整流電路、電子電路及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種減少高溫下及大電流區(qū)域內(nèi)的損耗的整流電路、電子電路及電子設(shè)備。本發(fā)明實(shí)施方式的整流電路包括：第1整流單元，具有正的溫度系數(shù)；及第2整流單元，具有負(fù)的溫度系數(shù)，與所述第1整流單元并聯(lián)連接，正向電壓-正向電流曲線與所述第1整流元件的正向電壓-正向電流曲線交叉。
【專利說(shuō)明】整流電路、電子電路及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種整流電路、電子電路及電子設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]理想的是，電源設(shè)備等中使用的高耐壓二極管(d1de)等的整流電路的損耗低。而且，例如，在連接于交流供電線(line)的電源設(shè)備中，也須能抵抗重疊的雷電浪涌(lightning surge)電流。作為這種二極管，由寬帶隙(wide band-gap)化合物半導(dǎo)體形成的元件受到關(guān)注。其中，由GaN等氮化物半導(dǎo)體所形成的二極管(以下，也稱為GaN 二極管)的飽和電子速度也大，作為高速器件(device)而正得到實(shí)用化。
[0003]GaN二極管的正向電壓相對(duì)于溫度具有正的溫度系數(shù)。在常溫環(huán)境下，與硅二極管相比，GaN 二極管的正向電壓更低且以更低的損耗而運(yùn)行，但在高溫區(qū)域，與具有負(fù)的溫度系數(shù)的硅二極管相比，GaN二極管的導(dǎo)通損耗更大。而且，在小電流區(qū)域，GaN二極管的正向電壓低于硅二極管的正向電壓。然而，在大電流區(qū)域，表現(xiàn)出指數(shù)函數(shù)式的電流-電壓特性的硅二極管的正向電壓低，GaN 二極管的導(dǎo)通損耗大。
[0004]當(dāng)不慎流過(guò)雷電浪涌等過(guò)電流時(shí)，GaN 二極管的正向電壓驟增而產(chǎn)生大的損耗。與硅二極管相比，擊穿耐受程度進(jìn)一步下降。
[0005]在接通(on)電壓具有正的溫度系數(shù)、且使用GaN的常通(normally on)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor, FET)中，也存在同樣的問題。
[0006][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0007][專利文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開2008-198735號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明所要解決的問題在于提供一種減少高溫下及大電流區(qū)域內(nèi)的損耗的整流電路、電子電路及電子設(shè)備。
[0010]實(shí)施方式的整流電路包括--第I整流單元，具有正的溫度系數(shù)；及第2整流單元，具有負(fù)的溫度系數(shù)，與所述第I整流單元并聯(lián)連接，正向電壓-正向電流曲線與所述第I整流單元的正向電壓-正向電流曲線交叉。
[0011]實(shí)施方式的電子電路包括所述整流電路。實(shí)施方式的電子設(shè)備包括所述電子電路。
[0012][發(fā)明的效果]
[0013]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可提供一種減少高溫下及大電流區(qū)域內(nèi)的損耗的整流電路、電子電路及電子設(shè)備。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是例示第I實(shí)施方式中的整流電路的電路圖。
[0015]圖2是表示硅二極管及GaN 二極管的正向電壓-正向電流曲線的溫度依賴性的特性圖。
[0016]圖3是例示第2實(shí)施方式中的整流電路的電路圖。
[0017]圖4是表示常通型元件的漏極(drain)電流對(duì)于控制端子的電位的依賴性的特性圖。
[0018]圖5是例示第3實(shí)施方式中的整流電路的截面圖。
[0019]圖6是例示第4實(shí)施方式中的整流電路的截面圖。
[0020]圖7 (a)、圖7(b)是例示第5實(shí)施方式的電路圖。
[0021]圖8是例示第6實(shí)施方式的電路圖。
[0022][符號(hào)的說(shuō)明]
[0023]1:整流電路
[0024]2:整流單元
[0025]3:整流單元
[0026]4:整流電路
[0027]5:整流單元
[0028]6:晶體管
[0029]7: 二極管
[0030]8:整流電路(常通型晶體管)
[0031]9:GaN 二極管
[0032]10:硅二極管
[0033]11:金屬支撐基板
[0034]12:負(fù)極電極
[0035]13:半導(dǎo)體基板
[0036]14:正極電極
[0037]15:負(fù)極電極
[0038]16:半導(dǎo)體基板
[0039]17:正極電極
[0040]18:連接導(dǎo)體
[0041]I9:端子
[0042]20:端子
[0043]21:整流電路
[0044]22:GaN 二極管
[0045]23:硅二極管
[0046]24:負(fù)極電極
[0047]25:娃基板
[0048]26:半導(dǎo)體基板
[0049]27:半導(dǎo)體基板(二極管區(qū)域)
[0050]28:電子電路
[0051]29:交流供電線
[0052]30:電橋整流器
[0053]31:電感器
[0054]32:開關(guān)元件
[0055]33:整流元件
[0056]34:電容器
[0057]35:高電位輸出端子
[0058]36:低電位輸出端子
[0059]37:電子電路
[0060]38:直流供電線
[0061]39:整流元件
[0062]40:電容器
[0063]41:電子設(shè)備
[0064]42:電子電路
[0065]43:整流元件
[0066]44:電容器
[0067]45:電感器
[0068]46:開關(guān)元件
[0069]47:整流元件
[0070]48:電容器
[0071]49:照明負(fù)載
[0072]50:高電位輸出端子
[0073]51:低電位輸出端子
[0074]52:高電位端子
[0075]53:低電位端子
[0076]Id:漏極電流
[0077]If:正向電流
[0078]Vds:漏極、源極間電壓
[0079]Vf:正向電壓
[0080]Vgs:柵極、源極間的電壓

【具體實(shí)施方式】
[0081]以下，參照?qǐng)D式，對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。以下的說(shuō)明中，對(duì)于相同的構(gòu)件標(biāo)注相同的符號(hào)，對(duì)于已作說(shuō)明的構(gòu)件適當(dāng)?shù)厥÷云湔f(shuō)明。
[0082](第I實(shí)施方式)
[0083]圖1是例示第I實(shí)施方式中的整流電路的電路圖。
[0084]整流電路I包括第I整流單元2及第2整流單元3。第I整流單元2與第2整流單元3并聯(lián)連接。
[0085]第I整流單元2具有正的溫度系數(shù)。第2整流單元3具有負(fù)的溫度系數(shù)。所述第I整流單元2的正向電壓-正向電流曲線與所述第2整流單元3的正向電壓-正向電流曲線彼此交叉。
[0086]作為具有正的溫度系數(shù)的整流單元，可使用由化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成的二極管?；衔锇雽?dǎo)體例如為氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)。氧化物半導(dǎo)體例如為氧化鋅(ZnO)。作為具有負(fù)的溫度系數(shù)的整流單元，例如可使用由硅形成的二極管(以下，也稱為硅二極管)。
[0087]以下，作為一例，對(duì)于使用GaN 二極管作為第I整流單元、使用硅二極管作為第2整流單元的情況進(jìn)行說(shuō)明。如下文所述，這兩個(gè)二極管的正向電壓-正向電流曲線交叉。
[0088]圖2是表示硅二極管及GaN 二極管的正向電壓-正向電流曲線的溫度依賴性的特性圖。
[0089]圖2的橫軸表示正向電壓(Vf)，縱軸表示正向電流(If)。如果溫度從25°C上升至150°C，那么，GaN 二極管的正向電壓-正向電流曲線的斜度變小。即，因接通電阻增加，所以正向電壓上升。硅二極管的正向電壓-正向電流曲線向低電壓方向移動(dòng)，正向電壓下降。
[0090]GaN 二極管的正向電壓-正向電流曲線是直線式的，與此相對(duì)，硅二極管的正向電壓-正向電流曲線是指數(shù)函數(shù)式的。即便在相同的溫度下，在小電流區(qū)域，GaN 二極管的正向電壓低，在大電流區(qū)域，硅二極管的正向電壓低。這樣，兩者的正向電壓-正向電流曲線交叉。
[0091]因此，如果將兩者并聯(lián)連接且構(gòu)成整流電路I，那么，正向電壓低的這一側(cè)的二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。在低溫區(qū)域，GaN 二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作，在高溫區(qū)域，硅二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。另一方面，在小電流區(qū)域，GaN 二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作，在大電流區(qū)域，硅二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。整流電路I的正向電壓與GaN 二極管及硅二極管中的任一較小的正向電壓相等。
[0092]對(duì)于第I實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0093]根據(jù)本實(shí)施方式，與以單體的形式使用GaN 二極管或硅二極管的情況相比，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，能降低正向電壓，減少損耗。即便當(dāng)浪涌電流重疊時(shí)，也可達(dá)成能獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度的效果。
[0094](第2實(shí)施方式)
[0095]圖3是例示第2實(shí)施方式中的整流電路的電路圖。
[0096]整流電路4包括第I整流單元5及第2整流單元3。第I整流單元5與第2整流單元3并聯(lián)連接。
[0097]第I整流單元5具有:二極管7 ;及晶體管6，串聯(lián)連接于二極管7的負(fù)極(cathode),控制端子即柵極(gate)連接于二極管7的正極(anode)。第2整流單元3是娃二極管。
[0098]晶體管6是由化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成的常通型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，例如為由GaN形成的高電子遷移率晶體管(High Electron Mobility Transistor, HEMT)。二極管7例如為娃肖特基勢(shì)魚二極管(Schottky Barrier D1de)。
[0099]對(duì)于第I整流單元5的運(yùn)行進(jìn)行說(shuō)明。
[0100]當(dāng)正向地施加電壓時(shí)、即向二極管7的正極側(cè)施加正的電壓時(shí)，二極管7導(dǎo)通，作為常通型元件的晶體管6也接通。因此，整流單元5成為接通狀態(tài)。當(dāng)逆向地施加電壓時(shí)、即向二極管7的正極側(cè)施加負(fù)的電壓時(shí)，二極管7斷開(off)。晶體管6的柵極、源極(source)間的電壓Vgs成為負(fù)值，因此，晶體管6也斷開。因此，整流單元5成為斷開狀態(tài)。
[0101]當(dāng)逆向地施加電壓時(shí)，二極管7上的逆電壓是晶體管6的電壓Vgs，因此，作為二極管7，可使用低耐壓的硅肖特基勢(shì)壘二極管。一般而言，低耐壓的硅肖特基勢(shì)壘二極管的正向電壓低，晶體管6接通時(shí)的正向電壓也低，因此，整流單元5的正向電壓小于GaN 二極管單體。
[0102]使用圖4對(duì)晶體管6的特性進(jìn)行說(shuō)明。
[0103]圖4是表示常通型晶體管6的漏極電流對(duì)控制端子的電位的依賴性的特性圖。圖4的橫軸表示漏極、源極間電壓(Vds)，縱軸表示漏極電流。
[0104]由圖4可知，如果漏極電流Id達(dá)到規(guī)定的電流值，那么常通型晶體管6的接通電阻上升。即，常通型晶體管6表現(xiàn)恒流特性。在表現(xiàn)恒流特性的狀態(tài)下的漏極電流Id依賴于柵極、源極間的電壓Vgs。柵極、源極間的電壓Vgs的絕對(duì)值越大，恒流特性下的漏極電流Id的值越小。
[0105]當(dāng)以整流單元5的正方向施加電壓時(shí)，常通型晶體管6的電壓Vgs為相當(dāng)于硅肖特基勢(shì)壘二極管的正向電壓的電壓，例如為0.2V。這時(shí)，常通型晶體管6的恒流特性下的漏極電流Id與圖4中最大的漏極電流Id相等。如果要流動(dòng)所述電流以上的電流，那么正向電壓會(huì)急遽上升。
[0106]而且，GaN具有正的溫度系數(shù)，因此，在高溫環(huán)境下接通電阻也上升，正向電壓也上升。
[0107]因此，如果將第2整流單元即硅二極管并聯(lián)連接而構(gòu)成整流電路，那么正向電壓低的這一側(cè)的二極管或整流單元負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。在低溫區(qū)域，GaN 二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作，在高溫區(qū)域，硅二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。另一方面，在小電流區(qū)域，GaN 二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作，在大電流區(qū)域，硅二極管負(fù)責(zé)整流動(dòng)作。整流電路I的正向電壓與GaN 二極管及硅二極管中的任一較小的正向電壓相等。
[0108]對(duì)于第2實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0109]與以單體的形式使用包含由化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成的常通型場(chǎng)效應(yīng)晶體管及硅肖特基勢(shì)壘二極管的整流單元5的情況相比，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，能降低正向電壓，減少損耗。與第I實(shí)施方式中的整流電路相同，也可獲得能獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度的效果。
[0110](第3實(shí)施方式)
[0111]圖1所示的整流電路的GaN 二極管及硅二極管可安裝于相同的封裝體(package)中。這時(shí)的整流電路截面圖示于圖5中。
[0112]圖5是例示第3實(shí)施方式中的整流電路的截面圖。
[0113]整流電路8包括GaN 二極管9及硅二極管10。另外，GaN 二極管9、硅二極管10安裝在金屬支撐基板11上。GaN 二極管9具有負(fù)極電極12、半導(dǎo)體基板13及正極電極14。半導(dǎo)體基板13包含娃基板、緩沖(buffer)層、η型GaN半導(dǎo)體及ρ型GaN半導(dǎo)體。娃二極管10具有負(fù)極電極15、半導(dǎo)體基板16及正極電極17。半導(dǎo)體基板16包含η型娃半導(dǎo)體及P型硅半導(dǎo)體。
[0114]正極電極14與正極電極17是由連接導(dǎo)體18而連接。端子19連接于正極電極14或正極電極17，端子20連接于金屬支撐基板。
[0115]對(duì)于第3實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0116]根據(jù)本實(shí)施方式，與以單體的形式使用GaN 二極管或硅二極管的情況相比，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，能降低正向電壓，減少損耗。當(dāng)浪涌電流重疊時(shí)，也可獲得能獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度的效果。通過(guò)將GaN 二極管與硅二極管安裝在相同的金屬支撐基板上而作為單一的封裝體，也可獲得能使整流電路小型化的效果O
[0117](第4實(shí)施方式)
[0118]圖1所示的整流電路的GaN 二極管與硅二極管也可設(shè)為單片(monolithic)半導(dǎo)體。這時(shí)的整流電路的截面示于圖6中。
[0119]圖6是例示第4實(shí)施方式中的整流電路的示意截面圖。
[0120]整流電路21包括GaN 二極管22及硅二極管23。GaN 二極管22具有半導(dǎo)體基板26及正極電極14。半導(dǎo)體基板26包含η型GaN半導(dǎo)體及ρ型GaN半導(dǎo)體。硅二極管27具有作為擴(kuò)散層而設(shè)在硅基板25內(nèi)的二極管區(qū)域27、及正極電極17。二極管區(qū)域27包含η型硅半導(dǎo)體及ρ型硅半導(dǎo)體。GaN 二極管22、硅二極管23的負(fù)極電極24是共用的，且附設(shè)在硅基板25的背面。另外，硅基板25可為使GaN 二極管22結(jié)晶成長(zhǎng)的成長(zhǎng)基板，或也可為使GaN 二極管22的積層構(gòu)造成長(zhǎng)之后適當(dāng)去除成長(zhǎng)基板而進(jìn)行貼合的支撐基板。
[0121]對(duì)于第4實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0122]根據(jù)本實(shí)施方式，與以單體的形式使用GaN 二極管或硅二極管的情況相比，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，能降低正向電壓，減少損耗。即便當(dāng)浪涌電流重疊時(shí)，也可獲得能獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度的效果。通過(guò)使GaN 二極管與硅二極管作為單片半導(dǎo)體而成為單一的封裝體，也可獲得能使整流電路小型化的效果。
[0123](第5實(shí)施方式)
[0124]接著，對(duì)設(shè)有本實(shí)施方式的整流電路的電子電路進(jìn)行說(shuō)明。
[0125]圖7 (a)、圖7(b)分別是例示第5實(shí)施方式中的電子電路的電路圖。
[0126]圖7(a)所示的電子電路28包括電橋(bridge)整流器30、電感器(inductor) 31、開關(guān)(switching)元件32、整流元件33、電容器(condenser) 34及未圖示的控制電路。開關(guān)元件32例如為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor FieldEffect Transistor,MOS FET)。構(gòu)成電橋整流器30的各二極管及整流元件33中的至少任一個(gè)為本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路。
[0127]交流供電線29連接于電橋整流器30的輸入端。電感器31的一端連接于電橋整流器30的高電位輸出端子50，電感器31的另一端連接于開關(guān)元件32的漏極。開關(guān)元件32的源極連接于電橋整流器30的低電位輸出端子51。整流元件33的正極連接于開關(guān)元件32的漏極，整流元件33的負(fù)極連接于電容器34的一端。電容器34的另一端連接于電橋整流器30的低電位輸出端子51。
[0128]電子電路28是對(duì)來(lái)自交流供電線29的交流電壓進(jìn)行整流，且通過(guò)使開關(guān)元件32接通、斷開而進(jìn)行升壓的電路。
[0129]圖7(b)所示的電子電路37包括整流元件39及電容器40。整流元件39是本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路。
[0130]整流元件39的正極連接于直流供電線38的高電位端子52，整流元件39的負(fù)極連接于電容器40的一端。電容器40的另一端連接于直流供電線38的低電位端子53。實(shí)施方式中的整流電路可應(yīng)用于整流元件39。
[0131]電子電路37作為直流供電線的逆連接保護(hù)電路而運(yùn)行。
[0132]對(duì)第5實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0133]根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，減少電子電路的損耗。即便當(dāng)浪涌電流重疊時(shí)，也能獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度，與使用GaN 二極管時(shí)相比，也可獲得能提供可靠性高的電子電路的效果。
[0134](第6實(shí)施方式)
[0135]圖8是例示第6實(shí)施方式的電路圖。
[0136]圖8所示的電子設(shè)備41包括電子電路42及照明負(fù)載49。照明負(fù)載49例如具有發(fā)光二極管(LED)等照明光源。
[0137]電子電路42具有電橋整流器30、整流元件43、電容器44、電感器45、開關(guān)元件46、整流元件47及電容器48。開關(guān)元件46例如為MOS FET0構(gòu)成電橋整流器30的各二極管與整流元件43、整流元件47中的至少任一個(gè)為本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路。
[0138]交流供電線29連接于電橋整流器30的輸入端。整流元件43的正極連接于電橋整流器30的高電位輸出端子50，整流元件43的負(fù)極連接于電容器44的一端。電容器44的另一端連接于電橋整流器30的低電位輸出端子51。電感器45的一端連接于整流元件43的負(fù)極，電感器45的另一端連接于開關(guān)元件46的漏極。開關(guān)元件46的源極連接于電橋整流器30的低電位輸出端子51。整流元件47的正極連接于電容器48的一端，電容器48的另一端連接于電橋整流器30的低電位輸出端子51。照明負(fù)載49并聯(lián)連接于電容器48。
[0139]電子設(shè)備41是對(duì)來(lái)自交流供電線29的交流電進(jìn)行整流、降壓后供給至照明負(fù)載49的照明設(shè)備。這種照明設(shè)備中，從熄燈時(shí)至100%點(diǎn)燈時(shí)，功耗可能會(huì)大范圍地變化。因此，輸入電流的大小也會(huì)大范圍地變動(dòng)。因所述電子設(shè)備41連接于交流供電線，所以，也須能抵抗雷電浪涌等浪涌電流。通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路，可獲得如下效果:在寬廣的溫度及電流的范圍內(nèi)，能降低整流元件的正向電壓，減少損耗。即便當(dāng)浪涌電流重疊時(shí)，也能獲得與使用硅二極管時(shí)等同的浪涌耐受程度。
[0140]對(duì)于第6實(shí)施方式的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0141]根據(jù)本實(shí)施方式，通過(guò)應(yīng)用本發(fā)明的實(shí)施方式中的整流電路，可獲得減少電子設(shè)備的損耗的效果。實(shí)施方式中的整流電路可獲得與硅二極管等同的浪涌耐受程度，因此，也可獲得能提供可靠性高的電子設(shè)備的效果。
[0142]以上，已參照具體示例對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但并不限于所述具體示例，而可進(jìn)行各種變形。
[0143]例如，第I整流單元及第2整流單元并不限于GaN。例如，也可為使用碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)或金剛石(diamond)等具有寬帶隙的半導(dǎo)體(寬帶隙半導(dǎo)體)而形成在半導(dǎo)體基板上的半導(dǎo)體元件。這里，所謂寬帶隙半導(dǎo)體是指帶隙比帶隙約為1.4eV的砷化鎵(GaAs)更寬的半導(dǎo)體。例如，包括帶隙為1.5eV以上的半導(dǎo)體、磷化鎵(GaP，帶隙約2.3eV)、氮化鎵(GaN,帶隙約3.4eV)、金剛石(C，帶隙約5.27eV)、氮化鋁(A1N,帶隙約5.9eV)、碳化硅(SiC)等。
[0144]另外,照明負(fù)載并不限于LED,例如也可為有機(jī)電致發(fā)光(Electro-Luminescence,EL)或有機(jī)發(fā)光二極管(Organic light-emitting d1de, 0LED)等。
[0145]以上，已參照具體示例對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明。然而，實(shí)施方式并不限于這些具體示例。即，只要具有實(shí)施方式的特征，那么由熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員對(duì)這些具體示例適當(dāng)進(jìn)行設(shè)計(jì)變更后所得的方案也屬于實(shí)施方式的范圍。上文所述的各具體示例所含的各要素及其配置、材料、條件、形狀、尺寸(size)等并不限于例示的類型，可適當(dāng)?shù)刈兏?br> [0146]而且，可使上文所述的各實(shí)施方式中所含的各要素在技術(shù)上可行的范圍內(nèi)進(jìn)行組合，將所述要素組合后所得的方案只要包含實(shí)施方式的特征，那么也屬于實(shí)施方式的范圍內(nèi)。另外，應(yīng)了解，在實(shí)施方式的思想范疇內(nèi)，可由熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員想到各種變更例與修正例，且這些變更例與修正例也屬于實(shí)施方式的范圍。
[0147]已對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但這些實(shí)施方式僅作為示例提出，并非意在限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他各種形態(tài)實(shí)施，且可在不脫離發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變形屬于發(fā)明的范圍或宗旨，并且屬于與及其同等的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種整流電路，其特征在于包括: 第I整流單元，具有正的溫度系數(shù) '及 第2整流單元，具有負(fù)的溫度系數(shù)，與所述第I整流單元并聯(lián)連接，正向電壓-正向電流曲線與所述第I整流單元的正向電壓-正向電流曲線交叉。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流電路，其特征在于: 所述第I整流單元為化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體二極管， 所述第2整流單元為硅二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流電路，其特征在于: 所述第I整流單元具有:二極管；及常通型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，串聯(lián)連接于所述二極管的負(fù)極，控制端子連接于所述二極管的正極，且由化合物半導(dǎo)體或氧化物半導(dǎo)體形成； 所述第2整流單元為硅二極管。
4.一種電子電路，其特征在于: 包括根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的整流電路。
5.—種電子設(shè)備,其特征在于: 包括根據(jù)權(quán)利要求4所述的電子電路。
【文檔編號(hào)】H02M7/08GK104467468SQ201410103953
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月19日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月25日
【發(fā)明者】大武寬和, 北村紀(jì)之, 高橋雄治, 石川真人, 三浦洋平 申請(qǐng)人:東芝照明技術(shù)株式會(huì)社