狀態(tài)。
[0039]在其中一個(gè)實(shí)施例中，控制模塊160包括濾波單元162，濾波單元162包括濾波電阻R13和第六濾波電容C5，濾波電阻R13的兩端分別連接開(kāi)關(guān)模塊140的輸出端和脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics ;第六濾波電容C5的一端連接脈寬調(diào)制芯片Ul的電壓采樣端Ics,另一端接地。
[0040]如圖1所示，電源模塊110包括第七濾波電容CO、第八濾波電容Cl、第二濾波電感L0、第三二極管D3、第四二極管D5、第四電阻R2、第五電阻Rl和三極管Q1。第七濾波電容CO 一端與電壓輸入端連接，另一端接地；第二濾波電感LO輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與第八濾波電容Cl 一端連接，第八濾波電容Cl另一端接地；第三二極管D3、第四二極管D5和第四電阻R2串聯(lián)連接，且與第八濾波電容Cl并聯(lián)連接，第三二極管D3的正極與第八濾波電容Cl 一端連接,第四電阻R2 —端與第八濾波電容Cl另一端連接；第五電阻Rl —端與第三二極管D3的正極連接，另一端與三極管Ql的發(fā)射極連接，三極管Ql的基極與第四二極管D5的負(fù)極連接，三極管Ql的集電極與第二穩(wěn)壓管ZEl的陰極及脈寬調(diào)制芯片Ul的電源端Vcc連接?？蓪?duì)輸入電壓可進(jìn)行整流濾波，且三極管Ql可根據(jù)輸入電壓的高低控制三極管Ql是否導(dǎo)通，從而控制脈寬調(diào)制芯片Ul電源端Vcc是否與電源模塊110接通。
[0041]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本實(shí)用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種反激增壓保護(hù)電路，包括電源模塊、變壓模塊、直流整流濾波模塊、開(kāi)關(guān)模塊、控制模塊和反饋模塊，所述變壓模塊包括輸入繞組和輸出繞組，且所述輸入繞組和輸出繞組相互感應(yīng)；所述輸入繞組的同名端與所述電源模塊的輸出端連接、所述輸入繞組的異名端與所述開(kāi)關(guān)模塊的輸入端連接，所述控制模塊的輸入端與所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端連接，所述控制模塊的輸出端與開(kāi)關(guān)模塊的控制端連接，且所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端接地；所述輸出繞組的異名端與所述直流整流濾波模塊連接，所述輸出繞組的同名端接地；所述反饋模塊的輸入端連接所述直流整流濾波模塊，所述反饋模塊的輸出端與所述控制模塊連接；其特征在于，所述控制模塊包括脈寬調(diào)制芯片、采樣電阻、定時(shí)電阻和定時(shí)電容，所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端和所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端均連接所述采樣電阻的一端，所述采樣電阻的另一端接地；所述定時(shí)電阻和定時(shí)電容串聯(lián)連接，所述脈寬調(diào)制芯片的定時(shí)端與所述定時(shí)電阻和定時(shí)電容的公共端連接，所述定時(shí)電阻的另一端與所述脈寬調(diào)制芯片的基準(zhǔn)電壓端連接，所述定時(shí)電容的另一端接地，所述脈寬調(diào)制芯片的接地端接地；所述脈寬調(diào)制芯片的輸出端與所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端連接，所述脈寬調(diào)制芯片的電源端與所述電源模塊的輸出端連接；所述反饋模塊包括第一穩(wěn)壓管和光耦回路，所述第一穩(wěn)壓管與所述光耦回路串聯(lián)，所述第一穩(wěn)壓管的陰極和所述光耦回路的一端均與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第一穩(wěn)壓管的陽(yáng)極與所述光耦回路的另一端鏈接，且所述光耦回路接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述光耦回路包括光耦、控制芯片、第一限流電阻、第一分壓電阻和第二分壓電阻；所述光耦包括發(fā)射器和接收器，所述發(fā)射器的輸入端與所述第一限流電阻一端連接，所述第一限流電阻的另一端與所述第一穩(wěn)壓管的陽(yáng)極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述發(fā)射器的輸出端與所述控制芯片的輸入端連接；所述接收器的輸入端與所述脈寬調(diào)制芯片的頻率補(bǔ)償端連接，所述接收器的輸出端接地；所述第一分壓電阻和第二分壓電阻串聯(lián)連接，所述控制芯片的控制端與所述第一分壓電阻和第二分壓電阻的公共端連接，所述第一分壓電阻的另一端與所述直流整流濾波模塊的輸出端連接，所述第二分壓電阻的另一端接地，所述控制芯片 的輸出端接地；所述控制芯片在直流輸出電壓高于其電壓閾值時(shí)導(dǎo)通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述光耦回路還包括補(bǔ)償電容和第一濾波電容；所述補(bǔ)償電容的兩端分別與所述控制芯片的輸入端和控制端連接，所述第一濾波電容與所述第二分壓電阻并聯(lián)連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，還包括第一偏置電阻和第二偏置電阻，所述第一偏置電阻的兩端分別連接所述脈寬調(diào)制芯片的基準(zhǔn)電壓端和電壓采樣端；所述第二偏置電阻的兩端分別連接所述電源模塊的輸出端和所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述變壓模塊還包括反饋繞組、第一電阻、第一二極管、第一電容和第二穩(wěn)壓管，所述反饋繞組感應(yīng)所述輸出繞組的電壓，所述反饋繞組的異名端與所述第一二極管的正極連接，所述第一二極管的負(fù)極與所述第一電阻的一端連接，所述反饋繞組的同名端接地，所述第一電阻的另一端和所述第一電容的一端的公共端與所述第二穩(wěn)壓管的陰極和所述脈寬調(diào)制芯片的電源端連接，所述第一電容的另一端與所述反饋繞組的同名端連接，所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端與所述第二偏置電阻的公共端連接所述第二穩(wěn)壓管的陽(yáng)極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述直流整流濾波模塊包括第二二極管和第二濾波電容，所述第二二極管的正極與所述輸出繞組的異名端連接，所述第二二極管的負(fù)極為所述直流整流濾波模塊的輸出端，所述第二濾波電容一端與所述第二二極管的負(fù)極連接，所述第二濾波電容另一端接地。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述直流整流濾波模塊還包括第二電阻、第三濾波電容、第一濾波電感、第四濾波電容和第三電阻；所述第二電阻的兩端分別與所述第二二極管的正極和所述第三濾波電容的一端連接，所述第三濾波電容的另一端與所述第二二極管的負(fù)極連接；所述第一濾波電感的兩端分別與所述第二濾波電容的正極和所述第四濾波電容的一端連接，所述第四濾波電容的另一端與所述第二濾波電容的負(fù)極連接；所述第三電阻與所述第四濾波電容并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)模塊包括N溝道MOSFET、第三偏置電阻、第二限流電阻和第五濾波電容，所述N溝道MOSFET的漏極為所述開(kāi)關(guān)模塊的輸入端，所述N溝道MOSFET的源極為所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端，所述N溝道MOSFET的柵極為所述開(kāi)關(guān)模塊的控制端，且所述N溝道MOSFET的柵極通過(guò)所述第二限流電阻與所述脈寬調(diào)制芯片的輸出端連接，所述第三偏置電阻連接在所述N溝道MOSFET的柵極和源極之間；所述第五濾波電容的兩端分別與所述N溝道MOSFET的漏極和源極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述控制模塊包括濾波單元，所述濾波單元包括濾波電阻和第六濾波電容，所述濾波電阻的兩端分別連接所述開(kāi)關(guān)模塊的輸出端和所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端；所述第六濾波電容的一端連接所述脈寬調(diào)制芯片的電壓采樣端，另一端接地。
10.根據(jù)權(quán)利要 求5所述的反激增壓保護(hù)電路，其特征在于，所述電源模塊包括第七濾波電容、第八濾波電容、第二濾波電感、第三二極管、第四二極管、第四電阻、第五電阻和三極管；所述第七濾波電容一端與電壓輸入端連接，另一端接地；所述第二濾波電感輸入端與電壓輸入端連接，輸出端與所述第八濾波電容一端連接，所述第八濾波電容另一端接地；所述第三二極管、第四二極管和第四電阻串聯(lián)連接，且與所述第八濾波電容并聯(lián)連接，所述第三二極管的正極與所述第八濾波電容一端連接，所述第四電阻一端與所述第八濾波電容另一端連接；所述第五電阻一端與所述第三二極管的正極連接，另一端與所述三極管的發(fā)射極連接，所述三極管的基極與所述第四二極管的負(fù)極連接，所述三極管的集電極與所述第二穩(wěn)壓管的陰極及所述脈寬調(diào)制芯片的電源端連接。
【文檔編號(hào)】H02M3/335GK203590041SQ201320541902
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月2日
【發(fā)明者】劉吉昌 申請(qǐng)人:廣州德勵(lì)電子科技有限公司