臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路，包括整流橋、可控升壓電感、臨界導(dǎo)通功率因素校正電路、負(fù)載判斷電路、懸浮驅(qū)動(dòng)電路，特征在于：輸入電網(wǎng)電壓與整流橋輸入端連接，整流橋輸出正端與可控升壓電感輸入端連接，可控升壓電感輸出端與臨界導(dǎo)通功率因素電路連接，臨界導(dǎo)通功率因素電路輸出電壓Vo，負(fù)載判斷電路的輸入端與臨界導(dǎo)通功率因素校正電路連接，負(fù)載判斷電路的輸出與懸浮驅(qū)動(dòng)電路輸入連接，懸浮驅(qū)動(dòng)電路的輸出與可控升壓電感控制端連接。本發(fā)明通過(guò)在不同的負(fù)載區(qū)間，改變臨界導(dǎo)通模式功率因素校正電路的升壓電感，實(shí)現(xiàn)從空載到滿載都具有高功率因素和低諧波失真的功率因素校正。
【專利說(shuō)明】臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電源【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種從空載到滿載范圍都具有高效率、低失真的臨界導(dǎo)通高功率因素校正電路。
【背景技術(shù)】
[0002]臨界導(dǎo)通功率因素校正電路(CRM PFC)因可以實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)管的零電流開(kāi)通和二極管的零電流關(guān)斷，在200W以下功率變換場(chǎng)合得到了廣泛應(yīng)用。目前各廠商的臨界導(dǎo)通功率因素校正芯片控制的功率開(kāi)關(guān)都工作在變頻狀態(tài)，致使該電路只能在50% -100%負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高功率因素、高效率和低諧波失真；而當(dāng)電源工作在空載至49%輕載范圍內(nèi)，因開(kāi)關(guān)工作頻率太高，輸入電流波形失真嚴(yán)重，功率因素值較低。但很多功率變換產(chǎn)品大部分時(shí)間都工作在輕載狀態(tài)，如直流變頻電機(jī)、節(jié)能燈等。因此，提高輕載下的功率因素和效率是一項(xiàng)急待解決的問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路，通過(guò)在不同負(fù)載區(qū)間，改變臨界導(dǎo)通模式功率因素校正電路的升壓電感，實(shí)現(xiàn)從空載到滿載都具有高功率因素和低諧波失真的功率因素校正。
[0004]下面說(shuō)明本發(fā)明所涉及的工作原理。
[0005]臨界導(dǎo)通模式功率因素校正電路的原理圖如圖1所示。根據(jù)變換理論，功率開(kāi)關(guān)S的開(kāi)通時(shí)間Tw和關(guān)斷時(shí)間Ttw分別為:`
【權(quán)利要求】
1.一種臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路，包括整流橋、可控升壓電感、臨界導(dǎo)通功率因素校正電路、負(fù)載判斷電路、懸浮驅(qū)動(dòng)電路，特征在于:輸入電網(wǎng)電壓與整流橋輸入端連接，整流橋輸出正端與可控升壓電感輸入端連接，可控升壓電感輸出端與臨界導(dǎo)通功率因素電路連接，臨界導(dǎo)通功率因素電路輸出電壓V。，負(fù)載判斷電路的輸入端與臨界導(dǎo)通功率因素校正電路連接，負(fù)載判斷電路的輸出與懸浮驅(qū)動(dòng)電路輸入連接，懸浮驅(qū)動(dòng)電路的輸出與可控升壓電感控制端連接，整流橋輸出負(fù)端與懸浮驅(qū)動(dòng)電路的接地端、負(fù)載判斷電路的接地端、臨界導(dǎo)通功率因素校正電路接地端匯接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路，其特征在于:所述的可控升壓電感包括第一升壓電感L1、第二升壓電感L2、M0S管Tl,第一升壓電感L1、第二升壓電感L2繞在同一磁芯上，第一升壓電感LI的非同名端、MOS管Tl的漏極D與整流橋輸出正端匯接，第一升壓電感LI的同名端與第二升壓電感L2的非同名端、MOS管Tl的源極S、懸浮驅(qū)動(dòng)電路輸出參考地VS匯接，第二升壓電感L2的同名端與臨界導(dǎo)通因素校正電路的升壓二極管Dl的陽(yáng)極、臨界導(dǎo)通因素校正電路的MOS管T2的漏極D匯接，MOS管Tl的柵極G與懸浮驅(qū)動(dòng)電路的輸出端HO連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種臨界導(dǎo)通全負(fù)載高功率因素校正電路，其特征在于:所述的可控升壓電感包括第一升壓電感L1、第二升壓電感L2、M0S管Tl,第一升壓電感L1、第二升壓電感L2繞在同一磁芯上，第二升壓電感L2的非同名端、MOS管Tl的漏極D與整流橋輸出正端匯接，第一升壓電感LI的非同名端與MOS管Tl的源極S、懸浮驅(qū)動(dòng)電路的輸出參考地VS匯接，第一升壓電感LI的同名端與第二升壓電感L2的同名端、臨界導(dǎo)通因素校正電路的升壓二極管Dl的陽(yáng)極匯接，MOS管Tl的柵極G與懸浮驅(qū)動(dòng)電路的輸出端HO連接。
【文檔編號(hào)】H02M1/42GK103887963SQ201410073059
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月26日
【發(fā)明者】薛曉明, 時(shí)倩 申請(qǐng)人:常州信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院