均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，包括設(shè)置于H逆變橋旁的單相全波二極管整流橋、第一晶閘管、第一預(yù)充電電阻、第一緩沖電路，以及第二晶閘管、第二預(yù)充電電阻、第二緩沖電路，單相全波二極管整流橋內(nèi)與整流橋直流正輸出端相連的兩個(gè)二極管的陰極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陽極相連；單相全波二極管整流橋內(nèi)與整流橋直流負(fù)輸出端相連的兩個(gè)二極管的陽極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陰極相連。本發(fā)明能夠有效解決單只晶閘管發(fā)熱嚴(yán)重的問題。
【專利說明】均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種旁路電路，特別是涉及一種均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，高壓變頻器的應(yīng)用越來越廣泛，由功率單元串聯(lián)構(gòu)成的高壓變頻裝置以其諧波小、維護(hù)方便等優(yōu)良性能受到了廣大用戶的青睞；功率單元串聯(lián)而成的高壓變頻裝置在運(yùn)行過程中，會(huì)出現(xiàn)因個(gè)別功率單元發(fā)生故障而導(dǎo)致整個(gè)裝置無法正常運(yùn)行的情況，為提高裝置的穩(wěn)定性和可靠性，需要暫時(shí)旁路掉故障的功率單元，確保裝置可以繼續(xù)正常運(yùn)行。
[0003]現(xiàn)在普遍采用的一種旁路電路形式如圖1所示(專利名稱:高壓變頻調(diào)速器的旁路電路專利號(hào):02100667.9)，它由設(shè)置在H逆變橋I旁的單相全波二極管整流橋2和晶閘管3構(gòu)成；當(dāng)某個(gè)功率單元出現(xiàn)故障時(shí)，系統(tǒng)關(guān)斷H逆變橋1，觸發(fā)晶閘管3，使電流通過由單相全波二極管整流橋2和晶閘管3形成的通路為防止IGBT高速開關(guān)時(shí)產(chǎn)生的dv/dt造成晶閘管損壞，利用緩沖電路4中的電阻R2、R3將晶閘管的陽極與陰極分別連接至直流母線的正、負(fù)端，從而理論上使晶閘管兩端電壓值與母線電壓值相等，這樣H逆變橋開始工作時(shí)其輸出的PWM電壓不會(huì)直接到達(dá)晶閘管兩端；緩沖電路4中串聯(lián)的電阻Rl和電容Cl用于直接吸收過高的dv/dt。
[0004]在這種電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下，由于只有一只晶閘管參與旁路運(yùn)行，受限于目前功率半導(dǎo)體器件的制造水平，單只晶閘管的導(dǎo)流能力有限，在旁路功率較大的高壓變頻器功率單元時(shí)，會(huì)出現(xiàn)單只晶閘管的導(dǎo)流能力低于實(shí)際需求的情況。為滿足對(duì)功率較大的高壓變頻器功率單元的旁路需求，一種方法是使用容量更大導(dǎo)流能力更強(qiáng)的晶閘管，其缺點(diǎn)是:成本較高，且需依賴于晶閘管制作技術(shù)的不斷進(jìn)步；另一種方法就是對(duì)現(xiàn)有電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)以滿足上述需求。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于上述原因，本發(fā)明的目的在于提供一種均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，通過在單相全波二極管整流橋的輸出端連接兩只晶閘管，并在交流電正、負(fù)半周分別導(dǎo)通兩只晶閘管，可有效解決單只晶閘管發(fā)熱嚴(yán)重的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
[0007]均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，它包括設(shè)置于H逆變橋旁的單相全波二極管整流橋、第一預(yù)充電電阻、第一晶閘管、與第一晶閘管并聯(lián)的第一緩沖電路，其特征在于:它還包括第二晶閘管，
[0008]所述單相全波二極管整流橋內(nèi)與單相全波二極管整流橋直流正輸出端相連的兩個(gè)二極管(D1、D3)的陰極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陽極相連；
[0009]所述單相全波二極管整流橋內(nèi)與單相全波二極管整流橋直流負(fù)輸出端相連的兩個(gè)二極管(D2、D4)的陽極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陰極相連。
[0010]進(jìn)一步的，
[0011]均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，還包括第二預(yù)充電電阻及第二緩沖電路，該第二預(yù)充電電阻串聯(lián)在變頻器直流母線與所述第二晶閘管之間，該第二緩沖電路與所述第二晶閘管相并聯(lián)。
[0012]所述第二緩沖電路包括電阻R6、電容C3、吸收電容C4，該電阻R6與電容C3串聯(lián)后與所述第二晶閘管相并聯(lián)，該吸收電容C4與所述第二晶閘管相并聯(lián)。
[0013]所述第一緩沖電路包括電阻R1、電容Cl、吸收電容C2，該電阻Rl與電容Cl串聯(lián)后與所述第一晶閘管相并聯(lián)，該吸收電容C2與所述第一晶閘管相并聯(lián)。
[0014]所述第一預(yù)充電電阻串聯(lián)在變頻器直流母線與所述第一晶閘管之間。
[0015]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:
[0016]本發(fā)明通過在交流電壓正負(fù)半周分別導(dǎo)通兩只晶閘管，可使整個(gè)交流電周期中流過每只晶閘管的有效電流值為流過單只晶閘管的有效電流值的一半，使得單只晶閘管的集中發(fā)熱轉(zhuǎn)變?yōu)閮芍痪чl管的交替發(fā)熱，既解決了僅用單只晶閘管時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重的問題，也規(guī)避了目前市場(chǎng)上尚無足夠電流耐受能力的晶閘管的難題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的旁路電路的電路原理圖；
[0018]圖2為本發(fā)明均流式高壓變頻器功率單元旁路電路的電路原理圖；
[0019]圖3為本發(fā)明公開的旁路電路工作于交流電正半周時(shí)的工作原理圖；
[0020]圖4為本發(fā)明公開的旁路電路工作于交流電負(fù)半周時(shí)的工作原理圖。

【具體實(shí)施方式】
[0021]以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。
[0022]圖2為本發(fā)明公開的均流式高壓變頻器功率單元旁路電路的電路原理圖。如圖所示，本發(fā)明公開的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，包括設(shè)置于H逆變橋10旁的單相全波二極管整流橋20、第一晶閘管、第一預(yù)充電電阻及與第一晶閘管Tl并聯(lián)的第一緩沖電路，還包括:第二晶閘管T2、第二預(yù)充電電阻及與第二晶閘管T2并聯(lián)的第二緩沖電路；
[0023]單相全波二極管整流橋20包括四個(gè)二極管D1-D4，與單相全波二極管整流橋直流正輸出端相連的兩個(gè)二極管Dl、D3的陰極分別與第一晶閘管Tl、第二晶閘管T2的陽極相連；與單相全波二極管整流橋直流負(fù)輸出端相連的兩個(gè)二極管D2、D4的陽極分別與第一晶閘管Tl、第二晶閘管T2的陰極相連。
[0024]如圖所示，第一預(yù)充電電阻R2、R3串聯(lián)在變頻器輸出的直流正、負(fù)母線與第一晶閘管Tl之間；第一緩沖電路包括電阻R1、電容Cl、吸收電容C2，電阻R1、電容Cl串聯(lián)后與第一晶閘管Tl并聯(lián)，吸收電容C2與第一晶閘管Tl并聯(lián)，用于吸收IGBT高速開關(guān)時(shí)于第一晶閘管Tl兩端產(chǎn)生的dv/dt，保護(hù)第一晶閘管Tl不受損壞。
[0025]第二預(yù)充電電阻R4、R5串聯(lián)在變頻器輸出的直流正、負(fù)母線與第二晶閘管T2之間；第二緩沖電路包括電阻R6、電容C3、吸收電容C4，電阻R6、電容C3串聯(lián)后與第二晶閘管T2并聯(lián)，吸收電容C4與第二晶閘管T2并聯(lián)，用于吸收IGBT高速開關(guān)時(shí)于第二晶閘管T2兩端產(chǎn)生的dv/dt，保護(hù)第二晶閘管T2不受損壞。
[0026]當(dāng)變頻器的功率單元發(fā)生故障時(shí)，功率單元會(huì)在主控程序的控制下切換到旁路運(yùn)行狀態(tài)，此時(shí)，系統(tǒng)關(guān)斷逆變橋，觸發(fā)晶閘管，使電流從由二極管整流橋和晶閘管形成的通路流過。具體的說，如圖3所示，交流電正半周時(shí)，即U相電壓高于V相電壓時(shí)，從變頻器輸出端輸出的電流經(jīng)U相流出，流經(jīng)單相全波二極管整流橋20的二極管Dl、第一晶閘管Tl及單相全波二極管整流橋20的二極管D4，然后流回至V相端；如圖4所示，交流電負(fù)半周時(shí)，即V相電壓高于U相電壓時(shí)，從變頻器輸出端輸出的電流經(jīng)V相流出，流經(jīng)單相全波二極管整流橋20的二極管D3、第二晶閘管T2及單相全波二極管整流橋20的二極管D2，然后流回至U相端。
[0027]本發(fā)明的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，通過在交流電壓正負(fù)半周分別導(dǎo)通第一、第二晶閘管，可使整個(gè)交流電周期中流過每只晶閘管的有效電流值為流過單只晶閘管的有效電流值的一半，使得單只晶閘管的集中發(fā)熱轉(zhuǎn)變?yōu)閮芍痪чl管的交替發(fā)熱，在實(shí)際使用時(shí)，只需要配置兩只導(dǎo)流能力為預(yù)期導(dǎo)流能力一半的晶閘管即可滿足大功率旁路電路的需求(如，850安培的旁路電路配置一只800安培的晶閘管時(shí)發(fā)熱問題特別嚴(yán)重，而配置兩只600安培的晶閘管時(shí)可有效解決其發(fā)熱嚴(yán)重的問題)，既解決了僅用單只晶閘管時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重的問題，也規(guī)避了目前市場(chǎng)上尚無足夠電流耐受能力的晶閘管的難題。
[0028]以上所述是本發(fā)明的較佳實(shí)施例及其所運(yùn)用的技術(shù)原理，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，任何基于本發(fā)明技術(shù)方案基礎(chǔ)上的等效變換、簡(jiǎn)單替換等顯而易見的改變，均屬于本發(fā)明保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，它包括設(shè)置于H逆變橋旁的單相全波二極管整流橋、第一預(yù)充電電阻、第一晶閘管、與第一晶閘管并聯(lián)的第一緩沖電路，其特征在于:它還包括第二晶閘管， 所述單相全波二極管整流橋內(nèi)與單相全波二極管整流橋直流正輸出端相連的兩個(gè)二極管(D1、D3)的陰極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陽極相連； 所述單相全波二極管整流橋內(nèi)與單相全波二極管整流橋直流負(fù)輸出端相連的兩個(gè)二極管(D2、D4)的陽極分別與第一晶閘管、第二晶閘管的陰極相連。
2.如權(quán)利要求1所述的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，其特征在于:還包括第二預(yù)充電電阻及第二緩沖電路，該第二預(yù)充電電阻串聯(lián)在變頻器直流母線與所述第二晶閘管之間，該第二緩沖電路與所述第二晶閘管相并聯(lián)。
3.如權(quán)利要求2所述的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，其特征在于:所述第二緩沖電路包括電阻R6、電容C3、吸收電容C4，該電阻R6與電容C3串聯(lián)后與所述第二晶閘管相并聯(lián)，該吸收電容C4與所述第二晶閘管相并聯(lián)。
4.如權(quán)利要求1或3所述的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，其特征在于:所述第一緩沖電路包括電阻Rl、電容Cl、吸收電容C2，該電阻Rl與電容Cl串聯(lián)后與所述第一晶閘管相并聯(lián)，該吸收電容C2與所述第一晶閘管相并聯(lián)。
5.如權(quán)利要求4所述的均流式高壓變頻器功率單元的旁路電路，其特征在于:所述第一預(yù)充電電阻串聯(lián)在變頻器直流母線與所述第一晶閘管之間。
【文檔編號(hào)】H02M1/32GK104079154SQ201410336623
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月15日
【發(fā)明者】楊繼偉 申請(qǐng)人:北京利德華福電氣技術(shù)有限公司