非隔離的開關(guān)電源電路的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種非隔離的開關(guān)電源電路，包括開關(guān)芯片、直流輸出單元和反饋單元，開關(guān)芯片的輸入端連接輸入電源，開關(guān)芯片的反饋端經(jīng)反饋單元與直流輸出單元的輸出端連接，該非隔離的開關(guān)電源電路還包括欠壓保護(hù)模塊，欠壓保護(hù)模塊連接在開關(guān)芯片的輸出端與直流輸出單元的輸入端之間，欠壓保護(hù)模塊還與開關(guān)芯片的供電端連接。本實(shí)用新型由于欠壓保護(hù)模塊及直流輸出單元可根據(jù)開關(guān)芯片的導(dǎo)通和截止時(shí)間來調(diào)整工作電壓及輸出直流電壓的大小，因此，可實(shí)現(xiàn)在開關(guān)芯片輸出較小的直流輸出電壓時(shí)，保證開關(guān)芯片的正常工作，擴(kuò)大了直流輸出電壓的適用范圍，實(shí)用性高，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
【專利說明】非隔離的開關(guān)電源電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電源【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種非隔離的開關(guān)電源電路。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著開關(guān)電源的控制越來越完善與先進(jìn)，并且開關(guān)電源有其獨(dú)到的效率高、開關(guān)變壓器體積小、待機(jī)功耗小等優(yōu)點(diǎn)，在一些需輸出大功率電源的情況下成本更低，因此，開關(guān)電源得到了越來越廣泛地應(yīng)用。
[0003]但是，當(dāng)利用開關(guān)芯片來做成開關(guān)電源時(shí)，由于開關(guān)芯片的工作電壓一般在十幾伏如14.5V左右，其欠壓保護(hù)電壓也至少在8V左右，而開關(guān)電源的輸出電壓反饋到開關(guān)芯片，作為其欠壓保護(hù)電壓，因此當(dāng)開關(guān)電源工作時(shí)，若要保證開關(guān)芯片能正常工作，則開關(guān)電源的輸出電壓必須達(dá)到開關(guān)芯片的欠壓保護(hù)電壓，即至少為8V左右。但由于現(xiàn)在大部分單片機(jī)的工作電壓只需5V電源，甚至有的單片機(jī)工作電壓只需1.8V?3.6V電源，當(dāng)需利用該開關(guān)電源為單片機(jī)進(jìn)行供電時(shí)，開關(guān)電源的輸出電壓范圍只能為1.8V?5V左右，則開關(guān)芯片會(huì)因無法達(dá)到其欠壓保護(hù)電壓而無法正常工作，導(dǎo)致開關(guān)電源也無法正常輸出電壓。若通過隔離的開關(guān)電源方案來解決該問題，則會(huì)帶來繞組多、體積大、成本高的問題。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種非隔離的開關(guān)電源電路，旨在控制輸出直流電壓大小的同時(shí)能保證開關(guān)芯片正常工作。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提出一種非隔離的開關(guān)電源電路，包括開關(guān)芯片、直流輸出單元和反饋單元，所述開關(guān)芯片的輸入端連接輸入電源，所述開關(guān)芯片的反饋端經(jīng)所述反饋單元與所述直流輸出單元的輸出端連接，該非隔離的開關(guān)電源電路還包括欠壓保護(hù)模塊，所述欠壓保護(hù)模塊連接在所述開關(guān)芯片的輸出端與所述直流輸出單元的輸入端之間，所述欠壓保護(hù)模塊還與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述欠壓保護(hù)模塊用于根據(jù)所述開關(guān)芯片的開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行充放電，從而為所述開關(guān)芯片提供工作電壓；所述直流輸出單元用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述欠壓保護(hù)模塊的充電量。
[0006]優(yōu)選地，所述直流輸出單元用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述開關(guān)芯片中開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間，從而控制所述欠壓保護(hù)模塊和所述直流輸出單元中存儲(chǔ)的電量；所述欠壓保護(hù)模塊中存儲(chǔ)的電量大于所述直流輸出單元中存儲(chǔ)的電量。
[0007]優(yōu)選地，所述欠壓保護(hù)模塊包括用于在所述開關(guān)芯片中開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)電量的第一電感，所述直流輸出單元包括用于在所述開關(guān)芯片中開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)電量的第二電感；所述第一電感的電感量大于所述第二電感的電感量。
[0008]優(yōu)選地，所述開關(guān)芯片的開關(guān)管為MOSFET管，所述MOSFET管的漏極端為所述開關(guān)芯片的輸入端，所述MOSFET管的源極端為所述開關(guān)芯片的輸出端。
[0009]優(yōu)選地，所述欠壓保護(hù)模塊還包括第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管及第三二極管，所述第一二極管的陽極經(jīng)所述第二電容與所述第二二極管的陰極連接，所述第二二極管的陽極經(jīng)所述第一電感與所述第一二極管的陰極連接；所述第一二極管的陰極與所述開關(guān)芯片的輸出端連接，所述第一二極管的陰極還經(jīng)所述第一電容與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第二二極管的陰極還與所述第三二極管的陽極連接，所述第三二極管的陰極與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第二二極管的陽極還與所述直流輸出單元連接，所述第一二極管的陽極還與所述輸入電源的負(fù)極相連。
[0010]優(yōu)選地，所述第一電容及所述第二電容均為極性電容，所述第一電容的正極與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第一電容的負(fù)極與所述第一二極管的陰極連接；所述第二電容的正極與所述第二二極管的陰極連接，所述第二電容的負(fù)極與所述輸入電源的負(fù)極連接。
[0011]優(yōu)選地，所述直流輸出單元還包括第三電容及第一穩(wěn)壓管，所述第一穩(wěn)壓管的陰極經(jīng)所述第三電容與所述第一穩(wěn)壓管的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極還經(jīng)所述第二電感與所述第二二極管的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極還與所述反饋單元連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極作為直流輸出單元的一輸出端，第一穩(wěn)壓管的陽極作為直流輸出單元的另一輸出端并與所述輸入電源的負(fù)極連接。
[0012]優(yōu)選地，所述第三電容為極性電容，所述第三電容的正極與所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第三電容的負(fù)極與所述輸入電源的負(fù)極連接。
[0013]優(yōu)選地，所述反饋單元包括第四二極管、第四電容及第二穩(wěn)壓管，所述第四二極管的陽極與所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第四二極管的陰極經(jīng)所述第四電容與所述開關(guān)芯片的輸出端連接，所述第四二極管的陰極還與所述第二穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第二穩(wěn)壓管的陽極與所述開關(guān)芯片的反饋端連接。
[0014]優(yōu)選地，所述反饋單元還包括第五電容，所述第五電容的一端與所述開關(guān)芯片的反饋端連接，所述第五電容的另一端與所述開關(guān)芯片的輸出端連接。
[0015]本實(shí)用新型提出的一種非隔離的開關(guān)電源電路，通過欠壓保護(hù)模塊來為開關(guān)芯片提供工作電壓，通過直流輸出單元輸出直流電壓至負(fù)載，由于欠壓保護(hù)模塊及直流輸出單元可根據(jù)開關(guān)芯片的導(dǎo)通和截止時(shí)間來調(diào)整工作電壓及輸出直流電壓的大小，因此，可實(shí)現(xiàn)在開關(guān)芯片輸出較小的直流輸出電壓時(shí)，保證開關(guān)芯片的正常工作，擴(kuò)大了直流輸出電壓的適用范圍，實(shí)用性高，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例非隔離的開關(guān)電源電路的結(jié)構(gòu)框圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例非隔離的開關(guān)電源電路的電路圖。
[0018]為了使本實(shí)用新型的技術(shù)方案更加清楚、明了，下面將結(jié)合附圖作進(jìn)一步詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0019]應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0020]參照圖1，圖1是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例非隔離的開關(guān)電源電路的結(jié)構(gòu)框圖。
[0021]本實(shí)用新型較佳實(shí)施例提出一種非隔離的開關(guān)電源電路，包括開關(guān)芯片1、直流輸出單元2和反饋單元3，所述開關(guān)芯片I的輸入端連接輸入電源U0，所述開關(guān)芯片I的反饋端FB經(jīng)所述反饋單元3與所述直流輸出單元2的輸出端連接，該非隔離的開關(guān)電源電路還包括欠壓保護(hù)模塊4，所述欠壓保護(hù)模塊4連接在所述開關(guān)芯片I的輸出端與所述直流輸出單元2的輸入端之間，所述欠壓保護(hù)模塊4還與所述開關(guān)芯片I的供電端連接，所述欠壓保護(hù)模塊4用于根據(jù)所述開關(guān)芯片I的開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行充放電，從而為所述開關(guān)芯片I提供工作電壓；所述直流輸出單元2用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述欠壓保護(hù)模塊的充電量。
[0022]所述非隔離的開關(guān)電源電路，通過欠壓保護(hù)模塊4來為開關(guān)芯片I提供工作電壓，通過直流輸出單元2輸出直流電壓至負(fù)載，由于欠壓保護(hù)模塊4及直流輸出單元2可根據(jù)開關(guān)芯片I的開關(guān)管的導(dǎo)通和截止時(shí)間來調(diào)整工作電壓及輸出直流電壓的大小，擴(kuò)大了直流輸出電壓的適用范圍，實(shí)用性高，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
[0023]在本實(shí)施例中，所述直流輸出單元2用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述開關(guān)芯片I中開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間，從而控制所述欠壓保護(hù)模塊4和所述直流輸出單元2中存儲(chǔ)的電量；所述欠壓保護(hù)模塊4中存儲(chǔ)的電量大于所述直流輸出單元2中存儲(chǔ)的電量，從而可實(shí)現(xiàn)在開關(guān)芯片I輸出較小的直流輸出電壓時(shí)，保證開關(guān)芯片I的正常工作。
[0024]進(jìn)一步地，參照圖2所示，圖2是本實(shí)用新型較佳實(shí)施例非隔離的開關(guān)電源電路的電路圖。所述欠壓保護(hù)模塊4包括第一電容Cl、第二電容C2、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3及第一電感LI，所述第一二極管Dl的陽極經(jīng)所述第二電容C2與所述第二二極管D2的陰極連接，所述第二二極管D2的陽極經(jīng)所述第一電感LI與所述第一二極管Dl的陰極連接；所述第一二極管Dl的陰極與所述開關(guān)芯片I的輸出端連接，所述第一二極管Dl的陰極還經(jīng)所述第一電容Cl與所述開關(guān)芯片I的供電端VDD連接，所述第二二極管D2的陰極還與所述第三二極管D3的陽極連接，所述第三二極管D3的陰極與所述開關(guān)芯片I的供電端VDD連接，所述第二二極管D2的陽極還與所述直流輸出單元2連接，所述第一二極管Dl的陽極還與所述輸入電源UO的負(fù)極相連。
[0025]上述第一電容Cl及第二電容C2均為極性電容，所述第一電容Cl的正極與所述開關(guān)芯片I的供電端VDD連接，所述第一電容Cl的負(fù)極與所述第一二極管Dl的陰極連接；所述第二電容C2的正極與所述第二二極管D2的陰極連接，所述第二電容C2的負(fù)極與所述輸入電源UO的負(fù)極連接。
[0026]上述直流輸出單兀2包括第二電感L2、第三電容C3及第一穩(wěn)壓管DZl,所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極經(jīng)所述第三電容C3與所述第一穩(wěn)壓管DZl的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極還經(jīng)所述第二電感L2與所述第二二極管D2的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極還與所述反饋單元3連接，所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極作為直流輸出單元2的一輸出端，第一穩(wěn)壓管DZl的陽極作為直流輸出單元2的另一輸出端并與所述輸入電源UO的負(fù)極連接。其中，所述第三電容C3為極性電容，所述第三電容C3的正極與所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極連接，所述第三電容C3的負(fù)極與所述輸入電源UO的負(fù)極連接。
[0027]上述反饋單元3包括第四二極管D4、第四電容C4及第二穩(wěn)壓管DZ2，所述第四二極管D4的陽極與所述第一穩(wěn)壓管DZl的陰極連接，所述第四二極管D4的陰極經(jīng)所述第四電容C4與所述開關(guān)芯片I的輸出端連接，所述第四二極管D4的陰極還與所述第二穩(wěn)壓管DZ2的陰極連接，所述第二穩(wěn)壓管DZ2的陽極與所述開關(guān)芯片I的反饋端FB連接，進(jìn)一步地，反饋單元3還包括第五電容C5，所述第五電容C5的一端與所述開關(guān)芯片I的反饋端FB連接，所述第五電容C5的另一端與所述開關(guān)芯片I的輸出端連接。
[0028]需要說明的是，本實(shí)施例中，開關(guān)芯片I的內(nèi)部包含MOSFET管，其內(nèi)部MOSFET管的漏極端D即為開關(guān)芯片I的輸入端，其內(nèi)部MOSFET管的源極端S即為開關(guān)芯片I的輸出端。
[0029]本實(shí)用新型較佳實(shí)施例非隔離的開關(guān)電源電路的工作原理具體描述如下:
[0030]本實(shí)施例中，開關(guān)芯片I的漏極端D連接的輸入電源UO以310V的直流電源為例進(jìn)行說明，當(dāng)然，也不限定該輸入電源UO的大小為其他值。在電路剛上電時(shí)，310V的直流電源UO通過開關(guān)芯片I內(nèi)部的高壓恒流源為第一電容Cl充電，當(dāng)?shù)谝浑娙軨l兩端電壓充至該開關(guān)芯片I的啟動(dòng)電壓時(shí)，開關(guān)芯片I關(guān)斷內(nèi)部的高壓恒流源，開始啟振工作，其中，開關(guān)芯片I的啟動(dòng)電壓為開關(guān)芯片I開始工作時(shí)開關(guān)芯片內(nèi)部提供的驅(qū)動(dòng)電壓，而開關(guān)芯片I的后續(xù)工作電壓也即外部提供給開關(guān)芯片I的驅(qū)動(dòng)電壓由欠壓保護(hù)模塊4提供。
[0031]開關(guān)芯片I的漏極端D為開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管的漏極；開關(guān)芯片的源極端S為開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管的源極。當(dāng)開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管導(dǎo)通時(shí)，輸入電源UO的正極一端通過漏極端D、源極端S、第一電感L1、第二二極管D2、第二電容C2與輸入電源UO的負(fù)極形成回路，則輸入電源UO在第一電感LI及第二電容C2上儲(chǔ)存電能。同時(shí)，輸入電源UO的正極還通過漏極端D、源極端S、第一電感L1、第二電感L2、第三電容C3與輸入電源UO的負(fù)極形成回路，則輸入電源UO在第二電感L2及第三電容C3上儲(chǔ)存電能。
[0032]當(dāng)開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管截止時(shí)，第一電感LI與第二二極管D2、第二電容C2、第一二極管Dl形成回路，則第一電感LI上儲(chǔ)存的電能被釋放，對第二電容C2進(jìn)行充電，為第二電容C2提供持續(xù)的電能，使第二電容C2上的電壓基本保持不變，同時(shí)，第二電容C2通過第三二極管D3為第一電容Cl進(jìn)行充電,而第一電容Cl為開關(guān)芯片I的供電端VDD提供穩(wěn)定的直流工作電壓。與此同時(shí)，第一電感LI與第二電感L2、第三電容C3、第一二極管Dl形成回路，第一電感LI與第二電感L2上儲(chǔ)存的電能被釋放，對第三電容C3進(jìn)行充電，為第三電容C3提供持續(xù)的電能，使第三電容C3上的電壓基本保持不變，保證第三電容C3為負(fù)載提供穩(wěn)定持續(xù)的直流輸出電壓Ul。
[0033]由此，通過控制第一電感L1、第二電感L2上儲(chǔ)存的電能即可控制第二電容C2、第三電容C3上儲(chǔ)存的電能，而第二電容C2儲(chǔ)存的電能通過第三二極管D3為第一電容Cl進(jìn)行充電，而第一電容Cl為開關(guān)芯片I的供電端VDD提供工作電壓，因此，第二電容C2儲(chǔ)存的電能決定了開關(guān)芯片I的工作電壓大?。坏谌娙軨3上儲(chǔ)存的電能則決定了負(fù)載的輸出電壓大小，因此，通過控制第一電感L1、第二電感L2上儲(chǔ)存的電能即可控制開關(guān)芯片I的工作電壓大小及負(fù)載的輸出電壓大小，而開關(guān)芯片I通過控制內(nèi)部MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間，SP控制其占空比就能控制第一電感L1、第二電感L2上儲(chǔ)存的電能，從而保證開關(guān)芯片I的工作電壓在其正常工作所需的電壓及其欠壓保護(hù)電壓之上，同時(shí)，可控制負(fù)載的輸出電壓在所需的范圍內(nèi)，且當(dāng)開關(guān)芯片I內(nèi)部MOSFET管截止時(shí)，第一電感LI上儲(chǔ)存的電能首先對第二電容C2進(jìn)行充電并通過第三二極管D3和第一電容Cl提供給開關(guān)芯片I的供電端VDD。第一電感LI與第二電感L2上儲(chǔ)存的電能對第三電容C3進(jìn)行充電，第三電容C3兩端電壓即為直流輸出電壓Ul，而第一電感LI對第三電容C3進(jìn)行充電時(shí)由于第二電感L2的作用，會(huì)對第三電容C3上存儲(chǔ)的能量造成影響，如當(dāng)設(shè)置第一電感LI的電感量遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于第二電感L2的電感量時(shí)，可設(shè)置第一電感LI的電感量為幾十毫亨，第二電感L2的電感量為幾十微亨，則第三電容C3與第一電感LI之間由于第二電感L2的作用，使第三電容C3上存儲(chǔ)的能量少于第二電容C2，從而使得直流輸出電壓小于開關(guān)芯片I的供電電壓。由此，即可通過控制開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管的占空比及第一電感L1、第二電感L2的電感量大小來實(shí)現(xiàn)在保證開關(guān)芯片I的工作電壓在其正常工作所需的電壓及其欠壓保護(hù)電壓之上時(shí)，輸出較小的直流輸出電壓Ul。
[0034]進(jìn)一步地，直流輸出電壓Ul對反饋單元3中的第四電容C4充電，第四電容C4上的電壓經(jīng)第二穩(wěn)壓管DZ2的穩(wěn)壓作用后輸出至開關(guān)芯片I的反饋端FB，第二穩(wěn)壓管DZ2的穩(wěn)壓值與直流輸出電壓Ul相等，則開關(guān)芯片I通過反饋端FB接收到反饋的直流輸出電壓大小。當(dāng)反饋的直流輸出電壓大小高于預(yù)設(shè)的直流輸出電壓值時(shí)，開關(guān)芯片I減少內(nèi)部MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間，即調(diào)低其占空比，則減少第一電感L1、第二電感L2上儲(chǔ)存的電能，相應(yīng)的，第三電容C3上存儲(chǔ)的電能減少，則第三電容C3為負(fù)載提供的直流輸出電壓Ul減小；當(dāng)反饋的直流輸出電壓大小低于預(yù)設(shè)的直流輸出電壓值時(shí)，開關(guān)芯片I提高內(nèi)部MOSFET管的導(dǎo)通時(shí)間，即調(diào)高其占空比，則提高第一電感L1、第二電感L2上儲(chǔ)存的電能，相應(yīng)的，第三電容C3上存儲(chǔ)的電能提高，則第三電容C3為負(fù)載提供的直流輸出電壓Ul增大；由此，開關(guān)芯片I通過反饋端FB接收到反饋的直流輸出電壓大小來調(diào)整其內(nèi)部MOSFET管的占空比即可對輸出的直流輸出電壓Ul進(jìn)行調(diào)整，保證為負(fù)載提供穩(wěn)定持續(xù)的直流輸出電壓Ul。本實(shí)施例中，在開關(guān)芯片I的反饋端FB及源極端S之間還設(shè)有濾波電容C5，C5為小容值的瓷片電容，對開關(guān)芯片I的反饋端FB上的電壓信號進(jìn)行高頻濾波，以防止開關(guān)芯片過調(diào)的現(xiàn)象發(fā)生，使電路更加安全穩(wěn)定。
[0035]本實(shí)施例通過欠壓保護(hù)模塊4來根據(jù)開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管的占空比為為所述開關(guān)芯片I提供工作電壓，通過直流輸出單元2輸出直流電壓至負(fù)載，由于可通過控制開關(guān)芯片內(nèi)部MOSFET管的占空比控制開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間來調(diào)整工作電壓及輸出直流電壓的大小，因此，可在保證開關(guān)芯片的工作電壓在其正常工作所需的電壓及其欠壓保護(hù)電壓之上時(shí)，輸出較小的直流輸出電壓，擴(kuò)大了直流輸出電壓的適用范圍，實(shí)用性高，且電路結(jié)構(gòu)簡單，成本較低。
[0036]以上所述僅為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種非隔離的開關(guān)電源電路，包括開關(guān)芯片、直流輸出單元和反饋單元，所述開關(guān)芯片的輸入端連接輸入電源，所述開關(guān)芯片的反饋端經(jīng)所述反饋單元與所述直流輸出單元的輸出端連接，其特征在于，該非隔離的開關(guān)電源電路還包括欠壓保護(hù)模塊，所述欠壓保護(hù)模塊連接在所述開關(guān)芯片的輸出端與所述直流輸出單元的輸入端之間，所述欠壓保護(hù)模塊還與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述欠壓保護(hù)模塊用于根據(jù)所述開關(guān)芯片的開關(guān)管的開關(guān)狀態(tài)進(jìn)行充放電，從而為所述開關(guān)芯片提供工作電壓；所述直流輸出單元用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述欠壓保護(hù)模塊的充電量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述直流輸出單元用于根據(jù)輸出直流電壓的高低控制所述開關(guān)芯片中開關(guān)管的導(dǎo)通時(shí)間，從而控制所述欠壓保護(hù)模塊和所述直流輸出單元中存儲(chǔ)的電量；所述欠壓保護(hù)模塊中存儲(chǔ)的電量大于所述直流輸出單元中存儲(chǔ)的電量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述欠壓保護(hù)模塊包括用于在所述開關(guān)芯片中開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)電量的第一電感，所述直流輸出單元包括用于在所述開關(guān)芯片中開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)存儲(chǔ)電量的第二電感；所述第一電感的電感量大于所述第二電感的電感量。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述開關(guān)芯片的開關(guān)管為MOSFET管，所述MOSFET管的漏極端為所述開關(guān)芯片的輸入端，所述MOSFET管的源極端為所述開關(guān)芯片的輸出端。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述欠壓保護(hù)模塊還包括第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管及第三二極管，所述第一二極管的陽極經(jīng)所述第二電容與所述第二二極管的陰極連接，所述第二二極管的陽極經(jīng)所述第一電感與所述第一二極管的陰極連接；所述第一二極管的陰極與所述開關(guān)芯片的輸出端連接，所述第一二極管的陰極還經(jīng)所述第一電容與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第二二極管的陰極還與所述第三二極管的陽極連接，所述第三二極管的陰極與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第二二極管的陽極還與所述直流輸出單元連接，所述第一二極管的陽極還與所述輸入電源的負(fù)極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述第一電容及所述第二電容均為極性電容，所述第一電容的正極與所述開關(guān)芯片的供電端連接，所述第一電容的負(fù)極與所述第一二極管的陰極連接；所述第二電容的正極與所述第二二極管的陰極連接，所述第二電容的負(fù)極與所述輸入電源的負(fù)極連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述直流輸出單元還包括第三電容及第一穩(wěn)壓管，所述第一穩(wěn)壓管的陰極經(jīng)所述第三電容與所述第一穩(wěn)壓管的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極還經(jīng)所述第二電感與所述第二二極管的陽極連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極還與所述反饋單元連接，所述第一穩(wěn)壓管的陰極作為直流輸出單元的一輸出端，第一穩(wěn)壓管的陽極作為直流輸出單兀的另一輸出端并與所述輸入電源的負(fù)極連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述第三電容為極性電容，所述第三電容的正極與所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第三電容的負(fù)極與所述輸入電源的負(fù)極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述反饋單元包括第四二極管、第四電容及第二穩(wěn)壓管，所述第四二極管的陽極與所述第一穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第四二極管的陰極經(jīng)所述第四電容與所述開關(guān)芯片的輸出端連接，所述第四二極管的陰極還與所述第二穩(wěn)壓管的陰極連接，所述第二穩(wěn)壓管的陽極與所述開關(guān)芯片的反饋端連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非隔離的開關(guān)電源電路，其特征在于，所述反饋單元還包括第五電容，所述第五電容的一端與所述開關(guān)芯片的反饋端連接，所述第五電容的另一端與所述開關(guān)芯片的輸出端連接。
【文檔編號】H02M3/155GK203734531SQ201320861424
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月24日
【發(fā)明者】李巨林, 劉旭, 黃敬雁, 熊龍 申請人:Tcl空調(diào)器(中山)有限公司